JPS5834184A - ２−オキシセフアロスポリン誘導体の製造方法 - Google Patents
２−オキシセフアロスポリン誘導体の製造方法Info
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- JPS5834184A JPS5834184A JP56133774A JP13377481A JPS5834184A JP S5834184 A JPS5834184 A JP S5834184A JP 56133774 A JP56133774 A JP 56133774A JP 13377481 A JP13377481 A JP 13377481A JP S5834184 A JPS5834184 A JP S5834184A
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- oxycephalosporin
- halogen atom
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D501/00—Heterocyclic compounds containing 5-thia-1-azabicyclo [4.2.0] octane ring systems, i.e. compounds containing a ring system of the formula:, e.g. cephalosporins; Such ring systems being further condensed, e.g. 2,3-condensed with an oxygen-, nitrogen- or sulfur-containing hetero ring
- C07D501/02—Preparation
- C07D501/04—Preparation from compounds already containing the ring or condensed ring systems, e.g. by dehydrogenation of the ring, by introduction, elimination or modification of substituents
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
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- Electrolytic Production Of Non-Metals, Compounds, Apparatuses Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は２−オキシセファロスポリン誘導体の製造方法
に関する。
に関する。
更に詳しくは、本発明は一般式
（式中、凡１は水素原子、アシル基又は置換基としてハ
ロゲン原子を有することのある低級アルコキシカルボニ
ル基を示す、Ｒは水素原子、ハロゲン原子又は置換基と
してハロゲン原子蓄有することのあるアシロキシ基を示
す Ｂｌは水素原子、置換基としてハロゲン原子を有す
ることのある低級アルキル基又はフェニル環上に置換基
としてニトロ基、ハロゲン原子もしくは低級アルコキシ
基を有することのあ墨フェニル低級アルキル基を示す。
ロゲン原子を有することのある低級アルコキシカルボニ
ル基を示す、Ｒは水素原子、ハロゲン原子又は置換基と
してハロゲン原子蓄有することのあるアシロキシ基を示
す Ｂｌは水素原子、置換基としてハロゲン原子を有す
ることのある低級アルキル基又はフェニル環上に置換基
としてニトロ基、ハロゲン原子もしくは低級アルコキシ
基を有することのあ墨フェニル低級アルキル基を示す。
）で表わされるセファロスポリン誘導体を電解酸化す墨
ことを特徴とす番一般式 ％式％低 級アルキル基又はアシル基を示す。）で表わされる２−
オキシセファロスポリン誘導体の製造方法−ζ係る。
ことを特徴とす番一般式 ％式％低 級アルキル基又はアシル基を示す。）で表わされる２−
オキシセファロスポリン誘導体の製造方法−ζ係る。
本発明で製造される２−オキシセファロスポリン誘導体
（２）はセファロスポリン系抗生物質やオキソセファム
系抗生物質を合成するための中間体として重要な化合物
である。
（２）はセファロスポリン系抗生物質やオキソセファム
系抗生物質を合成するための中間体として重要な化合物
である。
従来２−オキシセファロスポリン誘導体（２）の合成方
法としては、例えばセファロスポリン誘導体（１） Ｋ
過酸を反応させて相当するスルホキシドとした後、ブン
メラー転移反応を行なって２−アセトキシセファロスポ
リン誘導体（２）に変換する方法（Ｄ、 ０．８ｐｒｙ
＋ ’Ｌ’ｅｔｒａｈｅａｒｏｎ Ｌｅｔｔ、 ＃ １
９７ ｔ Ｉ８７１７ ） 、＊ ファロスポリン誘導
体（１）にフルコール溶媒中塩素、ｔｅｒｔ−ブチル八
