JPS5848963A - 温度センサ−用半導体素子 - Google Patents
温度センサ−用半導体素子Info
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- JPS5848963A JPS5848963A JP56137408A JP13740881A JPS5848963A JP S5848963 A JPS5848963 A JP S5848963A JP 56137408 A JP56137408 A JP 56137408A JP 13740881 A JP13740881 A JP 13740881A JP S5848963 A JPS5848963 A JP S5848963A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は高い温度感度を有し、歩留まりのよい温度セン
サー用字導体素子に関するものである。
サー用字導体素子に関するものである。
従来よシ温度を何らかの形で電気信号に変換できるトラ
ンスデュサ、つｔシ温度センサーとしての役割は益々高
範ｌ！！に渡り、需要も急増の一途をたどっている０例
えば日常生活の中でのエア。コンディジ曹す（温風器、
クーラー）、冷蔵庫、電気とたつ、電気毛布、さらに電
子レンジ、電気オーブンなどの家庭用電気製品はその一
部である。
ンスデュサ、つｔシ温度センサーとしての役割は益々高
範ｌ！！に渡り、需要も急増の一途をたどっている０例
えば日常生活の中でのエア。コンディジ曹す（温風器、
クーラー）、冷蔵庫、電気とたつ、電気毛布、さらに電
子レンジ、電気オーブンなどの家庭用電気製品はその一
部である。
接触型温度センナ−の生麦ものとしては、バイメタル、
サーミスタ、アー弊接合半導体、測温抵抗体、熱電対、
液体温度センサー、ｓ−Ｉ’接合トランジスタ等が用い
られている。
サーミスタ、アー弊接合半導体、測温抵抗体、熱電対、
液体温度センサー、ｓ−Ｉ’接合トランジスタ等が用い
られている。
特に集積回路化が容易で量産性に優ｎたセンサーとして
はｒ−％接合半導体が有力であシ、その−例として我に
は第１図に示すような！成の温度センサーＸＣを使用し
ている。ここでは集積化のため、ｎｗ基板シリコンを用
いた例について説明する。
はｒ−％接合半導体が有力であシ、その−例として我に
は第１図に示すような！成の温度センサーＸＣを使用し
ている。ここでは集積化のため、ｎｗ基板シリコンを用
いた例について説明する。
接合トランジスタＩＫ定電流（例えば０．１１ム程度）
を流す電流回路２を接続すれば、接合）ランリスタ１の
ベース、エミッタ間電圧管温度射出電圧ＶＯへｔとした
温度センサーを構成する。
を流す電流回路２を接続すれば、接合）ランリスタ１の
ベース、エミッタ間電圧管温度射出電圧ＶＯへｔとした
温度センサーを構成する。
尚、Ｍ１図中、３は電源電圧の変動に対して出ズ電圧一
定の定電圧回路を含んだ電源回路である。
定の定電圧回路を含んだ電源回路である。
このシステムにおいて定電流回路２と定電圧回路を含む
電源回路を低消費電力化を主目的とするため相補型絶縁
ゲート電界効果型トランジスタ（以下０−ＭＯＳと略す
ン構造で工。化すると、これに伴ない接合トランジスタ
１としては第２図に示すような構造で０Ｍ０Ｂと同一プ
ロセスで形成できる舊−Ｐ−３プレ一ナー接合トランジ
スタが使用される。
電源回路を低消費電力化を主目的とするため相補型絶縁
ゲート電界効果型トランジスタ（以下０−ＭＯＳと略す
ン構造で工。化すると、これに伴ない接合トランジスタ
１としては第２図に示すような構造で０Ｍ０Ｂと同一プ
ロセスで形成できる舊−Ｐ−３プレ一ナー接合トランジ
スタが使用される。
第２図（ロ）は最とも簡単な夏Ｐ夏プレーナーシリコン
接合トランジスタの構造を示した断面図であ〕、第２図
（６）は平面図である。すなわち、前記トランジスタは
Ｎ−シリコン基板４をプレクターＰ−シリプン基板５を
ベース、Ｍ”拡散Ｘ８ｔエミツターとしている＠ ａＩ
２図（６）にこのトランジスＩの等価回路を示す、尚
