JPS5825241A - 半導体集積回路装置およびその製造方法 - Google Patents

半導体集積回路装置およびその製造方法

Info

Publication number
JPS5825241A
JPS5825241A JP56122994A JP12299481A JPS5825241A JP S5825241 A JPS5825241 A JP S5825241A JP 56122994 A JP56122994 A JP 56122994A JP 12299481 A JP12299481 A JP 12299481A JP S5825241 A JPS5825241 A JP S5825241A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
bonding
pad
alumite
aluminum
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP56122994A
Other languages
English (en)
Inventor
Tamotsu Usami
保 宇佐美
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP56122994A priority Critical patent/JPS5825241A/ja
Priority to FR8211728A priority patent/FR2510307A1/fr
Priority to KR1019820003080A priority patent/KR840000984A/ko
Priority to GB08221354A priority patent/GB2105107B/en
Priority to DE19823227606 priority patent/DE3227606A1/de
Priority to IT22563/82A priority patent/IT1152455B/it
Publication of JPS5825241A publication Critical patent/JPS5825241A/ja
Priority to GB08402057A priority patent/GB2135121B/en
Priority to GB08402099A priority patent/GB2134709B/en
Priority to SG18986A priority patent/SG18986G/en
Priority to SG20186A priority patent/SG20186G/en
Priority to HK458/86A priority patent/HK45886A/xx
Priority to HK466/86A priority patent/HK46686A/xx
Priority to HK467/86A priority patent/HK46786A/xx
Priority to MY558/86A priority patent/MY8600558A/xx
Priority to MY364/87A priority patent/MY8700364A/xx
Priority to MY1987228A priority patent/MY8700228A/xx
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L24/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/0212—Auxiliary members for bonding areas, e.g. spacers
    • H01L2224/02122—Auxiliary members for bonding areas, e.g. spacers being formed on the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/02163—Auxiliary members for bonding areas, e.g. spacers being formed on the semiconductor or solid-state body on the bonding area
    • H01L2224/02165—Reinforcing structures
    • H01L2224/02166—Collar structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/04042—Bonding areas specifically adapted for wire connectors, e.g. wirebond pads
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/05001—Internal layers