イボクロリド及びＮ−クロルスクシンイミドを作用させ
て２−アルコキシセファロスポリン誘導体（２）に変換
する方法（Ｊ、Ｏｈｅｍ、 ８００． 、 （０） 、
１９７０．８４０１Ｄ、ｏ。
法としては、例えばセファロスポリン誘導体（１） Ｋ
過酸を反応させて相当するスルホキシドとした後、ブン
メラー転移反応を行なって２−アセトキシセファロスポ
リン誘導体（２）に変換する方法（Ｄ、 ０．８ｐｒｙ
＋ ’Ｌ’ｅｔｒａｈｅａｒｏｎ Ｌｅｔｔ、 ＃ １
９７ ｔ Ｉ８７１７ ） 、＊ ファロスポリン誘導
体（１）にフルコール溶媒中塩素、ｔｅｒｔ−ブチル八
イボクロリド及びＮ−クロルスクシンイミドを作用させ
て２−アルコキシセファロスポリン誘導体（２）に変換
する方法（Ｊ、Ｏｈｅｍ、 ８００． 、 （０） 、
１９７０．８４０１Ｄ、ｏ。
Ｉｐｒ７ｓ ！ｅｔｒａｈｅａｒｏｎ Ｌｅｔｔ、 、
１ ＊ ７２ ＊ ８ ’Ｉ １丁ＩＨ。
１ ＊ ７２ ＊ ８ ’Ｉ １丁ＩＨ。
ｙａｎａｇｔｓａｖａ ａｔ ａｌ ＃ Ｊ−ムｎｔｉ
’ｂｉｏｔｉｏｓ ｔ ２ Ｇ ＊ ９６９（１９テロ
） ｔ Ｏ，Ｕ、 Ｋｉｎ ａｎａ Ｄ、 Ｎ、 Ｍ
ｃＧｒｅｇｏｒ 、 Ｔｅｔｒａｈｅ４ｒｏｎＬａｔｔ
−−ＬＬＬＬｅ ４０９ ）等が知られている。
’ｂｉｏｔｉｏｓ ｔ ２ Ｇ ＊ ９６９（１９テロ
） ｔ Ｏ，Ｕ、 Ｋｉｎ ａｎａ Ｄ、 Ｎ、 Ｍ
ｃＧｒｅｇｏｒ 、 Ｔｅｔｒａｈｅ４ｒｏｎＬａｔｔ
−−ＬＬＬＬｅ ４０９ ）等が知られている。
しかしながら、これら従来方法には種々の難点がある０
例えば前者の方法では、二工程の反応でしかもプンメラ
ー転移反応の条件が非常に限定されているという欠点を
有す石。また後者の方法では、化学量論的な塩素化剤が
必要であり、そのため多量のｌ１１ｇ１物を伴うという
欠点を有する。
例えば前者の方法では、二工程の反応でしかもプンメラ
ー転移反応の条件が非常に限定されているという欠点を
有す石。また後者の方法では、化学量論的な塩素化剤が
必要であり、そのため多量のｌ１１ｇ１物を伴うという
欠点を有する。
これら従来方法は、いずれも反応剤の取り扱い＄Ｃ＊１
１な注意が必要であり、またその反応操作、生成物の精
製等が鯛雑であや、工業的には到底満足で−るものでは
ない。
１な注意が必要であり、またその反応操作、生成物の精
製等が鯛雑であや、工業的には到底満足で−るものでは
ない。
本発明者は、これら従来方法の欠点を克服するために鋭
意研究を行なった結果、工業的に極めて有利な２−オキ
シセファロスポリン誘導体（２）の製造方法を完成した
ものである。
意研究を行なった結果、工業的に極めて有利な２−オキ
シセファロスポリン誘導体（２）の製造方法を完成した
ものである。
本発明によれば、セファロスポリン誘導体（１）を電解
酸化するという極めて簡便な操作で、目的の２−オキシ
セファロスポリン誘導体（１りカ８０％以上という高収
率で製造でき、しかも目的化合物の分離精製も容易であ
り、更に廃案物も副生じないという利点があり、従来法
に比し格別有利である。従って本発明の方法は、２−オ
キシセファロスポリン誘導体（りの工業的出産に好適な
方法である。
酸化するという極めて簡便な操作で、目的の２−オキシ
セファロスポリン誘導体（１りカ８０％以上という高収
率で製造でき、しかも目的化合物の分離精製も容易であ
り、更に廃案物も副生じないという利点があり、従来法
に比し格別有利である。従って本発明の方法は、２−オ
キシセファロスポリン誘導体（りの工業的出産に好適な
方法である。
本発明の原料とする一般式（１）の化合物の８において
アレル基としては、例えばホルミル、アセチル、プロパ
ノイル、クロロアセチル、フェニルアセチル、フェノキ
シアセチ★、ｐ−クロロフェノキシアセチル、ｐ−）リ
ルオキレア噌チル、ベンゾイル、ｐ−クロロベンゾイル
基等が挙げられる。また、置換基としてハロゲン原子を
有することのあ墨低級１ルコキシカルポニル基としては
、偶九ばエトキシカルボニル、エトキシカルボニル、鳳
−プロポキシカルボニル、イソプロポキシカルボエル、
ｎ−ブチロキシカルボニル、 ｔａｒｔ−ブチロキシカ
ルボニル、クロロメトキシカルボニル、ブｗ峰メトキレ
カルボニル、２−クロロエトキシ１７４／ボニル、！−
ブロモエトキシカルボニル、２゜九霊−トツク四−エト
キシカルボニル、！、２．２−トヅブロそエトキシカル
ボニル基等が挙げられる。
アレル基としては、例えばホルミル、アセチル、プロパ
ノイル、クロロアセチル、フェニルアセチル、フェノキ
シアセチ★、ｐ−クロロフェノキシアセチル、ｐ−）リ
ルオキレア噌チル、ベンゾイル、ｐ−クロロベンゾイル
基等が挙げられる。また、置換基としてハロゲン原子を
有することのあ墨低級１ルコキシカルポニル基としては
、偶九ばエトキシカルボニル、エトキシカルボニル、鳳
−プロポキシカルボニル、イソプロポキシカルボエル、
ｎ−ブチロキシカルボニル、 ｔａｒｔ−ブチロキシカ
ルボニル、クロロメトキシカルボニル、ブｗ峰メトキレ
