JPS582224A - バリウムフエライト粉末の製造方法 - Google Patents
バリウムフエライト粉末の製造方法Info
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- JPS582224A JPS582224A JP56097548A JP9754881A JPS582224A JP S582224 A JPS582224 A JP S582224A JP 56097548 A JP56097548 A JP 56097548A JP 9754881 A JP9754881 A JP 9754881A JP S582224 A JPS582224 A JP S582224A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はパVウムツェツィ)(la−7エツイト)粉末
O製造方法に係〉、轡に磁気記―用などに適すゐ粒径0
.3J=以下でかり狭い軟度分布を有する微結晶llm
−フェシイト費車0all造jl法に関する。
O製造方法に係〉、轡に磁気記―用などに適すゐ粒径0
.3J=以下でかり狭い軟度分布を有する微結晶llm
−フェシイト費車0all造jl法に関する。
llm−フェライト着京を高懺龍な鍮青テープ、高智度
磁気記―謀体、あるいは記憶素子などの磁性粉として用
いる鳩舎、41性上Il!後が小さいこと好オしくは最
大粒径が0.3岸1IIjt下であること更にはo、o
s −o、s−であるヒと、軟度分布が狭く粒径が拘
−であゐこと、更に結晶成長性がよく粒子の形状がよ)
均一であ為などが強く望まれる。ところが、従来のm造
Wtl健、ζ0ような要求にζたえ得るBa−フェライ
ト場*0刺造紘困−であっ良。
磁気記―謀体、あるいは記憶素子などの磁性粉として用
いる鳩舎、41性上Il!後が小さいこと好オしくは最
大粒径が0.3岸1IIjt下であること更にはo、o
s −o、s−であるヒと、軟度分布が狭く粒径が拘
−であゐこと、更に結晶成長性がよく粒子の形状がよ)
均一であ為などが強く望まれる。ところが、従来のm造
Wtl健、ζ0ような要求にζたえ得るBa−フェライ
ト場*0刺造紘困−であっ良。
即ち、1m−7エツイト看末0劇造方法として、従来−
)Baイオンに1F・イオンとを會む一1!以上0水溶
液をオートクレーブ中にて加熱する方法及び(ロ)B&
イオンとF・イオンとを一8以上の状態で沈殿せしめ、
得られた沈殿物(Ba−7工ツイト各成分〇搗金物)を
900”l)以j:の温度で絢威する方法が知られてい
る。しかし表がら−)0場合には粒儀0.5μ鯛程度の
ものを含んだシしてお)、粒径0.3μ講以下で且つ均
一な形状を有する微結晶B1−フェライト粉末の製造は
困難であつ九。i九、伽)O場合には、焼成過程におい
て微粒子O篩結が進行したりして均一な粒度分布を有す
為微結晶1m−7エライト粉末を得るのがi常に困難で
あつ良。
)Baイオンに1F・イオンとを會む一1!以上0水溶
液をオートクレーブ中にて加熱する方法及び(ロ)B&
イオンとF・イオンとを一8以上の状態で沈殿せしめ、
得られた沈殿物(Ba−7工ツイト各成分〇搗金物)を
900”l)以j:の温度で絢威する方法が知られてい
る。しかし表がら−)0場合には粒儀0.5μ鯛程度の
ものを含んだシしてお)、粒径0.3μ講以下で且つ均
一な形状を有する微結晶B1−フェライト粉末の製造は
困難であつ九。i九、伽)O場合には、焼成過程におい
て微粒子O篩結が進行したりして均一な粒度分布を有す
為微結晶1m−7エライト粉末を得るのがi常に困難で
あつ良。
本発明はこのような事情Kl!!み、煩雑な操作を要せ
ずに、最大粒径0.5IOn以下で粒度分布も狭く、且
つ均一な形状を有する微結晶に一フェライト粉末を製造
しうる方法を提供することを目的とするものである。
ずに、最大粒径0.5IOn以下で粒度分布も狭く、且
つ均一な形状を有する微結晶に一フェライト粉末を製造
しうる方法を提供することを目的とするものである。
以下本発明の詳細な説明すると1本発明は、−9F・及
びyの各イオンを、 一般式: BaO・n (Fa 1−BI M!n%C
% = [:I](ここで、MはCo、Ti
