JPS5831072A - 低保磁力・高角形性非晶質合金の製造方法 - Google Patents
低保磁力・高角形性非晶質合金の製造方法Info
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- JPS5831072A JPS5831072A JP56128210A JP12821081A JPS5831072A JP S5831072 A JPS5831072 A JP S5831072A JP 56128210 A JP56128210 A JP 56128210A JP 12821081 A JP12821081 A JP 12821081A JP S5831072 A JPS5831072 A JP S5831072A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は澁保磁力・高角形性非晶質合金の製造方法に関
し、更に詳しくは高周波領域で作動するスイッチングレ
イエレータに用いられる磁気増巾器の可飽和リアクトル
の鉄心に適用して有効な低保磁力・高角形性非晶質合金
の製造方法に関する。
し、更に詳しくは高周波領域で作動するスイッチングレ
イエレータに用いられる磁気増巾器の可飽和リアクトル
の鉄心に適用して有効な低保磁力・高角形性非晶質合金
の製造方法に関する。
小製、軽量、高効率という利点をもつスイツテングレa
f:Lレータには、その制御可変範囲を広くするために
、出力回路に電圧制御皺の磁気増巾益金用いる方式が採
用される@ この場合の磁気増巾器の主要構成部は可飽和リアクトル
でhシ、その鉄芯の磁気に関するヒステリシス曲線の保
磁力及び角形性が磁気増**の性能を左右する。
□ 従来から、スイッチングレギエレータなど高周波領域で
作動する機優の磁気増巾lsKおける可飽和リアクトル
O鉄芯に関しては、スフウェアー。
f:Lレータには、その制御可変範囲を広くするために
、出力回路に電圧制御皺の磁気増巾益金用いる方式が採
用される@ この場合の磁気増巾器の主要構成部は可飽和リアクトル
でhシ、その鉄芯の磁気に関するヒステリシス曲線の保
磁力及び角形性が磁気増**の性能を左右する。
□ 従来から、スイッチングレギエレータなど高周波領域で
作動する機優の磁気増巾lsKおける可飽和リアクトル
O鉄芯に関しては、スフウェアー。
パーマロイ、センデルタなどN1−P・結晶質台金系が
広く用いられてきた。
広く用いられてきた。
しかしながら、これらの合金系紘直me性では保磁力が
小さく、高角形性を有するが、高周波領域においては、
うず電滝損が重畳して保磁力が大きくな〉碑気増巾器は
その機能上喪失してしまう◇仁Oようなことから、例え
#iF・、Co、Ml !どの基材に非晶質化元素と
してP、C,B、8に、AJ、。
小さく、高角形性を有するが、高周波領域においては、
うず電滝損が重畳して保磁力が大きくな〉碑気増巾器は
その機能上喪失してしまう◇仁Oようなことから、例え
#iF・、Co、Ml !どの基材に非晶質化元素と
してP、C,B、8に、AJ、。
G@ などを含ませて構成する非晶質磁性合金は、高透
磁率、低保磁力などすぐれた軟磁気時!kを有するので
、最近、ム<注@を集めている。
磁率、低保磁力などすぐれた軟磁気時!kを有するので
、最近、ム<注@を集めている。
しかしながら、これらの非晶質磁性合金の全文が、高周
波領域において低保磁力を有し、したがって鉄損が小さ
いと込うわ対で社ない・また、非晶質合金にすぐれた軟
磁気特性を持九せるために紘一般に、そO結晶化温度以
下、キエリ一温度以上の温度で歪取9熱m1it施す仁
とが必要である。
波領域において低保磁力を有し、したがって鉄損が小さ
いと込うわ対で社ない・また、非晶質合金にすぐれた軟
磁気特性を持九せるために紘一般に、そO結晶化温度以
下、キエリ一温度以上の温度で歪取9熱m1it施す仁
とが必要である。
本俺明者らは、50Kih以上の高周波領域で用いて有
効な磁気増巾l!O可飽可飽和リアルトルいては、その
保磁力がO,SO・以下と小さく、かつその角形比が8
s−以上と大暑いことが好ましいことを検証し、そのよ
うな軟磁性特性にすぐれる非晶質磁性合金の製造に関し
鋭意研究を重ねた結果、特定の組成を有するCo系及び
FI系又はCo−F・系の非晶質合金に歪取〕熱Ml!
