JPS5835936A - ボンデイングチツプの処理方法 - Google Patents
ボンデイングチツプの処理方法Info
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- JPS5835936A JPS5835936A JP13518481A JP13518481A JPS5835936A JP S5835936 A JPS5835936 A JP S5835936A JP 13518481 A JP13518481 A JP 13518481A JP 13518481 A JP13518481 A JP 13518481A JP S5835936 A JPS5835936 A JP S5835936A
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- chip
- bonding
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- residue
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- H01L2924/014—Solder alloys
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はプリント基板の導体パターン等と、当該プリン
ト基板に搭載する電子部品の端子及び配線材等とを電気
的に接続するボンディング載置のボンディングチップ（
以下チップと云う）の処理方法に関するものである◎ プリント基板の表面層の導体パターンと、当該プリント
基板に搭載する電子部品の端子及び配線材等を接続する
には、プリント基板の表向層の導体パターンと、当該プ
リント基板に搭載する電子部品の端子及び配線材の導体
の表面に３０〔μｍ〕１１＆の厚さの半田メッキを施し
、接続すべきプリント基板の導体パターン上に当該プリ
ント基板にＩＩＦ載する電子部品の接続すべき端子及び
配諺材の導体を載置し、尚腋部分に半田フラックスを塗
布したる後、ボンディング装置のチップ５を接触はせ、
当該部分を加圧、加熱し、導体パターンと接続すべき電
子部品の端子及び配線材のハンダ層を溶融せしめ、チッ
プを加圧したｔｔチップを冷却して接続をなす。
ト基板に搭載する電子部品の端子及び配線材等とを電気
的に接続するボンディング載置のボンディングチップ（
以下チップと云う）の処理方法に関するものである◎ プリント基板の表面層の導体パターンと、当該プリント
基板に搭載する電子部品の端子及び配線材等を接続する
には、プリント基板の表向層の導体パターンと、当該プ
リント基板に搭載する電子部品の端子及び配線材の導体
の表面に３０〔μｍ〕１１＆の厚さの半田メッキを施し
、接続すべきプリント基板の導体パターン上に当該プリ
ント基板にＩＩＦ載する電子部品の接続すべき端子及び
配諺材の導体を載置し、尚腋部分に半田フラックスを塗
布したる後、ボンディング装置のチップ５を接触はせ、
当該部分を加圧、加熱し、導体パターンと接続すべき電
子部品の端子及び配線材のハンダ層を溶融せしめ、チッ
プを加圧したｔｔチップを冷却して接続をなす。
チップは菖１図に示す如き形状をなす。（同図（ａ）は
正Ｗｌｌ、 （ｂ）は側面図を示す。）すなわち、チッ
プ本体１１はモリブデン（Ｍｏ）又はチタン（Ｔｉ）勢
の高耐熱金属が用いられ、図示する如く略Ｕ字形に成形
されＵ字形の上端部ｐ、 ｐ、においてボンディング装
置の可動腕（図示せず）に接続される。
正Ｗｌｌ、 （ｂ）は側面図を示す。）すなわち、チッ
プ本体１１はモリブデン（Ｍｏ）又はチタン（Ｔｉ）勢
の高耐熱金属が用いられ、図示する如く略Ｕ字形に成形
されＵ字形の上端部ｐ、 ｐ、においてボンディング装
置の可動腕（図示せず）に接続される。
チップ本体の先１４＄ＩＩＡは、チップの耐摩耗性を高
め且つチップの温度分布を均一ならしめる九めに１通常
３０〔μｍａｌＱ度の厚ざにセラミック被覆１２が被覆
されている〇 かかる構成を有するチップは、ボンディング装置の可動
腕に取付けられ、かかる可動腕の動作によってボンディ
ングすべき部分に接触され、加圧すると共に可動腕を通
じ時間軸で制御され要電流が供給されチップの先端部１
１Ａの温度が約３５０〔℃〕に加熱される〇 本チップを用いて、プリント基板の導体に載置畜れた電
子部品の接続すべき端子及び配線材部に接触させ加圧し
、加熱して当該部分を接続する時、尚皺部分に塗布され
