JPS5846655A - Icチツプ用収納容器 - Google Patents

Icチツプ用収納容器

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JPS5846655A
JPS5846655A JP56144602A JP14460281A JPS5846655A JP S5846655 A JPS5846655 A JP S5846655A JP 56144602 A JP56144602 A JP 56144602A JP 14460281 A JP14460281 A JP 14460281A JP S5846655 A JPS5846655 A JP S5846655A
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JP
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polyethylene terephthalate
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denatured
weight
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JP56144602A
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Katsuji Morioka
盛岡 勝治
Akihiko Kishimoto
岸本 彰彦
Yoshiyuki Yamamoto
善行 山本
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Toray Industries Inc
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Toray Industries Inc
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293Organic, e.g. plastic
    • HELECTRICITY
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    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は静電気シールド性および機械的強度がすぐれ、
かつ高度な透明性を有するICチップ用収納容器に関す
るものである。
近年、電気・電子機器製品の高度化、精密化、小型化に
はめざましいものがあり、それにつれて部品の製造、組
立、半完成品や完成品の保管、運搬などの際に生じる静
電気障害が大きな問題となっている。なかでもIC(半
導体集積回路)チップ、とくにMO5型ICチップなど
はわずかな静電気によってもゲート破壊を起こし易く、
保管や運搬中の振動や作業者の身体から発する静電気な
どにより破壊されて不良品になるという問題があるため
、ICチップ用収納容器には高度な静電気シールド性が
要求されている。
従来ICチップ用収納容器素材としては熱可塑性樹脂に
導電性カーボンブラックを練り込むことにより帯電防止
性能を付与したものが一般的に用いられているが、この
素材からなる容器は多量のカーボンブラックを含有する
ことに起因して樹脂本来の機械的強度が損なわれ、しか
も黒色不透明な素材を使用しているため内容物の確認が
できないという欠点を有している。
一方とくに透明性が要求されるICチップ用収納容器に
おいては、透明性熱可塑性樹脂にイオン導電性の界面活
性剤を練り込んだ素材が用いられているが、この素材か
らなる容器は帯電防止性能、とくに表面固有抵抗が10
12Ω以上と不十分であり、しかも帯電防止性能が表面
部分の払゛拭等により一時的に低下したり、ま−た使用
中に経時的に減少するため、収納したICチップの不良
率増大を招き易いという欠点がある。
そこで本発明者らは高度でしかも持続性のある静電気シ
ールド性を有すると共に、機械的強度が高く、透明性の
すぐれたICチップ用収納容器の取得を目的として検討
しtコ結果、容器素材として特定の変性ポリエステルと
添加剤系からなる組成物を用いることにより、上記目的
が効果的に達成できることを見出し本発明に到達した。
すなわち本発明は西ポリエチレンテレフタレートに分子
量が1. OOO〜10.000のポリアルキレンゲリ
コールを1へ20重量%共重合せしめた変性ポリエチレ
ンテレフタレート100重量部に対し、β)一般式Ar
 −So、−!−Me  (ただし式中のArは置換基
を有するかまたは有さない芳香族残基、mは1〜3の整
数、Meは金属原子を示す)で表わされるスルホン酸金
属塩の少なくとも1種0,01〜10重量部および(q
ポリエチレンテレフタレートθ〜500重量部を配合し
た組成物を成形してなるtCチップ用収納容器を提供す
るものである。
本発明のICチップ用収納容器は、それ自体透明性でか
つ導電性の改良された変性ポリエチレンテレフタレート
に、少割合の導電性向上添加剤(ハ)を含有せしめ、さ
らに必要に応じて未変性のポリエチレンテレフタレート
C)で変性成分および添加剤(B)を希釈した組成物か
ら構成されているため、ポリエチレンテレフタレート自
体のすぐれた透明性および機械的強度が好適に維持され
、静電気シールド性能も例えば表面固有抵抗がIQ11
Ω以下の範囲まで高められ、しかもこの静電気シール。
ド性能の持続性もすぐれるという効果を発揮する。
本発明の容器構成素材たる回度性ポリエチレンテレフタ
レートとはポリエチレンテレフタレート、すなわちジカ
ルボン酸成分の80モル%以上がテレフタル酸(または
そのエステル形成性誘導体)であり、ジオール成分の8
0モル%以上がエチレングリコール(またはそのエステ
ル形成性誘導体)である熱可塑性ポリエステルの重合時
に分子量1.000〜10. OOO、望ましくは2.