、Ni +Mn、Cu、Zn、 In、G@及び稲から
なる元素群の総括概念を示し、mはθ〜0.2の数で、
nは5.0〜6.0の畝である。)で表されるΔリウム
フエライトの組成に対応すゐ化学量論的割合で含有する
、−12以上の水*箪を、150〜300℃に加熱する
ことによ)、パシウム7エライト前駆体沈殿物を生成さ
せる工程と、前記前駆体沈殿物を800℃以上の温度で
焼成する工程と、を^備すゐΔ讐りム7エライト粉末の
製造方法において、 前記前駆体沈殿物を生成させ為工@O水溶液中に7ツ素
イオyを0.05〜1.00モル含有させることを特徴
とする方法であ為。
びyの各イオンを、 一般式: BaO・n (Fa 1−BI M!n%C
% = [:I](ここで、MはCo、Ti
、Ni +Mn、Cu、Zn、 In、G@及び稲から
なる元素群の総括概念を示し、mはθ〜0.2の数で、
nは5.0〜6.0の畝である。)で表されるΔリウム
フエライトの組成に対応すゐ化学量論的割合で含有する
、−12以上の水*箪を、150〜300℃に加熱する
ことによ)、パシウム7エライト前駆体沈殿物を生成さ
せる工程と、前記前駆体沈殿物を800℃以上の温度で
焼成する工程と、を^備すゐΔ讐りム7エライト粉末の
製造方法において、 前記前駆体沈殿物を生成させ為工@O水溶液中に7ツ素
イオyを0.05〜1.00モル含有させることを特徴
とする方法であ為。
本発明に係ゐ水溶t11はBaイオン及びF・イオンを
必ず含み1Mイオンは目的とするBa−フェライトの組
成に応じて必要ならば含有させる。各元素イオンは、水
清性塩を水K1m1解することによ〕容易に生成する。
必ず含み1Mイオンは目的とするBa−フェライトの組
成に応じて必要ならば含有させる。各元素イオンは、水
清性塩を水K1m1解することによ〕容易に生成する。
かかる水I11性塩としては、例えばlaについては塩
化物、硝酸塩、過塩素酸塩、酢酸塩など:Foについて
は硫酸塩、塩化物、過塩素酸塩、酢酸塩、硝酸塩など零
Mについては塩化物、過塩素酸塩、7ツ化物、硝酸塩な
どがあげられ、適宜選択して用いる。
化物、硝酸塩、過塩素酸塩、酢酸塩など:Foについて
は硫酸塩、塩化物、過塩素酸塩、酢酸塩、硝酸塩など零
Mについては塩化物、過塩素酸塩、7ツ化物、硝酸塩な
どがあげられ、適宜選択して用いる。
水*W中にフッ素イオンを含有させゐには、適嶺な水溶
性フッ化物を湊解させればよいが、7ツ化物としてはN
aF 、LI Fなどが好ましい。フッ素イオンの濃度
は0.05〜1.00モルの範囲であることが必要であ
るがJF!オしくけ0.2〜0.4七ルモある。濃度が
0.05モルより低かったシ、1.00モルより高かっ
たりすると、得られるB&−フェライト粒子が大きくな
9′!ぎ、目□的とする0、3μm以下のものが得雛く
なる。
性フッ化物を湊解させればよいが、7ツ化物としてはN
aF 、LI Fなどが好ましい。フッ素イオンの濃度
は0.05〜1.00モルの範囲であることが必要であ
るがJF!オしくけ0.2〜0.4七ルモある。濃度が
0.05モルより低かったシ、1.00モルより高かっ
たりすると、得られるB&−フェライト粒子が大きくな
9′!ぎ、目□的とする0、3μm以下のものが得雛く
なる。
水溶液の−が12未満でも所望の大きさの微粒子が生成
し難い。−の調整は1例えばNaGEi+ Nat C
Os以上のようにしそ調製した所要の水溶液を、例えば
オートクレーブを用いて150〜300℃、好ましくは
150〜220℃で加熱し、大体20分〜2時間保持す
る′。すると、目的とする前記式Iで示されるB&−フ
ェライトの前駆体沈殿物が生成する。温度が150℃未
濃では焼成工程で結晶が過大に成長するおそれがあシ、
300℃を超えるとこの・工程で大きな粒子となるおそ
れが大iい。
し難い。−の調整は1例えばNaGEi+ Nat C
Os以上のようにしそ調製した所要の水溶液を、例えば
オートクレーブを用いて150〜300℃、好ましくは
150〜220℃で加熱し、大体20分〜2時間保持す
る′。すると、目的とする前記式Iで示されるB&−フ
ェライトの前駆体沈殿物が生成する。温度が150℃未
濃では焼成工程で結晶が過大に成長するおそれがあシ、
