JPS58222088A - カルバペナム誘導体およびその製造法 - Google Patents
カルバペナム誘導体およびその製造法Info
- Publication number
- JPS58222088A JPS58222088A JP57103276A JP10327682A JPS58222088A JP S58222088 A JPS58222088 A JP S58222088A JP 57103276 A JP57103276 A JP 57103276A JP 10327682 A JP10327682 A JP 10327682A JP S58222088 A JPS58222088 A JP S58222088A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- atom
- protected
- lower alkyl
- substituent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/55—Design of synthesis routes, e.g. reducing the use of auxiliary or protecting groups
Landscapes
- Nitrogen Condensed Heterocyclic Rings (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は一般式
を有する新規なカルバペナムカル−ぐン酸誘導体および
その塩並びにその製造法に関するものである。
その塩並びにその製造法に関するものである。
上記式中 Ｒ１は水素原子、低級アルキル基または保護
されてもよい１−ヒドロキシエチル基を示し、Ｒ２は水
素原子またはカルがキシ基の保護基を示し、Ｒ５は保護
されてもよいカルざキシ基、シアノ基、低級アルキルス
ルフィニル基、１ アリールスルフィニル基、低
級アルキルスルホニル基またはアリールスルホニル基を
示し Ｒ４は保護されてもよいカル７３ζキシ基、シア
ノ基、置換分として保護されてもよい水酸基、ハロゲン
原子、保護されてもよいアミノ基若しくは式示す。）を
有してもよい低級アルコキシ基、ヘテロシクリルオキシ
基、アリール部分に置換分として低級アルキル基、ハロ
ゲン原子若しくは低級アルコキシ基を有してもよいアラ
ルギルオキシ基、トリ低級アルキルシリルオキシ基、置
換分として保護されてもよい水酸基、ハロゲン原子、保
諌されてもよいアミン基若しくは式アルキルチオ基、置
換分として低級アルキル基、保護されてもよい水酸基、
ハロダン原子、保護義を示す。）ｔ−有してもよいシク
ロアルキルチオ基、置換分として低級アルキル基、ハロ
ゲン原子若しくは低級アルコキシ基を有してもよいアリ
ールチオ基、アリールスルフィニル基若しくはアリール
スルホニル基、アリール部分に置換分として低級アルキ
ル基、ノ・ロダン原子若したは硫黄原子を有してもよく
、環上に置換分として低級アルキふ基を有してもよいヘ
テロシクリルチオ基で、その窒素原子が保護基若しくは
ものと同意ａを示す。）を有してもよいものまたは環内
に窒素原子、酸素原子および／または硫黄原子を有する
ヘテロアリールチオ基で、環上に置換分として、低級ア
ルキル基、保護されを示す。）を有するものを示す。
されてもよい１−ヒドロキシエチル基を示し、Ｒ２は水
素原子またはカルがキシ基の保護基を示し、Ｒ５は保護
されてもよいカルざキシ基、シアノ基、低級アルキルス
ルフィニル基、１ アリールスルフィニル基、低
級アルキルスルホニル基またはアリールスルホニル基を
示し Ｒ４は保護されてもよいカル７３ζキシ基、シア
ノ基、置換分として保護されてもよい水酸基、ハロゲン
原子、保護されてもよいアミノ基若しくは式示す。）を
有してもよい低級アルコキシ基、ヘテロシクリルオキシ
基、アリール部分に置換分として低級アルキル基、ハロ
ゲン原子若しくは低級アルコキシ基を有してもよいアラ
ルギルオキシ基、トリ低級アルキルシリルオキシ基、置
換分として保護されてもよい水酸基、ハロゲン原子、保
諌されてもよいアミン基若しくは式アルキルチオ基、置
換分として低級アルキル基、保護されてもよい水酸基、