ことで、７はＰ＋チーＶオ、ルカット、６は１＋拡散、
９は酸化絶級属、１０はｊ 電極金属、Ｕはベース。
接合トランジスタの構造を示した断面図であ〕、第２図
（６）は平面図である。すなわち、前記トランジスタは
Ｎ−シリコン基板４をプレクターＰ−シリプン基板５を
ベース、Ｍ”拡散Ｘ８ｔエミツターとしている＠ ａＩ
２図（６）にこのトランジスＩの等価回路を示す、尚
ことで、７はＰ＋チーＶオ、ルカット、６は１＋拡散、
９は酸化絶級属、１０はｊ 電極金属、Ｕはベース。
コレクタ一端子、１２［工ζツター燗子である。
接合トランジスタの＝レフター４とベース５を同電位に
接続した場合、ベース、エミッタ電流工はダイオードの
電流電圧特性と同様になシ、（１）式％（：真性キャリ
ア密度 ％：工ぽツタ注入効率 ！ｔ：ポルッマン定数 ＃：単位電荷 ■＝ペース、工業ツタ間電圧 ム：接合ドッンリスタの形状及び少数キャリアの拡散距
離によン定まる定数 よって、ベース５、エミッタ８との間の電流電圧特性は
第３図に示すような特性とな〕温度によって変化する。
接続した場合、ベース、エミッタ電流工はダイオードの
電流電圧特性と同様になシ、（１）式％（：真性キャリ
ア密度 ％：工ぽツタ注入効率 ！ｔ：ポルッマン定数 ＃：単位電荷 ■＝ペース、工業ツタ間電圧 ム：接合ドッンリスタの形状及び少数キャリアの拡散距
離によン定まる定数 よって、ベース５、エミッタ８との間の電流電圧特性は
第３図に示すような特性とな〕温度によって変化する。
？−こで７重 、τ寓 、τ島は温度であり、テ、〉！
、〉テａの関係にある。このように、温度センシング素
子を０ＭＯ８プａセスで定電流回路、定電圧回路と同一
チップ上に容易に製作することができ、制御用の１チッ
プ温度センサーとして広く応用されている。この場合’
Ｘ””Ｍ＋接合面積が、１１００ｘ１００ｐ” ｆＰ−
Ｙ＃ｕ濃度（ベース拡散濃度） ５ ｘ １０’ ａｔ
ｏ想１．５１″易順方向一定電流０．１μムにおいて温
度係数は、３ｍ Ｖ ／ Ｃ９１ｆ ｄｉ １ｉらｎる
。この接合トランクｘｐを用いた温度センサーの温度感
度は、サーミスタを用いた温度センサーの温度感度（１
５愼Ｉｒ／ｃ）Ｋ（らぺると低いという欠点七有してい
たが、最近状々は、第４図（ロ）に示したような等価回
ｗ１１に有するトランジスタをダーリントン接続した温
度センサーによって従来の２倍の温度感度（６惰Ｖ／Ｃ
ンを得、更に第４図ＣＭ）Ｋ示した３段接続のダーリン
）ｙ）う／ジスタ忙よる温度センサーでは、９等ｖ／℃
の温度感度を得ること忙成功し九、〔第４図＜ｃ＞〕ｔ
、かじながらそのばらつきは、第５図に示すように、ロ
ット内で、１段で１ ｍ ７以内であったのに対し、２
段では２ｍＶ、３段では５餌マと増加し、またノイズに
対する安定性も、２段。
、〉テａの関係にある。このように、温度センシング素
子を０ＭＯ８プａセスで定電流回路、定電圧回路と同一
チップ上に容易に製作することができ、制御用の１チッ
プ温度センサーとして広く応用されている。この場合’
Ｘ””Ｍ＋接合面積が、１１００ｘ１００ｐ” ｆＰ−
Ｙ＃ｕ濃度（ベース拡散濃度） ５ ｘ １０’ ａｔ
ｏ想１．５１″易順方向一定電流０．１μムにおいて温
度係数は、３ｍ Ｖ ／ Ｃ９１ｆ ｄｉ １ｉらｎる
。この接合トランクｘｐを用いた温度センサーの温度感
度は、サーミスタを用いた温度センサーの温度感度（１
５愼Ｉｒ／ｃ）Ｋ（らぺると低いという欠点七有してい
たが、最近状々は、第４図（ロ）に示したような等価回
ｗ１１に有するトランジスタをダーリントン接続した温
度センサーによって従来の２倍の温度感度（６惰Ｖ／Ｃ
ンを得、更に第４図ＣＭ）Ｋ示した３段接続のダーリン
）ｙ）う／ジスタ忙よる温度センサーでは、９等ｖ／℃
の温度感度を得ること忙成功し九、〔第４図＜ｃ＞〕ｔ
、かじながらそのばらつきは、第５図に示すように、ロ
ット内で、１段で１ ｍ ７以内であったのに対し、２
段では２ｍＶ、３段では５餌マと増加し、またノイズに
対する安定性も、２段。
３Ｒと段数をふやすとともに急激に減少し、３段接続で