    • H01L2224/05099—Material
    • H01L2224/051—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/05117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/05124—Aluminium [Al] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/0555—Shape
    • H01L2224/05556—Shape in side view
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/05599—Material
    • H01L2224/056—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/05617—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/05624—Aluminium [Al] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
    • H01L2224/48472—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/485—Material
    • H01L2224/48505—Material at the bonding interface
    • H01L2224/48699—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Aluminium (Al)
    • H01L2224/487—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Aluminium (Al) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/48717—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Aluminium (Al) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950 °C
    • H01L2224/48724—Aluminium (Al) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/8536—Bonding interfaces of the semiconductor or solid state body
    • H01L2224/85375—Bonding interfaces of the semiconductor or solid state body having an external coating, e.g. protective bond-through coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
    • H01L2224/8592—Applying permanent coating, e.g. protective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00011—Not relevant to the scope of the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01014—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025—Semiconducting materials
    • H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
    • H01L2924/10253—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体集積回路装置およびその製造方法に関す
る。
従来、半導体集積回路装置（以下工０と称する）の製造
に訃いては、半導体ペレット上に形成したダンディング
パッドと、リード儒のポスト部と全電気的ＫＪＩＩ絖す
るボンディングワイヤとして、金ｌＩ！ｔたはアルミニ
ウムーが使用されている。このうち、アルミニウム纏は
金線に比べて非常に低価格で済むと共に、ポンディング
パッドとの接合が熱履歴によっても劣化しないという霞
点ｔ−有する。
そこで、近＊０工ａｏｍ’ｔｔｔ″３ストの低減という
要求を憫たすため、セラミック型パッケージは勿論、従
来金線［−＆ンデイングワイヤとして用いてい友レジン
モールド型パッケージにおいてもアルミニウムａｌが用
−られるようになってきている。