ハロダン原子、保護義を示す。）ｔ−有してもよいシク
ロアルキルチオ基、置換分として低級アルキル基、ハロ
ゲン原子若しくは低級アルコキシ基を有してもよいアリ
ールチオ基、アリールスルフィニル基若しくはアリール
スルホニル基、アリール部分に置換分として低級アルキ
ル基、ノ・ロダン原子若したは硫黄原子を有してもよく
、環上に置換分として低級アルキふ基を有してもよいヘ
テロシクリルチオ基で、その窒素原子が保護基若しくは
ものと同意ａを示す。）を有してもよいものまたは環内
に窒素原子、酸素原子および／または硫黄原子を有する
ヘテロアリールチオ基で、環上に置換分として、低級ア
ルキル基、保護されを示す。）を有するものを示す。
前記一般式ＣＩ）１において、好適にはＲ１が水素原子
、例エハメナル、エチル、ｎ−プロピル、イソゾロビル
、ロージチル、インブチルのような低級アルキル基また
は保護されてもよい１−ヒドロギシエチル基であり、Ｒ
２が水素原子またはカル・＋？キシ基の保護基であり
Ｒ３が保護されてもよいカルｄ？キシ基、シアノ基、例
えばメチルスルフィニル、エチルスルフィニル、ｎ−ｆ
ロピルスルフイニル、ｎ−ブチルスルフィニル、イソブ
チルスルフィニルのような低級アルキルスルフィニル基
、例エバベンゼンスルフィニル、ｐ−トルエンスルフイ
ニルノヨウｆｘ、 ７ ！Ｊ −ルスルフイニル基、例
、ｔばメチルスルホニル、エチルスルホニル、ｎ −７
’ロビルスルポニル、！】−ブチルスルホニル、イソブ
チルスルボニルのよう々低級アルキルスルホニル基また
はｆｌＪ 、ｔ ハベンゼンスルホニル、ｐ−）ルエン
スルホニルのよう々アリールスルホニル基であり、Ｒ４
が保護されてもよいカル７にキシ基、シアノ基、置換分
として保護されてもよい水酸基、弗素、塩素、臭素のよ
うなハロダン原子、保躾されてもよいメチル、エチル、
ｎ−プロピル、イソゾロビル、ｎ−ブチル、イソブチル
のような低級アルキル基を示す。）を有してもよいメト
キシ、エトキシ、ｎ−プロアｊセキシ、イソプロポキン
、ｎ−ブトキシ、インブトキシのような低級アルコキシ
基、テトラヒドロピラニルオキシのようなヘテロシクリ
ルオキシ基、アリール部分に置換分と（、（Ｊ −ｆ−
ｙｖｌ、ケア２、。−２゜、Ｊ、、イ、オ。 □゛
・ｉピル、ｎ−ブチル、イソブチルのような低級アルキ
ル基、弗素、塩素、臭素のようなハロゲン原子若しくは
メトキシ、エトキシ、ＩＩ−プロポキシ、イソプロポキ
ン、ｎ−ブトキシ、イソプ分として保護されてもよい水
酸基、弗素、塩素、具索のようなノーロダン原子、保護
されてもよい有してもよいメチルチオ、エチルチオ、ｎ
−プロピルチオ、イソゾロビルチオ、ｎ−ブチルチオ、
インブチルチオのような低級アルキルチオＭ、ｗ．部分
としてメチル、エチル〜 ｎ−プロピル、イソゾロビル
、ｎ−ブチル、イソブチルのような低級アルキル基、保
護されてもよい水酸基、弗素、塩素、臭素のよりな〕・
ロダン原子、義を示す。）を有してもよいシクロブチル
チオ、シクロブチルチオ、シクロペンチルチオ、シクロ
ヘキシルチオ、シクロヘプチルチオのような三員環乃至
七員環状のシクロアルキルチオ基、置換分としてメチル
、エチル、ｎ−プロピル、イソゾロビル、ｎ−ブチル、
イソブチルのような低級アルキル基、弗素、塩素、臭素
のようなハロゲン原子若しくはメトキシ、エトキン、ｎ
−プロポキシ、イソプロポキン、ｎ−ブトキシ、イソブ
トキシのような低級アルコキシ基を有してもよいフェニ
ルチオ、ナフチルチオ、フェニルスルフィニル、フェニ
ルスルホニルのようなアリールチオ、アリールスルフィ
ニル若しくはアリールスルホニル基、アリール部分に置
換分としてメチル、エチル、ｎ−プロピル、イソゾロビ
ル、ｎ−ブチル、イソブチルのような低級アルキル基、
弗素、塩素、臭素のようなノ・ロダン原子若しくはメト
キシ、エトキシ、ｎ−プロポキシ、イソプロポキン、ｎ
−ブトキシ、インブトキシのような低級アルコキシ基を
有し３−フェニルゾロビルチオのようなアラルキルチオ
基、アジリジニルチオ、アゼチノニルチオ、ピロリゾル
チオ、ピペリノニルチオ、ヘキサヒドロアゼピニルチオ
、テトラヒドロピリミノニルチオ、イミダゾリソニルチ
オ、オキサシリノニルチオ、チアゾリジニルチオ、モル
ホリニルでもよく、環上に置換分としてメチル、エチル