は約ｉＹ：以上、０まシ１０ ｓ Ｖ ９度のゆらぎが
あ〉、高歩留ｔ）で、ノイズに対して安定があるという
、１段接続で得らｊＬ究特性を失い、改良の必要にせま
られていた。そもそも多段構成の温度センサー用半導体
素子において１、検出電圧のばらつき、ゆらぎの原因は
、第４図（ロ）を参照して説明すると、第１段目の）−
２ンジスタテＲＩにおいてベース電ＲＸ、、コレクタ電
流ｘ１゜との関係は、 ｘｌ・８β、ｘＸ・・・・・・■ ここでβ鴨は各トランジスタの電流増幅率である。また
トランジスタＴＲ２においては、Ｘ ”、 ｚβ＠ＸＸ
”６ｍｍｍｎ■ であるから仮に一１冨β、′ヰ１００とするとて低くな
る。このため１段目のトランジスタＴＲ１は２段目に較
べ流れるベース電流が大きく違うために、ノイズに対し
て敏感になり、検出電圧をばらつがせる。ま几、一般に
電流増幅率βは値が大きい程ばらつきも大きくなシ、こ
ｔが検ム電圧そのもののばらつきをも大きくしている。
は約ｉＹ：以上、０まシ１０ ｓ Ｖ ９度のゆらぎが
あ〉、高歩留ｔ）で、ノイズに対して安定があるという
、１段接続で得らｊＬ究特性を失い、改良の必要にせま
られていた。そもそも多段構成の温度センサー用半導体
素子において１、検出電圧のばらつき、ゆらぎの原因は
、第４図（ロ）を参照して説明すると、第１段目の）−
２ンジスタテＲＩにおいてベース電ＲＸ、、コレクタ電
流ｘ１゜との関係は、 ｘｌ・８β、ｘＸ・・・・・・■ ここでβ鴨は各トランジスタの電流増幅率である。また
トランジスタＴＲ２においては、Ｘ ”、 ｚβ＠ＸＸ
”６ｍｍｍｎ■ であるから仮に一１冨β、′ヰ１００とするとて低くな
る。このため１段目のトランジスタＴＲ１は２段目に較
べ流れるベース電流が大きく違うために、ノイズに対し
て敏感になり、検出電圧をばらつがせる。ま几、一般に
電流増幅率βは値が大きい程ばらつきも大きくなシ、こ
ｔが検ム電圧そのもののばらつきをも大きくしている。
従って我々が求める温度センサーに用いる理想的なＰ−
答接合トランジスタの特性は、β＝１なるトランジスタ
でダーリントン接続したもので、工。＝工１ｏ””ｏで
あることが望まれる。
答接合トランジスタの特性は、β＝１なるトランジスタ
でダーリントン接続したもので、工。＝工１ｏ””ｏで
あることが望まれる。
本発明はこのよう表欠点改良に鑑みなさｎた構造的改良
であシ、温度感度が高く、ばらつきが小さく、ノイズに
対して安定で、ＩＣ化に適した非常に有力な温度センサ
ー用半導体素子を提供するものである。
であシ、温度感度が高く、ばらつきが小さく、ノイズに
対して安定で、ＩＣ化に適した非常に有力な温度センサ
ー用半導体素子を提供するものである。
以下、図面を用いて本発明の実施例を詳細に述べる。
前述のようにβを低減した温度センサー用、ｐ−ｎ接合
トランジスタを得るために成さｆ′Ｌ九本発明の第１の
実施例を箱６図の揖造断面図を用いて詳述する。Ｎ″″
シリコン基板４をコレクター、Ｐ″′シリコン基板５を
ペース、Ｎ十拡散層８をエミッターとし九第２図（ロ）
）に示す温度センサー用半導体素子の基本構造に２１１
１！え、エミッタとしてのＮ十拡散領域８の周辺にＰ＋
チャネルカッ）１３ｔ−介して菖＋拡散層１４ ｔｖ、
けである、これを金属配＠１０を通じて、コレクタとし
ての夏＋拡散層６と接続する。すなわち頁＋拡散層１４
は第２のコレクターとして機能し、エミッターから注入
され九キャリアの一部は、新たに設けられた第２コレク
ターＮ＋拡散層１４に吸いこまれるようになる。こｎｔ
図式的に表わすと第８図のごとくコレクターからペース
へ電流＜ｘｅ、とｘａｍ）’ｔ−戻す経路ができ、βを
低減することができる。このダブルコレクター（コレク
ターと第２のコレクタ〕を用いることにより、我々は、
検出電圧＼Ｖデーｆのばらつきを約加−低減することが
できた。更にこのダブルコレクターの威力を増し、ばら
つＩｔ−低減させるために成されたのが本発明の第２に
示す構造で、第７図。
トランジスタを得るために成さｆ′Ｌ九本発明の第１の
実施例を箱６図の揖造断面図を用いて詳述する。Ｎ″″
シリコン基板４をコレクター、Ｐ″′シリコン基板５を
