JPS5844594Y2 - 半導体ペレツト - Google Patents
半導体ペレツトInfo
- Publication number
- JPS5844594Y2 JPS5844594Y2 JP1978040806U JP4080678U JPS5844594Y2 JP S5844594 Y2 JPS5844594 Y2 JP S5844594Y2 JP 1978040806 U JP1978040806 U JP 1978040806U JP 4080678 U JP4080678 U JP 4080678U JP S5844594 Y2 JPS5844594 Y2 JP S5844594Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- semiconductor
- electrode layer
- semiconductor pellet
- emitter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は半導体ペレットに係り、特に生産性及び熱放散
がすぐれたＤｏｂｌｅ Ｈｅａｔ−ｓｉｎｋ型（以下Ｄ
Ｈ型と呼ぶ）の３端子及び４端子型半導体装置用の半導
体ペレットに関する。
がすぐれたＤｏｂｌｅ Ｈｅａｔ−ｓｉｎｋ型（以下Ｄ
Ｈ型と呼ぶ）の３端子及び４端子型半導体装置用の半導
体ペレットに関する。
３端子及び４端子型半導体装置、例えばトランジスタ等
の製造工程において不可欠であった、ワイアーポンチ゛
イング、ペレットポンチ゛イング時のペレット表裏識別
及びペレットの位置合せ等を必要とせず、生産性のすぐ
れた３端子及び４端子型半導体装置として、例えば第１
図に示すＤ−Ｈ型のトランジスタ、サイリスタ等が提案
され、半導体ペレットとして、例えば゛第２図に示すト
ランジスタペレットが使用されていた。
の製造工程において不可欠であった、ワイアーポンチ゛
イング、ペレットポンチ゛イング時のペレット表裏識別
及びペレットの位置合せ等を必要とせず、生産性のすぐ
れた３端子及び４端子型半導体装置として、例えば第１
図に示すＤ−Ｈ型のトランジスタ、サイリスタ等が提案
され、半導体ペレットとして、例えば゛第２図に示すト
ランジスタペレットが使用されていた。
第１図において、１０は半導体ペレット、１１，１２は
電極リードアセンブリ、１３ Ａ、１３ Ｂは導電棒、
１４Ａ、１４Ｂは導電環、１５Ａ、１５Ｂは絶縁環、１
６はガラススリーブ、１７は補助端子であり、第２図に
おいて、２１はコレクタ層、２２はベース層、２３はエ
ミツタ層、２４はシリコン酸化膜、２５はコレクタ電極
、２６はエミッタ電極、２７はベース電極である。
電極リードアセンブリ、１３ Ａ、１３ Ｂは導電棒、
１４Ａ、１４Ｂは導電環、１５Ａ、１５Ｂは絶縁環、１
６はガラススリーブ、１７は補助端子であり、第２図に
おいて、２１はコレクタ層、２２はベース層、２３はエ
ミツタ層、２４はシリコン酸化膜、２５はコレクタ電極
、２６はエミッタ電極、２７はベース電極である。
しかし、第２図に示す従来の半導体ペレットにはエミッ
タ電極２６及びベース電極の厚さがそろっていないと、
電気的、熱的に良好な半導体ペレッ） １０と電極リー
ドアセンブリ１１．１２の接続が得られないと云う問題
があった。
タ電極２６及びベース電極の厚さがそろっていないと、
電気的、熱的に良好な半導体ペレッ） １０と電極リー
ドアセンブリ１１．１２の接続が得られないと云う問題
があった。
それゆえ、本考案の目的は、電気的、熱的に半導体ペレ
ットと電極リードアセンブリが良好に接続されるＤ−Ｈ
型３端子及び４端子型半導体装置用の半導体ペレットを
提供することにある。
ットと電極リードアセンブリが良好に接続されるＤ−Ｈ
型３端子及び４端子型半導体装置用の半導体ペレットを
提供することにある。
本考案の目的は、第１図に示す電極リードアセンブリ１
１．１２に接続される半導体ペレット１０の主面に平行
な断面の断面積が第３図に示すようにエミッタ電極３６
より小さいベース電極３７の厚み、即ち、半導体ペレッ
ト１０の主面に垂直な方向での厚みをエミッタ電極３６
より厚くすることにより遠戚できる。
１．１２に接続される半導体ペレット１０の主面に平行