たハンダスラックスがチップの加熱によりて焼成し、そ
の−ｍはチップの先端部の前記セラミック被覆１２の表
面に付着し、更に当該チップの高温度によってセラミッ
ク被覆１２に焼付く〇 第２１１は従来のボンディングに於てチップ１１のボン
ディング動作に伴なうチップ先ＩＩＩＡＩＩＡの温度上
昇を示すグラフで、Ｙ軸が温［Ｔｕで、Ｘ軸が時間軸ｔ
を示す。
め且つチップの温度分布を均一ならしめる九めに１通常
３０〔μｍａｌＱ度の厚ざにセラミック被覆１２が被覆
されている〇 かかる構成を有するチップは、ボンディング装置の可動
腕に取付けられ、かかる可動腕の動作によってボンディ
ングすべき部分に接触され、加圧すると共に可動腕を通
じ時間軸で制御され要電流が供給されチップの先端部１
１Ａの温度が約３５０〔℃〕に加熱される〇 本チップを用いて、プリント基板の導体に載置畜れた電
子部品の接続すべき端子及び配線材部に接触させ加圧し
、加熱して当該部分を接続する時、尚皺部分に塗布され
たハンダスラックスがチップの加熱によりて焼成し、そ
の−ｍはチップの先端部の前記セラミック被覆１２の表
面に付着し、更に当該チップの高温度によってセラミッ
ク被覆１２に焼付く〇 第２１１は従来のボンディングに於てチップ１１のボン
ディング動作に伴なうチップ先ＩＩＩＡＩＩＡの温度上
昇を示すグラフで、Ｙ軸が温［Ｔｕで、Ｘ軸が時間軸ｔ
を示す。
可動アームによってボンディング位置に約２に４で圧接
されたテップ１１に可動アームよりチップ人のＵ字端Ｐ
、とＰ、との間に２〜３〔ηの電圧が印加され２００〜
３００ （Ａ）の電流が曽電され時間Ｔ。
されたテップ１１に可動アームよりチップ人のＵ字端Ｐ
、とＰ、との間に２〜３〔ηの電圧が印加され２００〜
３００ （Ａ）の電流が曽電され時間Ｔ。
（約４秒間）通電することにより、セラミック被覆１２
の素面の温度を約ａ ５０ （ｃ）に保ち、しかる俵印
加する電圧を零にしてセラミック被覆の温度を冷却させ
るため時間Ｔ２（約５秒間）加圧しｆＩ−まま保持する
。
の素面の温度を約ａ ５０ （ｃ）に保ち、しかる俵印
加する電圧を零にしてセラミック被覆の温度を冷却させ
るため時間Ｔ２（約５秒間）加圧しｆＩ−まま保持する
。
この加熱及び冷却の約９秒の間、セラミック被覆１２は
半田フラックスの焼成体Ｋｊｌｌきれ、セラミック被覆
１２０表面に半田スラックスが付着し、該セラミック被
覆１２の約３５０ （Ｃ）という高温によプ該セラミッ
ク被覆１２０表面に焼付き、燐源層１３を形成する。
半田フラックスの焼成体Ｋｊｌｌきれ、セラミック被覆
１２０表面に半田スラックスが付着し、該セラミック被
覆１２の約３５０ （Ｃ）という高温によプ該セラミッ
ク被覆１２０表面に焼付き、燐源層１３を形成する。
そして、ボンディング処理を継続することにより、チッ
プのセラミック被［１２の１１面に付着し廐 て、焼付く半田フラッフの卑渣１３はボンディング回数
に伴って増加し、チップの熱伝導機能を低下せしめる。
プのセラミック被［１２の１１面に付着し廐 て、焼付く半田フラッフの卑渣１３はボンディング回数
に伴って増加し、チップの熱伝導機能を低下せしめる。
このため、チップの加熱機能が低下しないボンディング
回数内で、チップの表面に付着し焼付いた半田フラック
スの燐源１３を手作業で当該部分を研摩して除去する必
要があったＯこの除去作業は手作業で行なうため多くの
工数を要するうえに、チップを保譲するセラミック被覆
に損傷を与えるとともにチップの熱平衡機能を低下てせ
てしまい、当該チップの寿命を低下させる一因となって
いた０ 不発＃４は係る事態に鑑みボンディングの継続する回数
に伴ってチップのセラミック展に付着して焼付く半田フ
ラックスの燐源を手作業等で除去すｂ−ことなく自動的
に確実に除去し得る方法を提供するものである０ 即チ不発８Ａは継続するポンディ／りにエラてチップの
セラミック被覆に付着し焼付く）−ンダフラックスの燐
源がチップの加熱機能を低下せしめることのない定めら
れた回数を検出してチップがボンディング位置より引上
げられた位置に於いてチップに過電流を供給してチップ
のセラミック被覆の温度を約６００〔℃〕程度に上昇せ
しめてテップに付着して焼付い良ノ・ンダフ２ツクスＯ
焼渣を燃焼あるいに昇化せし゛めて除去するものである
。
回数内で、チップの表面に付着し焼付いた半田フラック
スの燐源１３を手作業で当該部分を研摩して除去する必
要があったＯこの除去作業は手作業で行なうため多くの
工数を要するうえに、チップを保譲するセラミック被覆
