JP3269399B2 - バンプ付きワークの実装方法 - Google Patents

バンプ付きワークの実装方法

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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、バンプを基板のパ
ッドにボンディングするバンプ付きワークの実装方法に
関するものである。
【0002】
【従来の技術】フリップチップなどのバンプ付きワーク
は、バンプをプリント基板のパッド上に半田付けして実
装される。そしてその後、バンプ付きワークのバンプが
ワークのパッド上に正しく半田付けされているかどうか
を検査する導通検査が行われる。この導通検査は、一般
に、テスターのプローブをワークの端子に当てて導通状
態を検査することにより行われる。
【0003】導通検査の結果がNGの場合には、バンプ
付きワークのリペア作業が行われる。以下、従来のバン
プ付きワークのリペア方法について説明する。図5は従
来のバンプ付きワークのリペア作業の工程図である。図
5(a)において、バンプ付きワーク1の下面にはバン
プ2が突設されている。またワーク3の上面のパッド4
上には半田部5が形成されており、バンプ2はこの半田
部5によりパッド4上に半田付けされている。このバン
プ2は導電性ボールを用いて形成されたものであって、
下方へ突出する突出部は有していない。
【0004】まず図5(a)に示すように、バンプ付き
ワーク1が搭載されたワーク3を加熱炉6に入れ、加熱
することにより半田部5を溶融させる。次にワーク3を
加熱炉6から取り出し、バンプ付きワーク1をワーク3
から取りはずす。図5(b)はバンプ付きワーク1を取
りはずしたワーク3を示している。バンプ付きワーク1
を取りはずすと、パッド4上には半田部5が付着残存し
ている。そこで図5(c)に示すように、パッド4上の
半田部5を鋭利な刃物などでこすり取る。半田部5をこ
すり取ったならば、図5(d)に示すようにパッド4上
に再度半田部5を形成する。以上によりワーク3の補修
が終了したならば、このワーク3上にバンプ付きワーク
1を再度搭載する。なお半田部5は、メッキ手段や半田
レベラ手段などにより形成される。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】従来は、バンプ付きワ
ーク1が搭載されたワーク3をリフロー炉で加熱するこ
とにより、半田部5を溶融・固化させてバンプ2をパッ
ド4上に半田付けした後、導通検査を行っていた。そし
て検査結果がNGの場合には図5に示す方法でリペア作
業を行っていたものである。しかしながら図5に示すリ
ペア作業は甚だ面倒であり、特に図5(a)に示すよう
に半田部5を再加熱して溶融させる工程や、図5(c)
に示すようにパッド4上の半田部5を刃物などでこすり
取る作業には多大な時間や手間を要するという問題点が
あった。
【0006】したがって本発明は、リペア作業を簡単に
行えるバンプ付きワークの実装方法を提供することを目
的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は、ワークのパッ
ド上に形成された加熱処理前の半田部にバンプを着地さ
せてバンプ付きワークをワークへ押し付けることによ
り、バンプで前記半田部の表面の酸化膜を部分的に破壊
してバンプを前記半田部に接触させ、その状態で前記ワ
ークの端子にテスターのプローブを当てて導通状態を検
査するようにした。
【0008】
【発明の実施の形態】上記構成の本発明によれば、バン
プ付きワークをワークに強く押し付けることにより、バ
ンプは半田部の表面の酸化膜を部分的に破壊して半田部
に接触する。したがって半田部を加熱して溶融・固化さ
せる半田付け工程の前に導通検査を行うことができ、検
査結果がNGの場合には、簡単にリペアを行うことがき
る。
【0009】以下、本発明の実施の形態を図面を参照し
て説明する。図1は、本発明の一実施の形態のバンプ付
きワークの実装方法の説明図、図2は同バンプ付きワー
クの実装方法におけるバンプと半田部の部分拡大図、図
3は同バンプ付きワークの実装装置の正面図、図4は同
バンプ付きワークの実装状態の断面図である。
【0010】まず、図1および図2を参照して、実装方
法を説明する。図1(a)において、ワーク11の上面
には回路パターンのパッド12と導通検査用の端子13
が形成されている。このワーク11はプリント基板であ
る。パッド12と端子13はリード線14で接続されて
いる。またパッド12上には半田部15が形成されてい
る。半田部15は、半田メッキ手段や半田レベラ手段な
どにより形成されている。半田部15は、PbやSnな
どの低融点のやわらかい金属の合金である。
【0011】次に図1(b)に示すように、ディスペン
サ16からボンド17を注出し、半田部15を覆うよう
にワーク11に塗布する。次に図1(c)に示すよう
に、バンプ付きワーク21をヘッド20に真空吸着して
保持し、バンプ22を半田部15に着地させてバンプ付
きワーク21をワーク11に強く押し付けて導通検査を
行う。この導通検査は、テスター25のプローブ26を
端子13に当てて導通状態をチェックすることにより行
う。
【0012】図2(a)、(b)は、ヘッド20を下降
させて、バンプ付きワーク21のバンプ22を半田部1
5に押し付ける作業を示している。ただし、ボンド17
は省略している。図示するように、半田部15の表面に
は、空気が触れることにより酸化膜18が生じている。
この酸化膜18は電気抵抗が大きく、導通検査を阻害す
る。そこで、バンプ22から下方へ突出する突出部23
を半田部15に強く押し付けることにより、突出部23
で酸化膜18を部分的に突き破って破壊し、突出部23
を直に半田部15に接触させ、その状態で図1(c)に
示す導通検査を行う。勿論、この時点ではボンド17は
未硬化であり、また半田部15は加熱処理されていな
い。以上のように、突出部23を有するバンプ22であ
れば、突出部23によってより確実に酸化膜18を破壊
することができる。
【0013】次に、バンプの形成方法について簡単に説
明する。バンプの形成方法としては、導電性ボールを用
いる方法と、ワイヤを用いる方法が知られている。前者
は、特開平7−302814号公報などに記載された方
法であって、導電性ボールをパッド上に搭載し、これを
