JPS5834983A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS5834983A JPS5834983A JP56133513A JP13351381A JPS5834983A JP S5834983 A JPS5834983 A JP S5834983A JP 56133513 A JP56133513 A JP 56133513A JP 13351381 A JP13351381 A JP 13351381A JP S5834983 A JPS5834983 A JP S5834983A
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- Japan
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- semiconductor device
- glass plate
- transparent
- lead wire
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- Pending
Links
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
- G02B27/0006—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00 with means to keep optical surfaces clean, e.g. by preventing or removing dirt, stains, contamination, condensation
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
- G02B1/10—Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置にかかり、とくに半導体集積回路装
置に関する。
置に関する。
集積回路装置のうち外部の光をベレット表面に当てる必
要のあるものは、ベレット上面の封人材として透明なガ
ラス材等を使用している。その−例を第１図に示す。こ
の例では、１がシリコンペレットであり外部の元を当て
ることによって動作する回路機能をもっている。２がベ
レットを収容する容器本体であるが、これは通常、不透
明絶縁物（セラミック材等）でつくられている。そこで
ベレット上面にあたる部分３に透明材料を設けて。
要のあるものは、ベレット上面の封人材として透明なガ
ラス材等を使用している。その−例を第１図に示す。こ
の例では、１がシリコンペレットであり外部の元を当て
ることによって動作する回路機能をもっている。２がベ
レットを収容する容器本体であるが、これは通常、不透
明絶縁物（セラミック材等）でつくられている。そこで
ベレット上面にあたる部分３に透明材料を設けて。
外部の光をベレット面に取り込訃ようになっている。
この場合、製造工程上容器内部に空気が残っていれば、
使用する環境の温度の急変によってガラス材裏側に水滴
となりて付着する。その結果外部光をさえぎって、回路
が正常に動作しなくなる恐れがある。そこで、何らかの
方法で温度が急変しても水滴が発生しないように工夫す
る必要がある。
使用する環境の温度の急変によってガラス材裏側に水滴
となりて付着する。その結果外部光をさえぎって、回路
が正常に動作しなくなる恐れがある。そこで、何らかの
方法で温度が急変しても水滴が発生しないように工夫す
る必要がある。
本発明の目的はかかる従来技術の欠点を除去した有効な
半導体装置を提供することである。
半導体装置を提供することである。
本発明は素子上方にある透明物質を通して内部に入った
光によって動作する半導体装置において、内部又は表面
に、電流を流すことによって発熱可能な導線あるいは導
電性膜を備えたことを特徴とする透明物質を素子上方に
取９つけた半導体装置にある。
光によって動作する半導体装置において、内部又は表面
に、電流を流すことによって発熱可能な導線あるいは導
電性膜を備えたことを特徴とする透明物質を素子上方に
取９つけた半導体装置にある。
次（図面を用いて本発明の詳細な説明する。
第２図において、４は不透明の材質たとえばセラミック
の容器であシ、５は透明ガラス材である。
の容器であシ、５は透明ガラス材である。
６はガラス材内部に埋め込まれた導線であり、これが本
発明の特徴である。すなわちこの導線に電流を流すこと
によってジュール熱でガラス材の温度を上げ、水滴の付
着を防止するものである。導線の位置はガラス材内部に
埋め込む、ガラス材の裏側に貼り付ける等の方法が考え
られる。
発明の特徴である。すなわちこの導線に電流を流すこと
によってジュール熱でガラス材の温度を上げ、水滴の付
着を防止するものである。導線の位置はガラス材内部に
埋め込む、ガラス材の裏側に貼り付ける等の方法が考え
られる。
次に本発明の適用に際して考慮すべき点をあげる。
ｌ）導線の場所について：
導線の位置としてはガラス材内部に埋め込むか、裏側に
貼りつける二種類の方法が考えられる。また導線を張り
