JPS5846655A - Ｉｃチツプ用収納容器 - Google Patents
Ｉｃチツプ用収納容器Info
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- JPS5846655A JPS5846655A JP56144602A JP14460281A JPS5846655A JP S5846655 A JPS5846655 A JP S5846655A JP 56144602 A JP56144602 A JP 56144602A JP 14460281 A JP14460281 A JP 14460281A JP S5846655 A JPS5846655 A JP S5846655A
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は静電気シールド性および機械的強度がすぐれ、
かつ高度な透明性を有するＩＣチップ用収納容器に関す
るものである。
かつ高度な透明性を有するＩＣチップ用収納容器に関す
るものである。
近年、電気・電子機器製品の高度化、精密化、小型化に
はめざましいものがあり、それにつれて部品の製造、組
立、半完成品や完成品の保管、運搬などの際に生じる静
電気障害が大きな問題となっている。なかでもＩＣ（半
導体集積回路）チップ、とくにＭＯ５型ＩＣチップなど
はわずかな静電気によってもゲート破壊を起こし易く、
保管や運搬中の振動や作業者の身体から発する静電気な
どにより破壊されて不良品になるという問題があるため
、ＩＣチップ用収納容器には高度な静電気シールド性が
要求されている。
はめざましいものがあり、それにつれて部品の製造、組
立、半完成品や完成品の保管、運搬などの際に生じる静
電気障害が大きな問題となっている。なかでもＩＣ（半
導体集積回路）チップ、とくにＭＯ５型ＩＣチップなど
はわずかな静電気によってもゲート破壊を起こし易く、
保管や運搬中の振動や作業者の身体から発する静電気な
どにより破壊されて不良品になるという問題があるため
、ＩＣチップ用収納容器には高度な静電気シールド性が
要求されている。
従来ＩＣチップ用収納容器素材としては熱可塑性樹脂に
導電性カーボンブラックを練り込むことにより帯電防止
性能を付与したものが一般的に用いられているが、この
素材からなる容器は多量のカーボンブラックを含有する
ことに起因して樹脂本来の機械的強度が損なわれ、しか
も黒色不透明な素材を使用しているため内容物の確認が
できないという欠点を有している。
導電性カーボンブラックを練り込むことにより帯電防止
性能を付与したものが一般的に用いられているが、この
素材からなる容器は多量のカーボンブラックを含有する
ことに起因して樹脂本来の機械的強度が損なわれ、しか
も黒色不透明な素材を使用しているため内容物の確認が
できないという欠点を有している。
一方とくに透明性が要求されるＩＣチップ用収納容器に
おいては、透明性熱可塑性樹脂にイオン導電性の界面活
性剤を練り込んだ素材が用いられているが、この素材か
らなる容器は帯電防止性能、とくに表面固有抵抗が１０
１２Ω以上と不十分であり、しかも帯電防止性能が表面
部分の払゛拭等により一時的に低下したり、ま−た使用
中に経時的に減少するため、収納したＩＣチップの不良
率増大を招き易いという欠点がある。
おいては、透明性熱可塑性樹脂にイオン導電性の界面活
性剤を練り込んだ素材が用いられているが、この素材か
らなる容器は帯電防止性能、とくに表面固有抵抗が１０
１２Ω以上と不十分であり、しかも帯電防止性能が表面
部分の払゛拭等により一時的に低下したり、ま−た使用
中に経時的に減少するため、収納したＩＣチップの不良
率増大を招き易いという欠点がある。
そこで本発明者らは高度でしかも持続性のある静電気シ
ールド性を有すると共に、機械的強度が高く、透明性の
すぐれたＩＣチップ用収納容器の取得を目的として検討
しｔコ結果、容器素材として特定の変性ポリエステルと
添加剤系からなる組成物を用いることにより、上記目的
が効果的に達成できることを見出し本発明に到達した。
