JPS5830176A - 超伝導素子実装用部品の製作方法 - Google Patents
超伝導素子実装用部品の製作方法Info
- Publication number
- JPS5830176A JPS5830176A JP56127410A JP12741081A JPS5830176A JP S5830176 A JPS5830176 A JP S5830176A JP 56127410 A JP56127410 A JP 56127410A JP 12741081 A JP12741081 A JP 12741081A JP S5830176 A JPS5830176 A JP S5830176A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- board
- small
- manufacturing
- wafer
- holes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims abstract description 29
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 claims description 2
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 abstract 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 2
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/80—Constructional details
- H10N60/81—Containers; Mountings
Landscapes
- Containers, Films, And Cooling For Superconductive Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、超伝導素子実装用マイクロコネクタを構成す
る一部材である電気的接続用の水銀球を保持するための
穴あきボードの製作方法に関するものであシ、特に通常
一般の小形のシリコンウェハを用いて大形の該ボードを
製作する方法に関するものである。
る一部材である電気的接続用の水銀球を保持するための
穴あきボードの製作方法に関するものであシ、特に通常
一般の小形のシリコンウェハを用いて大形の該ボードを
製作する方法に関するものである。
第1図に従来の電気的接続用の水銀球を保持するための
穴あきボードめ製作方法を示す。
穴あきボードめ製作方法を示す。
シリコンウェハ・2を表面研磨し、その彼、通常のフォ
トリゾグラフィ一工程およびアルカリ性溶液によるエツ
チングを行ない、貫通穴6を形成する。この穴あき基板
を所定の寸法に外形切断して該外形切断した穴あき基板
2枚のそれぞれの貫通穴3を基準にして位置合せし、接
着剤あるいはガラス等を用いて接着しボード1を完成さ
せていた。
トリゾグラフィ一工程およびアルカリ性溶液によるエツ
チングを行ない、貫通穴6を形成する。この穴あき基板
を所定の寸法に外形切断して該外形切断した穴あき基板
2枚のそれぞれの貫通穴3を基準にして位置合せし、接
着剤あるいはガラス等を用いて接着しボード1を完成さ
せていた。
しかし、この従来の方法では、1枚のウエノ・2の外形
寸法で出来るボード1の大きさは当然制限があシ、超伝
導素子裏装用ボードとしては大きさのうえで不十分なも
のであった。
寸法で出来るボード1の大きさは当然制限があシ、超伝
導素子裏装用ボードとしては大きさのうえで不十分なも
のであった。
大形ボードを作るためには、大形のウエノ・2を用いれ
ば良いのは当然であるが、このためにはウェハの研磨お
よび各7オトリゾグラフイープロセス等をすべて大形ウ
ニ/S用に変更する必要があシ、技術的2価格的に問題
があった。
ば良いのは当然であるが、このためにはウェハの研磨お
よび各7オトリゾグラフイープロセス等をすべて大形ウ
ニ/S用に変更する必要があシ、技術的2価格的に問題
があった。
本発明はこれらの欠点を解決するために、小形ウェハか
ら大形ボードを製作できるようにしたもので、以下本発
明の実施例を図面について説明する。
ら大形ボードを製作できるようにしたもので、以下本発
明の実施例を図面について説明する。
第2図は本発明によシ製作した大形ボードの外観を示す
ものである。第1図に示したウニ/12を4枚用いて大
形ボードを構成したものである。第1図に示した製作法
で大きさに限界のある小形ウェハ2よシ第2図に示すよ
うなウェハ2,4をそれぞれ製作する。ここで、フェノ
−2は、フェノS4よシ少し大きい外形に切断しておき
該フェノ・2の該ウェハ4よシ大きい部分には、位置合
せ用9貫通穴5を形成しておく。本発明の大形ボードの
製作方法としては、まず第1図と同様の方法で外形切断
寸法の異なるウェハ2,4を接着することにより小形ボ
ードを個々に作製する。次に該小形ボード2組を用いて
該貫通穴5を基準にして位置合わせを行ない、骸位置合
わせが完結した位置で#2組の小形ボードの重なった部
分を接着剤、ガラス等を用いて接着し、大形ボードとし
て完成させる。
ものである。第1図に示したウニ/12を4枚用いて大
形ボードを構成したものである。第1図に示した製作法
で大きさに限界のある小形ウェハ2よシ第2図に示すよ
うなウェハ2,4をそれぞれ製作する。ここで、フェノ
−2は、フェノS4よシ少し大きい外形に切断しておき
該フェノ・2の該ウェハ4よシ大きい部分には、位置合
せ用9貫通穴5を形成しておく。本発明の大形ボードの
製作方法としては、まず第1図と同様の方法で外形切断
寸法の異なるウェハ2,4を接着することにより小形ボ
ードを個々に作製する。次に該小形ボード2組を用いて
該貫通穴5を基準にして位置合わせを行ない、骸位置合
わせが完結した位置で#2組の小形ボードの重なった部
分を接着剤、ガラス等を用いて接着し、大形ボードとし
て完成させる。
以上説明したように、本発明によれは、小形ウェハから
の切断外形寸法を相互に少し異ならせ、該寸法の異なる
ウェハを接着して小形ボードを個々に作製し、骸小形ボ
ードの外形寸法の異なるウニ八部分にあらかじめ形成し
ておい九位置合せ用の貫通穴を基準にして、咳小形ボー
ドを相互に位置合せした徒接着することによシ通常の製
作方法で得られる小形ウェハから大形のボードを構成す
ることができる。このように本発明によれば小形ウェハ
から大形ボードを製作できるので、大形ウェハを製作す