を施し次後。
効な磁気増巾l!O可飽可飽和リアルトルいては、その
保磁力がO,SO・以下と小さく、かつその角形比が8
s−以上と大暑いことが好ましいことを検証し、そのよ
うな軟磁性特性にすぐれる非晶質磁性合金の製造に関し
鋭意研究を重ねた結果、特定の組成を有するCo系及び
FI系又はCo−F・系の非晶質合金に歪取〕熱Ml!
を施し次後。
所定の冷却速度で室温まで急冷すると低保磁力・、高角
形性の非晶質合金が得られるとの事実を見出し本発明を
完成するに到った。
形性の非晶質合金が得られるとの事実を見出し本発明を
完成するに到った。
本発明は、低保磁力・高角形性の非晶質合金の製造方法
の提供上目的とする。
の提供上目的とする。
本発明方法は、式: (T s?yNi I Nb y
) トg XB(式中、TはF・tCOから選dれる
少くとも1種の元素を嵌わし、X1iB+81を表わし
、このうち、Slは25原子−以下であシ、X * 7
* Iはそれぞれ0≦X≦0.30 、0.005≦
y≦0.10 、0.15≦2≦0.35゛を満足する
数を表わす、)で示される非晶質磁性合金に、無磁場中
で歪城p熱処mを施し、ついで、100〜b 度で室温まで冷却することt%黴とする。
) トg XB(式中、TはF・tCOから選dれる
少くとも1種の元素を嵌わし、X1iB+81を表わし
、このうち、Slは25原子−以下であシ、X * 7
* Iはそれぞれ0≦X≦0.30 、0.005≦
y≦0.10 、0.15≦2≦0.35゛を満足する
数を表わす、)で示される非晶質磁性合金に、無磁場中
で歪城p熱処mを施し、ついで、100〜b 度で室温まで冷却することt%黴とする。
さて、本発明の非晶質合金の製造に当っての出発素材は
、式: (T 5−2−y Nl z Nkl y )
*−@ XBで示される非晶質磁性合金である。ここ
で、TはCo5F・の少くと龜1種であるが、C・、y
・の両者を含み、しかもF@が全遷移金属(Co tF
*tNi )04〜1 ts原子饅であることが好まし
い。
、式: (T 5−2−y Nl z Nkl y )
*−@ XBで示される非晶質磁性合金である。ここ
で、TはCo5F・の少くと龜1種であるが、C・、y
・の両者を含み、しかもF@が全遷移金属(Co tF
*tNi )04〜1 ts原子饅であることが好まし
い。
N1は非晶質合金の製造を容易にするという点からして
含有せしめられるが、その組成比Xが0.30を超える
と全体の保磁力が大きくなるので0≦X≦0.30の範
囲に設定され、とくにO≦工≦0.10であることが好
ましい。
含有せしめられるが、その組成比Xが0.30を超える
と全体の保磁力が大きくなるので0≦X≦0.30の範
囲に設定され、とくにO≦工≦0.10であることが好
ましい。
NII紘非晶質会金oi的安定性に寄与する元素である
が、その組成!t、yが0.005未満の場合には、全
体の保磁力低下には顕著に買献せず、tたyがo、i
o奮起えると得られた合金が脆弱となって実用上使用が
I!−となるので0.005≦y≦0.10、好ましく
社0.01≦y≦0.05 O範囲に設定されるO Xは非晶質化の九めに含有される元素であって、8及び
8tの両者から構成されるが、このうち、81の組成比
は2S原子−以下で−ある* 81O組成比が2S原子
St超えたり、又はX(B+8i)の合金内における組
成比2が、0.1s未満若しくは0.36を超える場合
には、全体の非晶質化が困難になる。
が、その組成!t、yが0.005未満の場合には、全
体の保磁力低下には顕著に買献せず、tたyがo、i
o奮起えると得られた合金が脆弱となって実用上使用が
I!−となるので0.005≦y≦0.10、好ましく
社0.01≦y≦0.05 O範囲に設定されるO Xは非晶質化の九めに含有される元素であって、8及び
8tの両者から構成されるが、このうち、81の組成比
は2S原子−以下で−ある* 81O組成比が2S原子
St超えたり、又はX(B+8i)の合金内における組
成比2が、0.1s未満若しくは0.36を超える場合
には、全体の非晶質化が困難になる。
本発明方法にあっては、常法によって作製し友上記組成
の非晶質合金に、まず、歪取シ熱処mを施すO 歪取如熱処理は無磁場中で行なわれる。熱処理条件は、
非晶質合金の組成、求める磁気特性との関係で一義的に
は定められないが、通常、その処理温度は、非晶質合金
の結晶化温度(T+c)よシも50〜121℃低く、か
つキューリ温31(Te)より%高い温度で、またその
処理時間は5〜20分程度の時間が選択される。
の非晶質合金に、まず、歪取シ熱処mを施すO 歪取如熱処理は無磁場中で行なわれる。熱処理条件は、
非晶質合金の組成、求める磁気特性との関係で一義的に
は定められないが、通常、その処理温度は、非晶質合金
の結晶化温度(T+c)よシも50〜121℃低く、か