、ｎ−プロピル、ｎ−ブチル、イソブチルのような低級
アルキル基を有してもよい三員環乃至七員環状のへテロ
シクリルチオ基で、その窒素原してもよいもの−または
ピロリルチオ、イミダゾリルチオ、トリアゾリルチオ、
テトラゾリルチオ、ビラゾリルチオ、イソオキサゾリル
チオ、イソチアゾリルチオ、フラニルチオ、チオフラニ
ルチオ、ピリノルチオ、ピラノニルチオ、ピリミノニル
チオ、ピリダジニルチオのような環内に窒素原子、酸素
原子および／または硫黄原子を有するヘテロアリールチ
オ基で、環上に置換分としてメチル、エチル、ｎ−７’
ロピル、インゾロビル、ｎ−ブチル、イソブチルのよう
な低級アルキル基、保護されてもよいアミノ基若のであ
る化合物をあげることができる。
、例エハメナル、エチル、ｎ−プロピル、イソゾロビル
、ロージチル、インブチルのような低級アルキル基また
は保護されてもよい１−ヒドロギシエチル基であり、Ｒ
２が水素原子またはカル・＋？キシ基の保護基であり
Ｒ３が保護されてもよいカルｄ？キシ基、シアノ基、例
えばメチルスルフィニル、エチルスルフィニル、ｎ−ｆ
ロピルスルフイニル、ｎ−ブチルスルフィニル、イソブ
チルスルフィニルのような低級アルキルスルフィニル基
、例エバベンゼンスルフィニル、ｐ−トルエンスルフイ
ニルノヨウｆｘ、 ７ ！Ｊ −ルスルフイニル基、例
、ｔばメチルスルホニル、エチルスルホニル、ｎ −７
’ロビルスルポニル、！】−ブチルスルホニル、イソブ
チルスルボニルのよう々低級アルキルスルホニル基また
はｆｌＪ 、ｔ ハベンゼンスルホニル、ｐ−）ルエン
スルホニルのよう々アリールスルホニル基であり、Ｒ４
が保護されてもよいカル７にキシ基、シアノ基、置換分
として保護されてもよい水酸基、弗素、塩素、臭素のよ
うなハロダン原子、保躾されてもよいメチル、エチル、
ｎ−プロピル、イソゾロビル、ｎ−ブチル、イソブチル
のような低級アルキル基を示す。）を有してもよいメト
キシ、エトキシ、ｎ−プロアｊセキシ、イソプロポキン
、ｎ−ブトキシ、インブトキシのような低級アルコキシ
基、テトラヒドロピラニルオキシのようなヘテロシクリ
ルオキシ基、アリール部分に置換分と（、（Ｊ −ｆ−
ｙｖｌ、ケア２、。−２゜、Ｊ、、イ、オ。 □゛
・ｉピル、ｎ−ブチル、イソブチルのような低級アルキ
ル基、弗素、塩素、臭素のようなハロゲン原子若しくは
メトキシ、エトキシ、ＩＩ−プロポキシ、イソプロポキ
ン、ｎ−ブトキシ、イソプ分として保護されてもよい水
酸基、弗素、塩素、具索のようなノーロダン原子、保護
されてもよい有してもよいメチルチオ、エチルチオ、ｎ
−プロピルチオ、イソゾロビルチオ、ｎ−ブチルチオ、
インブチルチオのような低級アルキルチオＭ、ｗ．部分
としてメチル、エチル〜 ｎ−プロピル、イソゾロビル
、ｎ−ブチル、イソブチルのような低級アルキル基、保
護されてもよい水酸基、弗素、塩素、臭素のよりな〕・
ロダン原子、義を示す。）を有してもよいシクロブチル
チオ、シクロブチルチオ、シクロペンチルチオ、シクロ
ヘキシルチオ、シクロヘプチルチオのような三員環乃至
七員環状のシクロアルキルチオ基、置換分としてメチル
、エチル、ｎ−プロピル、イソゾロビル、ｎ−ブチル、
イソブチルのような低級アルキル基、弗素、塩素、臭素
のようなハロゲン原子若しくはメトキシ、エトキン、ｎ
−プロポキシ、イソプロポキン、ｎ−ブトキシ、イソブ
トキシのような低級アルコキシ基を有してもよいフェニ
ルチオ、ナフチルチオ、フェニルスルフィニル、フェニ
ルスルホニルのようなアリールチオ、アリールスルフィ
ニル若しくはアリールスルホニル基、アリール部分に置
換分としてメチル、エチル、ｎ−プロピル、イソゾロビ
ル、ｎ−ブチル、イソブチルのような低級アルキル基、
弗素、塩素、臭素のようなノ・ロダン原子若しくはメト
キシ、エトキシ、ｎ−プロポキシ、イソプロポキン、ｎ
−ブトキシ、インブトキシのような低級アルコキシ基を
有し３−フェニルゾロビルチオのようなアラルキルチオ
基、アジリジニルチオ、アゼチノニルチオ、ピロリゾル
チオ、ピペリノニルチオ、ヘキサヒドロアゼピニルチオ
、テトラヒドロピリミノニルチオ、イミダゾリソニルチ
オ、オキサシリノニルチオ、チアゾリジニルチオ、モル
ホリニルでもよく、環上に置換分としてメチル、エチル
