JPS5830124A - 気相成長装置用ウエハ−立替装置 - Google Patents
気相成長装置用ウエハ−立替装置Info
- Publication number
- JPS5830124A JPS5830124A JP12791081A JP12791081A JPS5830124A JP S5830124 A JPS5830124 A JP S5830124A JP 12791081 A JP12791081 A JP 12791081A JP 12791081 A JP12791081 A JP 12791081A JP S5830124 A JPS5830124 A JP S5830124A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- carrier
- semiconductor
- semiconductor wafer
- semiconductor wafers
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- Pending
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は気相成長装置用ウェハー立替装置に関するもの
である。
である。
半導体集積回路の製造工程のうちの気相成長工程（以下
、ＣＶＤ工程という）においては、石英製の治具に設け
た溝に半導体ウェハースを嵌め込んでこれを立てて高温
の炉中に入れて半導体ウェハースの処理を行なっている
。
、ＣＶＤ工程という）においては、石英製の治具に設け
た溝に半導体ウェハースを嵌め込んでこれを立てて高温
の炉中に入れて半導体ウェハースの処理を行なっている
。
ところで、第１図ピ）（ロ）に示すように１石英製の治
具１に半導体ウェハースを立てる場合には、処理枚数を
多くし且つ半導体ウェハース裏面に成長させないために
、２枚の半導体ウェハース２，２′を各々の処理面が外
向きになるように重ね合せてこれを治具１の１つの溝１
ａごとに立てている。
具１に半導体ウェハースを立てる場合には、処理枚数を
多くし且つ半導体ウェハース裏面に成長させないために
、２枚の半導体ウェハース２，２′を各々の処理面が外
向きになるように重ね合せてこれを治具１の１つの溝１
ａごとに立てている。
ＣＶＤ工程の前後工程では、キャリアに半導体ウェハー
スを支持させてこれを搬送させているから、ＣＶＤ工程
においては、作業者がキャリアから半導体ウェハース２
．ｌをピンセットを使用して一枚ずつ取出し、その半導
体ウニ・・−ス２，２′を処理面が外向きになるように
治具１の溝１ａ内に嵌め込ん、でおり、またＣＶＤ処理
後、再び治具１から半導体ウェハース２，２′を１枚ず
つ取出してキャリアに戻していた。
スを支持させてこれを搬送させているから、ＣＶＤ工程
においては、作業者がキャリアから半導体ウェハース２
．ｌをピンセットを使用して一枚ずつ取出し、その半導
体ウニ・・−ス２，２′を処理面が外向きになるように
治具１の溝１ａ内に嵌め込ん、でおり、またＣＶＤ処理
後、再び治具１から半導体ウェハース２，２′を１枚ず
つ取出してキャリアに戻していた。
そこでこの作業が厄介であるため、キャリアから半導体
ウェハースを治具に移し替える方法が考見出された。キ
ャリアから半導体ウエノ・−スを治具に移し替える方法
を゛第２図、第３図に示す。
ウェハースを治具に移し替える方法が考見出された。キ
ャリアから半導体ウエノ・−スを治具に移し替える方法
を゛第２図、第３図に示す。
すなわち、第２図に示すように、半導体ウエノ・−スを
１枚ずつ隔離して支持した２つのキャリア５・ｇを、半
導体ウニ・・−スの処理面が互いに逆向きになるように
上下逆に、しかも２つのキャリア３゜３′を１枚の半導
体ウニ・・−ス分だけ上下方向にずらして支持台５上に
載置し、支持台５の取手イを上方に引き上げて支持台３
を傾斜させ、キャリア３′の半導体ウェハースをキャリ
ア３の半導体ウェハースとその処理面を逆向きにして重
ね合せ、２枚の半導体ウニ・・−ス２，２′をキャリア
３の溝内に嵌め込み、次に、第３図に示すように、立替
治具４に取付けた治具１を、キャリア３内をその下方か
ら上方に通過させ、その途中でキャリア３から治具１に
半導体ウエノ・−スを移し替えてこれを治具１に立てる
。
１枚ずつ隔離して支持した２つのキャリア５・ｇを、半
導体ウニ・・−スの処理面が互いに逆向きになるように
上下逆に、しかも２つのキャリア３゜３′を１枚の半導