る丸めの特別な装置や製作工程を別途用意する必要がな
く、研磨、フォトリゾグラフィー、エツチング等の工程
を、従来の小形ウェハ用装置、製作工程で行なえるので
、技術的2価格的に優れた利点がある。
の切断外形寸法を相互に少し異ならせ、該寸法の異なる
ウェハを接着して小形ボードを個々に作製し、骸小形ボ
ードの外形寸法の異なるウニ八部分にあらかじめ形成し
ておい九位置合せ用の貫通穴を基準にして、咳小形ボー
ドを相互に位置合せした徒接着することによシ通常の製
作方法で得られる小形ウェハから大形のボードを構成す
ることができる。このように本発明によれば小形ウェハ
から大形ボードを製作できるので、大形ウェハを製作す
る丸めの特別な装置や製作工程を別途用意する必要がな
く、研磨、フォトリゾグラフィー、エツチング等の工程
を、従来の小形ウェハ用装置、製作工程で行なえるので
、技術的2価格的に優れた利点がある。
第1図は、従来のボードの製作工程を示し、第2図は、
本発明で製作した大形ボードの外観図を示す。 1・・・小形ボード、2−シリコ/ウェハ、3・・・貫
通穴、4・・・シリコンクエバ2と少し寸法の異なるシ
リコ/ウェハ、5・・・位置合せ用貫通穴。 特許出願人 日本電信電話公社 代理人弁理士 玉蟲久五部(外5名) 第1因 第 2 図 1 手続補正書(方式)
本発明で製作した大形ボードの外観図を示す。 1・・・小形ボード、2−シリコ/ウェハ、3・・・貫
通穴、4・・・シリコンクエバ2と少し寸法の異なるシ
リコ/ウェハ、5・・・位置合せ用貫通穴。 特許出願人 日本電信電話公社 代理人弁理士 玉蟲久五部(外5名) 第1因 第 2 図 1 手続補正書(方式)
Claims (1)
- 超伝導素子実装用マイクロコネクタの電気的接続用の水
銀球を保持するための穴あきボードの製作方法において
、基板のシリコンウェハを相互に異なる外形寸法に切断
し、該外形寸法の異なるシリコンウェハを接着した後、
該外形寸法の異なる部分を共通部分として重ね合わせて
位置合せおよび接着を行ない、小形のシリコンウェハを
用いて大形のボードを製作することを特徴とする超伝導
素子実装用部品の製作方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56127410A JPS5830176A (ja) | 1981-08-14 | 1981-08-14 | 超伝導素子実装用部品の製作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56127410A JPS5830176A (ja) | 1981-08-14 | 1981-08-14 | 超伝導素子実装用部品の製作方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5830176A true JPS5830176A (ja) | 1983-02-22 |
Family
ID=14959279
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56127410A Pending JPS5830176A (ja) | 1981-08-14 | 1981-08-14 | 超伝導素子実装用部品の製作方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5830176A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4942453A (en) * | 1988-04-26 | 1990-07-17 | Citizen Watch Co., Ltd. | IC package |
-
1981
- 1981-08-14 JP JP56127410A patent/JPS5830176A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4942453A (en) * | 1988-04-26 | 1990-07-17 | Citizen Watch Co., Ltd. | IC package |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
WO1997021243A1 (en) | Method for processing semiconductor wafer, method for manufacturing ic card, and carrier | |
JPS5850024B2 (ja) | 集積回路装置 | |
JPH0344067A (ja) | 半導体基板の積層方法 | |
US3855693A (en) | Method for assembling microelectronic apparatus | |
JPH0669005B2 (ja) | 多層シ−トコイル | |
JPS6271215A (ja) | ウエハ接合装置 | |
GB2392560A (en) | Manufacture of solid state electronic components | |
JPS5830176A (ja) | 超伝導素子実装用部品の製作方法 | |
US6763585B2 (en) | Method for producing micro bump | |
JP3052300B2 (ja) | 配線基板及び加圧ツール | |
JP2527562Y2 (ja) | 基板接続構造 | |
US4460224A (en) | Foldable circuit assembly | |
JP2821315B2 (ja) | シングルインラインモジュール | |
JP2000036656A (ja) | 薄膜ジャンパ―コネクタの基板への組み付け方法 | |
JPH0341488Y2 (ja) | ||
JPS599934A (ja) | プロ−ブカ−ドの製造方法 | |
JPH0568121B2 (ja) | ||
JPS59111338A (ja) | 回路基板への半導体素子の接着方法 | |
JPH01137691A (ja) | プリント配線板装置の製造方法 | |
JPH07113929A (ja) | 回路部品及びその製造方法 | |
JPS58121654A (ja) | パツケ−ジic | |
JPS5883379A (ja) | バブルメモリデバイス | |
JPH0119443Y2 (ja) | ||
JPS59500441A (ja) | フレックス−パック相互連結装置 | |
JPS62128133A (ja) | 半導体装置の製造方法 |