ールド性を有すると共に、機械的強度が高く、透明性の
すぐれたＩＣチップ用収納容器の取得を目的として検討
しｔコ結果、容器素材として特定の変性ポリエステルと
添加剤系からなる組成物を用いることにより、上記目的
が効果的に達成できることを見出し本発明に到達した。
すなわち本発明は西ポリエチレンテレフタレートに分子
量が１． ＯＯＯ〜１０．０００のポリアルキレンゲリ
コールを１へ２０重量％共重合せしめた変性ポリエチレ
ンテレフタレート１００重量部に対し、β）一般式Ａｒ
−Ｓｏ、−！−Ｍｅ （ただし式中のＡｒは置換基
を有するかまたは有さない芳香族残基、ｍは１〜３の整
数、Ｍｅは金属原子を示す）で表わされるスルホン酸金
属塩の少なくとも１種０，０１〜１０重量部および（ｑ
ポリエチレンテレフタレートθ〜５００重量部を配合し
た組成物を成形してなるｔＣチップ用収納容器を提供す
るものである。
量が１． ＯＯＯ〜１０．０００のポリアルキレンゲリ
コールを１へ２０重量％共重合せしめた変性ポリエチレ
ンテレフタレート１００重量部に対し、β）一般式Ａｒ
−Ｓｏ、−！−Ｍｅ （ただし式中のＡｒは置換基
を有するかまたは有さない芳香族残基、ｍは１〜３の整
数、Ｍｅは金属原子を示す）で表わされるスルホン酸金
属塩の少なくとも１種０，０１〜１０重量部および（ｑ
ポリエチレンテレフタレートθ〜５００重量部を配合し
た組成物を成形してなるｔＣチップ用収納容器を提供す
るものである。
本発明のＩＣチップ用収納容器は、それ自体透明性でか
つ導電性の改良された変性ポリエチレンテレフタレート
に、少割合の導電性向上添加剤（ハ）を含有せしめ、さ
らに必要に応じて未変性のポリエチレンテレフタレート
Ｃ）で変性成分および添加剤（Ｂ）を希釈した組成物か
ら構成されているため、ポリエチレンテレフタレート自
体のすぐれた透明性および機械的強度が好適に維持され
、静電気シールド性能も例えば表面固有抵抗がＩＱ１１
Ω以下の範囲まで高められ、しかもこの静電気シール。
つ導電性の改良された変性ポリエチレンテレフタレート
に、少割合の導電性向上添加剤（ハ）を含有せしめ、さ
らに必要に応じて未変性のポリエチレンテレフタレート
Ｃ）で変性成分および添加剤（Ｂ）を希釈した組成物か
ら構成されているため、ポリエチレンテレフタレート自
体のすぐれた透明性および機械的強度が好適に維持され
、静電気シールド性能も例えば表面固有抵抗がＩＱ１１
Ω以下の範囲まで高められ、しかもこの静電気シール。
ド性能の持続性もすぐれるという効果を発揮する。
本発明の容器構成素材たる回度性ポリエチレンテレフタ
レートとはポリエチレンテレフタレート、すなわちジカ
ルボン酸成分の８０モル％以上がテレフタル酸（または
そのエステル形成性誘導体）であり、ジオール成分の８
０モル％以上がエチレングリコール（またはそのエステ
ル形成性誘導体）である熱可塑性ポリエステルの重合時
に分子量１．０００〜１０． ＯＯＯ、望ましくは２．
０００〜６０００のポリアルキレンゲリコールを１〜２
０重量％、望ましくは３〜１０重量％添加して得られる
いわゆる共重合型のブロックポリエーテルエステルであ
る。
レートとはポリエチレンテレフタレート、すなわちジカ
ルボン酸成分の８０モル％以上がテレフタル酸（または
そのエステル形成性誘導体）であり、ジオール成分の８
０モル％以上がエチレングリコール（またはそのエステ
ル形成性誘導体）である熱可塑性ポリエステルの重合時
に分子量１．０００〜１０． ＯＯＯ、望ましくは２．
０００〜６０００のポリアルキレンゲリコールを１〜２
０重量％、望ましくは３〜１０重量％添加して得られる
いわゆる共重合型のブロックポリエーテルエステルであ
る。
ここで分子量が１，０００〜１０．０００のポリアルキ
レンゲリコールとしてはポリエチレングリコール、ポリ
プロピレングリコール、ポリテトラメチレングリコール
、これらの共重合体およびメトキシポリエチレングリコ
ールなどが挙げられる。これらのアルキレングリクール
の分子量が１． ＯＯＯ以下では成形品の静電気シール