、ｎ−プロピル、ｎ−ブチル、イソブチルのような低級
アルキル基を有してもよい三員環乃至七員環状のへテロ
シクリルチオ基で、その窒素原してもよいもの−または
ピロリルチオ、イミダゾリルチオ、トリアゾリルチオ、
テトラゾリルチオ、ビラゾリルチオ、イソオキサゾリル
チオ、イソチアゾリルチオ、フラニルチオ、チオフラニ
ルチオ、ピリノルチオ、ピラノニルチオ、ピリミノニル
チオ、ピリダジニルチオのような環内に窒素原子、酸素
原子および／または硫黄原子を有するヘテロアリールチ
オ基で、環上に置換分としてメチル、エチル、ｎ−７’
ロピル、インゾロビル、ｎ−ブチル、イソブチルのよう
な低級アルキル基、保護されてもよいアミノ基若のであ
る化合物をあげることができる。
水酸基の保護基としては好適には例えばアセパ？ニル、
ｐ−ニトロベンジルオキシカルｒＪ？ニルのようなアラ
ルキルオキシカルボニル基、例えばメチルスルホニル、
エチルスルホニル、フロビルスルホニルのような低級ア
ルキルスルホニル基、例えばベンゼンスルホニル、］）
−）ルエンスルホニルのよウナアリールスルホニル基、
例えばトリメチルシリル、ｔｅｒｔ−プチルゾメチルシ
Ｖルのようナトリ低級アルキルシリル基をあげることが
できる。
ｐ−ニトロベンジルオキシカルｒＪ？ニルのようなアラ
ルキルオキシカルボニル基、例えばメチルスルホニル、
エチルスルホニル、フロビルスルホニルのような低級ア
ルキルスルホニル基、例えばベンゼンスルホニル、］）
−）ルエンスルホニルのよウナアリールスルホニル基、
例えばトリメチルシリル、ｔｅｒｔ−プチルゾメチルシ
Ｖルのようナトリ低級アルキルシリル基をあげることが
できる。
ル、エチル、ｎ−７’ロピル、イノゾロビル、ｎ−グチ
ル、イソブチル、ｔａｒｔ−ブチルのような低級アルキ
ル基、例えば２−ヨードエチル、２゜２−ジブロモエチ
ル、２１２１２− ） ＩＪジクロロテルのようなハロ
ケ゛ノ低級アルキル基、例えばメトキシメチル、エトキ
シメチル、ｎ−プロポキシメチル、イソシトキシメチル
、ｂ−ブトキン。
ル、イソブチル、ｔａｒｔ−ブチルのような低級アルキ
ル基、例えば２−ヨードエチル、２゜２−ジブロモエチ
ル、２１２１２− ） ＩＪジクロロテルのようなハロ
ケ゛ノ低級アルキル基、例えばメトキシメチル、エトキ
シメチル、ｎ−プロポキシメチル、イソシトキシメチル
、ｂ−ブトキン。
シメナル、イソシトキシメチルのような低級アセトキシ
メチル基、例えばアセトキシメチル、ゾロピオニルオキ
シメチル、ｎ−ブチリルオキシメチル、イソブチリルオ
キシメチル、ピバＩ〕イルオキシメチルのような低級脂
肪族アシルオキシメチル基、例えば１−メトキシカルボ
ニルオキシエテル、１−エトキシカルボニルオキシエチ
ル、１−ｎ−プロＪキシカルＪ？ニルオキシエチル、１
−イソゾロボキシ力ルゲニルオキシエチル、１−ｎ−プ
トキ／カルｚＪζニルオキシエチル、１−インブトキシ
カルがニルオキシエチルのような１−低級アルコキシカ
ルボニルオキシエチル基、例えばペンノル、ｐ−メトキ
シベン・ツル、０−ニトロベンシル、ｐ−ニトロベンジ
ルのようなアラルキル基、ベンズヒドリル基またはフタ
リジル基をあ゛げることができる。
メチル基、例えばアセトキシメチル、ゾロピオニルオキ
シメチル、ｎ−ブチリルオキシメチル、イソブチリルオ
キシメチル、ピバＩ〕イルオキシメチルのような低級脂
肪族アシルオキシメチル基、例えば１−メトキシカルボ
ニルオキシエテル、１−エトキシカルボニルオキシエチ
ル、１−ｎ−プロＪキシカルＪ？ニルオキシエチル、１
−イソゾロボキシ力ルゲニルオキシエチル、１−ｎ−プ
トキ／カルｚＪζニルオキシエチル、１−インブトキシ
カルがニルオキシエチルのような１−低級アルコキシカ
ルボニルオキシエチル基、例えばペンノル、ｐ−メトキ
シベン・ツル、０−ニトロベンシル、ｐ−ニトロベンジ
ルのようなアラルキル基、ベンズヒドリル基またはフタ
リジル基をあ゛げることができる。
アミノ基の保−基としては好適ＶＣはアセチル、ゾロビ
オニル、ｎ−ブチリル、インブチリルのようなアシル基
、トリフルオロアセチル、トリクロロアセチルのような
ハロゲノアセチル基、ベンジル、ｐ−ニトロベンジル、
ノフェニルメチルのようなアラルキル基またはベンジル
オキシカルｒニル、ｐ−ニトロベンジルオキシカルｄ？