300℃を超えるとこの・工程で大きな粒子となるおそ
れが大iい。
この水熱合成の際にフレ嵩イ゛;ンの作用蒼よシ、Ba
−フェライト結晶i子O成長が抑制され、かつ粒径O均
一化も進行する1、 次に得られた前駆体沈殿物を空気中で約800℃以゛上
、好重しくけ170〜920℃で焼成することによ)、
完全な六角板状の結晶に成長させることかで自る。ζO
工程において、従来方法では砿粒子間の成長が進行し、
0.lJmを超える二次粒子の成長が認められたが1本
発明では二次粒子の成長が抑制され、幅方向粒径が0.
8mm以下、%にほぼ0.05〜G、3s+dill内
で粒度分布の狭い超微細e1m−フェフェライト粉末が
得られる。
−フェライト結晶i子O成長が抑制され、かつ粒径O均
一化も進行する1、 次に得られた前駆体沈殿物を空気中で約800℃以゛上
、好重しくけ170〜920℃で焼成することによ)、
完全な六角板状の結晶に成長させることかで自る。ζO
工程において、従来方法では砿粒子間の成長が進行し、
0.lJmを超える二次粒子の成長が認められたが1本
発明では二次粒子の成長が抑制され、幅方向粒径が0.
8mm以下、%にほぼ0.05〜G、3s+dill内
で粒度分布の狭い超微細e1m−フェフェライト粉末が
得られる。
このようにして得られilm−フェライト粉末は、水−
溶液に7ツ素イオyを會壜せない従来方法で製造したも
のと、結晶の形状、X曽解析によゐ解析ピークの強度及
び化学組成などの点で同一である。
溶液に7ツ素イオyを會壜せない従来方法で製造したも
のと、結晶の形状、X曽解析によゐ解析ピークの強度及
び化学組成などの点で同一である。
し゛かし、7ツ素イオy共存下の沈殿生成によ多、沈殿
物の粒子はよ)微Sttものとして得られ、しかも個々
の粒子表両が安定化している九めに、続く鉤”威過程で
は結晶化O与が進行し、粒子間の反応が余シ起らないも
のと考えられゐ。
物の粒子はよ)微Sttものとして得られ、しかも個々
の粒子表両が安定化している九めに、続く鉤”威過程で
は結晶化O与が進行し、粒子間の反応が余シ起らないも
のと考えられゐ。
次に、本発明を実施例によ)具体的に説明する。
実施例1
2.0MF@Cts 水溶液100・−11、OB4
1aC4水溶@210wt、1.OMcoC4水漕液1
b4−および1.0MTlC4水溶液184−から謙る
温合清涼を10℃以下に冷却した螢、1.OMNa(]
H’*溶液900w1および4.OMNaF水II箪か
らなる拠金S筐に添加して褐色沈殿を含むpillBの
水**を得友0次いでこ0pH13の水槽液をオートク
レーブ中で300℃にて1時間加熱したととるBa 0
.6 (F@ 0.04 。
1aC4水溶@210wt、1.OMcoC4水漕液1
b4−および1.0MTlC4水溶液184−から謙る
温合清涼を10℃以下に冷却した螢、1.OMNa(]
H’*溶液900w1および4.OMNaF水II箪か
らなる拠金S筐に添加して褐色沈殿を含むpillBの
水**を得友0次いでこ0pH13の水槽液をオートク
レーブ中で300℃にて1時間加熱したととるBa 0
.6 (F@ 0.04 。
Co O,07、Ti G、07 )logの化学組成
を有する前駆体沈殿物が生成した。ヒO沈殿物について
水洗、乾燥処理を施してから四−ターリ−キルン式乾燥
機内に収容し、900℃で45分間鉤放し九ところ強磁
性を有する六方晶系Ba−フェライト粉末が得られた。
を有する前駆体沈殿物が生成した。ヒO沈殿物について
水洗、乾燥処理を施してから四−ターリ−キルン式乾燥
機内に収容し、900℃で45分間鉤放し九ところ強磁
性を有する六方晶系Ba−フェライト粉末が得られた。
第1図は、このようにして製造したBa−フェライト粉
末の走査型電子願黴鏡(81M)写真(倍率×30.0
00)である。
末の走査型電子願黴鏡(81M)写真(倍率×30.0
00)である。
得られ九六方晶系−−フエライト粉末は板状比がいずれ
も10以上で且つ粒径%0.0 sNo、zμ解の微粒
で粒度分布は非常に狭い範囲内にあり良。
も10以上で且つ粒径%0.0 sNo、zμ解の微粒
で粒度分布は非常に狭い範囲内にあり良。
しかも、上記に−7エツイト場末O製造操作を数回繰返