しかし、レジンモールド型パッケージではパッケージと
リードとｏａａｏ＊関やレジン自体七通してＸａＯ外１
ｓから内置に水分か浸透して来るという欠点が参る。一
方、アルミニウム！１は水分と接触すると簡単に腐食１
起こし、ζＯ結果ＸａＯ＊ｍ性が低下してしまうという
不具合がある。七〇で、アルキニウム纏のコスト的な脣
長會有効に活用する大め、アルキニウム纏の會湿性を同
上させてＩＣの（ｌ頼性會高めることが必要となってき
た。その具体的方法として、アル虐ニウムワイヤおよび
ポンディングパッドの表面をアルマイト処理して酸化皮
膜を形成することが特開昭５２−１１７５５１号公報に
よ〉提案されている。
しかしながら、従来のアルマイト処理方式ではポンディ
ングパッド部分Ｋかいてしばしば配−〇断ｉＩＩ會生じ
、良好な接続が得られないという問題がある。これは、
アルマイト処理によりポンディングパッドの露出面がア
ルミイト化するが、アルマイト化は単に表面部分のみに
留まらず、アルミニウム層のＳＳまで達し、その結果、
ポンディングパッドへの配線部とＯＷ！続が不良となっ
てしまうためである。
本発明の目的は、前記従来技術の課題に鑑み、ポンディ
ングパッドの露出面およびアルミニウムワイヤ表面をア
ルマイト処理してもボンディングパッドでのｌ！Ｆｒ！
１不良を生じることのない牛導体集積回路装置および七
の製造方法を提供することにある。
以下、零発＃４を図面に示す実施例にしたがって詳ＩＩ
ＫＷｌｉ明する。
第１図は本発明によるＸａの第１の実施例の要Ｓを示す
概略的な断面図である。この実施例はレジン封止ｗＯ１
ＯＫ本発明管適用したものであり、工０の外部との接続
端子であるリー゛ド４の一部を除いてモールドレジン３
１によって全体が封止されている。なお、第１図におい
て、工０の左側の断面図は省略しである。
１はシリコンよシなる牛導体基板でＴｏり、仁の基板Ｉ
Ｋ社例えば第３ム図に示すような牛導体素子が形成され
ている。この基板ｌ上には、ｇｉｏ。
膜からなる第１の層間絶縁膜５を介して、ｊｌｌｌのフ
ルを晶つニ層６が形虞されている。仁の了ルミニウム層
・は、本発明にかかる積層構造のポンディングパッド２
８の−Ｓ【構成すると共に１各半導体素子ｌｌ０ＩＩＩ
Ｉやポンディングパッド冨８と他の部分とＯＩＩ続のた
めの下層配線層となる。ヤして、畜らＫこの上には、Ｂ
１０Ｌ膜からなる第２の眉間絶縁膜７ｔ−介して、第２
のアルミニウム層が形成されている。このアルミニウム
層はｌＸ１Ｍ入り了ルミニウムからなる。この銅はアル
ミニウム配ＩＩカエレクトロマイグレーションによって
１ｌｌｒｉｌｉ會生じたシすることを防止するために添
加されるものである。このアルミニウム層は、各領域間
を接続する上層配線層を構成するとともに、本発明Ｋか
かわる積層構造のポンディングパッド２Ｂの一部である
ボンディングｓ８を構成する。このようくいポンディン
グパッド２８ｔ−前記アルミニウム層６とボンディング
［Ｓ８とからなる積層構造とすることによって、後にア
ルマイト層１２ｔ−形成する丸めのアルマイト処理の際
に発生するポンディングパッドの部分での断ＩＩｔ防止
できる。七して、このポンディングパッド２８會除くチ
ップ上面全体管りンシリケートガラスＩＩＸ（以下、Ｐ
８Ｇ膜という）からなる最終保護膜９が覆っている。
以上のような構造体を、金−シリコン共晶３によってタ
ブリード２上にダイボンディングしている。このタブリ
ード２Ｉｌｉリードフレームの一部であり、４２７０イ
（又はリン青銅）からなる。
一方、リードフレームの一部であり、４２７０イ（又は
リン青銅）からなる外部接続リード４の一端にはワイヤ
ボンディングのためのアルミニウム蒸着膜１１が形成さ
れておシ、他趨はモールドレジン３１の外部へ突出して
いる。
そして、ボンディングワイヤ１０によって、外Ｓ接続リ
ード４とポンディングパッド２８とが接続されて−る。
すなわち、ボンディングワイヤの一端社ボンデイングｓ
８に、他ｆＩＩＡＦｉアルミニウム蒸着膜１０ＫＩＮン
デイングされている。このボンディングワイヤはＩＮ＠
入りアルミニウムよシ々シ、ポンディングパッド２８の
ボンディング＠Ｓと同一のイオン化傾向を有するものｉ
ｓ用する。
′＆か、ボンディングの際問題となるアルミニウムワイ
ヤの硬度は、銅を添加したことによってボンディングに
好適な硬度にできる。
このようにワイヤボンディングされ木樽遺体のボンディ
ング［１８およびボンディングワイヤ１００表面を覆う
ように、アルマイト層１２ｉｉＩ−よび１３が形成され
ている。これら２つのアルマイト層は、これらが覆って
いるアルきニウム領域の表面を酸化してｌＩ九ものであ
り主としてム１ｓ０．からなる。
また、ξれらのアルマイト層は、連続して一体となるよ
うに形成されている。このようにアルマイト層を形成す
ることで、ボンディングワイヤ１゜およびボンディング
ｓＳの腐食を防止でき、耐湿性を大きく同上できる。
ｌ／ＩＬ２図は％Ｊ１１図のアルマイト処理されたポン
ディングパッド２Ｂの概略平面図である。同図にシいて
、便宜的に、一部のアルライ）ｊ１！１２又は１３を除