ニルのようなアラルキルオキシカルボニル基をあげるこ
とができる。
オニル、ｎ−ブチリル、インブチリルのようなアシル基
、トリフルオロアセチル、トリクロロアセチルのような
ハロゲノアセチル基、ベンジル、ｐ−ニトロベンジル、
ノフェニルメチルのようなアラルキル基またはベンジル
オキシカルｒニル、ｐ−ニトロベンジルオキシカルｄ？
ニルのようなアラルキルオキシカルボニル基をあげるこ
とができる。
前記一般式（１）において、さらに好適にはＲ１が水素
原子または保護されてもよい１、−ヒドロキシエチル基
であ、ｌ、Ｒ２が水素原子まに、はカルボキシ基の保護
基でおシ Ｒ６が保護されてもよいカルがキシ基、シア
ノ基、メタンスルフィニル、エタンスルフィニルのよう
な低級アルキルスルフィニル基、ベンゼンスルフィニル
、ｐ−トルエンスルフィニルのヨウ’＆アリールスルフ
ィニル基、メチルスルホニル、エチルスルホニルのよう
な低級アルキルスルホニル基、ベンゼンスルホニル、ｐ
−トルエンスルホ；ルのようなアリールスルホニル基で
あり、Ｒ４が置換外として保画さ！してもよい水酸基、
弗素、塩素、臭素のようなハロダン原子、保護されても
よいアミノエチル、ｎ−プロピルのような低級アルキル
基を示す。）ヲ壱してもよいメトキシ、エトキシ、ｎ−
プロポキシのような低級アルコキシ基、テトラヒドロピ
ラニルオキシ基、アリール部分に置換外としてメチル、
エチル、ｎ−プロピルのような低級アルキル基、メトキ
シ、エトキシのような低級アルコキシ基若しくは弗素、
塩素、キルオキシ基、置換外として保護されてもよい水
酸基、弗素、坊素、臭素のよりなノ・ロダン原子、保設
さｉｌてもよいアミノ基若しくは式たものと同意義を示
す。）を有してもよいメチルチオ、エチルチオ、ｎ−プ
ロピルチオ、イソプロピルチオ、Ｉ＋−ブチルチオ、イ
ンブチルチオのような低級アルキルチオ基、置換外とし
てメチル、エチル、ｎ−プロピルのような低級アルキル
基、保護さハてもよい水酸基、弗素、塩素、臭素のよう
なハロダン原子、保睦されてもを有してもよいシクロブ
チルチオ、シクロペンチルチオ、シクロヘキシルチオの
よりな四員猿乃至六員環状のシクロアルキルチオ基、置
換外としてメチル、エチル、ｎ−プロピルのような低級
アルキル基、弗素、塩素、臭素のよりなノ・ロダン原子
若しくはメトキシ、エトキシ、ｎ−１、ニ ブロア１ｅキシのような低級アルコキシ基を有してモヨ
いフェニルチオ、フェニルスルフィニル、フェニルスル
ボニルのようなアリールチオ、アリールスルフィニル若
シくはアリールスルホニル基、アリール部分に置換外と
してメチル、エチル、ｎ−プロピルのような低級アルキ
ル基、弗素、塩素、臭素のよりなノ・ロダン原子若しく
はメトキシ、エトキシ、ｎ−プロポキシのような低級ア
ルコキシ基を有してもよいペンジルチオ〉 オ、フェニルエチルチオのようなアラルキルチオ基、ア
ゼチジニルチオ、ピロリジルチオ、ピペリジニルチオ、
テトラヒドロビリミノニルチオ、イミダゾリゾニルチオ
、オキサゾリゾニルチオ、チアシリノニルチオ、モルホ
リニルチオ、チオモルポリニルチオのような環内に窒素
原子Ｄ＼フ 合有し）素原子または硫黄原子含有してもよく、環上に
置換外としてメチル基を有してもよい四員環乃至六員環
状のへテロシクリルチオ基義を示す。’）１−有しても
よいものまたはインブチルチオ、トリアゾリルチオ、テ
トラゾ＋７ ／Ｌ。
原子または保護されてもよい１、−ヒドロキシエチル基
であ、ｌ、Ｒ２が水素原子まに、はカルボキシ基の保護
基でおシ Ｒ６が保護されてもよいカルがキシ基、シア
ノ基、メタンスルフィニル、エタンスルフィニルのよう
な低級アルキルスルフィニル基、ベンゼンスルフィニル
、ｐ−トルエンスルフィニルのヨウ’＆アリールスルフ
ィニル基、メチルスルホニル、エチルスルホニルのよう
な低級アルキルスルホニル基、ベンゼンスルホニル、ｐ
−トルエンスルホ；ルのようなアリールスルホニル基で
あり、Ｒ４が置換外として保画さ！してもよい水酸基、
弗素、塩素、臭素のようなハロダン原子、保護されても
よいアミノエチル、ｎ−プロピルのような低級アルキル
基を示す。）ヲ壱してもよいメトキシ、エトキシ、ｎ−
プロポキシのような低級アルコキシ基、テトラヒドロピ
ラニルオキシ基、アリール部分に置換外としてメチル、