体ウニ・・−ス分だけ上下方向にずらして支持台５上に
載置し、支持台５の取手イを上方に引き上げて支持台３
を傾斜させ、キャリア３′の半導体ウェハースをキャリ
ア３の半導体ウェハースとその処理面を逆向きにして重
ね合せ、２枚の半導体ウニ・・−ス２，２′をキャリア
３の溝内に嵌め込み、次に、第３図に示すように、立替
治具４に取付けた治具１を、キャリア３内をその下方か
ら上方に通過させ、その途中でキャリア３から治具１に
半導体ウエノ・−スを移し替えてこれを治具１に立てる
。
そして処理の終った半導体ウエノ・−スをキャリア５に
戻すには上述した操作を逆に行なうことにより移し替え
るものである。したがって、キャリアにより搬送された
半導体ウエノ・−スをＣＶＤ工程の治具に移し替え、処
理された半導体ウエノ・−スを１つのキャリアに移し替
えるまでの作業は、ピンセット操作を排除できるが、キ
ャリア内に重ね合されて治具から移し替えられた２枚の
半導体ウェハースを一枚ずつ分離させて同じ向きにして
キャリアに戻す作業はやはり人手によるピンセット操作
で行なわなければならなかった。
戻すには上述した操作を逆に行なうことにより移し替え
るものである。したがって、キャリアにより搬送された
半導体ウエノ・−スをＣＶＤ工程の治具に移し替え、処
理された半導体ウエノ・−スを１つのキャリアに移し替
えるまでの作業は、ピンセット操作を排除できるが、キ
ャリア内に重ね合されて治具から移し替えられた２枚の
半導体ウェハースを一枚ずつ分離させて同じ向きにして
キャリアに戻す作業はやはり人手によるピンセット操作
で行なわなければならなかった。
本発明はピンセットを用いずに自動的に重ね合された２
枚の半導体ウェハースを分離してキャリア内に収納する
ようにしたことを特徴とするものである。
枚の半導体ウェハースを分離してキャリア内に収納する
ようにしたことを特徴とするものである。
以下、本発明の一実施例を第４図によって説明する。
第４図ビ）において、半導体ウエノ・−スを収納した供
給キャリア５及び空の収納キャリア１０を所定のピッチ
で送る送り機構は支持台ｇと支持台６′に螺合し垂直に
取付けられた送りねじ６とから構成され、送シねじ６を
回動させて支持台ｇを所定のピッチで下方又は上方に送
シ駆動を与えるものである。
給キャリア５及び空の収納キャリア１０を所定のピッチ
で送る送り機構は支持台ｇと支持台６′に螺合し垂直に
取付けられた送りねじ６とから構成され、送シねじ６を
回動させて支持台ｇを所定のピッチで下方又は上方に送
シ駆動を与えるものである。
７は処理面を互°いに外側に向けて重ね合された２枚の
半導体ウェハース２，２′をキャリア５から取出す引出
し機構を構成するステーションで、該ステーション７Ｆ
ｉ支持台６′上のキャリア３内にその開口部から進み出
て、半導体ウェハース２，２を下方から支持して取出す
。ステーション７の上面には２枚のうち下方の半導体ウ
ニ・・−ス２′の処理面との接触を避ける座ぐりが設け
られており、ステーション７は下方の半導体ウニ／−−
、ｘ、ｉｏ周辺と接触して２枚の半導体ウニ・・−ス２
．ｉを支持する。
半導体ウェハース２，２′をキャリア５から取出す引出
し機構を構成するステーションで、該ステーション７Ｆ
ｉ支持台６′上のキャリア３内にその開口部から進み出
て、半導体ウェハース２，２を下方から支持して取出す
。ステーション７の上面には２枚のうち下方の半導体ウ
ニ・・−ス２′の処理面との接触を避ける座ぐりが設け
られており、ステーション７は下方の半導体ウニ／−−
、ｘ、ｉｏ周辺と接触して２枚の半導体ウニ・・−ス２
．ｉを支持する。
第４図（ロ）において％９は空の収納キャリア１０に半
導体ウェハースを運ぶ搬送機構としてのＯリングベルト
であって、該０リングベルト９は送り機構の横方向に配
置されて水平方向に張設され、その終端はキャリア１０
の開口部からその内部まで延びている。
導体ウェハースを運ぶ搬送機構としてのＯリングベルト
であって、該０リングベルト９は送り機構の横方向に配
置されて水平方向に張設され、その終端はキャリア１０
の開口部からその内部まで延びている。
８はステーション７と０リングベルト９との間を上下及
び左右動して往復するチャック機構で、該チャック機構
８はその支持部８． ａにより半導体ウェハースをその
処理面を避けた周辺を真空力で吸着、支持する。さらに
、第４図ｅ→に示すように、チャック機構８は支え軸ぎ
を中心にして１８０°反転する。
び左右動して往復するチャック機構で、該チャック機構
８はその支持部８． ａにより半導体ウェハースをその