して4各−フシ間で殆んど変動のない磁気特性、粒度分
布を有し九Hm−7エツイト粉末が得られた。また上紀
実論例−にシいてF・O置換金属元素としてkh、ムも
しくは!鳳を用いても同様の結果が得られ良。
して4各−フシ間で殆んど変動のない磁気特性、粒度分
布を有し九Hm−7エツイト粉末が得られた。また上紀
実論例−にシいてF・O置換金属元素としてkh、ムも
しくは!鳳を用いても同様の結果が得られ良。
比較例
NaF * II筐を用いないほかは、実施例1と金(
同様にして六方晶系1&−7エツイト験末を製造した。
同様にして六方晶系1&−7エツイト験末を製造した。
第2Iaはとoyh−フェライト粉末の1i!!M写真
(倍率X80,00G)である。
(倍率X80,00G)である。
第1811と第1閣を比較すれば明らかなように、lI
膣何例1粉末は舎粒子O粒偽が小さく、かつ軟度及び形
状の均−IIkが著しく高いことがわかる。
膣何例1粉末は舎粒子O粒偽が小さく、かつ軟度及び形
状の均−IIkが著しく高いことがわかる。
実施例2
2、OMFIC4水S筐1G00mg、1.0M1aC
4水濃tIi16G−かb龜る拠金本II波を30℃以
下に冷却させツツこれを10MNaC[I水@i190
Qsg&!び4.OMNaF’ *fa910 G−か
らなる混合濤諌に添加して茶褐色を殿を含む一130溶
筐を得え。
4水濃tIi16G−かb龜る拠金本II波を30℃以
下に冷却させツツこれを10MNaC[I水@i190
Qsg&!び4.OMNaF’ *fa910 G−か
らなる混合濤諌に添加して茶褐色を殿を含む一130溶
筐を得え。
この溶液をオートクレーブ中で100℃にて1時間加熱
したところho・6F・108の化学組成をもつ前駆体
沈殿物が得られた。この沈殿物について水洗、乾燥処理
を施し先後、流動層鉤成炉にて920℃で1時間焼成し
たところ完全な六角板状で幅方向の平均粒径が0.05
〜0−2snsO黴結晶l微結−フエツイト粉末が得ら
れた。
したところho・6F・108の化学組成をもつ前駆体
沈殿物が得られた。この沈殿物について水洗、乾燥処理
を施し先後、流動層鉤成炉にて920℃で1時間焼成し
たところ完全な六角板状で幅方向の平均粒径が0.05
〜0−2snsO黴結晶l微結−フエツイト粉末が得ら
れた。
第1図は本発明において得九Ba−フェライト粉末につ
いてO走査種電子顕微鏡(sm>写真、そして第2図は
従来法で得たBa−7エツイト粉末についての5DIA
写真である。各写真の倍率はs o、o o 。 倍である。 第1図 第2図
いてO走査種電子顕微鏡(sm>写真、そして第2図は
従来法で得たBa−7エツイト粉末についての5DIA
写真である。各写真の倍率はs o、o o 。 倍である。 第1図 第2図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 11a m F@及びyの各イオンを、一般式: Ba
□n (Fsl−mli&n)***(ζこで、MはC
o * Ti s Ni 5M11e Cm s k
* In e −及び歯からなゐ元素群O@括概禽を示
し、瓢はO−0,20数で、n轄5.0〜6.009で
′hゐ。)で表されるバリウム7エライ)0組JilE
K対応すゐ化学量論的割合で含有するPH11以上の水
Illを、110〜300℃に加熱することKより、Δ
譬りム7エライト前駆体沈殿物を生成させる工程と、前
記前駆体沈殿物を800℃以上の温度で鉤威する工程と
、を^備すゐバリウム7エツイト肴末OIi造方法にお
いて、 前記前駆体沈殿物を生成させる工sの水湊筐中にフッ素
イオンを0.05〜1.00モル食有名せることを特徴
とする方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56097548A JPS582224A (ja) | 1981-06-25 | 1981-06-25 | バリウムフエライト粉末の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56097548A JPS582224A (ja) | 1981-06-25 | 1981-06-25 | バリウムフエライト粉末の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS582224A true JPS582224A (ja) | 1983-01-07 |
