JPS5848529A - スイツチング回路 - Google Patents
スイツチング回路Info
- Publication number
- JPS5848529A JPS5848529A JP56147065A JP14706581A JPS5848529A JP S5848529 A JPS5848529 A JP S5848529A JP 56147065 A JP56147065 A JP 56147065A JP 14706581 A JP14706581 A JP 14706581A JP S5848529 A JPS5848529 A JP S5848529A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pulse signal
- stray capacitance
- fet
- turned
- circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/687—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電界効果トランジスタ(以FB’ETと称す)
よりなるスイッチング回路に関する。
よりなるスイッチング回路に関する。
第1図にFICTを用いたスイッチング回路の従来例を
示す。同図において+ Q*+ QrはpBT、に+は
主電源、E、は制御電源、工、はインバータ、R,、R
。
示す。同図において+ Q*+ QrはpBT、に+は
主電源、E、は制御電源、工、はインバータ、R,、R
。
は抵抗、2は負荷、C1はF K T Q、のゲートと
ソースの間に存在する浮遊容量である。
ソースの間に存在する浮遊容量である。
先ず端子1にパルス信号” 1 ”が印加されると。
インバータエ、によって反転されてF ET Qtのゲ
ートは信号” o ″となるのでQ、はオフし、浮遊容
量C8は、制御電源E、→抵抗R1→浮遊容量C1→制
御電源E、の回路を流れる電流によって充電される。浮
遊容量C,の電圧がFKTQ、、のしきい値以上になる
と上記F K、T Qrがオンする。
ートは信号” o ″となるのでQ、はオフし、浮遊容
量C8は、制御電源E、→抵抗R1→浮遊容量C1→制
御電源E、の回路を流れる電流によって充電される。浮
遊容量C,の電圧がFKTQ、、のしきい値以上になる
と上記F K、T Qrがオンする。
次K[子1のパルス信号がオフ即ち0″となるーと、イ
ンバータエ1によって反転されてF F T Qtのゲ
ートは信号”l”となるのでQ、はオンし、浮遊容量C
1に充電されている電荷は、浮遊容量C1→抵抗R2→
F K T Q4→浮遊容量C,の回路で放電する0浮
遊容量C8の電圧がF K T Qrのしきい値以下に
なるとQ、がオンする0次に端子1にパルス信号゛1”
が印加され、以下同様の動作を繰返す。この回路では、
F K T Qrがオフ状態の時F B T Qtが
オン状態にあり、制御電源に、→抵抗R1→抵抗R1→
トランジスタQ、→制御電源E、の回路で電流が流れる
ので抵抗R,,R,による電力損失が発生する。ここで
Q。
ンバータエ1によって反転されてF F T Qtのゲ
ートは信号”l”となるのでQ、はオンし、浮遊容量C
1に充電されている電荷は、浮遊容量C1→抵抗R2→
F K T Q4→浮遊容量C,の回路で放電する0浮
遊容量C8の電圧がF K T Qrのしきい値以下に
なるとQ、がオンする0次に端子1にパルス信号゛1”
が印加され、以下同様の動作を繰返す。この回路では、
F K T Qrがオフ状態の時F B T Qtが
オン状態にあり、制御電源に、→抵抗R1→抵抗R1→
トランジスタQ、→制御電源E、の回路で電流が流れる
ので抵抗R,,R,による電力損失が発生する。ここで
Q。
の立ち上り時間を早くする為に抵抗R,を小さくすると
、抵抗R+ 、 Reによる電力損失が大きくなる。
、抵抗R+ 、 Reによる電力損失が大きくなる。
従って、FETQIの立ち上り時間は抵抗Riによって
制限されると共に、FE’rQ、のオフ期間の抵抗R1
R1による電力損失が大きくなるという欠点があった0 本発明は以上の欠点を全て除去する新規なスイッチング
回路を提供するものである。
制限されると共に、FE’rQ、のオフ期間の抵抗R1
R1による電力損失が大きくなるという欠点があった0 本発明は以上の欠点を全て除去する新規なスイッチング
回路を提供するものである。
第2図は本発明の一実施例を示す図であり、第3図は第
2図の動作関係を示す図である。
2図の動作関係を示す図である。
尚、第2図において第1図におけると同一の記号は同一
の部材を示す。今時刻七〇で端子1に第3図(a)に示
すようなパルス信号゛1”が印加されると、インバータ
エ、の出力信号がO”となり、コンデンサC1が充電さ
れ始める。従って波形整形回路工!の出力信号は該波形
整形回路工!の入力電圧が該波形整形回路I2のしきい
値に達する迄の期間(ti−tt)だけ“0”となり、
FETQaはオンして第3図(1))に示すような第1
のパルス信号゛1”が時刻t1から時刻tt’Eでの期
間ダイオードD、の入力に発生し、この時第3図(C)
に示すように第2のパルス信号即ちダイオードD、の入
力パルス信号はパO”であり、 F K T Q2はオ
フしているので、浮遊容量C3は制御電源E、→F E