処理面を避けた周辺を真空力で吸着、支持する。さらに
、第４図ｅ→に示すように、チャック機構８は支え軸ぎ
を中心にして１８０°反転する。
次に本発明の動作について説明する。
その処理ｍｌを互いに外側に向けて重ね合された２枚の
半導体ウエノ・−ス２．ｉを組として多数支持したキャ
リア３を支持台６′に載置し、送りねじ６により１ピツ
チずつ送シを与えてこれを下降させる。また、ステーシ
ョン７社第４図ビ）中圧に動いて鼻ヤリジ５内に延び、
半導体ウエノ・−ス２・ ２′の下降を待つ。キャリア
３は１ピツチ下降し、これによりステーション７上に半
導体ウエノ１−ス２゜ｌが重ね合された状態で乗せられ
る。次にステーション７は一右に動く。ステーション７
上方に待機していたチャック機構８が下降し、先ずその
支持部８ａによシ上方の半導体ウニＩ・−ス２をチャッ
クする。この場合上方の半導体ウエノ・−ス２はその処
理面が上を向いている。
半導体ウエノ・−ス２．ｉを組として多数支持したキャ
リア３を支持台６′に載置し、送りねじ６により１ピツ
チずつ送シを与えてこれを下降させる。また、ステーシ
ョン７社第４図ビ）中圧に動いて鼻ヤリジ５内に延び、
半導体ウエノ・−ス２・ ２′の下降を待つ。キャリア
３は１ピツチ下降し、これによりステーション７上に半
導体ウエノ１−ス２゜ｌが重ね合された状態で乗せられ
る。次にステーション７は一右に動く。ステーション７
上方に待機していたチャック機構８が下降し、先ずその
支持部８ａによシ上方の半導体ウニＩ・−ス２をチャッ
クする。この場合上方の半導体ウエノ・−ス２はその処
理面が上を向いている。
チャック機構８は上昇し１次いでＱ ＩＪソングルト９
に向けて横方向に移動しく第４図（ロ））、その支持部
８ａを下向きにして下降してＯリングベルト９上に半導
体ウェハース２を乗せる。０リングベルト９は半導体ウ
ェハース２を空の収納キャリア１０に運びキャリア１０
に半導体ウェハース２を支持させる。次にチャック機構
８は上昇し、次いテステーション７に向けて横方向に移
動し、再び下降し下方の二枚口の半導体ウェハース２′
をチャックする。この半導体ウェハースｉはその処理面
が下向きであるので、チャック機構８は上昇後第４１ｉ
＋Ｈに示すように１８００反転してその支持部８ａを上
向きにして半導体ウェハースｉの処理面を上向きにする
。チャック機構８はそのま１０リングベルト９に向けて
横方向に移動し、ｏリングベルト９間を抜けて下まで下
降し、０リングベルト？上に半導体ウェハースｌを乗せ
る。半導体ウェハース２′はＯリングベルト９でキャリ
ア１ｏに送り込まれる。なおキャリア１ｏは半導体ウェ
ハースが１枚送り込まれる毎に送りねじにより１ピツチ
ずつ上昇し、キャリア３は２枚ずつ半導体ウェハースが
取出される毎に１ピツチ下降する。
に向けて横方向に移動しく第４図（ロ））、その支持部
８ａを下向きにして下降してＯリングベルト９上に半導
体ウェハース２を乗せる。０リングベルト９は半導体ウ
ェハース２を空の収納キャリア１０に運びキャリア１０
に半導体ウェハース２を支持させる。次にチャック機構
８は上昇し、次いテステーション７に向けて横方向に移
動し、再び下降し下方の二枚口の半導体ウェハース２′
をチャックする。この半導体ウェハースｉはその処理面
が下向きであるので、チャック機構８は上昇後第４１ｉ
＋Ｈに示すように１８００反転してその支持部８ａを上
向きにして半導体ウェハースｉの処理面を上向きにする
。チャック機構８はそのま１０リングベルト９に向けて
横方向に移動し、ｏリングベルト９間を抜けて下まで下
降し、０リングベルト？上に半導体ウェハースｌを乗せ
る。半導体ウェハース２′はＯリングベルト９でキャリ
ア１ｏに送り込まれる。なおキャリア１ｏは半導体ウェ
ハースが１枚送り込まれる毎に送りねじにより１ピツチ
ずつ上昇し、キャリア３は２枚ずつ半導体ウェハースが
取出される毎に１ピツチ下降する。
・以上のように本発明は半導体ウェハースを収納したキ
ャリアから半導体ウェハースを引き出し、チャック機構
により２枚のうち上方の半導体ウェハースをそのままの
姿勢で、下方の半導体ウェハースを１８０反転させて順
次運び搬送機構によりそれらの半導体ウェハースを空の
キャリア内に収納するようにしたので、ＣＶＤ工程で処
理された組をなす２枚の半導体ウェハースを分離してキ
ャリア内に自動的に収納でき１人手によるピンセット操
作を省くことができ、これにより、半導体ウェハースの
ワレ、欠け、フレークゴミの問題を排除でき且つ自動装
