JPS5835787A - 磁気バブルメモリチツプ - Google Patents
磁気バブルメモリチツプInfo
- Publication number
- JPS5835787A JPS5835787A JP56132775A JP13277581A JPS5835787A JP S5835787 A JPS5835787 A JP S5835787A JP 56132775 A JP56132775 A JP 56132775A JP 13277581 A JP13277581 A JP 13277581A JP S5835787 A JPS5835787 A JP S5835787A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic bubble
- detector
- length
- magnetic
- memory chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
- G11C19/02—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
- G11C19/08—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
- G11C19/0866—Detecting magnetic domains
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本ａ−は磁気パプルメ毫すチツプ、特に磁気バブル検出
器の出力を増大させた磁気パズルメモリチップに関する
ものである。
器の出力を増大させた磁気パズルメモリチップに関する
ものである。
１１ＬＩＩ！ｌは従来よル一般的に用いられでいるメイ
ジャｉイナ方式の磁気パブルメ篭り、チップ〇−例を示
す拡大平面構成図である。岡ＷＪにおいて、１は情報を
貯えＪａ−ｅイナループ詳、２ａｌｌみ出し情報を転送
するリードツイン、島は書き込み情報を転送するライト
ツイン、４は磁気バブルを電気信号に変換する磁気バブ
ル検出器、Ｓは！イナループＩ＃宜の情報をリードツイ
ン２ＫＩＩ写するレプリケートゲート、・は情報をライ
リインＳ１上に書、き込む磁気バブル発生器、１はフイ
°トライ・ン喜上のｆ＃報と！イナループ評２中の情報
とを入れ替えるスワップゲート、＄は外部からの不畳な
磁気バブルの侵入を阻止するガードレール、−は上記磁
気バブル転送回路を外部−路と接続させるボンディング
バラＦである。
ジャｉイナ方式の磁気パブルメ篭り、チップ〇−例を示
す拡大平面構成図である。岡ＷＪにおいて、１は情報を
貯えＪａ−ｅイナループ詳、２ａｌｌみ出し情報を転送
するリードツイン、島は書き込み情報を転送するライト
ツイン、４は磁気バブルを電気信号に変換する磁気バブ
ル検出器、Ｓは！イナループＩ＃宜の情報をリードツイ
ン２ＫＩＩ写するレプリケートゲート、・は情報をライ
リインＳ１上に書、き込む磁気バブル発生器、１はフイ
°トライ・ン喜上のｆ＃報と！イナループ評２中の情報
とを入れ替えるスワップゲート、＄は外部からの不畳な
磁気バブルの侵入を阻止するガードレール、−は上記磁
気バブル転送回路を外部−路と接続させるボンディング
バラＦである。
このような構成において、磁気バブルの有無を電気信号
で検出する磁気バブル検出器４としては、磁気抵抗効果
を利用した数千オンダストｉ−五程度の磁性薄膜で形成
される厚膜形検出器が一般的に良く用いられている。こ
れ祉ζＯＷｌ換形検出器が磁気バブル転送−路と同時に
パターン形成することがて龜、塙らＫＩＩｊｌ［が厚い
九めに゛制御電流の許容値を大きくで自るなどの利点を
有していることから戴く用いられる理由となっている。
で検出する磁気バブル検出器４としては、磁気抵抗効果
を利用した数千オンダストｉ−五程度の磁性薄膜で形成