加熱して溶融・固化させることによりバンプを形成す
る。後者は、特開平4−37034号公報などに記載さ
れた方法であって、ワイヤをキャピラリツールから導出
し、ワイヤの下端部に電気的スパークによりボールを形
成し、このボールをワークのパッド上にボンディングし
た後、ワイヤを上方へ引っ張ってボンディング点の近く
で切断する方法である。
【0014】導電性ボールを用いる方法によれば、きれ
いな球面を有するバンプを形成することができる。とこ
ろがワイヤを用いる方法では、ワイヤを上方へ引っ張っ
てボンディング点の近くで切断することから、バンプに
は上方へ突出する突出部(テール)が生じる。したがっ
て図2に示す突出部23を有するバンプ22は、ワイヤ
を用いるバンプ形成方法により形成されたものである。
勿論、突出部を有するバンプは、他の方法により形成し
てもよい。
【0015】さて、図1(c)に示す導通検査の結果が
NGであれば、バンプ付きワーク21をワーク11から
取りはずし、バンプ付きワーク21の搭載をやり直す。
図1(c)に示す導通検査時にはボンド17は未硬化で
あり、また半田部15は未だ加熱処理されていないの
で、バンプ付きワーク21をワーク11から簡単に取り
はずしてリペアを行うことができる。
【0016】図1(c)に示す導通検査の結果がOKな
らば、以下に述べる方法によりバンプ付きワーク21を
ワーク11に半田付けする。すなわち図3に示すように
バンプ付きワーク21を吸着ヘッド30の下面に真空吸
着して保持し、バンプ付きワーク21をワーク11に強
く押し付ける。31は吸着ヘッド30の内部に形成され
た吸引路で、この吸引路31を真空ユニット(図外)で
真空吸引することにより、吸着ヘッド30の下面にバン
プ付きワーク21を真空吸着する。また吸着ヘッド30
にはヒータ32が内蔵されている。34はワーク11を
載置する基台であり、ヒータ34が内蔵されている。
【0017】このときの押し付け力をf2、図1(c)
に示す導通検査時の押し付け力をf1とすると、f2は
f1よりも大きくする。これにより、図1(c)の場合
よりも一層半田部15表面の酸化膜18をバンプ22で
塑性破壊し、バンプ22を半田部15に十分に接触させ
ることができる。この場合、望ましくは、図3に示すよ
うに突出部23がパッド12に直接接触するようにバン
プ付きワーク21をワーク11に強く押し付ける。これ
により、バンプ22をパッド12上に確実に導通させる
ことができる。なお図1(c)に示す導通検査時には、
押し付け力f1は比較的小さいので、図示するように突
出部23はパッド12に接触しない。
【0018】以上のようにしてバンプ付きワーク21を
ワーク11に搭載するときには、ヒータ32、34は駆
動しており、その熱により半田部15は溶融し、またボ
ンド17は硬化する。次いで真空吸着状態を解除して吸
着ヘッド30を上昇させ、また溶融した半田部15を冷
却固化させることにより、バンプ付きワーク21はワー
ク11に半田付けされる。図4は、バンプ付きワーク2
1を半田付けしたワーク11を示している。
【0019】
【発明の効果】本発明は、半田部を加熱処理してバンプ
を半田付けする前に、バンプを半田部に強く押し付けて
酸化膜を部分的に破壊し、これによりバンプを半田部に
直に接触させて導通検査を行うので、導通検査を確実に
行うことができ、また検査結果がNGの場合には、バン
プ付きワークをワークから簡単に取りはずしてリペア作
業を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施の形態のバンプ付きワークの実
装方法の説明図
【図2】本発明の一実施の形態のバンプ付きワークの実
装方法におけるバンプと半田部の部分拡大図
【図3】本発明の一実施の形態のバンプ付きワークの実
装装置の正面図
【図4】本発明の一実施の形態のバンプ付きワークの実
装状態の断面図
【図5】従来のバンプ付きワークのリペア作業の工程図
【符号の説明】
11 ワーク 12 パッド 15 半田部 18 酸化膜 21 バンプ付きワーク 22 バンプ 23 突出部 25 テスター 26 プローブ
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平2−15635(JP,A) 特開 平3−19251(JP,A) 特開 平4−10446(JP,A) 特開 平7−193099(JP,A) 特開 平7−211758(JP,A) 特開 平9−139402(JP,A) 特開 平9−306953(JP,A) 特開 平10−12666(JP,A) 特開 平10−22343(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/60

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】バンプ付ワークのバンプをワークのパッド
    に半田付けするバンプ付きワークの実装方法であって、
    ワークのパッド上に形成された加熱処理前の半田部に前
    記バンプを着地させて前記バンプ付きワークを前記ワー
    クへ押し付けることにより、前記バンプで前記半田部の
    表面の酸化膜を部分的に破壊して前記バンプを前記半田
    部に接触させ、その状態で前記ワークの端子にテスター
    のプローブを当てて導通状態を検査し、その後前記バン
    プ付きワークを前記ワークへ押し付けながら加熱して前
    記バンプを前記パッドに半田付けすることを特徴とする
    バンプ付きワークの実装方法。
JP24584896A 1996-09-18 1996-09-18 バンプ付きワークの実装方法 Expired - Lifetime JP3269399B2 (ja)

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JPH10284535A (ja) * 1997-04-11 1998-10-23 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法及び半導体部品
JP5621021B2 (ja) * 2013-07-29 2014-11-05 スパンションエルエルシー 半導体装置及びその製造方法

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