000〜6000のポリアルキレンゲリコールを1〜2
0重量%、望ましくは3〜10重量%添加して得られる
いわゆる共重合型のブロックポリエーテルエステルであ
る。
ここで分子量が1,000〜10.000のポリアルキ
レンゲリコールとしてはポリエチレングリコール、ポリ
プロピレングリコール、ポリテトラメチレングリコール
、これらの共重合体およびメトキシポリエチレングリコ
ールなどが挙げられる。これらのアルキレングリクール
の分子量が1. OOO以下では成形品の静電気シール
ド性改良効果が不十分であり、i o、 o o o以
上では透明性が低下するため好ましくない。
なお変性ポリエチレンテレフタレート八)には、そのジ
カルボン酸成分およびジオール成分の各々20モル%以
下でかつ透明性を阻害しない範°囲において、イソフタ
ル酸、フタル酸、2,6−ナフタレンジカルボン酸、1
,5−ナフタレンジカルボン酸、ビス(p−カルボキシ
フェニル)メタン、アントラセンジカルボン酸、4.4
′−ジフェニルエーテルシカルーボン酸などの芳香族ジ
カルボン酸、アジピン酸、セバシン酸、アゼライン酸、
ドデカンジオン酸などの脂肪族ジカルボン酸、1,3−
シクロヘキサンジカルボン酸、1.4−シクロヘキサン
ジカルボン酸などの脂環式、ジカルボン酸あるいはそれ
らのエステル形成性誘導体などの他のジカルボン酸成分
およびプロピレングリコール、1.4−ブタンジオール
、ネオペンチルグリコール、1.5−ベンタンジオール
、1,6−ヘキサンジオール、デカメチレングリコール
、シクロヘキサンジオールあるいは、そのエステル形成
性誘導体などの他のジオール成分を共重合せしめること
ができる。
変性ポリエチレンテレフタレートへの変性成分たるポリ
アルキレンゲリコールの共重合量は本発明の効果に大き
く影響し、1重量%以下では静電気シールド性改良効果
が不十分であり、20重量%以上では容器の透明性低下
が著しくなるため好ましくない。
本発明で導電性向上添加剤として使用する(Blスルホ
ン酸金属塩は上記一般式で示され、具体例としては下記
のものが挙げられるが、中でもアルキルベンゼンスルホ
ン酸ナトリウムの使用が望ましい。
これらスルホン酸金属塩fB)の添加量は、変性ポリエ
チレンテレフタレート100重i1mに対して0.01
〜10重量部、とくに0.5〜5重量部が望ましく、0
.01重量部以下では静電気シールド性改良効果が不十
分であり、10重量部以上では容器の機械的強度および
透明性が低下するため好ましくない。
上記変性ポリエチレンテレフタレート八およびスルホン
酸金属塩(Blからなる二成分系組成物を成形すること
により、本発明の目的とするICチップ用収納容器が得
られるが、必要に応じさらにC)・未変性のポリエチレ
ンテレフタレートを添加してなる三成分系組成物を成形
することによっても同等の効果を奏するICチップ用収
納容器を得ることができる。ただし未変性ポリエチレン
テレフタレート(C)の配合量は、変性ポリエチレンテ
レフタレート100重量部に対し500重量部以下、と
くに300重量部以下が好ましく、500重量部以上で
は得られる容器の静電気シールド性が低下するため好ま
しくない。なおここで使用する未変性ポリエチレンテレ
フタレート(0はテレフタル酸、エチレングリコールお
よびポリアルキレンゲリコール以外の他のジカルボン酸
成分およびジオール成分を各々20モル%以下でかつ透
明性を阻害しない範囲で共重合成分として含有すること
ができる。
上記の変性ポリエチレンテレフタレート(2)および未
変性ポリエチレンテレフタレート(C)は0、5%のオ
ルソクロロフェノール溶液を25℃で測定した時の相対
粘度が1.2〜1.6の範囲にあることが好ましく、相
対粘度が1.2以下の場合は結晶化し易く、透明性が疎
外され、ま゛tコ1.6以1では、成形性に問題がある
ためいずれも好ましくない。
また上記二成分系および三成分系組成物の配合手段はと
くに制限されず、例えば(1)変性ポリエチレンテレフ
タレートA1スルホン酸金属塩(Blおよび所望に応じ
未変性ポリエチレンテレフタレート(C1をスクリュー
押出機などで同時混合する方法、(2)未変性ポリエチ