き下地の了ルｉｓ−ウニ雪域８又は１ｏ會示しである。
積層構造のポンディングパッド２８ｔ−構成する一点鎖
纏で示される一層目のアルマイト層６と、二点Ｉ／ＩＡ
ｉＩＩで示される二層目の了ルミニウム層であるボンデ
ィング部８とは、これらの関に形成されている層間絶縁
属７（図示せず）Ｋ開窓された点線て示されるコンタク
トホール３２Ｔｈ介り、て直接接している。換言すれば
、コンタクトホール３２にシいて、ポンディングパッド
２８は一層目と二層目のアルミニウム層６．８が直螢警
した積層構造となってｂる。
そして、このような積層構造の部分つ１！シコンＩＩ　
トホーｘｗ　３２を４１５ようにワイヤボンディングが
なされる。すなわち、了ル電エクムワイヤ１゜とボンデ
ィング部８とが接するボンディング領域が、図中点１１
１ｍ３で示畜れるように、コンタクトホール３２９完全
く覆い隠すようにワイヤボンディングを行う。
このようＫすることで、特にボンディング部８の酸化に
よるアルマイト層１２ｉ形成する際に発生するポンディ
ングパッドでの断ｌｌＩ【完全に防止できる。アルマイ
ト層１２は、ＰＥＧ膜９に覆われた部分と、ボンディン
グ領域３３すなワチアルはニウムワイヤ１０−て覆われ
た部分とを除く領域に形成され、コンタクトホール３２
の部分には形成されることはない。この良め、仮に、ボ
ンディングｓ８が全てアルマイト化しアルマイト層１２
が下側の層間絶縁属７に達するようなことがあっても、
電気的接続はコンタクトホール３２における積層構造に
よって良好に保たれる。すなわち、アルミニウムワイヤ
１Ｇで覆われたボンディング領域３３内のボンディング
ｌｌ８ａ、酸化雰囲気中の水蒸気に触れることはないＯ
てアルマイト化されず、従って、ボンディングｓ８と、
アルミニウムワイヤ１０シよびコンタクトホール３２【
介しての下層アルミニウム層６との接続社良好に優良れ
る。
次に、第３ム図から第５図に本発明による工０の製造方
法１示す。
まず、Ｐ型のシリコン半導体基板ＩＫｓ例えば第３ム図
に示すよう表中導体素子を周知の方法によって形成する
。こＯ半導体素子はｌｉＰ］１ｉｉｌバイポーラトラン
ジスタであシ、そのコレクタ領域はＭ＋型浬込層１５と
Ｍ−型エピタキシアル層１フからｔｎ、七のベース領域
紘ｐＨ領域１９からなシ、そのエミッタ領域は３１ｍ領
域２０からなる。
このバイポーラトランジスタ七個の半導体嵩子と分離す
るために、ｓｔｏｗからなるフィールド酸化１［１８と
この下のＰｌ！チャネルストッパ１６が形成されている
。このｐｍチャネルストッパ１６とＭ＋型置込層１５は
エピタキシ７・ル層１７形成前に基板ｌの表面にイオン
打込みなどＫより形成される。また、フィールド謄化膜
１Ｂ＃ｉエピタキシアル層１７の選択酸化によって得ら
れる。
以上Ｏよう′＆亭導体素子を形成した後、全面に第１の
層間絶縁膜としてＯＶＤ法（ａｈ＠ｍ４ａａｌマ＠ｐａ
ｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ法、気相化学反応法）Ｋよっ
てＳｔＯ，膜Ｓｔ形属する、そして、コレクタ、ベース
シよびニオツタ領域の夫々に対するコンタクトホール２
３．２２シよびｚ　ｉ　ｔＲ窓する。
次に、第３Ｂ図に示すように、１層目の配線層を形成す
る。すなわち、８１０ｓｌ［５土竜面に真空蒸着法によ
って１層目のアルミニウム層を２μｍの厚さに形成する
。そして、これを所望の形状にパターニングして、積層
構造のポンディングパッド２Ｂの一部てｈり、かつこの
ポンディングパッド２Ｂとチップ内部の他の領域との接
続線であるアル（＝ラム層６ｔ−形成するつまた、これ
と同時に、各半導体領域間ｔ−接続するアルミニウム配
線層２４．２５１？よび２６を形成する。
次に、！３０図に示すように、２層目の配置層およびポ
ンディングパッド２Ｂのボンディング部Ｂを形成する。
まず、第２の層間結縁膜として全面Ｋ　ＯＶ　Ｄ法によ
Ｊ）８１０１膜７を形成する。セして、配線層を接続す
るためのコンタクトホールシよびポンディングパッド２
８ｔ−積層構造とするためのコンタクトホール３２ｔ−
開窓する。この後、全面ＫＩＸ４１１人シアルミニウム
層を真空蒸着法によって４μｍの厚さに形成する。そし
て、これを所望の形状にパターニングして、積層構造の
ポンディングパッド２ｇ０１Ｉｌンデイング郁８を形成
する。ま友、これと同時に、配置層２７を形成する。
次に、第３Ｄ図に示すように、最終ｇｉＩＩｌ膜として
リンシリケートガラス膜９（以下、ｐｇｅ膜という）ｔ
−ウェハー上全面にｏｖｎ法によ！＞　８０００；の厚
さに形成する。引き続き、ポンディングパッド２８上の
ｐａＧｊ［９ｔ−、プラズマエツチング等により除去し
、ポンディングパッド２８０ボンデイングｓ８のアルミ
ニウム表面を露出させる。
以上のように最終保護膜ＫＷｔわれたウェハーをダイシ
ングによシ個々のペレットに分離し、さらに各ベレツ）
ｌリードフレームのタブリード上にダイメンディングす
る。
そして、ベレット上のポンディングパッド訃よびリード
