JPS5824445Y2 - 半導体装置 - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 この考案は半導体装置にか・す、特に組立が容易な外囲
器の構造を備えた半導体装置に関する。

−例の従来の高周波半導体装置の構造を第１図によって
説明する。

第１図は従来の高周波半導体装置の外囲器の構造を説明
するためにキャップ装着前の状態を斜視図示するもので
、図において１にて示すステムにおいて２は熱伝導の良
好な銅でなる金属スタッドでこの半導体装置の配設に供
せられる。

３は前記金属スタッドにろう接された円板型のベリリア
磁器、４ Ｃ，４Ｂ、４ Ｅ、４ Ｅ’は前記ベリリア
磁器の上面に接着されたコレクタ、ベース、エミッタの
各電極導出リード、４には前記二つのエミッタ電極導出
リード４ Ｅ 、４ Ｅ’の間を橋絡して電気的に共通
にするリード橋絡部である。

なお、この図では省略されるがコレクタ電極導出リード
４Ｃの延長にてベリリア磁器３の中央部に半導体素子が
配設され、さらにベース、エミッタの各電極導出リード
にポンチ゛イングワイヤで半導体素子の電極との間を電
気的に接続される。

上記の如くなるステムはこの上面の周縁にキャップ５を
封着して外囲器を形成する。

この封着は半導体装置の信頼性を左右する外気との完全
なる気密を達成するために良好なる封着剤を用いると同
時にキャップとステムとの位置合わせが重要となる。

従来の位置合わせ方法では第２図に示す如き治具を用い
て行なわれていた。

すなわち、第２図ａに上面図で、また同図すに一部の断
面図で示される如くステム１の上面周縁部に封着剤６を
介してキャップ５を同心に位置合わせする合わせ治具７
を組合わせし、さらに加重しく図示省略）て所定の温度
と時間で気密性の高い封着が達成される。

上記方式によると適用される治具が高温に耐える材質と
位置ずれの少ない機械的に高い精度を要し、さらに一度
の封着に大量の治具を用意する必要があり高価につく欠
点がある。

また治具を介して加えられる加重がそれぞれの外囲器に
対し均等に、また一つの外囲器の周縁封着面に対し均一
ならしめることは困難であり、封着の気密度に対する信
頼性を欠く欠点もあった。

この考案は上記従来の半導体装置の欠点に鑑み改良され
た構造の外囲器を備えた半導体装置を提供するものであ
る。

この考案にかかる半導体装置は、半導体装置ステムが電
気絶縁材で形成された上面平坦なステム基板と、前記ス
テム基板の上面の中央に配設された半導体素子と、前記
半導体素子の電極を前記ステム基板の上面に沿って外側
方へ延出する板状の複数電極導出リードと、前記電極導
出リードのうち一部を占める電気的に共通な対の電極リ
ード間を橋絡する板状のリード橋絡部と、前記ステム基
板の上面周縁に電極導出リードを挾んで封着されるキャ
ップの内側面に当接するように前記電極導出リードに設
けられた突起を備え、前記ステムにキャップがその内側
面で電極導出リードの突起に当接し位置ぎめ係止され封
着されていることを特徴とする。

次にこの考案を一実施例の高周波半導体装置につき図面
を参照して詳細に説明する。

第３図は外囲器の構造を説明するためにキャップ装着前
の状態を斜視図示するもので、図において月にて示すス
テムにおいて２は熱伝導の良好な銅でなりこの半導体装
置の配設に供せられる金属スタッド、３は前記金属スタ
ッドにろう接された円板型のベリリア磁器、１４ Ｃ，
１４Ｂ 、１４ Ｅ 、１４ Ｅ’は前記ベリリア磁器
の上面に接着されたコレクタ、ベース、エミッタの各電
極導出リード、１４には前記二つのエミッタ電極導出リ
ード１４ Ｅ 、１４ Ｅ’の間を橋絡して電気的に共
通にするリード橋絡部である。

そして図におけるベース電極導出リード１４Ｂ、エミッ
タ電極導出リード１４Ｅ、１４Ｅ’の各々の上面に突起
１０を突出し、このステムにキャップ１５を接続する際
、第４図にステムの上面図にて示す如く突起がキャップ
の内側面１５ａ（第３図、第４図において破線表示）に
当接して位置合わせが達成される如くなる。