つキューリ温31(Te)より%高い温度で、またその
処理時間は5〜20分程度の時間が選択される。
このように1無磁場中で熱処理された非晶質合金は、つ
[K、室温壕で冷却される。通常は熱処理された非晶質
合金を水中に投入して急冷する方法が採用され箒が、本
発明方法にお秒る冷却速度はZoo〜3000℃/―の
範11に@定される。
[K、室温壕で冷却される。通常は熱処理された非晶質
合金を水中に投入して急冷する方法が採用され箒が、本
発明方法にお秒る冷却速度はZoo〜3000℃/―の
範11に@定される。
冷却速*1がこの範8t−外れると、高周波領域(とシ
わけIs OKHm以上)においては、角形比fir/
B。
わけIs OKHm以上)においては、角形比fir/
B。
が85−よシ小さくな多、シたがって、スイッチンダレ
df5−レータに適用し九ときその効率の低下t18〈
。を九、保磁力も増大する。
df5−レータに適用し九ときその効率の低下t18〈
。を九、保磁力も増大する。
以下に本発@を実施例に基づいて説明する。
゛実施例
単ロール法を適用して幅2■厚み1 h amで、組成
が(Co tmI Fle、as Nb @ss )
tm Bse 8hsの非晶質合金の薄体を作製した。
が(Co tmI Fle、as Nb @ss )
tm Bse 8hsの非晶質合金の薄体を作製した。
この合金のTx及び’fgは、それぞれ543℃、32
4℃であつ九。
4℃であつ九。
得られ九薄体をMgO粉末で層間絶縁し、直径25−の
石英管に201a1巻いてトロイダルコアとした。
石英管に201a1巻いてトロイダルコアとした。
つぎに、コアを真空中で、温度450℃1時間10分く
で歪散〕熱処履を施し先後、条種の冷却速度で室温まで
冷却し九。
で歪散〕熱処履を施し先後、条種の冷却速度で室温まで
冷却し九。
得られたコアに1次及び2次**を施し、外部−場IQ
@ 下で交流磁場測定装置を用いて50IGh及び10
0 KHsKおける交流ヒステリシスーーを一定し、保
磁力m、角形比”/’Bl を求めた−その結果を、冷
却適度との関係として第1 III $12 IIに示
した・ また、これらコアを磁気増中器の可飽和リアクトルに適
用し、このときのスイッチングレギュレータの50Km
Kおける効率V(出力/入力)を求め、結果t−第3図
に示し九。
@ 下で交流磁場測定装置を用いて50IGh及び10
0 KHsKおける交流ヒステリシスーーを一定し、保
磁力m、角形比”/’Bl を求めた−その結果を、冷
却適度との関係として第1 III $12 IIに示
した・ また、これらコアを磁気増中器の可飽和リアクトルに適
用し、このときのスイッチングレギュレータの50Km
Kおける効率V(出力/入力)を求め、結果t−第3図
に示し九。
図から明らかなように、本発明の非晶質合金を用いたコ
アは、その作製時における歪取シ熱処理後の冷却速度が
Zoo〜3()Go℃/―の範囲にオイテ、角d比Br
/B、 ti 85−以上(50KHzの場合)と高く
、かつ低保磁力(0,30@以下)を有し、しかも可飽
和リアクトルとして適用したときその効率マが76.5
1以上と大きいことが判明した。
アは、その作製時における歪取シ熱処理後の冷却速度が
Zoo〜3()Go℃/―の範囲にオイテ、角d比Br
/B、 ti 85−以上(50KHzの場合)と高く
、かつ低保磁力(0,30@以下)を有し、しかも可飽
和リアクトルとして適用したときその効率マが76.5
1以上と大きいことが判明した。
なお、本発明の組成におけるCo−Nb−B−81系、
F・−Nb−B−8l系、Fl−Nl−16−81−B
系及びCo −Ni −Nb −B−Sl系の各非晶質
合金についても同様に磁気特性を測定したところ、いず
れも50KHz以上の高周波領域において、低保磁力(
0,5伽以下)、高角形比(Br/B□:85%以上)
であった。
F・−Nb−B−8l系、Fl−Nl−16−81−B
系及びCo −Ni −Nb −B−Sl系の各非晶質
合金についても同様に磁気特性を測定したところ、いず
れも50KHz以上の高周波領域において、低保磁力(
0,5伽以下)、高角形比(Br/B□:85%以上)
であった。
以上、詳述したように、上記した組成の非晶質合金を無
磁場中で熱処理した後、100〜3000’C/m O
冷却速度で冷却して得られた本発明の叶晶質合金社低保
磁力・高角形性の磁気特性を有するので、例えば、磁気
増中1の可飽和1ノアクトルコアに適用すれに1効率O
よいスイッチングレギュレータを作製することができ、
省エネルギーに資すること大である0
磁場中で熱処理した後、100〜3000’C/m O
冷却速度で冷却して得られた本発明の叶晶質合金社低保
磁力・高角形性の磁気特性を有するので、例えば、磁気
増中1の可飽和1ノアクトルコアに適用すれに1効率O
よいスイッチングレギュレータを作製することができ、