カルボニル、２−クロロエトキシ１７４／ボニル、！−
ブロモエトキシカルボニル、２゜九霊−トツク四−エト
キシカルボニル、！、２．２−トヅブロそエトキシカル
ボニル基等が挙げられる。
１町とおいてハロゲン原子としては、例えば塩素原子、
夷素原子、沃素原子等が挙げられ、置換基としてハロゲ
ン原子を有するＣとのあるアシロキシ基としては、例え
ばホルミルオキシ、アセトキシ、プロパノイルオキシ、
ベンゾイルオキシ、ｐ−りａａベンゾイルオキシ、ｐ−
ブロモベンゾイルオキシ基等が挙げられる。またＲＫ、
おいて置換基としてハロゲン原子を有することのある低
級アルキル基としては１例えばメチル、エチル、プロピ
ル、イソプロピル、ブチル、ｔ＠ｒｔ−ブチル、２−ク
ロ四エチル、２−ブロモエチル、２，２．２−トリクロ
ロエテル基等が挙げられ、フェニル環上に置換基として
ニド四基、ハロゲン原子もしくは低級アルコキシ基を有
することのあるフェニル低級アルキル基としては、例え
ばベンジル、ジフェニルメチル、トリフェニルメチル、
２−フェニルエチル、０−メトキシベンジル、ｐ−ニト
ロベンジル、ｐ−クＷＷベンジル、ｐ−メトキシベンジ
ル基等力Ｓ挙げられる。また２−オキシセファロスポリ
ン誘導体（雪）のｉＬ４における低級アルキル基として
−ｊ１例えばメチル、エチル、プロピル、イソプロピル
、ブｆｋ％ｔ＠ｒｔ−ブチル基等が挙げられ、アシノシ
基としては、例えばホル（ル、アセチル、プロツマノイ
ル基等が挙げられる。
夷素原子、沃素原子等が挙げられ、置換基としてハロゲ
ン原子を有するＣとのあるアシロキシ基としては、例え
ばホルミルオキシ、アセトキシ、プロパノイルオキシ、
ベンゾイルオキシ、ｐ−りａａベンゾイルオキシ、ｐ−
ブロモベンゾイルオキシ基等が挙げられる。またＲＫ、
おいて置換基としてハロゲン原子を有することのある低
級アルキル基としては１例えばメチル、エチル、プロピ
ル、イソプロピル、ブチル、ｔ＠ｒｔ−ブチル、２−ク
ロ四エチル、２−ブロモエチル、２，２．２−トリクロ
ロエテル基等が挙げられ、フェニル環上に置換基として
ニド四基、ハロゲン原子もしくは低級アルコキシ基を有
することのあるフェニル低級アルキル基としては、例え
ばベンジル、ジフェニルメチル、トリフェニルメチル、
２−フェニルエチル、０−メトキシベンジル、ｐ−ニト
ロベンジル、ｐ−クＷＷベンジル、ｐ−メトキシベンジ
ル基等力Ｓ挙げられる。また２−オキシセファロスポリ
ン誘導体（雪）のｉＬ４における低級アルキル基として
−ｊ１例えばメチル、エチル、プロピル、イソプロピル
、ブｆｋ％ｔ＠ｒｔ−ブチル基等が挙げられ、アシノシ
基としては、例えばホル（ル、アセチル、プロツマノイ
ル基等が挙げられる。
本発明の電解酸化反応は、一般にはプロトン供与性溶媒
中にて有利に行われる。ここでプロトン供与性溶媒とし
ては、例えば蟻酸、酢酸、プロピオン酸等の低級カルボ
ン酸、メタノール、エタノール、イソプ田パノール、ｎ
−ブタノール等の第一級アルコールまたはこれらの混合
溶媒が挙げられる。プロトン供与性溶媒の使用量は、原
料のセフ１０スプリン誘導体（１）に対して６〜１００
倍の範囲とするのがよい。
中にて有利に行われる。ここでプロトン供与性溶媒とし
ては、例えば蟻酸、酢酸、プロピオン酸等の低級カルボ
ン酸、メタノール、エタノール、イソプ田パノール、ｎ
−ブタノール等の第一級アルコールまたはこれらの混合
溶媒が挙げられる。プロトン供与性溶媒の使用量は、原
料のセフ１０スプリン誘導体（１）に対して６〜１００
倍の範囲とするのがよい。
本発明では、これらプロトン供与性溶媒に適当な不活性
１Ｗｓ媒を１〜９０％の割合で加える乙ともできる。不
活性溶媒としては、電解条件下に反応に関与しない溶媒
であれば公知のものを広く使用で伽、例えばｔａｒｔ−
ブタノール、第三゛級ア電ルアルコール等の第三級アル
コール、ジエチルエーテル、ジブチルエーテル、１．２
−ジメトキシエタン、テトラヒト費フラン等のエーテル
類、アセトニトリル、ブチロニトリル等のニトリル類、
ジクロロエタン、クロロホルム、ジクロロエタン、ジブ
四モメタン、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素等
が挙げられる。
１Ｗｓ媒を１〜９０％の割合で加える乙ともできる。不
活性溶媒としては、電解条件下に反応に関与しない溶媒
であれば公知のものを広く使用で伽、例えばｔａｒｔ−
ブタノール、第三゛級ア電ルアルコール等の第三級アル
コール、ジエチルエーテル、ジブチルエーテル、１．２
−ジメトキシエタン、テトラヒト費フラン等のエーテル
類、アセトニトリル、ブチロニトリル等のニトリル類、
ジクロロエタン、クロロホルム、ジクロロエタン、ジブ
四モメタン、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素等
が挙げられる。
また本発明では、反応系内に支持電解質を存在させるの
が望ましい。斯かる支持電解質としては、通常の電解酸
化に用いられ墨各種塩類を適宜使用で曇る０例えば、蟻