すなわち、第４図に明らがな如く、突起はキャップの位
置合わせのためには２個以上がよく、図示の３個にて突
起とキャップ内側面との当接はさして強く施さすとも充
分な精度が得られる。

なお、図には省略されるが上記キャップを装着する前に
コレクタ電極導出リード１４Ｃの延長にてベリリア磁器
の中央部に延在された金属膜に半導体素子が配設され、
さらにベース、エミッタの各電極導出リードにポンチ゛
イングワイヤで半導体素子の電極との間を電気的にそれ
ぞれ接続される。

第４図に示すリードの突起はステムまたはキャップの外
周を等分する間隔（それぞれの間の中心角が約１２０°
）に配置した一例である。

なお、この考案の実施例をさらに第５図に示す。

この例示は二つのエミッタ電極導出リードが相互に連結
される橋絡部１４Ｋにおける立上り部の端縁１４に’、
１４Ｋ“と、ベース電極導出リード１４Ｂに前記実施例
と同様に設けた突起１０の３点によってキャップの内側
面１５ａ（封着予定部を破線表示）に当接して位置ぎめ
係止するものである。

上記を達成するため、エミッタ電極導出リードの内端か
ら橋絡部にかけて形状を若干変更、ないしはフォーミン
グ形状の変更等により立上り部分の橋絡部端縁１４に’
、１４Ｋ“を所望位置にあらしめる。

次に第６図および第７図に示す一実施例は電極導出リー
ドの対向する一対３４ Ｅと３４Ｅ′、または４４ Ｃ
と４４ Ｂにキャップ内側面に切線方向に接する長方形
の突起２０．３０を設けた例である。

上述の各実施例に示された突起の形成にはリード形成の
一例のプレス抜き工程の前後に反対主面側からプレスを
施して所望形状の突起を設けても、または突起形状の部
材を溶接、ろう接等の手段によってもよい。

さらには電極導出リードに第８図に示す如き切起こし４
０を設けても、第９図に部分表示する曲げ部５０を設け
ても好適する。

この考案によればステムにキャップを封着するにあたり
、治具なしで位置合わせが達成でき、均一な加重も可能
かつ確実となり、封着強度は著るしく向上するので半導
体装置の信頼性が著るしく改善される。

また位置合わせの工程が不要となり製造工程の能率が向
上する上に多数の高価な位置合わせ治具が不要である経
済上の利点がある。

また温度上昇時の治具精度の問題も解決され、キャップ
位置合わせ精度の高い外囲器形成を達成するなどの顕著
な数々の利点を有する。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の高周波半導体装置の構造を説明するため
キャップ装着前の状態を示す斜視図、第２図は従来の半
導体装置の封着を説明するための図ａは上面図、図すは
一部を断面図にて示す側面図、第３図はこの考案の一実
施例の高周波半導体装置のキャップ装着前の状態を示す
斜視図、第４図ないし第７図はいずれもそれぞれがこの
考案の実施例を示すステムの上面図、第８図、第９図は
いずれもこの考案にか・る突起形成の別の手段を説明す
るための斜視図である。 なお、図中同一符号は同一または相当部分をそれぞれ示
すもめとする。 １０．２０．３０．４０．５０・・・・・・キャップの
係止手段（１０゜２０．３０は突起）、１１・・・・・
・ステム、１４Ｂ、１４Ｃ，１４Ｅ。 １４ Ｅ’、３４ Ｅ 、３４ Ｅ’、４４ Ｂ 、４
４ Ｃ・・・・・・電極導出り−ド、１４Ｋ・・・・・
・コレクタ電極導出リードの橋絡部、１４ Ｋ’、 １
４ Ｋ″・・・・・・橋絡部の端縁。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 半導体装置のステムが電気絶縁材で形成された上面平坦
   なステム基板と、前記ステム基板の上面の中央に配設さ
   れた半導体素子と、前記半導体素子の電極を前記ステム
   基板の上面に沿って外側方へ延出する板状の複数電極導
   出リードと、前記電極導出リードのうち一部を占める電
   気的に共通な対の電極リード間を橋絡する板状のリード
   橋絡部と、前記ステム基板の上面周縁に電極導出リード
   を挾んで封着されるキャップの内側面に当接するように
   前記電極導出リードに設けられた突起を備え、前記ステ
   ムにキャップがその内側面で電極導出リードの突起に当
   接し位置ぎめ係止され封着されていることを特徴とする
   半導体装置。