フレームの外ｓ接続リードに１アルミニウムワイヤ１０
０両端をそれぞれボンディングする。このアルミニウム
ワイヤ社、直径３０Ｆｍの１ｆＸ鋼入りアル２ニウムか
らなるものである。このアルミニウムワイヤとしては、
既に述べたようにボンディングパット°２Ｂと同一のイ
オン化傾向を有する材質が使用される。本発明によれば
、このワイヤメンディングは、第２図に示したように、
ボンディングパッド２Ｂが積層構造となっている部分す
なわちコンタクトホール３２の上部に行なう。さらに、
ボンディングワイヤのボンディング嘔れた面が、コンタ
クトホール３２を含む面を覆うようにボンディングする
ことか望ましい。なお、このワイヤボンディングされた
状態は１１１１１図、第２図、＃３１図および一４図か
ら明らかであろう。
次に％＃［３１ｔ図に示すように、アルマイト処理を行
って、アルマイト層１２訃よび１３Ｖｔ形成する。まず
、アルマイト処ａｔ行う前処理として、ダンディング部
Ｂの側出面、アルζニウムワイヤ１０の表面およびリー
ド上のアルミニウム蒸着膜１１（第１図参照）の表面に
自然に形成されているアルマイト層を除く。これは、例
えばシェラ酸液中に浸漬してエツチングすることで除去
できる。
次に、ベレット上ボンデイングされたリードフレーム全
体を温度１２０℃、水蒸気圧２気圧の雰囲気中に放置す
ることによって、アルマイト層１２．１３ｔ−形成する
うつまシ、メンディングｓＢの露出面およびアルミニウ
ムワイヤ１０の表面に、その表ｍｔ酸化してそれぞれア
ルマイト層１２および１３ｔ−形成する。アルマイト層
は主としてムｔｌｏ１からなる。このアルマイト層１２
および１３はそれぞれボンデインダ＄Ｉ１８訃よびアル
ミニウムワイヤ１０の腐食を防止する保護膜として働く
ものでめるうま九、アルマイト層１２および１３ｔＩＸ
連続して一体に形成されているので腐食防止のための大
きな効果を有する。このアルマイト処理は、ｔｌ、４図
に示すように、全リード全短絡部３４によって短絡した
状態で行なわれる。次に１モールドレジン３１Ｋ”よっ
て例えば第１図に示すように全体管封止し、引き続き短
絡部３４ｉ切断除去してリード４會所望の形状にするう 次に、ｔＩ／Ｌ５図に示すようにルジン封止された工ａ
’４例えば硫酸（Ｈｔ８０ｇ）溶液に浸漬して、リード
４０表面の酸化ｌＩｔ除去する。すなわち、アルマイト
処理を行うために水蒸気雰囲気中に置い友ために１４２
アロイ（又はりン實銅）からなるリード４０表面上に形
成された不所望な酸化膜を、アルマイト層とこの酸化膜
との性質の違いを利用してこの酸化膜のみを選択的に除
去する。このために、アルマイト層には働かず、この酸
化膜の４會エツチングする溶液として硫酸溶液が用いら
れ、この溶液に約５分間浸漬することでリード４上の酸
化膜が除かれる。このとき、硫酸溶液がモールドレジン
内に浸入することがあっても、アルミニウム蒸ＭＪ［、
アルミニウムワイヤ、ポンディングパッド部などはアル
マイト層によって保護されているので、全く影響はない
つ 以上説明したように、本発明によれば、アルマイト処理
を行ったときのメンディングパッド部でのＷＲａｒ確実
に防止し、良好な配Ｓｔ−保つことができる。
既に述べたように、アルマイト処壊時に、ポンディング
パッド２ＢＯボンデイング１１８０うち、アルミニウム
ワイヤ１０で榎われ友鄭分はアルマイト化されない。一
方、本実ｍ＋例のポンディングパッド２８はボンディン
グ＠Ｓと下層アルきニウム層６との積層構造である。こ
のためアルマイト処理によって生じたフル１４１層１２
が仮Ｋｌンデイング部８０表面から七〇下ｌ１ｉｌＯ鶴
２層間絶縁属７ｔで達し、その間ＯＩｓ分の上層アルミ
ニウム層８か分ｗＩ畜れるようなことかあっても、アル
ミニウムワイヤ１０のボンディング領域３３の下情０ボ
ンディングｓＢは七〇下ｌｌｌの下層アルオニウム層６
とコンタクトホーＪ１２１介して良好な接続を確実に保
つ仁とができる。
以上の効果の働く、本実施例によれば、ボンディングＩ
Ｂｇとアル２ニウムワイヤと１−同一のイオン化傾向を
有する材質とすることによ）、仁れら両者の表ｍＫ良質
なアルマイト層を均一な膜厚に効率よく形成できる。本
発明者の研究によれば、従来アルマイト層管良好に形成
できなかった原因は、ポンディングパッドとアルミニウ
ムワイヤとの開のイオン化傾向の違いに起因する局所電
池効果であること−ＩＩＡ判った。したがって、両者を
同一のイオン化領内を有する材質とすることによって局
所電池効果の発生ｔ−防止できる。この結果１両者０Ｉ
Ｉ−にその酸化（アルマイト化）によって形！ｉＬされ
るプル！イト層ＯＭＥ長速度を同じにてき、均一な膜厚
にできる・ このような効果【奏するのは、アル１ニウム領域への添
加物か鍋である場合に限定されない。つま夛、イオン化
傾岡會有する物質を添加物としてアルミニウムからなる
ボンディングＢＢｍあるいはボンディングワイヤ１０の
いづれか一方に用いた場合には、他の一方にも同一の物
質を添加すれば、添加物が何であるかＫかかわりなく本
発明による上述の如き効果を得ることができる。ｃのと