酸アンモニウム、酢酸アンモニウム、蟻酸テトラエチル
アンモニウム、酢酸テトラエチルアンモニウム、酢酸チ
トラブロビルアンそニウム、酢酸テトラブチル７ンそニ
ウム、テトラアンをニウムトシレート、過塩素酸テトラ
ブチルアンモニウム等のアンモニウム塩、蟻酸、酢酸、
プロピオン酸等の低級脂肪酸のアルカリ金属もしくはア
ルカリ土類金属の塩（例えば、リチウム、ナトリウム、
カリウム、マグネシウム、カルシウム、パック五等の塩
）又は過塩素酸等の過へロゲン酸のアルカリ金属塩が挙
げられる。プロトン供与性溶媒として低級カルボン酸を
用いた場合Ｋｍ、使用する低級カルボン酸の金属塩を用
いるのが好ましい。またこの場合には、反応系内に水酸
化ナトリウム、水酸化カリウム、酸化バリウム、酸化カ
ルシウム等を添加して、上記カルボン酸の塩を生成させ
てもよい。支持電解質の添加量は、電極、電解槽の型状
等により異な秒−ｍＫ−ＬｔＭえないが、通常はほぼ飽
和量を用いるのがよい。
が望ましい。斯かる支持電解質としては、通常の電解酸
化に用いられ墨各種塩類を適宜使用で曇る０例えば、蟻
酸アンモニウム、酢酸アンモニウム、蟻酸テトラエチル
アンモニウム、酢酸テトラエチルアンモニウム、酢酸チ
トラブロビルアンそニウム、酢酸テトラブチル７ンそニ
ウム、テトラアンをニウムトシレート、過塩素酸テトラ
ブチルアンモニウム等のアンモニウム塩、蟻酸、酢酸、
プロピオン酸等の低級脂肪酸のアルカリ金属もしくはア
ルカリ土類金属の塩（例えば、リチウム、ナトリウム、
カリウム、マグネシウム、カルシウム、パック五等の塩
）又は過塩素酸等の過へロゲン酸のアルカリ金属塩が挙
げられる。プロトン供与性溶媒として低級カルボン酸を
用いた場合Ｋｍ、使用する低級カルボン酸の金属塩を用
いるのが好ましい。またこの場合には、反応系内に水酸
化ナトリウム、水酸化カリウム、酸化バリウム、酸化カ
ルシウム等を添加して、上記カルボン酸の塩を生成させ
てもよい。支持電解質の添加量は、電極、電解槽の型状
等により異な秒−ｍＫ−ＬｔＭえないが、通常はほぼ飽
和量を用いるのがよい。
電極としては、通常この分野で、用いられる各種の電極
が使用できるが、白金または炭素電極を使用するのが好
ましい。電解は定電位あるいは定電圧の条件のいずれで
も行なえるが、例えば電流密度を１〜！！ ０６１１Ａ
／、の範囲、好ましくは８〜６０−イーの範囲で一定ｌ
と保って電解することがで着る。必要な電気量は、溶媒
、支持電解質等によね変化するが、通常２〜１５ ’／
、。１好ましく°は２〜” ’／ｍｏｌ ”電気量を通
電するのがよい。電解温度は、特に重要な反応因子では
ないが、０〜６０℃の範囲内で適宜選択すればよい。
が使用できるが、白金または炭素電極を使用するのが好
ましい。電解は定電位あるいは定電圧の条件のいずれで
も行なえるが、例えば電流密度を１〜！！ ０６１１Ａ
／、の範囲、好ましくは８〜６０−イーの範囲で一定ｌ
と保って電解することがで着る。必要な電気量は、溶媒
、支持電解質等によね変化するが、通常２〜１５ ’／
、。１好ましく°は２〜” ’／ｍｏｌ ”電気量を通
電するのがよい。電解温度は、特に重要な反応因子では
ないが、０〜６０℃の範囲内で適宜選択すればよい。
上記の電解で得られる２−オキシセファロスポリン誘導
体（２）は、通常のカラムクロマトグラフィーあるいは
再結晶等により容易に精製することができる。
体（２）は、通常のカラムクロマトグラフィーあるいは
再結晶等により容易に精製することができる。
次に実施例を掲げて本発明を更に具体的に説明する。崗
、実施例に１にいて、Ｐｈはフエニル基を示す。
、実施例に１にいて、Ｐｈはフエニル基を示す。
実施例１
（６Ｂ、７８）−２−アセトキシ−７−フニノキシアセ
トア廻ドデアセトキシセファロスボリン酸メチルエステ
ルの合成 酢酸リチウム０．１５ Ｆを酢酸４−に溶解し、これに
７−フエツキレアセトア【ドブアセトキシセファロスボ
リン酸メチルエステル◎、８ｆを加え電解液を１ｌＩＩ
！する。２ｄの炭素Ｎ極を装入し、６■定電流、４ｖ％
２０℃で約１８時間電解を行う。
トア廻ドデアセトキシセファロスボリン酸メチルエステ
ルの合成 酢酸リチウム０．１５ Ｆを酢酸４−に溶解し、これに
７−フエツキレアセトア【ドブアセトキシセファロスボ
リン酸メチルエステル◎、８ｆを加え電解液を１ｌＩＩ
！する。２ｄの炭素Ｎ極を装入し、６■定電流、４ｖ％
２０℃で約１８時間電解を行う。
電解終了後塩化メチレンあるいはりａロホルムで抽出を
行う。抽出液は重炭酸ナトリウムで洗浄後無水硫酸ナト
リウムで乾燥し、溶媒を除去して淡黄色の液体ｏ、ａｇ
ｔを得た。乙のものをシリヵゲｋｌｙ５ム’に用い、酢
酸エチル：へ’Ｆ４ｔン（１： １）の混合溶媒で展開
すると目的化合物が０．８１Ｆ（収率８９％）得られた
。
行う。抽出液は重炭酸ナトリウムで洗浄後無水硫酸ナト
リウムで乾燥し、溶媒を除去して淡黄色の液体ｏ、ａｇ
ｔを得た。乙のものをシリヵゲｋｌｙ５ム’に用い、酢
酸エチル：へ’Ｆ４ｔン（１： １）の混合溶媒で展開