される厚膜形検出器が一般的に良く用いられている。こ
れ祉ζＯＷｌ換形検出器が磁気バブル転送−路と同時に
パターン形成することがて龜、塙らＫＩＩｊｌ［が厚い
九めに゛制御電流の許容値を大きくで自るなどの利点を
有していることから戴く用いられる理由となっている。
第２１１は菖ｉｌｌで説明した厚膜形磁気バブル検出５
ｏ−ｔｖを示す要部拡大平面図である。ｊｉｆ１図にシ
いて、４ａ〜４４祉磁気バブルをひも状バブルに拡大す
る磁気バブル拡大器、４・は磁気バブル検出器ラインで
あシ、これらの磁気バブル拡大器４１〜４４および磁気
パズル検出器ライン４＠はパーマレイ轡の軟強磁性体薄
膜で形成されている。また、１１は同平面内に垂直に加
えられゐ外部直流磁界（バイアス磁ｒ＃Ｈｍ）、１２ｉ
１１同平面内に回転する外部から加えられる回転磁界１
１Ｂである。
ｏ−ｔｖを示す要部拡大平面図である。ｊｉｆ１図にシ
いて、４ａ〜４４祉磁気バブルをひも状バブルに拡大す
る磁気バブル拡大器、４・は磁気バブル検出器ラインで
あシ、これらの磁気バブル拡大器４１〜４４および磁気
パズル検出器ライン４＠はパーマレイ轡の軟強磁性体薄
膜で形成されている。また、１１は同平面内に垂直に加
えられゐ外部直流磁界（バイアス磁ｒ＃Ｈｍ）、１２ｉ
１１同平面内に回転する外部から加えられる回転磁界１
１Ｂである。
このような構成において、ｉ転磁外１２によ）磁気バブ
ル矢印Ｐ方向に転送畜れ、この磁気バブルが磁気バブル
拡大ａ４ａ〜４４０パターン下を転送されゐ際、パター
ンの配列方向に沿って拡大されてひ４状バブルとなシ、
磁気バブル拡大！ ４ ｃに示した磁気バブル１はこの
ようにして拡大されえひも状バブルの一つである。また
、同図において、ＩＤは磁気パズル検出器ライン４・に
外部から加えられゐ検出器電流であ夛、その検出出力は
ひ４状バブルｌが検出器ツイン４拳の下を通過するとき
、検出Ｓライン４・の両端電圧の差動出力により得られ
る。すなわち、ひも状バブルｌが検出器ライン４・に転
送されると、ひも状バブル１ｔｏａｉ界によシ、検出器
ライン４・の抵抗値８・が変化する。この変化量をΔＲ
，・とすると、検出器ツイン４・の両端電圧の変化量Δ
ｖＨ ΔＶ：ＩＤＸノ８・ ・・・・・四・・−・・曲・間曲
・・・（１）とな夛、このΔＶが検出出力となる。
ル矢印Ｐ方向に転送畜れ、この磁気バブルが磁気バブル
拡大ａ４ａ〜４４０パターン下を転送されゐ際、パター
ンの配列方向に沿って拡大されてひ４状バブルとなシ、
磁気バブル拡大！ ４ ｃに示した磁気バブル１はこの
ようにして拡大されえひも状バブルの一つである。また
、同図において、ＩＤは磁気パズル検出器ライン４・に
外部から加えられゐ検出器電流であ夛、その検出出力は
ひ４状バブルｌが検出器ツイン４拳の下を通過するとき
、検出Ｓライン４・の両端電圧の差動出力により得られ
る。すなわち、ひも状バブルｌが検出器ライン４・に転
送されると、ひも状バブル１ｔｏａｉ界によシ、検出器
ライン４・の抵抗値８・が変化する。この変化量をΔＲ
，・とすると、検出器ツイン４・の両端電圧の変化量Δ
ｖＨ ΔＶ：ＩＤＸノ８・ ・・・・・四・・−・・曲・間曲
・・・（１）とな夛、このΔＶが検出出力となる。
しかしながら上記構成による磁気パプルメ毫すチツプの
検出器は、次のような問題点があった。
検出器は、次のような問題点があった。
すなわち、磁気バブルメモリチップが高密度化。
高集積化に伴なって使用する磁気バブルのサイズ。
検出器４（第１図参照）および磁気バブル拡大器４１〜
４−のパターンサイズ等が微小化すると、検出器カッＶ
が小場〈な夛、実用上充分な出方が得られないという問
題があっ良。もちろんこの場合、検出器ライン４・０抵
抗値Ｒ＠および検出器電流！Ｄの大きさは、高密度化、
高集積度化しえ磁気バブルメモリチップになってもｉと
んど変ゎら１にいような検出器ライン４・を用％／−ｈ
九場合である。例えば、磁気パグル掻が約６ｐ醜から約