省エネルギーに資すること大である0
籐1図、第2図、第3図はいずれも本発明に力)かる非
晶質含金OX*施例の保磁力Ha +角形比Br/Bl
及び効率苛と冷却速度との関係曲纏である。 第1図 +ipt炙(’(Jr+in )− 第2FA 按押職IJ’c/min)−
晶質含金OX*施例の保磁力Ha +角形比Br/Bl
及び効率苛と冷却速度との関係曲纏である。 第1図 +ipt炙(’(Jr+in )− 第2FA 按押職IJ’c/min)−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 L 式m (TI−x−11Ni zWb y )x−
g Xs(式中、TはF・、C・かも選ばれる少くとも
1種の元素tllt) t、、Xは114811−II
わし、こノウチ、atazs*子−以下であjy、x、
y。 2はそれぞれ0≦X≦o、s o 、 o、oos≦y
≦0.10 、0.15≦2≦0.35を満足する数を
真わす、) で示される非晶質壷金に、 無磁場中で歪取ル熱処iitmt、、つhで、100〜
3000C/−の冷却適度で室温まで冷却する仁とを特
徴とする低保磁カー高角形性非晶質合金の製造方法。 z TがC6s−aFIa (ただし、鶏は0.04≦
1≦0.11の関係1*足する数である。)で衆わされ
かつ、2が0−20:&s≦0.28を満足する数であ
る特許請求の範[1$111項記載O低保磁力・高角形
性非晶質合金の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56128210A JPS6012423B2 (ja) | 1981-08-18 | 1981-08-18 | 低保磁力・高角形性非晶質合金の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56128210A JPS6012423B2 (ja) | 1981-08-18 | 1981-08-18 | 低保磁力・高角形性非晶質合金の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5831072A true JPS5831072A (ja) | 1983-02-23 |
JPS6012423B2 JPS6012423B2 (ja) | 1985-04-01 |
Family
ID=14979202
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56128210A Expired JPS6012423B2 (ja) | 1981-08-18 | 1981-08-18 | 低保磁力・高角形性非晶質合金の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6012423B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59179751A (ja) * | 1983-03-31 | 1984-10-12 | Toshiba Corp | 可飽和リアクトル用非晶質合金 |
JPS61225803A (ja) * | 1985-03-30 | 1986-10-07 | Toshiba Corp | 磁心及びその製造方法 |
JPH0196911A (ja) * | 1987-10-09 | 1989-04-14 | Mitsui Petrochem Ind Ltd | 可飽和インダクタの製造方法 |
-
1981
- 1981-08-18 JP JP56128210A patent/JPS6012423B2/ja not_active Expired
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59179751A (ja) * | 1983-03-31 | 1984-10-12 | Toshiba Corp | 可飽和リアクトル用非晶質合金 |
JPH0549742B2 (ja) * | 1983-03-31 | 1993-07-27 | Tokyo Shibaura Electric Co | |
JPS61225803A (ja) * | 1985-03-30 | 1986-10-07 | Toshiba Corp | 磁心及びその製造方法 |
JPH0196911A (ja) * | 1987-10-09 | 1989-04-14 | Mitsui Petrochem Ind Ltd | 可飽和インダクタの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6012423B2 (ja) | 1985-04-01 |
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