すると目的化合物が０．８１Ｆ（収率８９％）得られた
。
（ＩＲ）８８５０．１７８０．１７４０．１？８０．１
６８５ ａｔ−’（ＮＭＲ）！９２．０６＜ＢＥ、 Ｓ
）、１０ｇ（８Ｈ，８）、８．７７ （８Ｈ，ｓ）、４
４６Ｃ意Ｈ，Ｂ＞、５．０５（１：ＥＩ、 ａ、 Ｊ−
６）ｋ）、５．８１（ＩＨ，ａ−ｄ。
６８５ ａｔ−’（ＮＭＲ）！９２．０６＜ＢＥ、 Ｓ
）、１０ｇ（８Ｈ，８）、８．７７ （８Ｈ，ｓ）、４
４６Ｃ意Ｈ，Ｂ＞、５．０５（１：ＥＩ、 ａ、 Ｊ−
６）ｋ）、５．８１（ＩＨ，ａ−ｄ。
Ｊ−９及びｌ５）ｋ）、 ６゜２ｊ！（ＩＩｌ、ｓ）
、６．７−７．４（６Ｈ，ｍ）、７．６８ （ＩＨ，ｄ
、Ｊ＝９ル）支持電解質として、各種酢酸塩を用い全く
同様の反応を行なった。収率を下に示す。
、６．７−７．４（６Ｈ，ｍ）、７．６８ （ＩＨ，ｄ
、Ｊ＝９ル）支持電解質として、各種酢酸塩を用い全く
同様の反応を行なった。収率を下に示す。
酢酸塩 収率
ムｏＯＮａ ’８０％
（ム００）ＩＭｙ ８７％
（五〇〇）ｌｉｌ ８９％
実施例８
（ｌｉｌ、７８）−２−アセトキシ−７−フニノキシア
セトア電ドデアセトキシセファロスボリン酸トリクロロ
エチルエステルの合成 （ＩＲ）＄４６０．１７９０．１７４１５．１７８０，
１６９０ ｍ−１（ｍ−１（Ｎ １．９ｇ（１１Ｈ，
８）、１００（８Ｈ，ｓ）、４．４０ （！Ｈ，り、５
．００（ＩＨ，ｄ、Ｊ＝５１）、６．１６（２Ｈ，８）
、５．７６ （ＩＨ，ｄ−４，２−９及び５８ｍ）、６
．１７（ＩＨ，ｓｓ）、６．６−７．４ （Ｉ ＩＩｌ
、 ｍ）実施例４ （６Ｂ、７８）−２−アセトキシ−７−フニノキシアセ
トア電ドデアセトキシセファロスポリン酸ニトロベンジ
ルエステルの合成 酢酸バリウム０．６Ｆを酢酸６１ｋｌに溶解し、Ｃれに
出発原料０．６ ｆを加え電解液を調製する。４ｄの炭
素電極を装入し、ｓｍＡ定電流、４Ｖ、１０−１６℃で
約２２時間電解を行ない、実施例１と同様の処理をして
目的の化合物０．４１（８２％）を得た。
セトア電ドデアセトキシセファロスボリン酸トリクロロ
エチルエステルの合成 （ＩＲ）＄４６０．１７９０．１７４１５．１７８０，
１６９０ ｍ−１（ｍ−１（Ｎ １．９ｇ（１１Ｈ，
８）、１００（８Ｈ，ｓ）、４．４０ （！Ｈ，り、５
．００（ＩＨ，ｄ、Ｊ＝５１）、６．１６（２Ｈ，８）
、５．７６ （ＩＨ，ｄ−４，２−９及び５８ｍ）、６
．１７（ＩＨ，ｓｓ）、６．６−７．４ （Ｉ ＩＩｌ
、 ｍ）実施例４ （６Ｂ、７８）−２−アセトキシ−７−フニノキシアセ
トア電ドデアセトキシセファロスポリン酸ニトロベンジ
ルエステルの合成 酢酸バリウム０．６Ｆを酢酸６１ｋｌに溶解し、Ｃれに
出発原料０．６ ｆを加え電解液を調製する。４ｄの炭
素電極を装入し、ｓｍＡ定電流、４Ｖ、１０−１６℃で
約２２時間電解を行ない、実施例１と同様の処理をして
目的の化合物０．４１（８２％）を得た。
（ＩＲ）８８６０．１７７０＊ １７ｇｌ０−１６８０
．１８４０ ｅｘ−’（ＮＭＲ）Ｊ ２゜００（６１
［、ｇ）、４．４２（２Ｅ、ａ）、６．０！ （ＩＩｌ
、 ｄ、 Ｊ−ＪＳ）ｋ）、６Ｊ２Ｃ２Ｈ，ｓ）、５．
８０（ＩＨ，ｄ−ｄ、Ｊ−６及び９−）、６．１９（Ｉ
Ｈ，８）、＆＠ Ｏ−７，４０（６Ｈ，Ｉｔ）、マ、７
．６ （４Ｈ，ｑ）実施例６ （６Ｒ，７ｇ）−１！−アセトキシ−７−フェニルアセ
ドア截ドデアセトキシセファロスボリン酸ベンジルエス
テルの合成 ００００Ｈ＊Ｐｈ ０ＯＯＯＨｓＰｈ酸
化マグネレウム８０１１ＩＩを酢酸２．５１ｄに溶解し
これに出発原料２００１１Ｉを加え電解波を調製する。
．１８４０ ｅｘ−’（ＮＭＲ）Ｊ ２゜００（６１
［、ｇ）、４．４２（２Ｅ、ａ）、６．０！ （ＩＩｌ
、 ｄ、 Ｊ−ＪＳ）ｋ）、６Ｊ２Ｃ２Ｈ，ｓ）、５．
８０（ＩＨ，ｄ−ｄ、Ｊ−６及び９−）、６．１９（Ｉ
Ｈ，８）、＆＠ Ｏ−７，４０（６Ｈ，Ｉｔ）、マ、７
．６ （４Ｈ，ｑ）実施例６ （６Ｒ，７ｇ）−１！−アセトキシ−７−フェニルアセ
ドア截ドデアセトキシセファロスボリン酸ベンジルエス
テルの合成 ００００Ｈ＊Ｐｈ ０ＯＯＯＨｓＰｈ酸
化マグネレウム８０１１ＩＩを酢酸２．５１ｄに溶解し
これに出発原料２００１１Ｉを加え電解波を調製する。
１ｉの炭素電極ヲ装入シ、５ｍＡ定電流、４Ｖ、！！０
−２６℃で約１０時間電解を行い、実施例１と同様の処
理をして目的の化合物１９４１１Ｆ（８５％）を得た。
−２６℃で約１０時間電解を行い、実施例１と同様の処
理をして目的の化合物１９４１１Ｆ（８５％）を得た。
（Ｉｎ）１７９１，１７４５．１７８Ｌ １６９０ ａ
ｇ−１（ＮＭＲ）Ｊ １．９８（８Ｈ，！３）、１０
０（８１１，８）、８．６１（２Ｈ１ｇ）、４．４０
（＄！Ｈ，ｓ ）、５．００（ＩＨ。
ｇ−１（ＮＭＲ）Ｊ １．９８（８Ｈ，！３）、１０
０（８１１，８）、８．６１（２Ｈ１ｇ）、４．４０
（＄！Ｈ，ｓ ）、５．００（ＩＨ。
ｄ、Ｊ＝６ＨＥ）、５．７６ （ＩＨ，ｄ−ｃｌ、Ｊ＝
５及び９ル）、６．１７（ＩＨ，ｓ）、７Ｊ−７，４（