き添加量もできるだけ同一の割合となるようにするのが
望ましい。
さらに本実施例によれば、製法的に以下のような効果管
層する。ワイヤボンディング後にアル２ニウムワイヤ、
ポンディングパッドをアルマイト処理する際にワイヤボ
ンディングされた全リードを短絡することによって、こ
れらの表面に良質なアルマイト層を均一な膜厚に効率よ
く形成できる。
本発明者の研究によれば、従来アルマイト層上良好に形
成できなかった他の原因は、各リード間に各牛導体領埴
等への接続の具合によって生ずる電位差に起因する局所
電池効果でるることがわかった。したがって、ワイヤボ
ンディングされた全リードを短絡してリード間の電位差
を無くすことにより、全体のアル１４１層の凧長運ＷＩ
Ｌｔ−同じにでき、均一な膜厚にできる。
このように、本実施例によれば、先述の効果と合せてア
ルマイト処理の際に生ずる局所電池効果音完全に防止で
き夷好なアルマイト層を形成できる。
まえ、レジンモールド後にリード表ｍＫアルマイト処環
時に形成された酸化ｊ［會フルｉイト層との性質の違い
ｔ利用して除去できる。したかって少なくともレジン毫
−ルド外に露出しているり一ド＊ｒｉｉａｏ酸化ＩＩＩ
は完全に除去でき、リードの清浄な表面を露出て龜る。
このため、電気的接触を良好に保つことができ工００＠
＠性を同上できる。
また、リード表１ｉＫｊＰ田村けによって牛田層を形成
しようとする場合には、特に半田付けのためにリードの
表面処ｍを行なわずとも、良好な半田付ｒｙｓｃ’ｔｉ
ｂ。
さらに、ワイヤボンディング後のアルマイト処理に先立
って、自然にアルミニウム表向に形成され友了ルマイト
層を除去しているため、アル１４１層を緻１１に％かつ
均一な膜厚に形成できる。
以上一本発１ｌｉＯ第ＸＯ＊施例について詳述しえ。
第６閣は本発鴫Ｏ纏２の実施例を示す図で６９、１１．
１０実施例の９３１図に対応した状部、すなわちワイヤ
ボンデインダ後にポンディングパッド２８のダンディン
グｓ８およびボンディンダワイヤをアルマイト処理した
状ｌＩを示す図である。なお、同図Ｋ＞いて、＃ｌ１１
の実施例と同一の部分に線間−の符号を付しその説明上
省略する。
この実施例において、ＩＩ！１の実施例と異なるのａ、
Ｐ８Ｇｍからなる最終保ｌＩ膜９の下にもアルマイト層
２９が存在する点である。このアルマイト層２９は、２
層目のアル２ニウム配一層２７ｆｉＰよびボンディング
１１８０上面および側面（つｔ、ｂｚ層目の層間絶縁−
１に接していない面）に形成したものであり、仁れらア
ルミニウム領域を酸化することによって得たものである
。仁のアルマイト層２９１１、最終保＄１１９下にあっ
て、主としてアルミニウム配線層２７０腐食を防止する
保嚢属として働くものであ夛、４Ｉｔｃ最ＩＩｋ保饅膜
に欠陥等が生じた場合の腐食防止に有効なもＯ″ｅある
。
こＯＳ施儒は第１の実施例Ｏ製造工ｉにアルマイト層２
９に形成するための一工程を追加することで得られる。
まず、ｌ１１３ム図〜第３０図に示した工種を順を追っ
て行う。
次＄ｃ、１１１目のアルマイト処理を行ってアルマイト
層２９を形成する。ウェハー全体管温度１２０℃、水’
＠％ＰＥ２気圧の雰囲気中Ｋ１０分間放置することによ
りパターニングされたアルイエラム配線層２７およびダ
ンディングｇａの露出した面に、七〇露出して−る部分
を酸化してアルマイト層７を形成する。アルマイト層は
主としてムｔｔｏｍからなる。
次に、第ａｎｇに示すように、最終保護膜としてＰ５１
８ｉ［９１ウ工ハー上全面ＫＯ”ｌＤ法によ１）ｓｏｏ
ｏムの厚さに形成する。引！ｌ続き、ダンディングパッ
ド２ａ上のＰＩ！Ｇｊ［９およびアルマイト層２９【ブ
ラズｉエツチング等によ〕除去し、ダンディングｌｌｌ
０アルオ二ウム表面を露出する。
この後、第１０実施例で示したと全く同一の工１ｍを行
い、レジン封止型ｘＣ１−完成する。特に、ボンディン
グ＠８およびアルミニウムワイヤ１０の表面にアルマイ
ト層１２ｓＰよび１３を形成するために２回目のアルマ
イト処Ｗｔ行う場合は、アルマイト層２９とアルマイト
層８とが連続して一体となるように形成することが望ま
しい。
このように＊２０２０実施よれば、アルζニウムワイヤ
１０およびポンディングｓ８の表面にアルマイト層１２
および１３を形成した弛に、最終保ＳＳ＋Ｕ下にもアル
マイト層２Ｑ−形成したことによって、極めて耐湿性の
良いｌ０ｔ−得ることができる。すなわち、ボンディン
グ＠ａおよびアルζニウムワイヤ１０の腐食會防止でき
るのはもちろん、モールドレジンＯ架橋反応や各領域Ｏ
熱膨張係数の差異による収縮応力に起因するモールドス
トレス又は様々な機械的応力によって最終保護膜にクラ
ック（割れ）を生ずるようなことがあっても、上層アル
ミニ９１１１層２１の腐食はアルマイト層２９によって
防止される。さらに、アル１４ト層ｚ９および１２か連
続して一体に形成されているので、最終保ｇｔ膜９の噌
部とポンディングとの間の隙間から腐食が起ることも防
止できる。
また、＃１の実施例と同様の効果も得られることはもち