エチル、ｎ−プロピルのような低級アルキル基、メトキ
シ、エトキシのような低級アルコキシ基若しくは弗素、
塩素、キルオキシ基、置換外として保護されてもよい水
酸基、弗素、坊素、臭素のよりなノ・ロダン原子、保設
さｉｌてもよいアミノ基若しくは式たものと同意義を示
す。）を有してもよいメチルチオ、エチルチオ、ｎ−プ
ロピルチオ、イソプロピルチオ、Ｉ＋−ブチルチオ、イ
ンブチルチオのような低級アルキルチオ基、置換外とし
てメチル、エチル、ｎ−プロピルのような低級アルキル
基、保護さハてもよい水酸基、弗素、塩素、臭素のよう
なハロダン原子、保睦されてもを有してもよいシクロブ
チルチオ、シクロペンチルチオ、シクロヘキシルチオの
よりな四員猿乃至六員環状のシクロアルキルチオ基、置
換外としてメチル、エチル、ｎ−プロピルのような低級
アルキル基、弗素、塩素、臭素のよりなノ・ロダン原子
若しくはメトキシ、エトキシ、ｎ−１、ニ ブロア１ｅキシのような低級アルコキシ基を有してモヨ
いフェニルチオ、フェニルスルフィニル、フェニルスル
ボニルのようなアリールチオ、アリールスルフィニル若
シくはアリールスルホニル基、アリール部分に置換外と
してメチル、エチル、ｎ−プロピルのような低級アルキ
ル基、弗素、塩素、臭素のよりなノ・ロダン原子若しく
はメトキシ、エトキシ、ｎ−プロポキシのような低級ア
ルコキシ基を有してもよいペンジルチオ〉 オ、フェニルエチルチオのようなアラルキルチオ基、ア
ゼチジニルチオ、ピロリジルチオ、ピペリジニルチオ、
テトラヒドロビリミノニルチオ、イミダゾリゾニルチオ
、オキサゾリゾニルチオ、チアシリノニルチオ、モルホ
リニルチオ、チオモルポリニルチオのような環内に窒素
原子Ｄ＼フ 合有し）素原子または硫黄原子含有してもよく、環上に
置換外としてメチル基を有してもよい四員環乃至六員環
状のへテロシクリルチオ基義を示す。’）１−有しても
よいものまたはインブチルチオ、トリアゾリルチオ、テ
トラゾ＋７ ／Ｌ。
チオ、ビラゾリルチオ、フラニルチオ、チオフラニルチ
オ、ピリジルチオ、ピラジニルチオ、ピリミジニルチオ
、ピリダジニルチオのような環内に窒素原子、酸素原子
および／または硫黄原子を有するヘテロアリールチオ基
で、壌土に置換外としてメチル、エチル、ｎ−プロピル
のような低級アルキル基、保護されてもよいアミるもの
である化合物をあげることができる。
オ、ピリジルチオ、ピラジニルチオ、ピリミジニルチオ
、ピリダジニルチオのような環内に窒素原子、酸素原子
および／または硫黄原子を有するヘテロアリールチオ基
で、壌土に置換外としてメチル、エチル、ｎ−プロピル
のような低級アルキル基、保護されてもよいアミるもの
である化合物をあげることができる。
水酸基の保握基としてはさらに好適にはアセチル、プロ
ピオニル、ｎ−ブチリル、インブチリルのような低級脂
肪族アシル基、ベンジルオキシカルがニル、ｐ−ニトロ
ベンジルオキシカル）ｊζニルのようなアラルキルオキ
シカルｌ？ニル基、トリメチルシリル、ｊｅｒｔ−ブチ
ルツメチルシリルのようなトリ低級アルキルシリル基を
めげることができる。
ピオニル、ｎ−ブチリル、インブチリルのような低級脂
肪族アシル基、ベンジルオキシカルがニル、ｐ−ニトロ
ベンジルオキシカル）ｊζニルのようなアラルキルオキ
シカルｌ？ニル基、トリメチルシリル、ｊｅｒｔ−ブチ
ルツメチルシリルのようなトリ低級アルキルシリル基を
めげることができる。
カルボキシ基の保護基としてはさらに好適にはメチル、
エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イ
ソブチル、ｔａｒｔ−ブチルのような低級アルキル基、
２−ヨードエチル、２゜２−ノブロモエチル、２，２．
２−） １） クロロエチルのようなハロゲノ低級アル
キル基、メトキシメチル、エトキシメチルのような低級
アセトキシメチル基、アセトキシメチル、プロピオニル
オキシメチル、ｎ−ブチリルオキシメチル、イソブチリ
ルオキシメチル、ピバロイルオキシメチルのような低級
脂肪族アシルメキシメチル基、１−）トキ７カル＋Ｐニ
ルオキシエチルトキシカルシｊζニルオキシエナルのよ
りな１−低級アルコキシカルメニルオキシエチル基、ペ
ンノル、ｐ〜ニトロベンジルのようなアラルキル基、ベ