レンテレフタレー)(Qの重合時に変性ポリエチレンテ
レフタレート(2)およびスルホン酸金属塩(Blを添
加する方法、+31 変性ポリエチレンテレフタレート
への重合時にスルホノ酸金属塩(B)を添加する方法お
よび(4)(3)法で得た組成物と未変性ポリエチレン
テレフタレート(qを混合する方法などが挙げられるが
、なかでも(3)および(4)法が簡便で好ましい。
なお組成物の調整または成形時には必要に応じて、透明
性を阻害しない程度に内部および外部滑剤として働く各
種の滑剤や離形剤、着色を目的とした染顔料、熱安定剤
、紫外線吸収剤および更にポリアルキレンゲリコール、
界面活性剤などの各種添加剤等を用いることが出来る。
本発明のICチップ用収納容器の成形手段は任意に選択
できるが、射出成形、押出成形、吹込成形などの溶融成
形手段が適当である。
ICチップ用収納容器の形態にもとくに制限がなく、使
用目的に応じて任意に選択できるが、箱型、中仕切り板
付き箱型、異形押出チューブ型、筒状射出成形型などが
適当である。まt二得られた一成形品に対し塗装、蒸着
などの各種表面処理を施こすことも匁論可能である。
かくしてなる本発明のICチップ用収納容器は静電気シ
ールド性、機械的強度および透明性が均衡してすぐれ、
各種特性の持続性も良好であるので、収納したICチッ
プのゲート破壊を起こす′−ことがなく、内容物の確認
が容易であるという特徴を有しており、電気業界での適
用が大いに期待できる。
以下に実施例により本発明をさらに説明する。
なお実施例中の%および部はそれぞれ重量%および重量
部を示す。
また実施例における表面固有抵抗率および透明性の評価
は下記の方法にしたがって行なった。
(表面固有抵抗率) 射出成形により成形した成形品から切りだした試験片の
表面固有抵抗を超絶縁抵抗器(TOA電波製ULTRM
EGOHI’t/IETERIVDDEL SM−IO
E)を用い、25℃、65%RHふん囲気下で測定した
。。
(透明性) 上記と同様の試験片の全光線透過率(Tt%)およびH
azc(%)を東洋精器製DIRECT READIN
GI(AZE METERを用いて測定した。
参考例〔変性ポリエチレンテレフタレート(A+)〜(
A5)の製造〕(A+)  テレフタル酸ジメチル10
0部、エチレン2グリコール70部および分子量4,0
00のポリエチレングリコール1.9部を重合缶に入れ
て、常法に従って重合した。得られた変性ポリエチレン
テレフタレート(PET)(A+)はポリエチレングリ
コール2.0%を含む。
(A2)テレフタル酸ジメチル100部、エチレングリ
コール70部および分子量4,000のポリエチレング
リコール9,8部を重合缶に入れて(A1)同様、常法
に従って重合した。得られすこ変性PET(A2)は、
ポリエチレングリコール成分を10%含む。
(ん)テレフタル酸ジメチノし100部、エチレングリ
コール70部および分子量4,000のポリエチレング
リフール24.6部を重合缶に入れて常法に従って重合
しtコ。変性PET(A、)は、ポリエチレングリコー
ル成分を25%含む(比較用)。
(A、)テレフタル酸ジメチル100部、エチレングリ
コール70部、分子量4,000のポリエチレングリコ
ール4,9部およびドデシルベンゼンスルホン酸す・ト
リウム4.9部ケ重合缶に入れて常・法によって重合し
た。得られた変性PET(A、)は、ポリエチレングリ
コールおよびドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウムを
各々5%含む。
(A、)  (A4) (7)分子量4,000(7)
ポリエチレングリコールを、分子量20.000のもの
に変えた他は(A4)と同様にして重合した。得られた
変性PET(A5)は、ポリエチレングリコール、ドデ
シルベンゼンスルホン酸ナトリウムを各々5%含ム(比
較用)。
実施例1〜9および比較例1〜7 種々の(A)変性PET、03)ドデシルベンゼンスル
ホン酸ソーダ(DBS)およびIc)未変性PETを、
表1に示す割合で混合して280℃に設定した押出機で
混線チップ化した。得られたチッを成形した。成形品の
底面を切り出した試験片の電気特性、透明性を測定した
。結果を表1に示す。