ペース、Ｎ十拡散層８をエミッターとし九第２図（ロ）
）に示す温度センサー用半導体素子の基本構造に２１１
１！え、エミッタとしてのＮ十拡散領域８の周辺にＰ＋
チャネルカッ）１３ｔ−介して菖＋拡散層１４ ｔｖ、
けである、これを金属配＠１０を通じて、コレクタとし
ての夏＋拡散層６と接続する。すなわち頁＋拡散層１４
は第２のコレクターとして機能し、エミッターから注入
され九キャリアの一部は、新たに設けられた第２コレク
ターＮ＋拡散層１４に吸いこまれるようになる。こｎｔ
図式的に表わすと第８図のごとくコレクターからペース
へ電流＜ｘｅ、とｘａｍ）’ｔ−戻す経路ができ、βを
低減することができる。このダブルコレクター（コレク
ターと第２のコレクタ〕を用いることにより、我々は、
検出電圧＼Ｖデーｆのばらつきを約加−低減することが
できた。更にこのダブルコレクターの威力を増し、ばら
つＩｔ−低減させるために成されたのが本発明の第２に
示す構造で、第７図。
に示すごとく、エミッターＮ十拡散領域８よシも更に深
い拡散を施した夏十拡散領域コレクター１４七設けたも
のである。尚第６図、第７図の４はＮ−基板、６はＮ十
拡散コレクター、１３はＰ＋チャネルカッ）％ ８はＮ
十拡散エミッター、本発明のポイントである１４はＮ十
拡散のコレクター、氏は酸化膜、１０が電極金属、１１
がコレクター、ベース端子、１２がエミッタ一端子であ
る。本発明による第３の改善は前述したダブルコレクタ
ー領域１４を２μ、３段、あるいは更に多段のダーリン
トン接続に用いたものである。
い拡散を施した夏十拡散領域コレクター１４七設けたも
のである。尚第６図、第７図の４はＮ−基板、６はＮ十
拡散コレクター、１３はＰ＋チャネルカッ）％ ８はＮ
十拡散エミッター、本発明のポイントである１４はＮ十
拡散のコレクター、氏は酸化膜、１０が電極金属、１１
がコレクター、ベース端子、１２がエミッタ一端子であ
る。本発明による第３の改善は前述したダブルコレクタ
ー領域１４を２μ、３段、あるいは更に多段のダーリン
トン接続に用いたものである。
以上詳述したごとく、本発明の温度センサー用半導体素
子は、（、−ＭＯＥプロセスで製造することができ、Ｉ
Ｃ化が容易表１ｉ−Ｐ−Ｎプレーナ接合トランジスタを
用いて構造的に、その電流増幅率βを低減することによ
）、２段、３段あるいは、更に多段のダーリントン接続
を施した場合、その検出電圧ｖｏｕｔのばらつＩｔいっ
そう低減することができ、またノイズによるゆらぎを減
少させ、歩留シを向上させることができる。これによる
温度感度は、１段で３営Ｖ／Ｃ，２段で６鴇ｖ／’ｃ、
３段で９ｚｔｖ／℃の高感度、高歩留まシでノイズに対
して安定な温度センサー用半導体素子を提供するもので
おる。尚本発明はシリコン夏アＮ接合プレーナーＦラン
リスタを用い九温度センサーについて述べたが、Ｐ：Ｉ
！’接合トランジスタを用いても同様の効果を得ること
ができ、また他のシリコン以外の牛導体材料においても
同様に実現可能である。
子は、（、−ＭＯＥプロセスで製造することができ、Ｉ
Ｃ化が容易表１ｉ−Ｐ−Ｎプレーナ接合トランジスタを
用いて構造的に、その電流増幅率βを低減することによ
）、２段、３段あるいは、更に多段のダーリントン接続
を施した場合、その検出電圧ｖｏｕｔのばらつＩｔいっ
そう低減することができ、またノイズによるゆらぎを減
少させ、歩留シを向上させることができる。これによる
温度感度は、１段で３営Ｖ／Ｃ，２段で６鴇ｖ／’ｃ、
３段で９ｚｔｖ／℃の高感度、高歩留まシでノイズに対
して安定な温度センサー用半導体素子を提供するもので
おる。尚本発明はシリコン夏アＮ接合プレーナーＦラン
リスタを用い九温度センサーについて述べたが、Ｐ：Ｉ
！’接合トランジスタを用いても同様の効果を得ること
ができ、また他のシリコン以外の牛導体材料においても
同様に実現可能である。
第１図は、接合トランジスタを用いた温度センサーの回
路例を示す図。 第２図（ａ）は接合トランジスタ管用い九温度センサー
用半導体素子の断面図。 第２図０）は、その平百図。 第２図（６）は、そｔＬｔ−あられしたトランジスタ記