ろんである・ なお、本発明においては、レジンモールドを行う前に、
柔軟性を持つアンダーコートレジン、例えばＲ１マー１
ルジン岬ｔアンダーコートしてもよい。それによ炒、ア
ルミニウムワイヤかモールドストレスによって断曽し友
シ、モールドレジンとアル２ニウムワイヤが剥離して水
分がぺＶットに達することを防止でき、さらに耐温性會
向上することが回置となる。
ｔた、本発明はレジンモールド置以外のパッケージ、た
とえばセラミック型、ガラス型、キャビティｍ郷のパッ
ケージにも応用でき、各バクケージの特徴【生かし＆が
ら、低コスト化や高値−化を図ることができる◎ ｖａＥ１ｏｔｓ卑愈説明 １８１図は本発明による半導体集積＠銘装置の第１０実
施＊Ｖｔ示す部分ａｉｍ図、第２図はポンディングパッ
ドの平向−１第３ム図〜第３１図および第ａｌＬ第５１
１は第１０実施例の牛導体集積回路装置の製造プロ竜ス
會頴次示す図、ＪＩＩａ−社本発明による半導体集積（
ハ）路装置の第２の実施ｆｌを示す部分断面図である。
１・・・半導体基板、２・・・タブリード、４・・・１
ノード、５・・・第１層間絶縁膜、６−・・下層アルオ
ニク五層、７・・・第２層間絶縁膜、８・・・ボンディ
ング部、９−・最Ｊｌ保額膜、１０−アル１ニウム９イ
ヤ、１２．１３−アルマイト層、２７・−上層アルミニ
ウム配線層、２Ｂ−・・ボンディンダパツド、２９・・
・フルマイ）層、３０・・・硫酸０１１液、３１・・・
モールドレジン、３２・・・ポンディングパッドｌＩ□
コンタクトホール、３４−・・短絡部。
第　　１　　図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、　ワイヤボンディング用のポンディングパッドを上
    下２層のアルミニウム層からなる積層構造で形成し、下
    層アルミニウム層はポンディングパッドへの配線層を構
    成し、上層アルミニウム層はボンディングｇｔ−構成す
    る半導体集積回路装置。 １　半導体基板上の！１層間絶縁膜の上に下層アルミニ
    ウム層を形成する工程、第２層間絶縁膜を介して上層ア
    ルミニウム層をその一部が前記下層アルミニウム層と直
    接積層てれるよう形成する１薯、前記上層アルミニウム
    層の積層部分上にワイヤボンディングする工程とを有す
    る半導体集積回路装置の製造方法。
JP56122994A 1981-07-24 1981-08-07 半導体集積回路装置およびその製造方法 Pending JPS5825241A (ja)

Priority Applications (16)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56122994A JPS5825241A (ja) 1981-08-07 1981-08-07 半導体集積回路装置およびその製造方法
FR8211728A FR2510307A1 (fr) 1981-07-24 1982-07-05 Dispositif a semi-conducteurs et procede de fabrication d'un tel dispositif
KR1019820003080A KR840000984A (ko) 1981-07-24 1982-07-09 반도체 장치와 그의 제조 방법
GB08221354A GB2105107B (en) 1981-07-24 1982-07-23 Semiconductor device and fabrication method thereof
DE19823227606 DE3227606A1 (de) 1981-07-24 1982-07-23 Halbleitervorrichtung und verfahren zu ihrer herstellung
IT22563/82A IT1152455B (it) 1981-07-24 1982-07-23 Dispositivo a semiconduttori e procedimento per la sua fabbricazione
GB08402099A GB2134709B (en) 1981-07-24 1984-01-26 Semiconductor device and fabrication method thereof
GB08402057A GB2135121B (en) 1981-07-24 1984-01-26 Semiconductor device and fabrication method thereof
SG18986A SG18986G (en) 1981-07-24 1986-03-03 Semiconductor device and fabrication method thereof
SG20186A SG20186G (en) 1981-07-24 1986-03-03 Semiconductor divice and fabrication method thereof