JPH025692B2 JPH025692B2 (ja) | 1990-02-05 |
Family
ID=14195288
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56097548A Granted JPS582224A (ja) | 1981-06-25 | 1981-06-25 | バリウムフエライト粉末の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS582224A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58180807A (ja) * | 1982-03-29 | 1983-10-22 | ニユ−モ・コ−ポレ−シヨン | 流体作動器 |
JPS60143429A (ja) * | 1983-12-29 | 1985-07-29 | Fuji Photo Film Co Ltd | 磁気記録媒体 |
JPS6289746A (ja) * | 1985-06-15 | 1987-04-24 | Tdk Corp | 不要モ−ド抑制材料 |
JPS62176919A (ja) * | 1986-01-31 | 1987-08-03 | Sony Corp | バリウムフエライト粉末の製法 |
US4781852A (en) * | 1986-10-24 | 1988-11-01 | Olin Corporation | Process for making selected doped barium and strontium hexaferrite particles |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55157062A (en) * | 1979-05-25 | 1980-12-06 | Fujitsu Ltd | Automatic deposit cashier |
-
1981
- 1981-06-25 JP JP56097548A patent/JPS582224A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55157062A (en) * | 1979-05-25 | 1980-12-06 | Fujitsu Ltd | Automatic deposit cashier |
Cited By (5)
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---|---|---|---|---|
JPS58180807A (ja) * | 1982-03-29 | 1983-10-22 | ニユ−モ・コ−ポレ−シヨン | 流体作動器 |
JPS60143429A (ja) * | 1983-12-29 | 1985-07-29 | Fuji Photo Film Co Ltd | 磁気記録媒体 |
JPS6289746A (ja) * | 1985-06-15 | 1987-04-24 | Tdk Corp | 不要モ−ド抑制材料 |
JPS62176919A (ja) * | 1986-01-31 | 1987-08-03 | Sony Corp | バリウムフエライト粉末の製法 |
US4781852A (en) * | 1986-10-24 | 1988-11-01 | Olin Corporation | Process for making selected doped barium and strontium hexaferrite particles |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH025692B2 (ja) | 1990-02-05 |
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