表1から明らかなように、本発明の二成分系組成物(実
施例1〜4)および三成分系組成物(実施例5〜9)か
らなる容器は静電気シールド性および透明性が均衡して
良好である。
一方、添加剤■を欠く場合(比較例1)および未変性P
ET単独の場合(比較例7)は静電気シールド性が極め
て劣り、添加剤B)の添加量が10部以上の場合(比較
例2)には透明性の低下が著ルくなる。また三成分系組
成物において未変性P E T tc)の配合量が多す
ぎる場合(比較例3)は静電気シールド性が低下し、ポ
リアルキレンゲリコール共重合量が20%以上の変性P
ET(A3)を用いる場合(比較例4〜6)は透明性を
満足することができない。
実施例10〜13、比較例8〜11 、重合時にドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウムを添
加した変性PET(A4)および(A6)と未変性P 
E T (Qのチップを表2に示す割合でブレンドし、
直接2.502射出成形機を用いて、巾     長さ
     深さ 100x   150x   15鴎、厚み2.0Il
+11のトレーを成形した。成形品の底面を切り出して
電気特性、透明性を測定した。結果を表2に示す。
表2から明らかなように本発明の容器(実施例10〜1
3)は静電気シールド性および透明性を均衡に満足する
一方変性PET (ん)に対する未変性PETの配合量
が多すぎる場合(比較例8)は静電気ノールド性が低下
し、分子量が20.000と大きすぎるポリエチレング
リコニルで変性した変性PET(AS)を用いる場合(
比較例9〜11)は透明性を満足しない。
実施例14 実施例3で示したと同じ処方で変性PET(A+)  
100部とDBS 10部をタンブラ−で混合し、30
φ押出機に異形ダイスを取り付けて直接押出成形により
5×6 、肉厚0.5mの角状チューブを成形した。こ
のチューブラ150舗長さに切断して、これにMO3型
ICチップを100個詰め、外から見たところ、1個づ
つ入れである様子がよく確認することができた。
この状態で振幅3■、周期2回/ Secの上下振動を
3 hr与えたのち、ICチップを取り出して不良率を
確認したところ1個も破損は認められなかった。
実施例15 実施例9で得られたトレー成形品に、MO5型ICチッ
プを使用したLSIを50個詰めて振幅10、周期10
回/secの水平振動を1 hr与えたのち、LSIの
不良率を確認したところ、1個も破損は認められなかっ
た。
実施例16 実施例12と同じ処方で変性PET(A4)100部と
ポリエチレンテレフタレート樹脂250部をタノブラー
で混合し、2.OOZ射出成形機で直接成形により5×
6 、肉厚0.5鵜、長さ150mの角型チューブ状成
形品を得た。
実施例14と同様、MO5型ICチップを100個詰め
て外より観察した結果、透明性に優れ内部の1個1個が
はっきり確認できた。実施例14と同じ処理を行ないI
Cチップの不良率を確認したが、すべて正常であった。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 西ポリエチレンテレフタレートに分子量力1、000〜
    10.000のポリアルキレングリコールを1〜2ON
    量%共重合せしめた変性ポリエチレンテレフタレート1
    00重址部に対し、(B)一般式Ar −503−Me
      (ただし式中のArは置換基を有するかまたは有さ
    ない芳香族残基、mは1〜3の整数、Meは金属原子を
    示す)で表わされるスルホン酸金属塩の少なくとも1種
    0.01〜10重量部および(C)ポリエチレンテレフ
    タレート0〜500重量部を配合した組成物を成形して
    なるICチップ用収納容器。
JP56144602A 1981-09-16 1981-09-16 Icチツプ用収納容器 Granted JPS5846655A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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