HK458/86A HK45886A (en) 1981-07-24 1986-06-19 Semiconductor device and fabrication method thereof
HK466/86A HK46686A (en) 1981-07-24 1986-06-19 Semiconductor device and fabrication method thereof
HK467/86A HK46786A (en) 1981-07-24 1986-06-19 Semiconductor device and fabrication method thereof
MY558/86A MY8600558A (en) 1981-07-24 1986-12-30 Semiconductor device and fabrication method thereof
MY364/87A MY8700364A (en) 1981-07-24 1987-12-30 Semiconductor device and fabrication method thereof
MY1987228A MY8700228A (en) 1981-07-24 1987-12-31 Semiconductor device and fabrication method thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56122994A JPS5825241A (ja) 1981-08-07 1981-08-07 半導体集積回路装置およびその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS5825241A true JPS5825241A (ja) 1983-02-15

Family

ID=14849646

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP56122994A Pending JPS5825241A (ja) 1981-07-24 1981-08-07 半導体集積回路装置およびその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS5825241A (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6822336B2 (en) Semiconductor device
US6933614B2 (en) Integrated circuit die having a copper contact and method therefor
CN109216307B (zh) 半导体器件及其制造方法
US7030496B2 (en) Semiconductor device having aluminum and metal electrodes and method for manufacturing the same
JP2004296905A (ja) 半導体装置
KR870000350B1 (ko) 다측 배선(多重配線)구조를 가진 전자장치(電子裝置)
US3725743A (en) Multilayer wiring structure
JPS6185844A (ja) 集積回路とその製法
JPS5825241A (ja) 半導体集積回路装置およびその製造方法
GB2105107A (en) Semiconductor device and fabrication method thereof
JPS59229850A (ja) 半導体装置
JPS63216352A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS5817629A (ja) 半導体集積回路装置の製造方法
JPS60224237A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP2007258381A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JPH0682704B2 (ja) 半導体装置
JPS5817627A (ja) 半導体集積回路装置およびその製造方法
JPS5817628A (ja) 半導体集積回路装置およびその製造方法
JPH04731A (ja) 半導体装置及びその製造方法
US20020106903A1 (en) Manufacturing method of semiconductor device
JPS6118157A (ja) 半導体装置
JPS63308924A (ja) 半導体装置
JPS5974651A (ja) 半導体装置
TW506027B (en) Bonding pad structure of copper/low-k material in back end of line manufacture process
JPH10144848A (ja) Ｌｏｃ用銅リードフレーム及びその製造方法