ンズヒドリル基またはフタリノル基をあげることができ
る。
エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イ
ソブチル、ｔａｒｔ−ブチルのような低級アルキル基、
２−ヨードエチル、２゜２−ノブロモエチル、２，２．
２−） １） クロロエチルのようなハロゲノ低級アル
キル基、メトキシメチル、エトキシメチルのような低級
アセトキシメチル基、アセトキシメチル、プロピオニル
オキシメチル、ｎ−ブチリルオキシメチル、イソブチリ
ルオキシメチル、ピバロイルオキシメチルのような低級
脂肪族アシルメキシメチル基、１−）トキ７カル＋Ｐニ
ルオキシエチルトキシカルシｊζニルオキシエナルのよ
りな１−低級アルコキシカルメニルオキシエチル基、ペ
ンノル、ｐ〜ニトロベンジルのようなアラルキル基、ベ
ンズヒドリル基またはフタリノル基をあげることができ
る。
アミノ基の保１！！！基としてはさらに好適にはアセチ
ル、７′ｐピオニルのような低級脂肪族アシル基、ペン
ノル、ｐ−ニトロペンノル、ジフェニルメチルのような
アラルキル基“またはベンジルオキシカルづ？ニル、ｐ
−ニトロベンジルオキシカルｌ／ニルのようなアラルキ
ルオキシカルがニル基をあげることができる。
ル、７′ｐピオニルのような低級脂肪族アシル基、ペン
ノル、ｐ−ニトロペンノル、ジフェニルメチルのような
アラルキル基“またはベンジルオキシカルづ？ニル、ｐ
−ニトロベンジルオキシカルｌ／ニルのようなアラルキ
ルオキシカルがニル基をあげることができる。
前記一般式（Ｉ）において、特に好適にはＲ１が水素原
子または保護されてもよい１−ヒドロキシエチル基であ
シ、Ｒ２が水素原子またはカルボキシ基の保護基であり
、Ｒｓが保護されてもよいカルがキシ基またはシアノ基
であシ、Ｒ４がメトキシ、エトキシ、ｎ−プロポキシの
ような低級アルコキシ基、ペンノルオキシ基、置換分と
して保護されてもよい水酸基、弗素、塩素、臭素のよう
なハロダン原子、保護されてもよいアミノ基を示す。）
を有してもよいメチルチオ、エチルチオ、ｎ−ゾルビル
チオ、インゾルピルチオのような低級アルキルチオ基、
置換分として保養を示す。）を有するシクロブチルチオ
、シフ □ロペンチルチオのような四員壌乃至五
員環状シ １（クロアルキルチオ基、置換分とし
てメチル、エチル、ｎ−プロピルのような低級アルキル
基、弗素、塩素、臭素のようなハロゲノ原子、メトキシ
、エトキシのような低級アルコキシ基を有してもよいフ
ェニルチオ基、ペンノルチオ基、アゼチジニルチオ、ピ
ロリジルチオ、ピペリジニルチオ、テトラヒドロビリミ
ノニルチオのような四員項乃至六員環状アｅノチオ基で
、そのを有してもよいものまたは２−ビリノルチオ、３
−ビリノルチオ、４−ビリゾルチオ、４．６−ノメチル
ー２−ピリミジルチオのようなヘテロアリールチオ基で
ある化合物’に６けることができる。
子または保護されてもよい１−ヒドロキシエチル基であ
シ、Ｒ２が水素原子またはカルボキシ基の保護基であり
、Ｒｓが保護されてもよいカルがキシ基またはシアノ基
であシ、Ｒ４がメトキシ、エトキシ、ｎ−プロポキシの
ような低級アルコキシ基、ペンノルオキシ基、置換分と
して保護されてもよい水酸基、弗素、塩素、臭素のよう
なハロダン原子、保護されてもよいアミノ基を示す。）
を有してもよいメチルチオ、エチルチオ、ｎ−ゾルビル
チオ、インゾルピルチオのような低級アルキルチオ基、
置換分として保養を示す。）を有するシクロブチルチオ
、シフ □ロペンチルチオのような四員壌乃至五
員環状シ １（クロアルキルチオ基、置換分とし
てメチル、エチル、ｎ−プロピルのような低級アルキル
基、弗素、塩素、臭素のようなハロゲノ原子、メトキシ
、エトキシのような低級アルコキシ基を有してもよいフ
ェニルチオ基、ペンノルチオ基、アゼチジニルチオ、ピ
ロリジルチオ、ピペリジニルチオ、テトラヒドロビリミ
ノニルチオのような四員項乃至六員環状アｅノチオ基で
、そのを有してもよいものまたは２−ビリノルチオ、３
−ビリノルチオ、４−ビリゾルチオ、４．６−ノメチル
ー２−ピリミジルチオのようなヘテロアリールチオ基で
ある化合物’に６けることができる。
同様な保護基である。
従来、医薬とし℃広く使用されている抗生物質には縮合
環系βーラクタム化合物であるペニシリン、セファロス