１１Ｈ，ｍ＞実施例６ （６Ｒ１γＢ）−２−メトキシ−７−フニノキシアセト
アミドデアセトキシ七ファロスボリン酸ベンジルエステ
ルの合成 ′ トリエチルベンジルアンモニウムクロリド６０ダをメタ
ノール１．！Ｓｓ’、クロロホルム１．５ ｄの混合溶
媒に溶解し、これに７−フニノキシアセトア電ドデアセ
トキシセファロスボリン酸ベンジルエステル１００＊を
加え電解液を調製する。１ｄの白金電極を装入し、６鮎
定電流、８−４Ｖ、−１０℃で約４．８時間電解を行う
。電解終了後水洗しり１１ロホルムで抽出を行う。抽出
液は実施例１と同様の処ｍ壷して目的の化合物８６ｇｖ
（８０％）を得た。
５及び９ル）、６．１７（ＩＨ，ｓ）、７Ｊ−７，４（
１１Ｈ，ｍ＞実施例６ （６Ｒ１γＢ）−２−メトキシ−７−フニノキシアセト
アミドデアセトキシ七ファロスボリン酸ベンジルエステ
ルの合成 ′ トリエチルベンジルアンモニウムクロリド６０ダをメタ
ノール１．！Ｓｓ’、クロロホルム１．５ ｄの混合溶
媒に溶解し、これに７−フニノキシアセトア電ドデアセ
トキシセファロスボリン酸ベンジルエステル１００＊を
加え電解液を調製する。１ｄの白金電極を装入し、６鮎
定電流、８−４Ｖ、−１０℃で約４．８時間電解を行う
。電解終了後水洗しり１１ロホルムで抽出を行う。抽出
液は実施例１と同様の処ｍ壷して目的の化合物８６ｇｖ
（８０％）を得た。
＜ＸＩＬ’） １１１６０．１’ｒ’６．１７８０．
１８７５ （ｍ−”（ＮＭＢ）ａ １１４（８Ｈ，ｓ
）、 ８．８８（８Ｈ，ｓ）、４．４９（＄！Ｈ，ｓ）
、 ｔｙｏ（１ｎ、ｇ）、４．９１１（ＩＨ，ｄ、Ｊ
−５１）、 ６．１！０（ＩＨ，■）、５．８０ （
ｉｎ、ａ−４，Ｊ＝６及び９市）、６．７−７．４ （
ＩＯＨ，ｍ）、 ７．４５（ＩＩＨ，（１，Ｊコ９ル）
実施何丁 （ｌＩＢ、７８）−２−イソプロポキシ−７−フエノキ
シアセトアｌ ｐｐヂアセトキレ士ファロスポツン酸メ
チルエステルの合成 テトラエチルアンそニウムトシレー）４０ｑをクロロホ
ルム１．２−とイソプロピルアルコール１．意ｄａ）Ｉ
ｉ！１合溶媒に溶解しこれに出発原料１００ダを加え電
解液を調製する。ｌｄの白金電極を装入し、１吐定電流
、６−ｓｖ、１Ｇ−１６℃で約６時間電解を行ない実施
例６と同様の処理をして目的化合物１１．１ＩＩＦ（８
１，５％）を得た。
１８７５ （ｍ−”（ＮＭＢ）ａ １１４（８Ｈ，ｓ
）、 ８．８８（８Ｈ，ｓ）、４．４９（＄！Ｈ，ｓ）
、 ｔｙｏ（１ｎ、ｇ）、４．９１１（ＩＨ，ｄ、Ｊ
−５１）、 ６．１！０（ＩＨ，■）、５．８０ （
ｉｎ、ａ−４，Ｊ＝６及び９市）、６．７−７．４ （
ＩＯＨ，ｍ）、 ７．４５（ＩＩＨ，（１，Ｊコ９ル）
実施何丁 （ｌＩＢ、７８）−２−イソプロポキシ−７−フエノキ
シアセトアｌ ｐｐヂアセトキレ士ファロスポツン酸メ
チルエステルの合成 テトラエチルアンそニウムトシレー）４０ｑをクロロホ
ルム１．２−とイソプロピルアルコール１．意ｄａ）Ｉ
ｉ！１合溶媒に溶解しこれに出発原料１００ダを加え電
解液を調製する。ｌｄの白金電極を装入し、１吐定電流
、６−ｓｖ、１Ｇ−１６℃で約６時間電解を行ない実施
例６と同様の処理をして目的化合物１１．１ＩＩＦ（８
１，５％）を得た。
（ＩＩＬ） ８２６０．１１１６．１７８０．１＠７
６ ｆｆ１−’（ＮＭＢ）１ １．０８（＠Ｈ，ｄ、
Ｊ−７Ｈｚ）、１０Ｇ（ＩＨ，ｇ）、ＬＴＯ（Ｉ［、１
ｇ）、４．１１１１（！Ｈ，ｓ）、４．７１１（ＩＩｌ
、 ｓ）、４ｍ１６（ＩＨ，（１，Ｊ−５ＨＥ）、６．
７＠（ｉｎ、ａ−４，Ｊ−６及び９１）、叡・−７，１
１（ｓｕｅ Ｉｔ） 実施例８ （６凰＊７！Ｌ）＝１！−アセトキシーｔ−フェノキシ
ア噌ドア電ドデアセトキレセファロスポリン酸メチルエ
ステルの合成 実施例１と同様に（ＩＲ，７Ｂ）−７−フエツキレアセ
トアミドデアセ本キシセファロスポリン酸メチルエステ
ル０．８Ｆを電解し、目的化合物０．１１０８Ｆ（８Ｙ
％）を得た。
６ ｆｆ１−’（ＮＭＢ）１ １．０８（＠Ｈ，ｄ、
Ｊ−７Ｈｚ）、１０Ｇ（ＩＨ，ｇ）、ＬＴＯ（Ｉ［、１
ｇ）、４．１１１１（！Ｈ，ｓ）、４．７１１（ＩＩｌ
、 ｓ）、４ｍ１６（ＩＨ，（１，Ｊ−５ＨＥ）、６．
７＠（ｉｎ、ａ−４，Ｊ−６及び９１）、叡・−７，１
１（ｓｕｅ Ｉｔ） 実施例８ （６凰＊７！Ｌ）＝１！−アセトキシーｔ−フェノキシ
ア噌ドア電ドデアセトキレセファロスポリン酸メチルエ
ステルの合成 実施例１と同様に（ＩＲ，７Ｂ）−７−フエツキレアセ
トアミドデアセ本キシセファロスポリン酸メチルエステ
ル０．８Ｆを電解し、目的化合物０．１１０８Ｆ（８Ｙ
％）を得た。
（ＩＲ）８４００．１７８０．１７４０．１６７１５
ａＩＩ−’（ＮＭＲ）Ｊ １．９８（８Ｈ，Ｉ）、
１０Ｂ（８Ｈ，Ｉ）、８．８！（８Ｈ，■）、４．４５
（Ｌ！Ｉ１． ｇ）、４．８０（Ｉｎ。
ａＩＩ−’（ＮＭＲ）Ｊ １．９８（８Ｈ，Ｉ）、
１０Ｂ（８Ｈ，Ｉ）、８．８！（８Ｈ，■）、４．４５
（Ｌ！Ｉ１． ｇ）、４．８０（Ｉｎ。
ａ、Ｊ−！Ｈｄ、 ４．８８ （ＩＩｌ、 ａ−４，７