に損傷を与えるとともにチップの熱平衡機能を低下てせ
てしまい、当該チップの寿命を低下させる一因となって
いた０ 不発＃４は係る事態に鑑みボンディングの継続する回数
に伴ってチップのセラミック展に付着して焼付く半田フ
ラックスの燐源を手作業等で除去すｂ−ことなく自動的
に確実に除去し得る方法を提供するものである０ 即チ不発８Ａは継続するポンディ／りにエラてチップの
セラミック被覆に付着し焼付く）−ンダフラックスの燐
源がチップの加熱機能を低下せしめることのない定めら
れた回数を検出してチップがボンディング位置より引上
げられた位置に於いてチップに過電流を供給してチップ
のセラミック被覆の温度を約６００〔℃〕程度に上昇せ
しめてテップに付着して焼付い良ノ・ンダフ２ツクスＯ
焼渣を燃焼あるいに昇化せし゛めて除去するものである
。
本発明によればチップのセラミック被覆に付着して焼付
いたノ・ンダフ２ツクの燐源を除去するのにボンディン
グ回数が計数されておりチップのセラミック被覆に付着
するノ＼ンダフラツクスの燐源がチップの加熱機能を失
なうごとき量に達する可能性はなく、又チップのセラミ
ック被覆よりノ・ンダフツックスの燐源を除去するのに
手作業でヤスリ等を用い物理的に研摩することがないた
め、除去１徹・を要せずボンディング機の稼動率を確保
し、又チップのセラミック被覆を損傷することなくボン
ディンダ接続機能を維持し、チップの寿命を長期間期待
出来るものであるＯ 次に本発明を実施例によって詳細に説明するＯ前述の如
く半田７ラツクスの燐源は、チップのボンディング回数
にはぽ比例して増加するＯ本発明においては当該半田ス
ラックスの燐源の厚さがチップのボンディングのための
加熱機能を阻害するより少ないボンディング回数に於い
て、当該チップのセラミック被覆に付着した前記半田７
ラツクスの篩渣を除去する。
いたノ・ンダフ２ツクの燐源を除去するのにボンディン
グ回数が計数されておりチップのセラミック被覆に付着
するノ＼ンダフラツクスの燐源がチップの加熱機能を失
なうごとき量に達する可能性はなく、又チップのセラミ
ック被覆よりノ・ンダフツックスの燐源を除去するのに
手作業でヤスリ等を用い物理的に研摩することがないた
め、除去１徹・を要せずボンディング機の稼動率を確保
し、又チップのセラミック被覆を損傷することなくボン
ディンダ接続機能を維持し、チップの寿命を長期間期待
出来るものであるＯ 次に本発明を実施例によって詳細に説明するＯ前述の如
く半田７ラツクスの燐源は、チップのボンディング回数
にはぽ比例して増加するＯ本発明においては当該半田ス
ラックスの燐源の厚さがチップのボンディングのための
加熱機能を阻害するより少ないボンディング回数に於い
て、当該チップのセラミック被覆に付着した前記半田７
ラツクスの篩渣を除去する。
この連続して使用出来るボンディング回数は約３０同種
度である。
度である。
第３図は本発明によるボンディング回数とチップへの印
加電圧の制御を示すブロックダイヤグラムである。
加電圧の制御を示すブロックダイヤグラムである。
ボンディング装置の可動腕の動作回数を検出して積算し
チップ１１のボンディング回数によシセラミック被覆１
２に焼付く篩渣１３がチップ１１のボンディングに於け
る加熱機能を阻害しない予じめ定められた回数を検出す
る動作回数検出部１４の出力は、印加電圧制御部１５に
接続される。
チップ１１のボンディング回数によシセラミック被覆１
２に焼付く篩渣１３がチップ１１のボンディングに於け
る加熱機能を阻害しない予じめ定められた回数を検出す
る動作回数検出部１４の出力は、印加電圧制御部１５に
接続される。
チップ１１のボンディング回数は予じめ定められた回数
に達するまでの間は、前述の如くチップ１１に約２〜３
〔ηの電圧が印加され約２００〜３００ （Ａ）の電流
が饋電され、テップ１１のセ２ンック被覆１２の温ｊ［
ニ約３５０ （ｔ：） Ｋ保持畜れる。
に達するまでの間は、前述の如くチップ１１に約２〜３
〔ηの電圧が印加され約２００〜３００ （Ａ）の電流
が饋電され、テップ１１のセ２ンック被覆１２の温ｊ［
ニ約３５０ （ｔ：） Ｋ保持畜れる。
そして、チップ１１のボンディング回数が予じめ定めら
れた回数に達した時、動作アームによってテップ１１が
ボンディング位置よシ引上げられた位置で、動作回数検
出部１４によってトリガーされた電圧制御部１５によシ
テップ１１に約６〜９〔ηの電圧が約５秒間印加され約
６００〜９００ ＣＡ）の電流が饋電される。