T Qs→抵抗R1→ダイオードD1→浮遊容量C1
→制御電源B!の回路を流れる電流に、よって充電され
る。浮遊容量C1の電圧がF ET Q +のしきい値
以上になると上記F ET Q+がオンする。
の部材を示す。今時刻七〇で端子1に第3図(a)に示
すようなパルス信号゛1”が印加されると、インバータ
エ、の出力信号がO”となり、コンデンサC1が充電さ
れ始める。従って波形整形回路工!の出力信号は該波形
整形回路工!の入力電圧が該波形整形回路I2のしきい
値に達する迄の期間(ti−tt)だけ“0”となり、
FETQaはオンして第3図(1))に示すような第1
のパルス信号゛1”が時刻t1から時刻tt’Eでの期
間ダイオードD、の入力に発生し、この時第3図(C)
に示すように第2のパルス信号即ちダイオードD、の入
力パルス信号はパO”であり、 F K T Q2はオ
フしているので、浮遊容量C3は制御電源E、→F E
T Qs→抵抗R1→ダイオードD1→浮遊容量C1
→制御電源B!の回路を流れる電流に、よって充電され
る。浮遊容量C1の電圧がF ET Q +のしきい値
以上になると上記F ET Q+がオンする。
次に時刻t、で第3図(a)に示すように端子1のパル
ス信号が“0”になると、インバータエ、の出力信パル
ス信号は第3図(C)に示すように上記波形整形回路■
4の入力電圧が該波形整形回路工、のしきい値に達する
迄の期間(1,〜14)だけ1″となり、FFi T
Qtはオンし、浮遊容量C,に充電されている電荷は、
浮遊容量C1→抵抗R1→F K T Qt→浮遊容量
C1の回路で放電する。浮遊容量C1の電圧がFETQ
、のしきい値以下になるとQ、がオフする。次゛に時刻
t、で端子1にパルス信号”1”が印加され、以下同様
の動作を繰返す。以上述べたようにこの回路ではFET
Q、、を第3図(b)に示すようなダイオードD、の入
力パルス信号及び第3図(c)に示すようなダイオード
Dtの入力パルス信号によって駆動しているので、上記
F ET Q、lの駆動に要する電力損失は僅少であり
且つこの回路の抵抗R1の抵抗値は第1図の抵抗R1の
抵抗値に比較して非常に小さいのでスイッチング速度を
速くすることができる。
ス信号が“0”になると、インバータエ、の出力信パル
ス信号は第3図(C)に示すように上記波形整形回路■
4の入力電圧が該波形整形回路工、のしきい値に達する
迄の期間(1,〜14)だけ1″となり、FFi T
Qtはオンし、浮遊容量C,に充電されている電荷は、
浮遊容量C1→抵抗R1→F K T Qt→浮遊容量
C1の回路で放電する。浮遊容量C1の電圧がFETQ
、のしきい値以下になるとQ、がオフする。次゛に時刻
t、で端子1にパルス信号”1”が印加され、以下同様
の動作を繰返す。以上述べたようにこの回路ではFET
Q、、を第3図(b)に示すようなダイオードD、の入
力パルス信号及び第3図(c)に示すようなダイオード
Dtの入力パルス信号によって駆動しているので、上記
F ET Q、lの駆動に要する電力損失は僅少であり
且つこの回路の抵抗R1の抵抗値は第1図の抵抗R1の
抵抗値に比較して非常に小さいのでスイッチング速度を
速くすることができる。
第4図は本発明の他の一実施例を示す図である。
同、第4図において、第1図及び第2図におけると同一
の記号は同一の部材を示す0この回路の動作は第2図及
び第3図において説明したのとほぼ同様である。又、こ
の回路では第2図で説明したのとほぼ同様の効果が得ら
れ゛るほか、パ゛ルストランスT+、T′tにより1次
側と2次側とが絶縁されているので、1次側と2次側と
を絶縁して用いる必要のある回路に適用して特に有効で
ある。尚9以上は噴〜Q4がF’Fi’Tである場合に
ついて説明しだが、トランジスタであってもほぼ同様の
効果が得られる。
の記号は同一の部材を示す0この回路の動作は第2図及
び第3図において説明したのとほぼ同様である。又、こ
の回路では第2図で説明したのとほぼ同様の効果が得ら
れ゛るほか、パ゛ルストランスT+、T′tにより1次
側と2次側とが絶縁されているので、1次側と2次側と
を絶縁して用いる必要のある回路に適用して特に有効で
ある。尚9以上は噴〜Q4がF’Fi’Tである場合に
ついて説明しだが、トランジスタであってもほぼ同様の
効果が得られる。
以上説明したように9本発明は電界効果トランジスタの
ゲート・ソース間に第1のパルス信号を印加することに
より上記電界効果トランジスタをオンさせ、該電界効果
トランジスタの浮遊容量に充電された電荷を放電する目
的で配設された回路に第2のパルス信号を印加すること
により上記電界効果トランジスタをオフさせることを特
徴とするスイッチング回路である0本発明はこのような
特徴を有するので、上記電界効果トランジスタの駆動に
要する電力損失は僅少となり且つスイッチング速度を速
くすることができる0
ゲート・ソース間に第1のパルス信号を印加することに
より上記電界効果トランジスタをオンさせ、該電界効果
トランジスタの浮遊容量に充電された電荷を放電する目
的で配設された回路に第2のパルス信号を印加すること
により上記電界効果トランジスタをオフさせることを特
徴とするスイッチング回路である0本発明はこのような
特徴を有するので、上記電界効果トランジスタの駆動に
要する電力損失は僅少となり且つスイッチング速度を速
くすることができる0
