JPS5827687B2 - ダンセイヒヨウメンハソウチ - Google Patents

ダンセイヒヨウメンハソウチ

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JPS5827687B2
JPS5827687B2 JP50066022A JP6602275A JPS5827687B2 JP S5827687 B2 JPS5827687 B2 JP S5827687B2 JP 50066022 A JP50066022 A JP 50066022A JP 6602275 A JP6602275 A JP 6602275A JP S5827687 B2 JPS5827687 B2 JP S5827687B2
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JP
Japan
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piezoelectric substrate
input
conductive
acoustic wave
conductive pin
Prior art date
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Expired
Application number
JP50066022A
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English (en)
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JPS51142245A (en
Inventor
尚三 武野
光一郎 和久井
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Toshiba Corp
Original Assignee
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Shibaura Electric Co Ltd filed Critical Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Publication of JPS51142245A publication Critical patent/JPS51142245A/ja
Publication of JPS5827687B2 publication Critical patent/JPS5827687B2/ja
Expired legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/05Holders; Supports
    • H03H9/10Mounting in enclosures
    • H03H9/1064Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices
    • H03H9/1071Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the SAW device
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/05Holders; Supports
    • H03H9/058Holders; Supports for surface acoustic wave devices
    • H03H9/0585Holders; Supports for surface acoustic wave devices consisting of an adhesive layer
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
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    • H03H9/1064Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices
    • H03H9/1085Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices the enclosure being defined by a non-uniform sealing mass covering the non-active sides of the BAW device
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    • H03H9/145Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は弾性表面波装置に関する。
圧電体表面に交流的電気信号を印加して生じた表面波を
変調して再び電気信号に変換する弾性表面波装置は近年
急速に研究開発されている。
本発明者等はカラーテレビジョン受像機のPIFフィル
タを弾性表面波装置で構成する研究を行った。
PIFフィルタは現在コイルとコンデンサにより構成し
たフィルタを用いており、工業的に実用するにはコスト
が重要視され、安価に構成することが要求される。
従来すでに知られている弾性表面波装置の構造を第1図
及び第2図に示す。
即ち、表面波の発生および伝播媒体となる圧電材料基板
1表面に真空蒸着ホトエツチングなどの手段を用いてA
l膜からなるインターディジタル形の入力および出カド
ランスデューサ電極2(以下IDTと呼ぶ)を設け、こ
の基板1の終端に表面波の反射を防止する吸音材3を塗
布して表面波素子を形成する。
この表面波素子の基板1の裏面をプラスチック製ステム
4に接着剤などにより接着する。
このステム4の周辺部に導電ピン5を植設し、この導電
ピン5に前記入力および出カドランスデューサ2からワ
イヤ6により電気的に接続るす。
その後プラスチック蓋7をキャップし、ステム4に接着
する。
第2図は第1図のプラスチック蓋7をメタル蓋8により
構成し、ステム4を機械的に強固なメタルステム9によ