れた回数に達した時、動作アームによってテップ１１が
ボンディング位置よシ引上げられた位置で、動作回数検
出部１４によってトリガーされた電圧制御部１５によシ
テップ１１に約６〜９〔ηの電圧が約５秒間印加され約
６００〜９００ ＣＡ）の電流が饋電される。
この電力によってチップ１１のセラミック被覆１２０表
面のｍ度は約６００ 〔Ｃ）に達し、該セラミック被５
１２に付着し、焼付いたハンダフラックスの篩渣１３は
燃焼あるいは昇化し、完全に除去される。
面のｍ度は約６００ 〔Ｃ）に達し、該セラミック被５
１２に付着し、焼付いたハンダフラックスの篩渣１３は
燃焼あるいは昇化し、完全に除去される。
予じめ定められた咳ボンディング回数に続いてチップ１
１の印加電圧を上昇せしめ、セラミック被１１１１２０
ｍ度を約６００ Ｃ℃）になす一連の動作を繰郵返して
ボンディング作業を継続する。
１の印加電圧を上昇せしめ、セラミック被１１１１２０
ｍ度を約６００ Ｃ℃）になす一連の動作を繰郵返して
ボンディング作業を継続する。
従って不発８Ａによれば、斯の如き操作によシチップの
セラミック被覆への半田フラックスの篩渣の付着量はチ
ップのポンディング加熱機能全阻害する以前のａ数に於
いて確実に半田フラックスの篩渣が除去され、手作業に
よる物理的剥離による不完全な除去と多くの工数とを要
しないため、半田フラックスの篩渣を除去するまでの回
数を従来よりも少なくすることが可能となりセラミック
被覆への半田７ラツクスの篩渣の付着を最少型になし得
る。従って、プリント基板のｌＩｍ層の導体パターン等
と電子部品の端子及び配線材等の接続が確実に且り安定
に行ない得て、接続の高い信頼性を確保し得るもので１
１又、／Ｎンダ７ラツクスの篩渣の除去を手作業により
ヤスリ等でセラーミック腰爾を研摩することがない九め
、セラミックｌＩ［を部分的に損傷し、チップの使用寿
命管短縮することもなく又、これらの操作が予じめ設定
された制御により行なわれるので人為的誤謬の発生も防
止し、又ボンディング機の稼動率を高く維持出来るもの
である。
セラミック被覆への半田フラックスの篩渣の付着量はチ
ップのポンディング加熱機能全阻害する以前のａ数に於
いて確実に半田フラックスの篩渣が除去され、手作業に
よる物理的剥離による不完全な除去と多くの工数とを要
しないため、半田フラックスの篩渣を除去するまでの回
数を従来よりも少なくすることが可能となりセラミック
被覆への半田７ラツクスの篩渣の付着を最少型になし得
る。従って、プリント基板のｌＩｍ層の導体パターン等
と電子部品の端子及び配線材等の接続が確実に且り安定
に行ない得て、接続の高い信頼性を確保し得るもので１
１又、／Ｎンダ７ラツクスの篩渣の除去を手作業により
ヤスリ等でセラーミック腰爾を研摩することがない九め
、セラミックｌＩ［を部分的に損傷し、チップの使用寿
命管短縮することもなく又、これらの操作が予じめ設定
された制御により行なわれるので人為的誤謬の発生も防
止し、又ボンディング機の稼動率を高く維持出来るもの
である。
第１図はボンディングに用いられる加圧、加熱チップを
示す正面図（ａ）及び側面図（ｂ）、第２図は前記チッ
プの発熱状態を示すグラフ、第３図は本発明Ｋかかるチ
ップの熱魁理を実施するための装置の構成を示すブロッ
クダイヤグラムである、図において １１・・・・・・
ボンチイングチラグ１２・・・・・・セラミック被覆 １３・・・・・・７ラツクスの燐源 １４・・・・・・動作回数検出部 １５・・・・・・印加電圧制御部。
示す正面図（ａ）及び側面図（ｂ）、第２図は前記チッ
プの発熱状態を示すグラフ、第３図は本発明Ｋかかるチ
ップの熱魁理を実施するための装置の構成を示すブロッ
クダイヤグラムである、図において １１・・・・・・
ボンチイングチラグ１２・・・・・・セラミック被覆 １３・・・・・・７ラツクスの燐源 １４・・・・・・動作回数検出部 １５・・・・・・印加電圧制御部。
Claims (1)
- 回路基板上に′＃Ｌ子部品あるいは配線材を、通電によ
る発熱及び加圧により接続するボンディングテップに対
して、前記加熱加圧ボンティング処理を所定回数行なり
た後に、轟該加熱加圧ポンディ／グ処理時よりも大きな
電力を印加して、前記ボンディングチップを前記加熱加
圧ボンディング処理時に当該ボンディングチップの懺面
に付着した物質の熱焼あるいは昇化温度以上に加熱する