ド性改良効果が不十分であり、ｉ ｏ、 ｏ ｏ ｏ以
上では透明性が低下するため好ましくない。
レンゲリコールとしてはポリエチレングリコール、ポリ
プロピレングリコール、ポリテトラメチレングリコール
、これらの共重合体およびメトキシポリエチレングリコ
ールなどが挙げられる。これらのアルキレングリクール
の分子量が１． ＯＯＯ以下では成形品の静電気シール
ド性改良効果が不十分であり、ｉ ｏ、 ｏ ｏ ｏ以
上では透明性が低下するため好ましくない。
なお変性ポリエチレンテレフタレート八）には、そのジ
カルボン酸成分およびジオール成分の各々２０モル％以
下でかつ透明性を阻害しない範°囲において、イソフタ
ル酸、フタル酸、２，６−ナフタレンジカルボン酸、１
，５−ナフタレンジカルボン酸、ビス（ｐ−カルボキシ
フェニル）メタン、アントラセンジカルボン酸、４．４
′−ジフェニルエーテルシカルーボン酸などの芳香族ジ
カルボン酸、アジピン酸、セバシン酸、アゼライン酸、
ドデカンジオン酸などの脂肪族ジカルボン酸、１，３−
シクロヘキサンジカルボン酸、１．４−シクロヘキサン
ジカルボン酸などの脂環式、ジカルボン酸あるいはそれ
らのエステル形成性誘導体などの他のジカルボン酸成分
およびプロピレングリコール、１．４−ブタンジオール
、ネオペンチルグリコール、１．５−ベンタンジオール
、１，６−ヘキサンジオール、デカメチレングリコール
、シクロヘキサンジオールあるいは、そのエステル形成
性誘導体などの他のジオール成分を共重合せしめること
ができる。
カルボン酸成分およびジオール成分の各々２０モル％以
下でかつ透明性を阻害しない範°囲において、イソフタ
ル酸、フタル酸、２，６−ナフタレンジカルボン酸、１
，５−ナフタレンジカルボン酸、ビス（ｐ−カルボキシ
フェニル）メタン、アントラセンジカルボン酸、４．４
′−ジフェニルエーテルシカルーボン酸などの芳香族ジ
カルボン酸、アジピン酸、セバシン酸、アゼライン酸、
ドデカンジオン酸などの脂肪族ジカルボン酸、１，３−
シクロヘキサンジカルボン酸、１．４−シクロヘキサン
ジカルボン酸などの脂環式、ジカルボン酸あるいはそれ
らのエステル形成性誘導体などの他のジカルボン酸成分
およびプロピレングリコール、１．４−ブタンジオール
、ネオペンチルグリコール、１．５−ベンタンジオール
、１，６−ヘキサンジオール、デカメチレングリコール
、シクロヘキサンジオールあるいは、そのエステル形成
性誘導体などの他のジオール成分を共重合せしめること
ができる。
変性ポリエチレンテレフタレートへの変性成分たるポリ
アルキレンゲリコールの共重合量は本発明の効果に大き
く影響し、１重量％以下では静電気シールド性改良効果
が不十分であり、２０重量％以上では容器の透明性低下
が著しくなるため好ましくない。
アルキレンゲリコールの共重合量は本発明の効果に大き
く影響し、１重量％以下では静電気シールド性改良効果
が不十分であり、２０重量％以上では容器の透明性低下
が著しくなるため好ましくない。
本発明で導電性向上添加剤として使用する（Ｂｌスルホ
ン酸金属塩は上記一般式で示され、具体例としては下記
のものが挙げられるが、中でもアルキルベンゼンスルホ
ン酸ナトリウムの使用が望ましい。
ン酸金属塩は上記一般式で示され、具体例としては下記
のものが挙げられるが、中でもアルキルベンゼンスルホ
ン酸ナトリウムの使用が望ましい。
これらスルホン酸金属塩ｆＢ）の添加量は、変性ポリエ
チレンテレフタレート１００重ｉ１ｍに対して０．０１
〜１０重量部、とくに０．５〜５重量部が望ましく、０
．０１重量部以下では静電気シールド性改良効果が不十
分であり、１０重量部以上では容器の機械的強度および
透明性が低下するため好ましくない。
チレンテレフタレート１００重ｉ１ｍに対して０．０１
〜１０重量部、とくに０．５〜５重量部が望ましく、０
．０１重量部以下では静電気シールド性改良効果が不十
分であり、１０重量部以上では容器の機械的強度および
透明性が低下するため好ましくない。
上記変性ポリエチレンテレフタレート八およびスルホン
酸金属塩（Ｂｌからなる二成分系組成物を成形すること