な断面の断面積が第３図に示すようにエミッタ電極３６
より小さいベース電極３７の厚み、即ち、半導体ペレッ
ト１０の主面に垂直な方向での厚みをエミッタ電極３６
より厚くすることにより遠戚できる。
第１図において半導体ペレット１０を電極リードアセン
ブリ１１．１２とガラススリーブ１６で封止する際、電
極リードアセンブリ１１．１２とガラススリーブ１６の
熱膨張係数の差により半導体ペレット１０に対し圧縮応
力がかかる。
ブリ１１．１２とガラススリーブ１６で封止する際、電
極リードアセンブリ１１．１２とガラススリーブ１６の
熱膨張係数の差により半導体ペレット１０に対し圧縮応
力がかかる。
ここで、ベース電極３７の方がエミッタ電極３６より厚
くされているから、電極リードアセンブリ１１は先ずベ
ース電極３７に接触する。
くされているから、電極リードアセンブリ１１は先ずベ
ース電極３７に接触する。
このため、熱膨張係数差による圧縮応力はベース電極３
７に対して作用し、ベース電極３７の厚さが薄くなる。
７に対して作用し、ベース電極３７の厚さが薄くなる。
即ち、ベース電極３７とエミッタ電極３６の厚みの差が
小さくなるようにベース電極３７は弾性変形し、ついに
はエミッタ電極３６とベース電極３７は電極リードアセ
ンブリ１１に対し同じ厚さで接続され、半導体ペレット
１０と電極リードアセンブリ１１．１２は電気的、熱的
に良好に接続される。
小さくなるようにベース電極３７は弾性変形し、ついに
はエミッタ電極３６とベース電極３７は電極リードアセ
ンブリ１１に対し同じ厚さで接続され、半導体ペレット
１０と電極リードアセンブリ１１．１２は電気的、熱的
に良好に接続される。
以下本考案によるＤ−Ｈ型トランジスタの実施例を示す
。
。
第３図に示す様、選択拡散法により、コレクタ層３１、
エミツタ層３３を形成した後、真空蒸着法等によりベー
ス電極３７Ａ及びこれを取囲む様にエミッタ電極３６を
形成する。
エミツタ層３３を形成した後、真空蒸着法等によりベー
ス電極３７Ａ及びこれを取囲む様にエミッタ電極３６を
形成する。
さらにベース電極３７Ａ上にベース電極３７ Ｂを形威
し、ベース電極３７の厚みをエミッタ電極３６より厚く
する。
し、ベース電極３７の厚みをエミッタ電極３６より厚く
する。
尚、３４はシリコン酸化膜、３５はコレクタ電極である
。
。
上記の如く製造された半導体ペレツ） １０を電極リー
ドアセンブリ１１及び１２によりはさみ、さらに導電環
１４Ａ、１４Ｂ上にガラススリーブ１６を配置する。
ドアセンブリ１１及び１２によりはさみ、さらに導電環
１４Ａ、１４Ｂ上にガラススリーブ１６を配置する。
次にガラススリーブ１６の軟化温度より高温で熱処理す
ることにより、ガラススリーブ１６と導電環１４Ａ、１
４Ｂを接着させガラススリーブ１６と電極リードアセン
ブリ１１及び１２の熱膨張係数の差により半導体ペレツ
ｌ−１０を圧着させる。
ることにより、ガラススリーブ１６と導電環１４Ａ、１
４Ｂを接着させガラススリーブ１６と電極リードアセン
ブリ１１及び１２の熱膨張係数の差により半導体ペレツ
ｌ−１０を圧着させる。
最後に電気的にエミッタ側の電極リードアセンブリ１１
を判定し、エミッタ側の電極リードアセ７１１月１の導
電環１４Ａに補助端子１７を半田付等により接続して、
第１図に示すＤ−Ｈ型トランジスタが製造される。
を判定し、エミッタ側の電極リードアセ７１１月１の導
電環１４Ａに補助端子１７を半田付等により接続して、
第１図に示すＤ−Ｈ型トランジスタが製造される。
以上により本考案による第３図に示す半導体ペレットを
使用した第１図のＤ−Ｈ型トランジスタは、従来の第２
図に示す半導体ペレットを使用したものと比較して、次
にあげる効果を有する。
使用した第１図のＤ−Ｈ型トランジスタは、従来の第２
図に示す半導体ペレットを使用したものと比較して、次
にあげる効果を有する。
（１）コレクタ、エミッタ、ベース等の各電極は、電極
リードアセンブリに対し、熱的、電気的に良好に接続さ
れるため、半導体装置の信頼性が向上する。
リードアセンブリに対し、熱的、電気的に良好に接続さ
れるため、半導体装置の信頼性が向上する。
（２）接続不良が低減するため半導体装置の合格率が向
上し安価となる。
上し安価となる。