第1図は従来のスイッチング回路を示す図。
第2図は本発明の一実施例を示す図、第3図は第2図の
動作関係を示す図、第4図は本発明の他の一実施例を示
す図であるO
動作関係を示す図、第4図は本発明の他の一実施例を示
す図であるO
Claims (1)
- 電界効果トランジスタのゲート・ソース間に第1のパル
ス信号を印加することにより上記電界効果トランジスタ
をオンさせ、該電界効果トランジスタの浮遊容量に充電
された電荷を放電する目的で配設された回路に第2のパ
ルス°信号を印加することにより上記電界効果トランジ
スタをオフさせることを特徴とするスイッチング回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56147065A JPS5848529A (ja) | 1981-09-18 | 1981-09-18 | スイツチング回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56147065A JPS5848529A (ja) | 1981-09-18 | 1981-09-18 | スイツチング回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5848529A true JPS5848529A (ja) | 1983-03-22 |
Family
ID=15421686
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56147065A Pending JPS5848529A (ja) | 1981-09-18 | 1981-09-18 | スイツチング回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5848529A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58111533U (ja) * | 1982-01-26 | 1983-07-29 | 横河電機株式会社 | 固体化電子パワ−スイツチ |
JPS61293166A (ja) * | 1985-06-21 | 1986-12-23 | Hitachi Micro Comput Eng Ltd | 電源装置 |
JPH01144815A (ja) * | 1987-09-30 | 1989-06-07 | General Electric Co <Ge> | Cmosトランジスタを使用したラッチ形スイッチ |
EP1005161A1 (fr) * | 1998-11-27 | 2000-05-31 | STMicroelectronics SA | Circuit de commande d'un interrupteur a composants semiconducteurs fonctionnant en alternatif |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56109037A (en) * | 1980-01-31 | 1981-08-29 | Jeol Ltd | Driving circuit for field effect transistor |
-
1981
- 1981-09-18 JP JP56147065A patent/JPS5848529A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56109037A (en) * | 1980-01-31 | 1981-08-29 | Jeol Ltd | Driving circuit for field effect transistor |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58111533U (ja) * | 1982-01-26 | 1983-07-29 | 横河電機株式会社 | 固体化電子パワ−スイツチ |
JPS61293166A (ja) * | 1985-06-21 | 1986-12-23 | Hitachi Micro Comput Eng Ltd | 電源装置 |
JPH01144815A (ja) * | 1987-09-30 | 1989-06-07 | General Electric Co <Ge> | Cmosトランジスタを使用したラッチ形スイッチ |
EP1005161A1 (fr) * | 1998-11-27 | 2000-05-31 | STMicroelectronics SA | Circuit de commande d'un interrupteur a composants semiconducteurs fonctionnant en alternatif |
FR2786629A1 (fr) * | 1998-11-27 | 2000-06-02 | St Microelectronics Sa | Circuit de commande d'un interrupteur a composants semiconducteurs fonctionnant en alternatif |
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