号を示す図。 第３図は、接合トランジスタめコレクターとペースｔ−
同電位にした場合の電流、電圧゛特性図。 第４図←）は、接合トランジスタのダーリントン２段！
！絖の接続図。 第４図０）は、ｆ−ηントン３段接続の接続図。 第４図（Ｃ）はトランジスタ１段の場合とダーリントン
２段接続と、３段接続の場合のそｎぞれの温度感度ｆ、
Ｔｏられすグラフ。 第５図は、ダーリントン接続の段数に対する検出電圧の
ロット内ばらつきの大きさをあられすグラフ。 第６図は、本発明による、接合型プレーナートランジス
タの構造断面図。 第７図は、本発明の第２の実施例の構造断面図、第８図
は、本発明のマルチコレクタトランジスタをダーリント
ン接続した図である。 ４゜。Ｎ−シリコン基板コレクター領域、５゜。。Ｐ−
ウェルベース領域、６．。Ｍ＋拡散層７゜、Ｐ十拡散層
８゜、Ｎ十拡散領域エミッター領域、９０．酸化膜、
１０゜、ムＬ電極領域、１１、。ペース、コレクタ一端
子、臣、。エミッタ一端子。 以上 窮１ 図 □□□□□□□□フ 第３区 刀、４図（θ） 第６図 ４ 第７図 謙 ３１１−
路例を示す図。 第２図（ａ）は接合トランジスタ管用い九温度センサー
用半導体素子の断面図。 第２図０）は、その平百図。 第２図（６）は、そｔＬｔ−あられしたトランジスタ記
号を示す図。 第３図は、接合トランジスタめコレクターとペースｔ−
同電位にした場合の電流、電圧゛特性図。 第４図←）は、接合トランジスタのダーリントン２段！
！絖の接続図。 第４図０）は、ｆ−ηントン３段接続の接続図。 第４図（Ｃ）はトランジスタ１段の場合とダーリントン
２段接続と、３段接続の場合のそｎぞれの温度感度ｆ、
Ｔｏられすグラフ。 第５図は、ダーリントン接続の段数に対する検出電圧の
ロット内ばらつきの大きさをあられすグラフ。 第６図は、本発明による、接合型プレーナートランジス
タの構造断面図。 第７図は、本発明の第２の実施例の構造断面図、第８図
は、本発明のマルチコレクタトランジスタをダーリント
ン接続した図である。 ４゜。Ｎ−シリコン基板コレクター領域、５゜。。Ｐ−
ウェルベース領域、６．。Ｍ＋拡散層７゜、Ｐ十拡散層
８゜、Ｎ十拡散領域エミッター領域、９０．酸化膜、
１０゜、ムＬ電極領域、１１、。ペース、コレクタ一端
子、臣、。エミッタ一端子。 以上 窮１ 図 □□□□□□□□フ 第３区 刀、４図（θ） 第６図 ４ 第７図 謙 ３１１−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ■ 第１導電型の第１のコレクタとして動作する基板と
、前記基板表面部分に形成された第２導電型のベース拡
散層と、前記ベース拡散層内の表面部分に形成された第
１導電型のエミッタ拡散層と、畦記エミッタ拡散層の周
囲のベース表面部分にチャンネルカットを介して設けら
れた第２のコレクタとを備え、かつ前記第２のコレクタ
の拡散の深さが、前記チャンネルカット及び前記エミッ
タ拡散層の深さよシ深く槽底されているプレーナー接合
トランジスタを、複数個ダーリントン接続して成る温度
センサー用半導体素子。 （２）第２のコレクタと第１のコレクタとして動作する
基板とが電極によシ接続されている特許請求の範囲第１
項記載の温度センサー用半導体素子
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56137408A JPS5947467B2 (ja) | 1981-09-01 | 1981-09-01 | 温度センサ−用半導体素子 |
| GB08224567A GB2105109B (en) | 1981-09-01 | 1982-08-26 | Thermosensitive semiconductor devices |
| US06/413,492 US4639755A (en) | 1981-09-01 | 1982-08-31 | Thermosensitive semiconductor device using Darlington circuit |