により、本発明の目的とするＩＣチップ用収納容器が得
られるが、必要に応じさらにＣ）・未変性のポリエチレ
ンテレフタレートを添加してなる三成分系組成物を成形
することによっても同等の効果を奏するＩＣチップ用収
納容器を得ることができる。ただし未変性ポリエチレン
テレフタレート（Ｃ）の配合量は、変性ポリエチレンテ
レフタレート１００重量部に対し５００重量部以下、と
くに３００重量部以下が好ましく、５００重量部以上で
は得られる容器の静電気シールド性が低下するため好ま
しくない。なおここで使用する未変性ポリエチレンテレ
フタレート（０はテレフタル酸、エチレングリコールお
よびポリアルキレンゲリコール以外の他のジカルボン酸
成分およびジオール成分を各々２０モル％以下でかつ透
明性を阻害しない範囲で共重合成分として含有すること
ができる。
酸金属塩（Ｂｌからなる二成分系組成物を成形すること
により、本発明の目的とするＩＣチップ用収納容器が得
られるが、必要に応じさらにＣ）・未変性のポリエチレ
ンテレフタレートを添加してなる三成分系組成物を成形
することによっても同等の効果を奏するＩＣチップ用収
納容器を得ることができる。ただし未変性ポリエチレン
テレフタレート（Ｃ）の配合量は、変性ポリエチレンテ
レフタレート１００重量部に対し５００重量部以下、と
くに３００重量部以下が好ましく、５００重量部以上で
は得られる容器の静電気シールド性が低下するため好ま
しくない。なおここで使用する未変性ポリエチレンテレ
フタレート（０はテレフタル酸、エチレングリコールお
よびポリアルキレンゲリコール以外の他のジカルボン酸
成分およびジオール成分を各々２０モル％以下でかつ透
明性を阻害しない範囲で共重合成分として含有すること
ができる。
上記の変性ポリエチレンテレフタレート（２）および未
変性ポリエチレンテレフタレート（Ｃ）は０、５％のオ
ルソクロロフェノール溶液を２５℃で測定した時の相対
粘度が１．２〜１．６の範囲にあることが好ましく、相
対粘度が１．２以下の場合は結晶化し易く、透明性が疎
外され、ま゛ｔコ１．６以１では、成形性に問題がある
ためいずれも好ましくない。
変性ポリエチレンテレフタレート（Ｃ）は０、５％のオ
ルソクロロフェノール溶液を２５℃で測定した時の相対
粘度が１．２〜１．６の範囲にあることが好ましく、相
対粘度が１．２以下の場合は結晶化し易く、透明性が疎
外され、ま゛ｔコ１．６以１では、成形性に問題がある
ためいずれも好ましくない。
また上記二成分系および三成分系組成物の配合手段はと
くに制限されず、例えば（１）変性ポリエチレンテレフ
タレートＡ１スルホン酸金属塩（Ｂｌおよび所望に応じ
未変性ポリエチレンテレフタレート（Ｃ１をスクリュー
押出機などで同時混合する方法、（２）未変性ポリエチ
レンテレフタレー）（Ｑの重合時に変性ポリエチレンテ
レフタレート（２）およびスルホン酸金属塩（Ｂｌを添
加する方法、＋３１ 変性ポリエチレンテレフタレート
への重合時にスルホノ酸金属塩（Ｂ）を添加する方法お
よび（４）（３）法で得た組成物と未変性ポリエチレン
テレフタレート（ｑを混合する方法などが挙げられるが
、なかでも（３）および（４）法が簡便で好ましい。
くに制限されず、例えば（１）変性ポリエチレンテレフ
タレートＡ１スルホン酸金属塩（Ｂｌおよび所望に応じ
未変性ポリエチレンテレフタレート（Ｃ１をスクリュー
押出機などで同時混合する方法、（２）未変性ポリエチ
レンテレフタレー）（Ｑの重合時に変性ポリエチレンテ
レフタレート（２）およびスルホン酸金属塩（Ｂｌを添
加する方法、＋３１ 変性ポリエチレンテレフタレート
への重合時にスルホノ酸金属塩（Ｂ）を添加する方法お
よび（４）（３）法で得た組成物と未変性ポリエチレン
テレフタレート（ｑを混合する方法などが挙げられるが
、なかでも（３）および（４）法が簡便で好ましい。
なお組成物の調整または成形時には必要に応じて、透明
性を阻害しない程度に内部および外部滑剤として働く各
種の滑剤や離形剤、着色を目的とした染顔料、熱安定剤
