JPS5832378A - 電子装置のシ−ルド処理方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は電子装置のケーブル実装方法に係り特に電波対
策に適用する低コス）Ｖ−ＩＶド処理手法に関する。

ロッカ筐体に収容された電子計算機組織の本体系装置な
どの電子装置は、電波障害、静電気障害による誤動作を
避けるために該装置と周辺装置通信回線等とを継なぐ信
号回路にＶ−ルドケープルを用い該ケープμが前記筐体
を貫通する部位で当該ケープ〜のシールド編組層を筒体
に接地する方法が採られている。ところで、静電気対電
の場合には前記接地は前記筐体と前記編組層とを単にデ
ィスクリート線で接続するだけでよいが、電波障害対策
の場合には前記ｙ−Ａ／ドケープと筐体貫通孔との隙間
が問題となシ該隙間を完全に無くすることが望ましい。

そこで、該電波障害対策として、第１図に示すように素
線束１．＄１［１え巻きテープ２゜内部Ｖ−スａ、Ｖ−
ルド纏組Ｂ、ｖ−ス４を被覆した特別仕様の８重Ｖ−ス
Ｖ−ルドケープｐｖｓ。

が筐体６を貫通する部分でＶ−ス１を所定幅切除して編
組層８を露出せしめ、該編組露出部へ該露出部を図の如
く抱着しかつ取付はフランジを有する導電性板金部材か
らなるケーブル接地金具６を締め付は内部Ｖ−スａの弾
性によって接地金具６とｙ−７重ド編組８とのコンタク
トを保証し、接地金具６のフランジを筒体６に止着しケ
ープＮｌ部体の隙間を充填する手法が従来採られてい九
〇ところがこの方法の場合使用するケープ〜に通常規格
の一重Ｖ−スｙ　−Ａ／ドケーブルを用いることが出来
ず特別仕様の前記８重Ｖ−スシールドケープルが適用さ
れるために配線コストが著しく増大するという欠点があ
った。

本発明は以上の問題点に鑑み低コストでかつ信頼性の高
い電波障害対策に係るシールド処理方法の提供を目的と
したものであって、素線束に押え巻きテープ、Ｖ−μド
纏組、Ｖ−スを順次積層被覆してなる一重シースｙ　−
Ａ／ドケーブルによる、多 電子装置筐体とのＶ−〜ド処理方法で處って、該ケープ
μのシースを切除してＶ−Ａ／ド編組層を所定長露出せ
しめ、該露出編組の上へ露出長の８倍の長さを有するシ
ールド編組筒を鉄筒の一端と前記露出編組の一端と會一
致せしめて覆せることによって８重ｙ　−７重ド編組層
を形成し、該８重シーμド編組層に弾性絶縁層からなる
シースを覆せ九のち、該シース層上へ前記編組筒の自由
端を折り返えし、さらに最上編組層と従来のＶ−ス層の
継ぎ目を絶縁収縮チューブで固定した多重シールド編組
層を形成し、該編組層部へ導体製フランジ付きケーブル
接地金具を締め付け、該フランジを筒体面に取抄付ける
ようにしたことを特徴とするものである。以下本発明の
好ましい実施例について図面を参照して詳細に説明する
。

第２図は本発明によるシールドケーブルの端末処理手順
を（イ）からに）迄で示した工程図、第８図は端末処理
がなされ九シーμドケーブルと筒体とのコンタクトを示
す模式図であって、ｌは素線束、２は押え巻きテープ、
８はＶ−ルド編組、４はシース、６は筒体、６は接地金
具、７はＶ−μド編組筒、８は割ｐｖ−ス簡、９は絶縁
収縮チューブ１０は前悠理済−重Ｖ−スジー〜ドケープ
μを示したものである。

本発明によるシールド処理方法の場合は第２図に）のよ
うな素線束ＩＫ押え巻きテープ８を巻き、Ｖ−ルド綱組
８を被せた上をＶ−ス４で被覆した通常の一重シースシ
ー〜ドケーブルが用いられる。

モして先づ該ケーブルが筒体６を貫通すゐ部位に第２図
りφ島らに）の順序の前処理を施す、即ち、頓　シール
ドケーブルのシースを所定長切除しシールド編組８を露
出させる。

（ロ）前記切除長のほぼ９倍に等しい長さのシールド編
組筒７を準備し、該編組筒をＶ−ルドケーブルの編組露
出部分８’に端をそろえて被せる。

（／→　重り九編組の上へ弾性割Ｖ−ス筒８を覆せるつ
（該シース簡は切除したシースを利用しても良い）しか
るのちＶ−μド編組簡の自由端を割シース簡の上に折り
返えす。

に）従来のり−ス４と折シ返えした編組筒７′の継ぎ目
を絶縁収縮チューブ９で被覆し前処理完了−重シースシ
ールドケープ／Ｉ／１０を形成する。そして該ケーブル
のｖ　−Ａ／　ｙ編組露出部社押え巻きした素線束に８
重の編組層、ダンパー材、露出編組層を順次重ねたこと
になる。

かかる前処暑を施したシールドケーブルは第８れるわけ
である。

以上説明した本発明によるシールド処理方法によれバー
重ｓ’−スジーμドケープｐの採用で線材費のコスＦダ
ウンが危し得ると共に、接地金具でＦＡ／ド編組をダン
パーに強く抱き込みかつ貫通孔との隙間を塞ぐことが出
来るので極めて信頼性が高い電波対策をなし得る効果が
ある。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来のＶ−μド処理方法の模式図、第２図は本
発明にょろり一μドケーブルの端末処理手順の工程図、
第８図社同じくＶ−〜ド処理方法の模式説明図を示す。 図において、ｌは素線束、８は押え巻きテープ、８はシ
ールド編組、番はＶ−ス、６は筒体、６は接地金具、７
はＶ−μド編組筒、Ｂは割シース筒、９は絶縁収縮チュ
ーブ、１０は前処理済−重シースＶ−μドケーブルを示
したものである。 許【 （イ） 第２図 ３２９

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 素線束に押え巻きテープ、Ｖ−μド編組、　Ｖ　−スを
   順次積層被覆して々る一重Ｖ−スｙ−Ａ／ドケープルに
   よる、電子装置筒体とのＶ−ルド処理方す 法で慮って、該ケープｐのＶ−スを切論してＶ−μド編
   組層を所定長露出せしめ、該露出編組の上へ露出長の８
   倍の長さを有するシールド編組筒を鉄部の一端と前記露
   出編組の一端とを一致せしめて覆せることによって８重
   Ｖ−μド編組層を形成し、該２重（ｚ−、ｕド編組層に
   弾性絶縁層からなるＶ−スを覆せたのち、該Ｖ−ス層上
   へ前記編組筒の自由端を折り返えし、さらに最上編組層
   と従来のＶ−ス層の継ぎ目を絶縁収縮チューブで固定し
   た多重り一μド編組層を形成し、該編組層部へ導体製フ
   フンジ付きケープ〃接地金具を締め付け、該フフンジを
   筐体面に取）付けるようにしたことを特徴とする電子装
   置のＶ−ルド処理方法。