| DE19823232336 DE3232336A1 (de) | 1981-09-01 | 1982-08-31 | Thermoelektrische halbleitereinrichtung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56137408A JPS5947467B2 (ja) | 1981-09-01 | 1981-09-01 | 温度センサ−用半導体素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5848963A true JPS5848963A (ja) | 1983-03-23 |
| JPS5947467B2 JPS5947467B2 (ja) | 1984-11-19 |
Family
ID=15197939
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56137408A Expired JPS5947467B2 (ja) | 1981-09-01 | 1981-09-01 | 温度センサ−用半導体素子 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4639755A (ja) |
| JP (1) | JPS5947467B2 (ja) |
| DE (1) | DE3232336A1 (ja) |
| GB (1) | GB2105109B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4639755A (en) * | 1981-09-01 | 1987-01-27 | Kabushiki Kaisha Daini Seikosha | Thermosensitive semiconductor device using Darlington circuit |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US4730228A (en) * | 1986-03-21 | 1988-03-08 | Siemens Aktiengesellschaft | Overtemperature detection of power semiconductor components |
| JPH04150223A (ja) * | 1990-10-10 | 1992-05-22 | Nippondenso Co Ltd | 集積回路を含んでなる出力回路 |
| US5461252A (en) * | 1992-10-06 | 1995-10-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor device comprising an over-temperature detection element for detecting excessive temperature of amplifiers |
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| JP4863818B2 (ja) * | 2006-08-29 | 2012-01-25 | セイコーインスツル株式会社 | 温度センサ回路 |
| US20110095621A1 (en) * | 2009-10-22 | 2011-04-28 | Gardtec Incorporated | Power Cord with Thermal Control |
| US9373615B2 (en) * | 2014-11-03 | 2016-06-21 | Texas Instruments Incorporated | Bipolar transistor including lateral suppression diode |