めぐらせる場所と面積については、導線自体が外部の光
をさえぎりて誤動作の原因とならないよう必要がある。
貼りつける二種類の方法が考えられる。また導線を張り
めぐらせる場所と面積については、導線自体が外部の光
をさえぎりて誤動作の原因とならないよう必要がある。
２）導線の材質についてニ
ジ、−ル熱を発生させる電源は、内部回路の電源と共用
することが考えられるため、とくに専用電源を設けない
限フ電源電圧は制限される。
することが考えられるため、とくに専用電源を設けない
限フ電源電圧は制限される。
従うて１通常集稼回路に使用される程度の電源電圧でガ
ラス材全体を刃口熱し得ることが好ましい。
ラス材全体を刃口熱し得ることが好ましい。
３）電源印加方法について：
通常ガラス材は、ペレットやリードから離れているため
電源をガラス材内部に取り込むためには工夫を要する。
電源をガラス材内部に取り込むためには工夫を要する。
−例として、第３図のような方法が考えられる。すなわ
ち７に示す導線が、その−万の端８の部分でガラス裏面
に引き出されている。ガラス材がこの部分で９のリード
部に密着される構造にすれば導線は８でリードに接続さ
れる。もう一方の端も同様に処理してこの二端子に電圧
を印加すれば導線に電流を流すことができる。
ち７に示す導線が、その−万の端８の部分でガラス裏面
に引き出されている。ガラス材がこの部分で９のリード
部に密着される構造にすれば導線は８でリードに接続さ
れる。もう一方の端も同様に処理してこの二端子に電圧
を印加すれば導線に電流を流すことができる。
第１図はペレット上面【透明ガラス材を使用した従来の
集積回路装置を示す斜視図であり、同図において、ｌ・
・・・・・ペレット、２・・・・・・容器不透明部、３
・・・・・・容器透明部である。 第２図は本発明の実施例を示す斜視図であり。 同図において、４・・・・・・不透明材質の容器、５・
・・・・・透明ガラス材、６・・・・・・５の内部又は
表面に埋め込まれた導線である。 第３図は第２図を詳細に表わした斜視図であり。 導線に電圧を印加する方法の一例を示すものである。７
・・・・・・導線、８・・・・・・導線の端部、９・・
・・・・リード部である。
集積回路装置を示す斜視図であり、同図において、ｌ・
・・・・・ペレット、２・・・・・・容器不透明部、３
・・・・・・容器透明部である。 第２図は本発明の実施例を示す斜視図であり。 同図において、４・・・・・・不透明材質の容器、５・
・・・・・透明ガラス材、６・・・・・・５の内部又は
表面に埋め込まれた導線である。 第３図は第２図を詳細に表わした斜視図であり。 導線に電圧を印加する方法の一例を示すものである。７
・・・・・・導線、８・・・・・・導線の端部、９・・
・・・・リード部である。
Claims (1)
- 素子上方にある透明物質を通して内部に入った光によっ
て動作する半導体装置において、内部又は表面に、電流
を流すことによって発熱可能な導線あるいは導電性膜を
備えたことを特徴とする透明物質を素子上方に取りつけ
た半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56133513A JPS5834983A (ja) | 1981-08-26 | 1981-08-26 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56133513A JPS5834983A (ja) | 1981-08-26 | 1981-08-26 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5834983A true JPS5834983A (ja) | 1983-03-01 |
Family
ID=15106533
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56133513A Pending JPS5834983A (ja) | 1981-08-26 | 1981-08-26 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5834983A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2583890A1 (fr) * | 1985-06-24 | 1986-12-26 | Telecommunications Sa | Hublot d'etancheite pour systeme optronique infrarouge |
-
1981
- 1981-08-26 JP JP56133513A patent/JPS5834983A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2583890A1 (fr) * | 1985-06-24 | 1986-12-26 | Telecommunications Sa | Hublot d'etancheite pour systeme optronique infrarouge |
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