り構成し、導電ピン5はメタルステム9からガラス体1
0により絶縁して形成したものである。
しかしながら、パッケージは見かげによらず費用がかか
り、特にプラスチックステム4とメタルステム9は数1
0円になり、表面波素子とあわせると、高価になる点が
あった。
本発明は上記点に鑑みなされたもので、表面波を伝播す
る圧電体基板の側壁に導電ピンを寄り添わせて設け、ト
ランスデユーサと電気的に接続された状態でエポキシ樹
脂で一体に被覆固定した安価な弾性表面波装置を提供す
るものである。
以下本発明の詳細な説明する。
圧電体基板21上に真空蒸着あるいはスパッタ法および
ホトエツチングにより金属薄膜例えばアルミニウム(A
l)膜によるインターディジタ/Llの入力および出力
トランスデユーサ23.23を夫々離隔して設ける。
この時同時に入力および出カドランスデューサ22,2
3の夫々の電極リード24を太い導電膜で周辺方向に形
成する。
このようにして表面波素子25を構成する。
この表面波素子25の前記各電極リード24に例えば高
周波加熱溶接して、前記圧電体基板21の側壁に導電ピ
ン26が寄り添って設けられる。
この圧電体基板21上の入力および出カドランスデュー
サ22.23上にギャップを形成する如くキャップ27
を設ける。
このキャップ27はプラスチックス/セラミックスまた
は金属で形成すればよい。
このキャップ27を基板21に例えばシリコンラバー2
8にて接着する。
150℃程度の温度で加熱すれば固化する。
その後、導電ピン26の端部のみを露出してプラスチッ
ク樹脂29により被覆スる。
このプラスチック樹脂29の被覆により導電ピン26を
固定し、一体化して弾性表面波装置を構成する。
この装置は遅延線やフィルタ等何れでもよい。
そして圧電体基板は一般にLiNbO3板が良好である
が、カラーテレビジョン受像機のように温度に対する安
定度の要求されるものにはセラミック基板が安価に入手
できて望ましい。
この場合セラミック基板は焼結体であるため機械的に弱
いが、タンバー的に作用するプラスチック樹脂を用いる
と機械的ショックから保護する効果が得られ、こわれに
くくなる。
さらにまたキャップ27内に不活性ガス例えばArガス
を封入するとさらに信頼性を向上できる。
さらにまた圧電体基板21が極度に薄い場合は圧電体裏
面に補強板を設けてもよい。
以上説明したように本発明によればステムを用いず圧電
体基板の側壁に導電ピンを寄り添わせ、エポキシ樹脂で
一体固化した弾性表面波装置を得ることができるので、
安価に構成できる効果がある。
特に本発明の構成によると、導電ピンと入力あるいは出
カドランスデューサとをワイヤボンディングにより接続
する必要がなく、導電ピンを直接圧電性基板上の導電膜
に接合できるとともに、導電ピンが圧電性基板側壁によ
り支持されるため、導電ピンに外力が加わった場合にも
強固であり、接触不良等の事故も少なくなり信頼性が向
上する。
【図面の簡単な説明】
第1図及び第2図は従来の装置の説明図、第3図及び第
4図は本発明装置の一実施例を説明するための略図であ
る。 21・・・基板、26・・・導電ピン、29・・・エポ
キシ樹脂。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 圧電性基板と、この圧電性基板上に構成された入力
    および出カドランスデューサと、これら入力および出カ
    ドランスデューサにそれぞれ一端が電気的に接続され他
    端が前記圧電性基板周辺に向かって前記圧電性基板上に
    形成された導電膜と、この導電膜に電気的に接続され前
    記圧電性基板の側壁に寄り添って設けられた導電ピンと
    、前記入力および出カドランスデューサで囲む前記圧電
    性基板上にギャップを確保し、前記導電ピンの端部を残
    して該導電ピンを含む前記圧電性基板全体を被覆し固化
    するプラスチック樹脂体とを具備してなることを特徴と
    する弾性表面波装置。
JP50066022A 1975-06-03 1975-06-03 ダンセイヒヨウメンハソウチ Expired JPS5827687B2 (ja)

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JP50066022A JPS5827687B2 (ja) 1975-06-03 1975-06-03 ダンセイヒヨウメンハソウチ

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JP50066022A JPS5827687B2 (ja) 1975-06-03 1975-06-03 ダンセイヒヨウメンハソウチ

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JPS51142245A JPS51142245A (en) 1976-12-07
JPS5827687B2 true JPS5827687B2 (ja) 1983-06-10

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ID=13303873

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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS583413B2 (ja) * 1977-09-12 1983-01-21 日本電波工業株式会社 弾性表面波装置
JPS639127Y2 (ja) * 1979-12-24 1988-03-18
JPS6218968Y2 (ja) * 1980-07-28 1987-05-15
JPS59141811A (ja) * 1983-02-01 1984-08-14 Toyo Commun Equip Co Ltd 圧電デバイスのパツケ−ジ

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5153845U (ja) * 1974-10-22 1976-04-24

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