２Ｐ論に高１度化し九チップにおいて、両チップてＲ＠
ミ１．３Ｋｇ。
４−のパターンサイズ等が微小化すると、検出器カッＶ
が小場〈な夛、実用上充分な出方が得られないという問
題があっ良。もちろんこの場合、検出器ライン４・０抵
抗値Ｒ＠および検出器電流！Ｄの大きさは、高密度化、
高集積度化しえ磁気バブルメモリチップになってもｉと
んど変ゎら１にいような検出器ライン４・を用％／−ｈ
九場合である。例えば、磁気パグル掻が約６ｐ醜から約
２Ｐ論に高１度化し九チップにおいて、両チップてＲ＠
ミ１．３Ｋｇ。
Ｉｎ二３ｍムと変化しないＯＫ対してノＶが約６ｗａＶ
から約３鵬Ｖに半減した。
から約３鵬Ｖに半減した。
し九がって本発明は、高密度、高集積度化された磁気バ
ブルメモリチップでも実用上充分な検出出力が得られる
磁気バブルメモリチップを提供することを目的としてｉ
る。
ブルメモリチップでも実用上充分な検出出力が得られる
磁気バブルメモリチップを提供することを目的としてｉ
る。
このような目的を達成する丸めに本発明は、磁気バブル
検出器ラインの長さを、磁気バブルテップの一辺の長さ
の約２５ｇＩＩ以上の長さとなるように磁気パブルメ号
すチップを構成したものである。
検出器ラインの長さを、磁気バブルテップの一辺の長さ
の約２５ｇＩＩ以上の長さとなるように磁気パブルメ号
すチップを構成したものである。
すなわち、本発明による磁気バブルメモリチップは、上
記第（１）式において、検出器ライン４・の抵抗値翼・
の変化量ノ凰・を大きくすることによシ、検出出力の向
上をはかった点に特徴があシ、このΔＲ・を大きくする
ために検出器ラインの喪さを大きくシ、チップの一辺の
長さの約２５−以上とし要点に％黴がある。そして、検
出器ラインの長さを大き（するととによシ、この長さに
比例して検出器ラインの抵抗値８・を大きくでき、ζＯ
＃を抗値８・に比例して変化量４８・が大きくなる。
記第（１）式において、検出器ライン４・の抵抗値翼・
の変化量ノ凰・を大きくすることによシ、検出出力の向
上をはかった点に特徴があシ、このΔＲ・を大きくする
ために検出器ラインの喪さを大きくシ、チップの一辺の
長さの約２５−以上とし要点に％黴がある。そして、検
出器ラインの長さを大き（するととによシ、この長さに
比例して検出器ラインの抵抗値８・を大きくでき、ζＯ
＃を抗値８・に比例して変化量４８・が大きくなる。
以下図面を用いて本発明の実施例を詳細にｍ＠する。
鮪３図は本発明による磁気パズルメモリチップの一例を
示す拡大平面構成図であ）、＃Ｉ１図と同記号祉同−要
素となるのでその説明は省略する。
示す拡大平面構成図であ）、＃Ｉ１図と同記号祉同−要
素となるのでその説明は省略する。
＊３８４において、磁気バブルメモリチップの上辺部に
は、そのライン方向（ムーＡ′方向）の＃１は全域にわ
たって磁気バブル検出ＷＭ４’が形成されている。つｔ
Ｃ磁気バブルメモリテップの一辺の長さをＬｌ、検出器
４′の長さをＬｍとし九とき、検出器４′のムーム′方
向の長さＬｘはＬｍ≧０．２５Ｌ１の条件を満足する長
さを有して形成されている。具体例として、検出器４′
の２イン長Ｌ１を磁気パズルメモリチップの一辺の長さ
Ｌｌの約５ｏ嚢と従来の約２倍の長さに大きくし九結果
、検出器４′のライン抵抗値Ｒ・は従来のＩＩＫΩから
２’ａＫＱと約２倍となった。そして、検出器電流ＩＤ
＝３ｍムに対して従来の約３ｒｎＶの検出器出方が約６
ｍＶと約２倍に拡大することができ、実用上充分な出方
を得ることができた。
は、そのライン方向（ムーＡ′方向）の＃１は全域にわ
たって磁気バブル検出ＷＭ４’が形成されている。つｔ
Ｃ磁気バブルメモリテップの一辺の長さをＬｌ、検出器
４′の長さをＬｍとし九とき、検出器４′のムーム′方
向の長さＬｘはＬｍ≧０．２５Ｌ１の条件を満足する長
さを有して形成されている。具体例として、検出器４′
の２イン長Ｌ１を磁気パズルメモリチップの一辺の長さ