＝１及び８）ｋ）、６．１８（ＩＨ，８）、Ｌ？−７，
５（６Ｈ，ｍ ）実施例９ （６に、７Ｒ）−１−アセトキレ−７−フニノキシアセ
トア電ドデアセトキシセファロスボリン酸ベンジルエス
テルの合成 エステル意ＯＯｑを電解し、目的化合物２０８ＷＩｇ（
８９％）を得た。
＝１及び８）ｋ）、６．１８（ＩＨ，８）、Ｌ？−７，
５（６Ｈ，ｍ ）実施例９ （６に、７Ｒ）−１−アセトキレ−７−フニノキシアセ
トア電ドデアセトキシセファロスボリン酸ベンジルエス
テルの合成 エステル意ＯＯｑを電解し、目的化合物２０８ＷＩｇ（
８９％）を得た。
（Ｉｌ） ８４００．１テ８０，１７Ｂ５，１６８５
ａｓ−’（Ｎ）（１）＃ ｔ、５ｔ（ｓｎ、ｓ）
、１０４（８Ｈ，Ｉｌ）、８．４８（雪Ｈ，＠）、 ４
．８０（ＩＨ，ｄ、Ｊ−２ＨＥ）、ＩＬＯ・（１１１１
［、ａ−ｄ、Ｊ＝１！及び９８り、６．２８ Ｃ２Ｙ、
ｓ ）、４Ｌ１畠（ｉｎ、Ｉ）、６．２−７．４ （
１１Ｈ，ｍ）実施例１０ （６Ｒ，７８）−２−アセトキシ−７−フニノキシアセ
トアミドデアセトキシセフアロスボｒン酸メチルエステ
ルの合成 ２００１ｊｌを電解し、目的化合物１９２ダ（９０％）
を得た。
ａｓ−’（Ｎ）（１）＃ ｔ、５ｔ（ｓｎ、ｓ）
、１０４（８Ｈ，Ｉｌ）、８．４８（雪Ｈ，＠）、 ４
．８０（ＩＨ，ｄ、Ｊ−２ＨＥ）、ＩＬＯ・（１１１１
［、ａ−ｄ、Ｊ＝１！及び９８り、６．２８ Ｃ２Ｙ、
ｓ ）、４Ｌ１畠（ｉｎ、Ｉ）、６．２−７．４ （
１１Ｈ，ｍ）実施例１０ （６Ｒ，７８）−２−アセトキシ−７−フニノキシアセ
トアミドデアセトキシセフアロスボｒン酸メチルエステ
ルの合成 ２００１ｊｌを電解し、目的化合物１９２ダ（９０％）
を得た。
（ＩＲ）８８６０．１７９０．１７８５．１６９０ ３
”−’（ＮＭＲ）δ ２．０６（８Ｈ，ｇ）、１１０（
８ｆＪ：、８）、８．９１ （８Ｈ，Ｅｌ）、４．５５
（２Ｌ ８）、４．１ｌｓ（！Ｉ１． ｑ） 、ＩＪ！
（Ｉｎ、ｄ、Ｊ−５８ｉ）、１０１（ＩＨ，ｑ、Ｊ−１
４及び５）４Ｅ）、６、＄−７，６（・Ｈ＊ ｍｌ ） （以上） 手続補正書（自船 １、事件の表示 昭和５６年特 許 願第１５５７７４ 号３、補正を
する者 事件との関係 特許出願人 ４、代理人 大阪市東区平野町２の１０平和ビル内電話０６−２０３
−（）９４１ （代）自発 ６、補正により増加する発明の数 −補
正 の 内 容 Ｉ 明細書中成の記載を下記正誤表の通り訂正するＯ ■ 一以 上）
”−’（ＮＭＲ）δ ２．０６（８Ｈ，ｇ）、１１０（
８ｆＪ：、８）、８．９１ （８Ｈ，Ｅｌ）、４．５５
（２Ｌ ８）、４．１ｌｓ（！Ｉ１． ｑ） 、ＩＪ！
（Ｉｎ、ｄ、Ｊ−５８ｉ）、１０１（ＩＨ，ｑ、Ｊ−１
４及び５）４Ｅ）、６、＄−７，６（・Ｈ＊ ｍｌ ） （以上） 手続補正書（自船 １、事件の表示 昭和５６年特 許 願第１５５７７４ 号３、補正を
する者 事件との関係 特許出願人 ４、代理人 大阪市東区平野町２の１０平和ビル内電話０６−２０３
−（）９４１ （代）自発 ６、補正により増加する発明の数 −補
正 の 内 容 Ｉ 明細書中成の記載を下記正誤表の通り訂正するＯ ■ 一以 上）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ■ 一般式 （式中、凰は水素原子、アシル基又は置換基としてハロ
ゲン原子を有する仁とのある低級アルコキシカルボニル
基を示す、ＩＬは水素原子、ハロゲン原子又は置換基と
してハロゲン原子を有する仁とのあるアシリキシ基、を
示す。Ｒは水素原子、置換基としてハロゲン原子を有す
、Ｓ仁とのある低級アルキル基又はフェニル環上に置換
基としてニトロ１、ハロゲン原子もしくは低級アルコキ
シ基を有することのあるフェニル低級アルキル基を示す
。） で表わされるセファロスポリン誘導体を電解酸化するこ
とを特徴とする一般式 （式中、凡、８ 及び凰は前記と同じ。Ｒは低級アルキ
ル基又はアシル基を示す。）で表わされる２−オキシセ
ファロスポリン誘導体の製造方法。 ■ 電解酸化をプロトン供与性溶媒中にて行なう特許請
求の範＠Ｉ第１項記載の製造方法。 ■ プロトン供与性溶媒が低級カルボン酸、第一級アル
コール又はこれらの混合溶媒である特許請求の範囲第２
項記載の製造方法。 ■ 支持電解質を添加して電解酸化を行なう特許請求の
範囲第１項乃至ｊＩ８項のいずれかに記載の製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56133774A JPS5834184A (ja) | 1981-08-25 | 1981-08-25 | ２−オキシセフアロスポリン誘導体の製造方法 |
| US06/407,328 US4401528A (en) | 1981-08-25 | 1982-08-12 | Process for preparing 2-oxycephalosporin derivatives |