、紫外線吸収剤および更にポリアルキレンゲリコール、
界面活性剤などの各種添加剤等を用いることが出来る。
性を阻害しない程度に内部および外部滑剤として働く各
種の滑剤や離形剤、着色を目的とした染顔料、熱安定剤
、紫外線吸収剤および更にポリアルキレンゲリコール、
界面活性剤などの各種添加剤等を用いることが出来る。
本発明のＩＣチップ用収納容器の成形手段は任意に選択
できるが、射出成形、押出成形、吹込成形などの溶融成
形手段が適当である。
できるが、射出成形、押出成形、吹込成形などの溶融成
形手段が適当である。
ＩＣチップ用収納容器の形態にもとくに制限がなく、使
用目的に応じて任意に選択できるが、箱型、中仕切り板
付き箱型、異形押出チューブ型、筒状射出成形型などが
適当である。まｔ二得られた一成形品に対し塗装、蒸着
などの各種表面処理を施こすことも匁論可能である。
用目的に応じて任意に選択できるが、箱型、中仕切り板
付き箱型、異形押出チューブ型、筒状射出成形型などが
適当である。まｔ二得られた一成形品に対し塗装、蒸着
などの各種表面処理を施こすことも匁論可能である。
かくしてなる本発明のＩＣチップ用収納容器は静電気シ
ールド性、機械的強度および透明性が均衡してすぐれ、
各種特性の持続性も良好であるので、収納したＩＣチッ
プのゲート破壊を起こす′−ことがなく、内容物の確認
が容易であるという特徴を有しており、電気業界での適
用が大いに期待できる。
ールド性、機械的強度および透明性が均衡してすぐれ、
各種特性の持続性も良好であるので、収納したＩＣチッ
プのゲート破壊を起こす′−ことがなく、内容物の確認
が容易であるという特徴を有しており、電気業界での適
用が大いに期待できる。
以下に実施例により本発明をさらに説明する。
なお実施例中の％および部はそれぞれ重量％および重量
部を示す。
部を示す。
また実施例における表面固有抵抗率および透明性の評価
は下記の方法にしたがって行なった。
は下記の方法にしたがって行なった。
（表面固有抵抗率）
射出成形により成形した成形品から切りだした試験片の
表面固有抵抗を超絶縁抵抗器（ＴＯＡ電波製ＵＬＴＲＭ
ＥＧＯＨＩ’ｔ／ＩＥＴＥＲＩＶＤＤＥＬ ＳＭ−ＩＯ
Ｅ）を用い、２５℃、６５％ＲＨふん囲気下で測定した
。。
表面固有抵抗を超絶縁抵抗器（ＴＯＡ電波製ＵＬＴＲＭ
ＥＧＯＨＩ’ｔ／ＩＥＴＥＲＩＶＤＤＥＬ ＳＭ−ＩＯ
Ｅ）を用い、２５℃、６５％ＲＨふん囲気下で測定した
。。
（透明性）
上記と同様の試験片の全光線透過率（Ｔｔ％）およびＨ
ａｚｃ（％）を東洋精器製ＤＩＲＥＣＴ ＲＥＡＤＩＮ
ＧＩ（ＡＺＥ ＭＥＴＥＲを用いて測定した。
ａｚｃ（％）を東洋精器製ＤＩＲＥＣＴ ＲＥＡＤＩＮ
ＧＩ（ＡＺＥ ＭＥＴＥＲを用いて測定した。
参考例〔変性ポリエチレンテレフタレート（Ａ＋）〜（
Ａ５）の製造〕（Ａ＋） テレフタル酸ジメチル１０
０部、エチレン２グリコール７０部および分子量４，０
００のポリエチレングリコール１．９部を重合缶に入れ
て、常法に従って重合した。得られた変性ポリエチレン
テレフタレート（ＰＥＴ）（Ａ＋）はポリエチレングリ
コール２．０％を含む。
Ａ５）の製造〕（Ａ＋） テレフタル酸ジメチル１０
０部、エチレン２グリコール７０部および分子量４，０
００のポリエチレングリコール１．９部を重合缶に入れ
て、常法に従って重合した。得られた変性ポリエチレン
テレフタレート（ＰＥＴ）（Ａ＋）はポリエチレングリ
コール２．０％を含む。
（Ａ２）テレフタル酸ジメチル１００部、エチレングリ
コール７０部および分子量４，０００のポリエチレング
リコール９，８部を重合缶に入れて（Ａ１）同様、常法
に従って重合した。得られすこ変性ＰＥＴ（Ａ２）は、
ポリエチレングリコール成分を１０％含む。
コール７０部および分子量４，０００のポリエチレング
リコール９，８部を重合缶に入れて（Ａ１）同様、常法
に従って重合した。得られすこ変性ＰＥＴ（Ａ２）は、
ポリエチレングリコール成分を１０％含む。
（ん）テレフタル酸ジメチノし１００部、エチレングリ
コール７０部および分子量４，０００のポリエチレング