Ｌｌの約５ｏ嚢と従来の約２倍の長さに大きくし九結果
、検出器４′のライン抵抗値Ｒ・は従来のＩＩＫΩから
２’ａＫＱと約２倍となった。そして、検出器電流ＩＤ
＝３ｍムに対して従来の約３ｒｎＶの検出器出方が約６
ｍＶと約２倍に拡大することができ、実用上充分な出方
を得ることができた。
オ良、従来の磁気バブルメモリチップでは、直径約３μ
ｍ以上の磁気パズルを用いていたので、第４図に特性Ｉ
で示したように検出器の横方向の長さＬｓに対して検出
器の転送マージンｊ１１１が著しく低下するという問題
があった。すなわち、磁気バブル検出時において、直径
約１＃ｌｘｍ以上の磁気どくプルを用いると、磁気バブ
ル検出器の温度が約１０℃以上に上昇するので、発熱量
が大きくなり、したがって磁気バブルメモリ材料の温度
特性ＴＣが低下して検出器の磁気バブル転送マージンＩ
ＨＢが低下する。ところが、磁気バブルメモリチップの
高集積、１ｌｌＩｌ密度化に伴なって磁気ノくプル径が
約２μｍ以下となり、かつ検出器の横方向の長さＬｘを
従来の約２０−に対して約２５饅以上としたことによっ
て、磁気バブルメモリ材料の温度上昇が小さくなり、シ
九がって磁気バブルメモリ材料の温［４１性が向上し、
第４図に特性円で示したように検出器の転送マージンを
大幅に向上させることができた。
ｍ以上の磁気パズルを用いていたので、第４図に特性Ｉ
で示したように検出器の横方向の長さＬｓに対して検出
器の転送マージンｊ１１１が著しく低下するという問題
があった。すなわち、磁気バブル検出時において、直径
約１＃ｌｘｍ以上の磁気どくプルを用いると、磁気バブ
ル検出器の温度が約１０℃以上に上昇するので、発熱量
が大きくなり、したがって磁気バブルメモリ材料の温度
特性ＴＣが低下して検出器の磁気バブル転送マージンＩ
ＨＢが低下する。ところが、磁気バブルメモリチップの
高集積、１ｌｌＩｌ密度化に伴なって磁気ノくプル径が
約２μｍ以下となり、かつ検出器の横方向の長さＬｘを
従来の約２０−に対して約２５饅以上としたことによっ
て、磁気バブルメモリ材料の温度上昇が小さくなり、シ
九がって磁気バブルメモリ材料の温［４１性が向上し、
第４図に特性円で示したように検出器の転送マージンを
大幅に向上させることができた。
なお、上記実施例においては、磁気）（プルメモリチッ
プの構成が諺１図で示したようＫｌプロッタ方式、すな
わち１チツプ当シ検出器を１個を備えたチップの場合に
ついて説明し九が、本発明はこれに限定されるもめでは
なく、マルチブロック方式のチップ、すなわち１チップ
当シ複数個の検出器を備えたチップの場合に対しても前
述と全く同様に適用できる。しかし、この場合も検出器
ラインの長さを上記ブロックの一辺の長さの約２５−と
することは勿論である。
プの構成が諺１図で示したようＫｌプロッタ方式、すな
わち１チツプ当シ検出器を１個を備えたチップの場合に
ついて説明し九が、本発明はこれに限定されるもめでは
なく、マルチブロック方式のチップ、すなわち１チップ
当シ複数個の検出器を備えたチップの場合に対しても前
述と全く同様に適用できる。しかし、この場合も検出器
ラインの長さを上記ブロックの一辺の長さの約２５−と
することは勿論である。
以上説明したように本発明によれば、高集積。
高密度化された磁気バブルメモリチップにおいても、実
用上充分な検出出力が得られしかも検出器の転送マージ
ンを大幅に向上させることができるという極めて優れた
効果が得られる。
用上充分な検出出力が得られしかも検出器の転送マージ
ンを大幅に向上させることができるという極めて優れた
効果が得られる。
第１図は磁気バブルメモリチップの一例を示す拡大平面
構成図、第２図線磁気バブル検出器の一例を示す要部拡
大平面図、第３図は本発明による磁気パプルメ篭りチッ
プの一例を示す拡大平面構成図、第４図線従来訃よび本
発明による磁気バブル検出器の転送マージンを示す特性
