JPS5836490B2 - ハンドウタイハクマク ノ セイゾウホウホウ - Google Patents
ハンドウタイハクマク ノ セイゾウホウホウInfo
- Publication number
- JPS5836490B2 JPS5836490B2 JP49053641A JP5364174A JPS5836490B2 JP S5836490 B2 JPS5836490 B2 JP S5836490B2 JP 49053641 A JP49053641 A JP 49053641A JP 5364174 A JP5364174 A JP 5364174A JP S5836490 B2 JPS5836490 B2 JP S5836490B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- temperature
- insb
- manufacturing
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Landscapes
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は半導体薄膜の製造方法に関するものである。
従来、例えばＩｎＳｂをフラッシュ蒸着などの方法で付
ける場合、加熱したボード上にＩｎＳｂの粒子を連続的
に落として加熱した基板上に蒸着する。
ける場合、加熱したボード上にＩｎＳｂの粒子を連続的
に落として加熱した基板上に蒸着する。
この時、ＩｎＳｂの加熱された粒子が基板上に付着する
基板とＩｎＳｂとの密着性を良くするため釦よび結晶成
長がしやすいようにするために、基板温度を再蒸発温度
捷で上げるのが普通である。
基板とＩｎＳｂとの密着性を良くするため釦よび結晶成
長がしやすいようにするために、基板温度を再蒸発温度
捷で上げるのが普通である。
そのため、基板に付着したＩｎＳｂが基板上の粒子との
結合を振り切って再蒸発する。
結合を振り切って再蒸発する。
その結果、蒸着膜が不均一な膜となったり、温度調節が
非常にむずかしく再現性が悪かった。
非常にむずかしく再現性が悪かった。
この問題を克服するために蒸着速度を２０ＯＡ／ｓｅｃ
ｔで上げることが提案されたが、この方法でも再蒸発が
かなりあり、再蒸発を防ぐため温度を下げると特性の低
下が避けられなかった。
ｔで上げることが提案されたが、この方法でも再蒸発が
かなりあり、再蒸発を防ぐため温度を下げると特性の低
下が避けられなかった。
したがって、この発明の目的は、基板からの再蒸発を防
ぐとともに、安定で特性のすぐれた半導体薄膜の製造方
法を提供することである。
ぐとともに、安定で特性のすぐれた半導体薄膜の製造方
法を提供することである。
この発明の製造方法の一例について述べる。
この実施例では、ＩｎＳｂ薄膜を形成するガラス基板の
温度を第１図に示すように制御した。
温度を第１図に示すように制御した。
第ｌの工程ＡＪＩ−いて、基板を４５０℃に加熱し、■
２００〜ｌ４００℃に加熱したボード上に多結晶ＩｎＳ
ｂの１０〜１６メッシュの粒子を連続的に落下し、基板
上にＩｎＳｂ層を形成した。
２００〜ｌ４００℃に加熱したボード上に多結晶ＩｎＳ
ｂの１０〜１６メッシュの粒子を連続的に落下し、基板
上にＩｎＳｂ層を形成した。
この場合，ＩｎＳｂ層は再蒸発がはげし〈、基板上に小
さい島状の結晶核が残り、膜は絶縁状態であった。
さい島状の結晶核が残り、膜は絶縁状態であった。
この島状の結晶核は後の工程の蒸着にち−いて付着の中
心となり、再蒸発を防ぎ結晶化を促進する。
心となり、再蒸発を防ぎ結晶化を促進する。
つぎに、第２の工程Ｂにおいて、基板温度を２５０℃に
低下した。
低下した。
つぎに第３の工程Ｃにむいて、基板温度を４３０゜Ｃに
上昇し、蒸発速度２００Ａ／ｓｅｅで第１の工程Ａと同
様にフラッシュ蒸着を行なった。
上昇し、蒸発速度２００Ａ／ｓｅｅで第１の工程Ａと同
様にフラッシュ蒸着を行なった。
その結果、基板上に均一なＩｎＳｂ薄嗅が形成され、そ
の磁気抵抗特性は第２図の実線で示すように従来の破線
のものよりすぐれたものとなった。
の磁気抵抗特性は第２図の実線で示すように従来の破線
のものよりすぐれたものとなった。
この製造方法は再現性が良いことも確認した。
以上のように、この発明の製造方法によれば、安定です
ぐれた特性の半導体薄膜を再現性よく形戒することがで
きる。
ぐれた特性の半導体薄膜を再現性よく形戒することがで
きる。
第１図はこの発明の製造方法の一例を説明するための基
板の温度変化図、第２図はこの発明の製造方法で形戒し
たＩｎＳｂ薄膜の磁気抵抗特性図である。 Ａ・・・第１の工程、Ｂ・・・第２の工程、Ｃ・・・第
３の工程。
板の温度変化図、第２図はこの発明の製造方法で形戒し
たＩｎＳｂ薄膜の磁気抵抗特性図である。 Ａ・・・第１の工程、Ｂ・・・第２の工程、Ｃ・・・第
３の工程。
Claims (1)
- １ 基板の温度を設定温度以上に保持してフラッシュ蒸
着を行ない基板上に小さい島状の結晶核を形成する工程
と、前記結晶核を形成した基板を設定温度より低い温度
に低下させる工程と、温度が低下した前記基板を設定温
度に上昇させ再びフラッシュ蒸着を行なう工程とを含む
半導体薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP49053641A JPS5836490B2 (ja) | 1974-05-13 | 1974-05-13 | ハンドウタイハクマク ノ セイゾウホウホウ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP49053641A JPS5836490B2 (ja) | 1974-05-13 | 1974-05-13 | ハンドウタイハクマク ノ セイゾウホウホウ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS50146269A JPS50146269A (ja) | 1975-11-22 |
| JPS5836490B2 true JPS5836490B2 (ja) | 1983-08-09 |
Family
ID=12948517
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP49053641A Expired JPS5836490B2 (ja) | 1974-05-13 | 1974-05-13 | ハンドウタイハクマク ノ セイゾウホウホウ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5836490B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0560640B2 (ja) * | 1987-05-15 | 1993-09-02 | Matsushita Electric Works Ltd | |
| DE112019007095T5 (de) | 2019-03-28 | 2022-01-05 | Honda Motor Co., Ltd. | Sattelaufsitzfahrzeug |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02272723A (ja) * | 1989-04-14 | 1990-11-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | インジウムアンチモン膜の製造方法 |
-
1974
- 1974-05-13 JP JP49053641A patent/JPS5836490B2/ja not_active Expired
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0560640B2 (ja) * | 1987-05-15 | 1993-09-02 | Matsushita Electric Works Ltd | |
| DE112019007095T5 (de) | 2019-03-28 | 2022-01-05 | Honda Motor Co., Ltd. | Sattelaufsitzfahrzeug |
| US11600181B2 (en) | 2019-03-28 | 2023-03-07 | Honda Motor Co., Ltd. | Saddle-riding type vehicle |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS50146269A (ja) | 1975-11-22 |
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