リフール２４．６部を重合缶に入れて常法に従って重合
しｔコ。変性ＰＥＴ（Ａ、）は、ポリエチレングリコー
ル成分を２５％含む（比較用）。
コール７０部および分子量４，０００のポリエチレング
リフール２４．６部を重合缶に入れて常法に従って重合
しｔコ。変性ＰＥＴ（Ａ、）は、ポリエチレングリコー
ル成分を２５％含む（比較用）。
（Ａ、）テレフタル酸ジメチル１００部、エチレングリ
コール７０部、分子量４，０００のポリエチレングリコ
ール４，９部およびドデシルベンゼンスルホン酸す・ト
リウム４．９部ケ重合缶に入れて常・法によって重合し
た。得られた変性ＰＥＴ（Ａ、）は、ポリエチレングリ
コールおよびドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウムを
各々５％含む。
コール７０部、分子量４，０００のポリエチレングリコ
ール４，９部およびドデシルベンゼンスルホン酸す・ト
リウム４．９部ケ重合缶に入れて常・法によって重合し
た。得られた変性ＰＥＴ（Ａ、）は、ポリエチレングリ
コールおよびドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウムを
各々５％含む。
（Ａ、） （Ａ４） （７）分子量４，０００（７）
ポリエチレングリコールを、分子量２０．０００のもの
に変えた他は（Ａ４）と同様にして重合した。得られた
変性ＰＥＴ（Ａ５）は、ポリエチレングリコール、ドデ
シルベンゼンスルホン酸ナトリウムを各々５％含ム（比
較用）。
ポリエチレングリコールを、分子量２０．０００のもの
に変えた他は（Ａ４）と同様にして重合した。得られた
変性ＰＥＴ（Ａ５）は、ポリエチレングリコール、ドデ
シルベンゼンスルホン酸ナトリウムを各々５％含ム（比
較用）。
実施例１〜９および比較例１〜７
種々の（Ａ）変性ＰＥＴ、０３）ドデシルベンゼンスル
ホン酸ソーダ（ＤＢＳ）およびＩｃ）未変性ＰＥＴを、
表１に示す割合で混合して２８０℃に設定した押出機で
混線チップ化した。得られたチッを成形した。成形品の
底面を切り出した試験片の電気特性、透明性を測定した
。結果を表１に示す。
ホン酸ソーダ（ＤＢＳ）およびＩｃ）未変性ＰＥＴを、
表１に示す割合で混合して２８０℃に設定した押出機で
混線チップ化した。得られたチッを成形した。成形品の
底面を切り出した試験片の電気特性、透明性を測定した
。結果を表１に示す。
表１から明らかなように、本発明の二成分系組成物（実
施例１〜４）および三成分系組成物（実施例５〜９）か
らなる容器は静電気シールド性および透明性が均衡して
良好である。
施例１〜４）および三成分系組成物（実施例５〜９）か
らなる容器は静電気シールド性および透明性が均衡して
良好である。
一方、添加剤■を欠く場合（比較例１）および未変性Ｐ
ＥＴ単独の場合（比較例７）は静電気シールド性が極め
て劣り、添加剤Ｂ）の添加量が１０部以上の場合（比較
例２）には透明性の低下が著ルくなる。また三成分系組
成物において未変性Ｐ Ｅ Ｔ ｔｃ）の配合量が多す
ぎる場合（比較例３）は静電気シールド性が低下し、ポ
リアルキレンゲリコール共重合量が２０％以上の変性Ｐ
ＥＴ（Ａ３）を用いる場合（比較例４〜６）は透明性を
満足することができない。
ＥＴ単独の場合（比較例７）は静電気シールド性が極め
て劣り、添加剤Ｂ）の添加量が１０部以上の場合（比較
例２）には透明性の低下が著ルくなる。また三成分系組
成物において未変性Ｐ Ｅ Ｔ ｔｃ）の配合量が多す
ぎる場合（比較例３）は静電気シールド性が低下し、ポ
リアルキレンゲリコール共重合量が２０％以上の変性Ｐ
ＥＴ（Ａ３）を用いる場合（比較例４〜６）は透明性を
満足することができない。
実施例１０〜１３、比較例８〜１１
、重合時にドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウムを添
加した変性ＰＥＴ（Ａ４）および（Ａ６）と未変性Ｐ
Ｅ Ｔ （Ｑのチップを表２に示す割合でブレンドし、
直接２．５０２射出成形機を用いて、巾 長さ
深さ １００ｘ １５０ｘ １５鴎、厚み２．０Ｉｌ