ことを特徴とするボンディングチップの処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13518481A JPS5835936A (ja) | 1981-08-28 | 1981-08-28 | ボンデイングチツプの処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13518481A JPS5835936A (ja) | 1981-08-28 | 1981-08-28 | ボンデイングチツプの処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5835936A true JPS5835936A (ja) | 1983-03-02 |
| JPS6252664B2 JPS6252664B2 (ja) | 1987-11-06 |
Family
ID=15145794
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13518481A Granted JPS5835936A (ja) | 1981-08-28 | 1981-08-28 | ボンデイングチツプの処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5835936A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60140894A (ja) * | 1983-12-28 | 1985-07-25 | 富士通株式会社 | 細線の接続方法 |
| JPS60254585A (ja) * | 1984-05-31 | 1985-12-16 | 富士通株式会社 | 通電加熱電極の構造 |
| JP2016215220A (ja) * | 2015-05-19 | 2016-12-22 | 株式会社アンド | 半田処理装置 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11130994B2 (en) | 2019-12-13 | 2021-09-28 | Autonomous Medical Devices Inc. | Automated, cloud-based, point-of-care (POC) pathogen and antibody array detection system and method |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55119183A (en) * | 1979-03-08 | 1980-09-12 | Nippon Steel Corp | Cleaning of steel plate surface by laser irradiation |
-
1981
- 1981-08-28 JP JP13518481A patent/JPS5835936A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55119183A (en) * | 1979-03-08 | 1980-09-12 | Nippon Steel Corp | Cleaning of steel plate surface by laser irradiation |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60140894A (ja) * | 1983-12-28 | 1985-07-25 | 富士通株式会社 | 細線の接続方法 |
| JPH0380356B2 (ja) * | 1983-12-28 | 1991-12-24 | Fujitsu Ltd | |
| JPS60254585A (ja) * | 1984-05-31 | 1985-12-16 | 富士通株式会社 | 通電加熱電極の構造 |
| JPH0369149B2 (ja) * | 1984-05-31 | 1991-10-31 | Fujitsu Ltd | |
| JP2016215220A (ja) * | 2015-05-19 | 2016-12-22 | 株式会社アンド | 半田処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6252664B2 (ja) | 1987-11-06 |
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