置によシ省力及び作業能率を上げる事ができる。
ャリアから半導体ウェハースを引き出し、チャック機構
により２枚のうち上方の半導体ウェハースをそのままの
姿勢で、下方の半導体ウェハースを１８０反転させて順
次運び搬送機構によりそれらの半導体ウェハースを空の
キャリア内に収納するようにしたので、ＣＶＤ工程で処
理された組をなす２枚の半導体ウェハースを分離してキ
ャリア内に自動的に収納でき１人手によるピンセット操
作を省くことができ、これにより、半導体ウェハースの
ワレ、欠け、フレークゴミの問題を排除でき且つ自動装
置によシ省力及び作業能率を上げる事ができる。
第１図０３は治具に半導体ウェハースを立てた状態の正
面図、第１図０は第１図（へ）の部分拡大図、第２図は
キャリアに半導体ウェハースを入れる状態を示す斜視図
、第５図はキャリアと治具との間における半導体ウェハ
ースの移し替えを示す斜視図、第４閉りは本発明の一実
施例を示す側面図、第４図（２））は平面図、第４図ｅ
→はチャック機構の側面図、第４図に）はチャック機構
と０リングベルトとの関係を示す側面図である。 ２、′１・・・半導体ウェハース ３、！・・・キャリア ６・・・送りねじ ７・・・艮チージョン ８・・・チャック機構 ９・・・０リングベルト １０・・・キャリア
面図、第１図０は第１図（へ）の部分拡大図、第２図は
キャリアに半導体ウェハースを入れる状態を示す斜視図
、第５図はキャリアと治具との間における半導体ウェハ
ースの移し替えを示す斜視図、第４閉りは本発明の一実
施例を示す側面図、第４図（２））は平面図、第４図ｅ
→はチャック機構の側面図、第４図に）はチャック機構
と０リングベルトとの関係を示す側面図である。 ２、′１・・・半導体ウェハース ３、！・・・キャリア ６・・・送りねじ ７・・・艮チージョン ８・・・チャック機構 ９・・・０リングベルト １０・・・キャリア
Claims (1)
- （１）処理面を外側に向けて重ね合された２枚の半導体
ウェハースを組として支持した供給キャリア及びウェハ
ースの供給をうける空の収納キャリアを所定のピッチで
上下動させる機構と１重ね合された２枚の半導体ウェハ
ースを前記供給キャリアから取り出す引出し機構と、空
の収納キャリアに半導体ウェハースを運ぶ搬送機構と、
引出し機構と搬送機構との間を上下及び左右動して往復
し、且つ半導体ウェハースを支持して１８０反転するチ
ャック機構と、からなる気相成長装置用ウェハー立替装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12791081A JPS5830124A (ja) | 1981-08-15 | 1981-08-15 | 気相成長装置用ウエハ−立替装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12791081A JPS5830124A (ja) | 1981-08-15 | 1981-08-15 | 気相成長装置用ウエハ−立替装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5830124A true JPS5830124A (ja) | 1983-02-22 |
Family
ID=14971671
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12791081A Pending JPS5830124A (ja) | 1981-08-15 | 1981-08-15 | 気相成長装置用ウエハ−立替装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5830124A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61192787U (ja) * | 1985-05-25 | 1986-12-01 |
-
1981
- 1981-08-15 JP JP12791081A patent/JPS5830124A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61192787U (ja) * | 1985-05-25 | 1986-12-01 | ||
| JPH0337477Y2 (ja) * | 1985-05-25 | 1991-08-08 |
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