＋１１のトレーを成形した。成形品の底面を切り出して
電気特性、透明性を測定した。結果を表２に示す。
加した変性ＰＥＴ（Ａ４）および（Ａ６）と未変性Ｐ
Ｅ Ｔ （Ｑのチップを表２に示す割合でブレンドし、
直接２．５０２射出成形機を用いて、巾 長さ
深さ １００ｘ １５０ｘ １５鴎、厚み２．０Ｉｌ
＋１１のトレーを成形した。成形品の底面を切り出して
電気特性、透明性を測定した。結果を表２に示す。
表２から明らかなように本発明の容器（実施例１０〜１
３）は静電気シールド性および透明性を均衡に満足する
。
３）は静電気シールド性および透明性を均衡に満足する
。
一方変性ＰＥＴ （ん）に対する未変性ＰＥＴの配合量
が多すぎる場合（比較例８）は静電気ノールド性が低下
し、分子量が２０．０００と大きすぎるポリエチレング
リコニルで変性した変性ＰＥＴ（ＡＳ）を用いる場合（
比較例９〜１１）は透明性を満足しない。
が多すぎる場合（比較例８）は静電気ノールド性が低下
し、分子量が２０．０００と大きすぎるポリエチレング
リコニルで変性した変性ＰＥＴ（ＡＳ）を用いる場合（
比較例９〜１１）は透明性を満足しない。
実施例１４
実施例３で示したと同じ処方で変性ＰＥＴ（Ａ＋）
１００部とＤＢＳ １０部をタンブラ−で混合し、３０
φ押出機に異形ダイスを取り付けて直接押出成形により
５×６ 、肉厚０．５ｍの角状チューブを成形した。こ
のチューブラ１５０舗長さに切断して、これにＭＯ３型
ＩＣチップを１００個詰め、外から見たところ、１個づ
つ入れである様子がよく確認することができた。
１００部とＤＢＳ １０部をタンブラ−で混合し、３０
φ押出機に異形ダイスを取り付けて直接押出成形により
５×６ 、肉厚０．５ｍの角状チューブを成形した。こ
のチューブラ１５０舗長さに切断して、これにＭＯ３型
ＩＣチップを１００個詰め、外から見たところ、１個づ
つ入れである様子がよく確認することができた。
この状態で振幅３■、周期２回／ Ｓｅｃの上下振動を
３ ｈｒ与えたのち、ＩＣチップを取り出して不良率を
確認したところ１個も破損は認められなかった。
３ ｈｒ与えたのち、ＩＣチップを取り出して不良率を
確認したところ１個も破損は認められなかった。
実施例１５
実施例９で得られたトレー成形品に、ＭＯ５型ＩＣチッ
プを使用したＬＳＩを５０個詰めて振幅１０、周期１０
回／ｓｅｃの水平振動を１ ｈｒ与えたのち、ＬＳＩの
不良率を確認したところ、１個も破損は認められなかっ
た。
プを使用したＬＳＩを５０個詰めて振幅１０、周期１０
回／ｓｅｃの水平振動を１ ｈｒ与えたのち、ＬＳＩの
不良率を確認したところ、１個も破損は認められなかっ
た。
実施例１６
実施例１２と同じ処方で変性ＰＥＴ（Ａ４）１００部と
ポリエチレンテレフタレート樹脂２５０部をタノブラー
で混合し、２．ＯＯＺ射出成形機で直接成形により５×
６ 、肉厚０．５鵜、長さ１５０ｍの角型チューブ状成
形品を得た。
ポリエチレンテレフタレート樹脂２５０部をタノブラー
で混合し、２．ＯＯＺ射出成形機で直接成形により５×
６ 、肉厚０．５鵜、長さ１５０ｍの角型チューブ状成
形品を得た。
実施例１４と同様、ＭＯ５型ＩＣチップを１００個詰め
て外より観察した結果、透明性に優れ内部の１個１個が
はっきり確認できた。実施例１４と同じ処理を行ないＩ
Ｃチップの不良率を確認したが、すべて正常であった。
て外より観察した結果、透明性に優れ内部の１個１個が
はっきり確認できた。実施例１４と同じ処理を行ないＩ
Ｃチップの不良率を確認したが、すべて正常であった。
Claims (1)
- 西ポリエチレンテレフタレートに分子量力１、０００〜
１０．０００のポリアルキレングリコールを１〜２ＯＮ
量％共重合せしめた変性ポリエチレンテレフタレート１
００重址部に対し、（Ｂ）一般式Ａｒ −５０３−Ｍｅ
（ただし式中のＡｒは置換基を有するかまたは有さ
ない芳香族残基、ｍは１〜３の整数、Ｍｅは金属原子を
示す）で表わされるスルホン酸金属塩の少なくとも１種
０．０１〜１０重量部および（Ｃ）ポリエチレンテレフ
