JPS5840887A - 混成集積回路の製造方法 - Google Patents
混成集積回路の製造方法Info
- Publication number
- JPS5840887A JPS5840887A JP13892381A JP13892381A JPS5840887A JP S5840887 A JPS5840887 A JP S5840887A JP 13892381 A JP13892381 A JP 13892381A JP 13892381 A JP13892381 A JP 13892381A JP S5840887 A JPS5840887 A JP S5840887A
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- JP
- Japan
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- integrated circuit
- laser beam
- hybrid integrated
- producing hybrid
- forming
- Prior art date
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- Pending
Links
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Landscapes
- Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本究明は、混成集積回路の製造方法2%に絶縁基板の分
割性に優rL、且つ分割面が平坦となる分割用の溝の形
成方法に関するものでおる。
割性に優rL、且つ分割面が平坦となる分割用の溝の形
成方法に関するものでおる。
従来t!縁縁板板上形成さγした複数個の薄膜集積回路
を個片ごとに分割する方法として、絶縁基板上に薄膜集
積回路を形成した後、レーザー光で−(ロ)のみ分割用
の##ヲ形成する方法が、一般に広く知らnて込る。し
かしながらレーザー光で一回のみ分割用の碑ヲ形成する
方法では、レーザー光が照射さγした部分の絶縁基板は
レーザー光の熱により瞬間的に蒸発するが、蒸発せずに
融解した残りの基板材料は1分割用の溝中央部に湯玉状
となって盛り上がって凝結する為、絶縁基板を分割した
時に湯玉状物質が飛散し、ボンゲイングランドに付層し
、ボンティングが不可能になるという欠点があった。
を個片ごとに分割する方法として、絶縁基板上に薄膜集
積回路を形成した後、レーザー光で−(ロ)のみ分割用
の##ヲ形成する方法が、一般に広く知らnて込る。し
かしながらレーザー光で一回のみ分割用の碑ヲ形成する
方法では、レーザー光が照射さγした部分の絶縁基板は
レーザー光の熱により瞬間的に蒸発するが、蒸発せずに
融解した残りの基板材料は1分割用の溝中央部に湯玉状
となって盛り上がって凝結する為、絶縁基板を分割した
時に湯玉状物質が飛散し、ボンゲイングランドに付層し
、ボンティングが不可能になるという欠点があった。
本究明の目的は土日己の欠点を除去した混成集積回路の
製造方法を提供することにある。
製造方法を提供することにある。
本究明は例えば絶縁基板上に複数個の薄膜集積回@をフ
ォトエツチング法により形成した後、該絶林基板に分割
用の錦をレーザー光により二度形成することを特徴とす
る混成集積回路の製造方法である。
ォトエツチング法により形成した後、該絶林基板に分割
用の錦をレーザー光により二度形成することを特徴とす
る混成集積回路の製造方法である。
以下、本兇明の実施例を図面に基づいて詳細に説明する
。まず、複数個の薄膜集積回路を形成した絶縁基板にレ
ーザー光により分割用のIll’に人!しる(第1図(
a) + (b) )。向、第1図(b)は第1図(a
)の溝部近傍を拡大した断面図である。ざらに、第一回
目のレーザー光照射により形成さr′した溝に第二回目
のレーザー光を照射する(第1図(C) 、 (d)
)。
。まず、複数個の薄膜集積回路を形成した絶縁基板にレ
ーザー光により分割用のIll’に人!しる(第1図(
a) + (b) )。向、第1図(b)は第1図(a
)の溝部近傍を拡大した断面図である。ざらに、第一回
目のレーザー光照射により形成さr′した溝に第二回目
のレーザー光を照射する(第1図(C) 、 (d)
)。
同1第1図(d)は第1図(C)の溝部近傍を拡大した
断面図でめる。
断面図でめる。
以上、実施例で説明したように2本発明の方法に、l:
nば、M1回目のレーザー光で分割用の溝會入γした後
に、さらに第二回目のレーザー光全同−溝に照射ツーる
為、第−回目のレーザー光の熱により突出した湯玉状物
質は、第二回目のレーザー光の熱により蒸兜或いは融解
し平坦化する為、従来の製造方法で見ら′nたボンディ
ングランドへの湯玉状物質の飛散によるボンティング不
良は皆無とな(ハ安定した高品質な混成来積回路の製造
が可能となった。
nば、M1回目のレーザー光で分割用の溝會入γした後
に、さらに第二回目のレーザー光全同−溝に照射ツーる
為、第−回目のレーザー光の熱により突出した湯玉状物
質は、第二回目のレーザー光の熱により蒸兜或いは融解
し平坦化する為、従来の製造方法で見ら′nたボンディ
ングランドへの湯玉状物質の飛散によるボンティング不
良は皆無とな(ハ安定した高品質な混成来積回路の製造
が可能となった。
第1図は本発明の実施例を説明する為の混成集積+i+
路の製造工程の断面図である。 同、図において、1・・・・・・湯玉状絶縁基板材料。 第1凶
路の製造工程の断面図である。 同、図において、1・・・・・・湯玉状絶縁基板材料。 第1凶
Claims (1)
- 主面に薄膜集積回路を形成した絶縁基板に分割用の蒋t
レーザー光により二度形成することを特徴とする混成集
積回路の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13892381A JPS5840887A (ja) | 1981-09-03 | 1981-09-03 | 混成集積回路の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13892381A JPS5840887A (ja) | 1981-09-03 | 1981-09-03 | 混成集積回路の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5840887A true JPS5840887A (ja) | 1983-03-09 |
Family
ID=15233287
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13892381A Pending JPS5840887A (ja) | 1981-09-03 | 1981-09-03 | 混成集積回路の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5840887A (ja) |
-
1981
- 1981-09-03 JP JP13892381A patent/JPS5840887A/ja active Pending
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