JPS5844605Y2 - プリント基板における半田ブリツジ防止構造 - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 この考案は、プリント基板（印刷配線基板）の半田ブリ
ッジ防止構造に関し、特に半田槽を用いる自動半田付作
業に適用して有効なものである。

従来、噴流式、浸漬式共に半田槽を用いる自動半田付作
業にあっては、プリント基板上で相互に近接する半田付
部間に生じうる半田ブリッジを防止するために、第１図
に示すようなダブルレジスト配置が採用されていた。

第１図において、１０はリード挿入用貫通孔１０ ａ
、１０ ｂを有するプリント基板、１１．１２は電気部
品、例えばＩＣ，ＦＥＴ、コネクタ等のリード、１３，
１４は基板裏面の貫通孔１０ａ。

１０ ｂの周辺部に被着された銅箔部、１５は銅箔部１
３．１４を各々の中央部が露呈されるようにして被覆す
る第１のレジストインク層、１６．１７は銅箔部１３．
１４の露呈部分によりそれぞれ構成される半田付部、１
８は半田付部１６．１７間で第ルジストインク層１５上
に被着された半田ブリッジ防止用の第２のレジストイン
ク層をそれぞれ示す。

このような配置によれば、基板１０の裏面を半田槽に浸
漬（ディップ）して半田付部１６．１７にそれぞれ半田
を付着させたとき、第２レジストインク層１８（この厚
さは約２０〜６０μｍ、通常２０μｍ程度）の存在のた
めに半田付部１６．１７間に形成されることのある半田
ブリッジを防止することができる。

しかしながら、これは半田付部１６．１７間の距離が１
ｍｍより大きい場合のことであって、それが１ｍｍ以下
になると、ブリッジ防止効果はかなり低下し、特にそれ
がＱ、５ｍｍ以下になると半田ブリッジが多発すること
が判明した。

ここで、半田ブリッジ防止効果を高めるためにレジスト
インク層を更に厚くすることが考えられるが、これでは
半田付きを良くするために半田槽にて基板を流す速度を
遅くしなければならず、半田付処理能率が大幅に低下す
るのを免れない。

従って、この考案の目的は、上記した従来技術の欠点を
なくシ、半田付部間の間隔が１ｍｍ以下の微小値になっ
ても半田付処理能率をそこなわない新規な半田ブリッジ
防止構造を提供することにある。

この考案は、上記目的を遠戚するため、相互に近接する
半田付部の近傍個所にレジストインク層に覆われない銅
箔部分からなる過剰半田吸収部を形威したことを特徴と
するもので、以下、添付図面について詳述する。

第２図は、この考案の一実施例による半田ブリッジ防止
構造を示すもので、２０はプリント基板の裏面に一列状
に配置された半田付部、２１はこれらの半田付部２０の
近傍にそこから離間してほぼ平行に設けられた細長い過
剰半田吸収部をそれぞれ示す。

各半田付部２０及び過剰半田吸収部２１は、先に第１図
について説明した半田付部１６．１７と同様に、レジス
トインクで覆われない銅箔部分で横取されるものである
。

第２図に示すように比較的小面積の多数の半田付部２０
の近傍に比較的大面積の共通の過剰半田吸収部２１を設
けておくと、半田付処理した場合に各半田付部２０間に
半田ブリッジを生じさせることのある各半田付部２０の
過剰な半田が過剰半田吸収部２１における表面張力の大
きい半田部に吸収されるので、半田ブリッジの発生を未
然に防止することができる。

なお、半田付部２０の配列方向と過剰半田吸収部２１と
のなす角度αは両者がほぼ平行な配置関係をとるように
０゜近傍が好ましいが、０〜９０’の範囲内で適当に選
定することができる。

第３図は、この考案の他の実施例による半田ブリッジ防
止構造を示すもので、この例の構造の特徴とするところ
は、一列状に配置された半田付部２０の真横に個別的に
細長い過剰半田吸収部２２゜２３．２４を設けた点にあ
る。

このような配置においても、前述例同様に各過剰半田吸
収部２２．２３．２４により各々に近接する半田付部２
０の余分な半田を吸収して半田ブリッジの発生を防ぐこ
とができる。

なお、第３図において、半田付部２０の配列方向と各過
剰半田吸収部２２，２３．２４の各々とのなす角度αは
Ｏ〜１８０°の範囲内で適当に選定することができる。

第４図は、この考案の更に他の実施例による半田ブリッ
ジ防止構造を示すもので、この例の構造の特徴とすると
ころは、となり合う半田付部２０の側方で、各々からほ
ぼ等距離の位置に正方形状の過剰半田吸収部２５を設け
たことにある。

このような配置によっても前述例同様の半田ブリッジ防
止効果が得られることは明らかである。

以上にこの考案のいくつかの実施例を述べたが、この考
案がこれらの実施例に限定されないことは勿論であり、
種々の改変形態で実施できることはいうまでもない。

例えば過剰半田吸収部の形状は、先に示した長方形や正
方形に限らず、円形、だ円形その他の適当なものでよい
。

上記したこの考案による半田ブリッジ防止構造は、（１
）従来必要とされていた半田ブリッジ除去による接続修
正作業が不要になるため、合理化やコスト低減を図れる
こと、（２）基板を半田槽に流す速度を遅くする必要が
ないため、半田付処理能率がそこなわれないこと、（３
）半田付部間の間隔を微小に設定できるため、部品の実
装密度を向上させつると共に、ジャンパ線の多用を避け
ることができ、ひいては部品レイアウトの自由度が向上
し、パターン設計が容易になること、などの多大な実用
上の効果を奏するものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は、従来の半田ブリッジ防止構造の一例を示すプ
リント基板断面図、第２図乃至第４図は、いずれもこの
考案の実施例による半田ブリッジ防止構造を示すプリン
ト基板平面図である。 １０・・・・・・プリント基板、１１．１２・・・・・
・リード、１３゜１４・・・・・・銅箔部、１５．１８
・・・・・・レジストインク層、１６゜１７．２０・・
・・・・半田付部、２１〜２５・・・・・・過剰半田吸
収部。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 基板上に銅箔により所定のパターンを形成すると共に、
   この銅箔パターンを半田付部が露呈されるようにしてレ
   ジストインク層で被覆して戊るプリント基板において、
   相互に近接する複数の半田付部を結ぶ線の側方でこれら
   半田付部から離間した近傍個所の銅箔部分を前記レジス
   トインク層から露出させることにより過剰半田吸収部を
   形成したことを特徴とする半田ブリッジ防止構造。