（３）半導体ペレットと電極リードアセンブリ間の熱放
散率が向上するため、装置の許容損失を大きくできる。
散率が向上するため、装置の許容損失を大きくできる。
本考案はトランジスタに限定されることなく、サイリス
タ等化の３端子型半導体装置や双方向サイリスタ等の４
端子型半導体装置においても同様の効果を得ることがで
きる。
タ等化の３端子型半導体装置や双方向サイリスタ等の４
端子型半導体装置においても同様の効果を得ることがで
きる。
第１図は従来のＤ−Ｈ型トランジスタの断面図、第２図
は第１図に示す従来のＤ−Ｈ型トランジスタ用半導体ペ
レットの断面図、第３図は本考案によるＤ−Ｈ型トラン
ジスタ用半導体ペレットの断面図である。 １０・・・・・・半導体ペレツ）、１１．１２・・・・
・・電極リードアセンブリ、１３ Ａ、１３ Ｂ・・・
・・・導電棒、１４Ａ、１４Ｂ・・・・・・導電環、１
５Ａ、１５Ｂ・・・・・・絶縁環、１６・・・・・・ガ
ラススリーブ、１７・・・・・・補助端子、３５・・・
・・・コレクタ電極、３６・・・・・・エミッタ電極、
３７，３７ Ａ、３７ Ｂ・・・・・・ベース電極。
は第１図に示す従来のＤ−Ｈ型トランジスタ用半導体ペ
レットの断面図、第３図は本考案によるＤ−Ｈ型トラン
ジスタ用半導体ペレットの断面図である。 １０・・・・・・半導体ペレツ）、１１．１２・・・・
・・電極リードアセンブリ、１３ Ａ、１３ Ｂ・・・
・・・導電棒、１４Ａ、１４Ｂ・・・・・・導電環、１
５Ａ、１５Ｂ・・・・・・絶縁環、１６・・・・・・ガ
ラススリーブ、１７・・・・・・補助端子、３５・・・
・・・コレクタ電極、３６・・・・・・エミッタ電極、
３７，３７ Ａ、３７ Ｂ・・・・・・ベース電極。
Claims (1)
- たがいに対向する２主面を有し、その一方の主面には第
１電極層と、この第１電極層から離間してこれを取囲む
ように配置された第２電極層とが設けられるとともに反
対主面には第３の電極層が設けられている半導体ペレッ
トにおいて、前記第１電極層及び第２電極層のうち前記
両型面に平行な断面の断面積が小なる方の電極が前記両
型面に垂直な方向での厚さが厚いことを特徴とする半導
体ペレット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1978040806U JPS5844594Y2 (ja) | 1978-03-31 | 1978-03-31 | 半導体ペレツト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1978040806U JPS5844594Y2 (ja) | 1978-03-31 | 1978-03-31 | 半導体ペレツト |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS54145069U JPS54145069U (ja) | 1979-10-08 |
| JPS5844594Y2 true JPS5844594Y2 (ja) | 1983-10-08 |
Family
ID=28910209
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1978040806U Expired JPS5844594Y2 (ja) | 1978-03-31 | 1978-03-31 | 半導体ペレツト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5844594Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5812339A (ja) * | 1981-07-16 | 1983-01-24 | Nec Corp | 半導体装置 |
-
1978
- 1978-03-31 JP JP1978040806U patent/JPS5844594Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS54145069U (ja) | 1979-10-08 |
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