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| DE2344244C3 (de) * | 1973-09-01 | 1982-11-25 | Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart | Laterale Transistorstruktur |
| US3867650A (en) * | 1973-12-03 | 1975-02-18 | Bell Telephone Labor Inc | Compound transistor connection loading for a current |
| JPS597246B2 (ja) * | 1975-12-01 | 1984-02-17 | 株式会社東芝 | ハンドウタイロンリカイロ |
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| JPS5926098B2 (ja) * | 1978-08-31 | 1984-06-23 | オムロン株式会社 | 近接スイッチ |
| JPS56135963A (en) * | 1980-03-27 | 1981-10-23 | Seiko Instr & Electronics Ltd | Semiconductor ic for temperature sensor |
| US4329598A (en) * | 1980-04-04 | 1982-05-11 | Dbx, Inc. | Bias generator |
| JPS57145355A (en) * | 1981-03-04 | 1982-09-08 | Nippon Denso Co Ltd | Semiconductor device |
| JPS5947467B2 (ja) * | 1981-09-01 | 1984-11-19 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | 温度センサ−用半導体素子 |
| US4471236A (en) * | 1982-02-23 | 1984-09-11 | Harris Corporation | High temperature bias line stabilized current sources |
-
1981
- 1981-09-01 JP JP56137408A patent/JPS5947467B2/ja not_active Expired
-
1982
- 1982-08-26 GB GB08224567A patent/GB2105109B/en not_active Expired
- 1982-08-31 US US06/413,492 patent/US4639755A/en not_active Expired - Lifetime
- 1982-08-31 DE DE19823232336 patent/DE3232336A1/de active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4639755A (en) * | 1981-09-01 | 1987-01-27 | Kabushiki Kaisha Daini Seikosha | Thermosensitive semiconductor device using Darlington circuit |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5947467B2 (ja) | 1984-11-19 |
| DE3232336C2 (ja) | 1989-05-11 |
| US4639755A (en) | 1987-01-27 |
| GB2105109B (en) | 1985-06-12 |
| DE3232336A1 (de) | 1983-03-10 |
| GB2105109A (en) | 1983-03-16 |
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