タレート０〜５００重量部を配合した組成物を成形して
なるＩＣチップ用収納容器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56144602A JPS5846655A (ja) | 1981-09-16 | 1981-09-16 | Ｉｃチツプ用収納容器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56144602A JPS5846655A (ja) | 1981-09-16 | 1981-09-16 | Ｉｃチツプ用収納容器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5846655A true JPS5846655A (ja) | 1983-03-18 |
| JPH0261152B2 JPH0261152B2 (ja) | 1990-12-19 |
Family
ID=15365846
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56144602A Granted JPS5846655A (ja) | 1981-09-16 | 1981-09-16 | Ｉｃチツプ用収納容器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5846655A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62178729A (ja) * | 1986-01-24 | 1987-08-05 | ロト・マスタ−・インコ−ポレイテツド | タ−ボチヤ−ジヤ |
| JPH02204621A (ja) * | 1988-12-05 | 1990-08-14 | General Motors Corp <Gm> | 空気ポンプ |
| WO1996002069A1 (fr) * | 1994-07-08 | 1996-01-25 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Receptacle de stockage pour cristal semi-conducteur |
-
1981
- 1981-09-16 JP JP56144602A patent/JPS5846655A/ja active Granted
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62178729A (ja) * | 1986-01-24 | 1987-08-05 | ロト・マスタ−・インコ−ポレイテツド | タ−ボチヤ−ジヤ |
| JPH0575887B2 (ja) * | 1986-01-24 | 1993-10-21 | Roto Masutaa Inc | |
| JPH02204621A (ja) * | 1988-12-05 | 1990-08-14 | General Motors Corp <Gm> | 空気ポンプ |
| WO1996002069A1 (fr) * | 1994-07-08 | 1996-01-25 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Receptacle de stockage pour cristal semi-conducteur |
| US5823351A (en) * | 1994-07-08 | 1998-10-20 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Semiconductor crystal packaging device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0261152B2 (ja) | 1990-12-19 |
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