図である。 第１図 第２図 第３図 第４図 −を公器の積方勾り長フＬ２ （’ム）４９８
構成図、第２図線磁気バブル検出器の一例を示す要部拡
大平面図、第３図は本発明による磁気パプルメ篭りチッ
プの一例を示す拡大平面構成図、第４図線従来訃よび本
発明による磁気バブル検出器の転送マージンを示す特性
図である。 第１図 第２図 第３図 第４図 −を公器の積方勾り長フＬ２ （’ム）４９８
Claims (1)
- 磁気バブルをひも状バブルに拡大して電気信号に変換す
る磁気抵抗効果を利用し九厚膜形磁気バブル検出器を具
備してなる磁気バブルメモリチップにおいて、前記磁気
バブル検出器ライ／の長さを、前記チップ〇−辺Ｏａｔ
の約２ｓ襲以上とし九仁とを特徴とする磁気パズルメモ
リチップ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56132775A JPS5835787A (ja) | 1981-08-26 | 1981-08-26 | 磁気バブルメモリチツプ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56132775A JPS5835787A (ja) | 1981-08-26 | 1981-08-26 | 磁気バブルメモリチツプ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5835787A true JPS5835787A (ja) | 1983-03-02 |
Family
ID=15089256
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56132775A Pending JPS5835787A (ja) | 1981-08-26 | 1981-08-26 | 磁気バブルメモリチツプ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5835787A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6074179A (ja) * | 1983-09-30 | 1985-04-26 | Hitachi Ltd | 磁気バブルメモリ素子 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5597089A (en) * | 1979-01-19 | 1980-07-23 | Nec Corp | Cylindrical magnetic domain memory element |
| JPS55139687A (en) * | 1979-04-12 | 1980-10-31 | Nec Corp | Magnetic bubble element |
-
1981
- 1981-08-26 JP JP56132775A patent/JPS5835787A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5597089A (en) * | 1979-01-19 | 1980-07-23 | Nec Corp | Cylindrical magnetic domain memory element |
| JPS55139687A (en) * | 1979-04-12 | 1980-10-31 | Nec Corp | Magnetic bubble element |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6074179A (ja) * | 1983-09-30 | 1985-04-26 | Hitachi Ltd | 磁気バブルメモリ素子 |
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