| GB08223940A GB2108110B (en) | 1981-08-25 | 1982-08-19 | Process for preparing 2-oxycephalosporin derivatives |
| DE3231451A DE3231451C2 (de) | 1981-08-25 | 1982-08-24 | Verfahren zur Herstellung von 2-Oxycephalosporinderivaten |
| FR828214570A FR2512026B1 (fr) | 1981-08-25 | 1982-08-25 | Procede de preparation de derives de 2-oxycephalosporines |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56133774A JPS5834184A (ja) | 1981-08-25 | 1981-08-25 | ２−オキシセフアロスポリン誘導体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5834184A true JPS5834184A (ja) | 1983-02-28 |
| JPS645115B2 JPS645115B2 (ja) | 1989-01-27 |
Family
ID=15112656
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56133774A Granted JPS5834184A (ja) | 1981-08-25 | 1981-08-25 | ２−オキシセフアロスポリン誘導体の製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4401528A (ja) |
| JP (1) | JPS5834184A (ja) |
| DE (1) | DE3231451C2 (ja) |
| FR (1) | FR2512026B1 (ja) |
| GB (1) | GB2108110B (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB9304440D0 (en) * | 1993-03-04 | 1993-04-21 | Erba Carlo Spa | 2-acyloxycephem derivatives |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3578660A (en) * | 1968-10-07 | 1971-05-11 | Lilly Co Eli | 2-acyloxycephalosporin compounds |
| US4042472A (en) * | 1976-04-12 | 1977-08-16 | Eli Lilly And Company | Electrolytic process for 7-methoxy-3-exomethylenecepham compounds |
| JPS54138872A (en) * | 1978-03-24 | 1979-10-27 | Ouchi Shinkou Kagaku Kougiyou | Manufacture of sulfene imides |
-
1981
- 1981-08-25 JP JP56133774A patent/JPS5834184A/ja active Granted
-
1982
- 1982-08-12 US US06/407,328 patent/US4401528A/en not_active Expired - Lifetime
- 1982-08-19 GB GB08223940A patent/GB2108110B/en not_active Expired
- 1982-08-24 DE DE3231451A patent/DE3231451C2/de not_active Expired
- 1982-08-25 FR FR828214570A patent/FR2512026B1/fr not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2512026B1 (fr) | 1985-07-26 |
| GB2108110B (en) | 1985-02-13 |
| JPS645115B2 (ja) | 1989-01-27 |
| DE3231451A1 (de) | 1983-04-21 |
| DE3231451C2 (de) | 1984-03-01 |
| FR2512026A1 (fr) | 1983-03-04 |
| GB2108110A (en) | 1983-05-11 |
| US4401528A (en) | 1983-08-30 |
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