ポリン系化合物が多かった。
環系βーラクタム化合物であるペニシリン、セファロス
ポリン系化合物が多かった。
近年極めて強い抗菌作用を有するβーラク、タム系抗生
物質として２−カルバペネム構造を有するチェナマイシ
ン及びオリパニック酸が発見されるに至り、その合成法
の開発研究が広く行われて来た。
物質として２−カルバペネム構造を有するチェナマイシ
ン及びオリパニック酸が発見されるに至り、その合成法
の開発研究が広く行われて来た。
果、その合成中間体としてＸ要な化合物である前記一般
式（１）を有する化合物の合成に成功し、本発明を完成
した。
式（１）を有する化合物の合成に成功し、本発明を完成
した。
なお、前記一般式（Ｉ）を有する化合物において、不斉
炭素原子に基く光学異性体及び立体異性体が存在し、そ
れらの異性体が全て単一の式で示されるが、これによっ
て本発明の記載の範囲は限定されるものではない。しか
しながら、好適には５位の炭素原子がペニシリン類と同
一配位すなわちＲ配位を有する化合物を選択することが
出来る。さらに前記一般式（１）においてＲ２が水素原
子を有するカルΔ？ン酸化合物は塩にすることができ、
その塩としては、リチウム、ナトリウム、カリウム、カ
ルシウム、マグネシウムのような無機金属塩またはアン
モニウム、シクロヘキシルアンモニウム、ツインプロピ
ルアンモニウム、トリエチルアンモニウムのよう々アン
モニウム塩類をあげることができるが、好適にはナトリ
ウム塩またはカリウム塩である。
炭素原子に基く光学異性体及び立体異性体が存在し、そ
れらの異性体が全て単一の式で示されるが、これによっ
て本発明の記載の範囲は限定されるものではない。しか
しながら、好適には５位の炭素原子がペニシリン類と同
一配位すなわちＲ配位を有する化合物を選択することが
出来る。さらに前記一般式（１）においてＲ２が水素原
子を有するカルΔ？ン酸化合物は塩にすることができ、
その塩としては、リチウム、ナトリウム、カリウム、カ
ルシウム、マグネシウムのような無機金属塩またはアン
モニウム、シクロヘキシルアンモニウム、ツインプロピ
ルアンモニウム、トリエチルアンモニウムのよう々アン
モニウム塩類をあげることができるが、好適にはナトリ
ウム塩またはカリウム塩である。
本発明によって得られる前記一般式（１）を有する化合
物としては例えば以下に記載する化合物をあげることが
できる。
物としては例えば以下に記載する化合物をあげることが
できる。
Ｉ ＨＭｅ ＣＯ２Ｍｅ ＣＯ２Ｍｅ
２ ＨＥｔ Ｃ□□Ｅｔ ｃｏ□Ｅｔ
３ Ｈ！Ｖｉｅ ＣＯ７Ｍｅ ＣＮ４
ＨＭｅ Ｃｏ□Ｍｅ ＯＭｅ５
ＨＭｅ ＣＯ２Ｍｅ ０ＣＨ２Ｐｈ６
ＨＣＨ２Ｐｈ Ｃｏ２ＣＨ２Ｐｈ Ｏ−８１
＜＋７ ＨＣＨ２Ｐｈ −Ｃｏ２ＣＨ２Ｐｈ
５Ｅｔ８ＨＣＨ２Ｐｈｃｏ２ｃＨ２Ｐｈｓ−ｃＨ２Ｃ
）（２ＮＩ■２１１ ＨＭｅ Ｃｏ２Ｍｅ
５ＣＨ２Ｐｈ１４ Ｍｅ Ｍ ｅ
ＣＯ２Ｍｅ ５−Ｆ２ｔ１５ Ｅ
ｔ Ｍ ｅ ＣＯ２Ｍａ Ｓ−Ｐ
ｈ１６ ０Ｓｉ ＋ Ｍｅ ＣＯ２Ｍｅ
Ｃｏ２Ｍｅ人ゝ １７ Ｒ８ｌ ｓ＋ Ｍｅ ＣＯ２Ｍｅ
ＣＮ１８ 父ｓｔ辻 Ｍｅ 、 ＣＯ２Ｍ・
０°ｔ１９ ０８１ ＋ Ｍｅ Ｃ
Ｏ２Ｍｅ ０−ＣＨ２Ｐｂ人ゝ ２０ Ｃ１５ｉ、＋ Ｅｔ Ｃｏ２ＥｔＯ−
８ｉ’＋＼ ２１ ０Ｓｔ ＋ Ｍｅ Ｃ（）ｚＭｅ
Ｓ−Ｍｅ大ゝ ２２ １Ｓ ｉ ％＋ Ｍｅ ＣＯ２Ｍｅ
Ｓ ）ｊ＝ｔ２３ ２Ｓｌｓ＋ Ｐ−ｔ
ＣＯ２Ｅ ｔ Ｓ−ＣＨ２ｃＨ２Ｆ４
６ ０８１ ＋Ｅｔ ５ＯＥｔ ０
ＣＨ２Ｐｈ人＼ ４７ ＣｌＳｉ Ｘ＋ ＫＱｅ ８０Ｅｔ
−８−１”２４８ ｉｓｔ、＋ ｎｏｒ
５ＯｎＰｒ ８−Ｐｈ４９ ０８１
イト Ｍｅ ＳＯＭｅ
Ｓ’［＝−ＮＰＮＺ人ゝ ５０ ０８ｉ ’＋ Ｅｔ ８０に；ｔ
８−最）１、 ＼ ５１ ０８ｉ 、４八１ｅ ８０２Ｍｅ
ＣＯ２Ｍｅノ、 ５２ ０ＣＨ２Ｐｊ、 ＣＨ２Ｐｈ ＳＯ２Ｍｅ
Ｃｏ２ＣＨ２Ｐｈ人 ５３（ＩｃＨ＞Ｐｈ Ｃ’ＩＩ声ｓ Ｓｏ２Ｍｅ
ＣＮ５４ Ｆｉｔ＋ Ｍｅ ８０２Ｍｅ
８−Ｍｏ２Ｓ ２ｓｉ 、＋ ｋｔ
５ｏ２Ｅｔ ５−Ｐｈ６２ ３２８１ 、、＋
Ｍｅ ８０２Ｐｈ ８−Ｍｅ６６
９Ｓｌ＜ｌ−ＣＨ２Ｐｈ ５ｏ２Ｐｈ ５
−Ｐｈ７３ ２ｂ １、（−Ｍｅ ｂＣＩＶＪｅ
５ＯＰｈ７４ ０Ｓｓ Ｊ−ＣＨ２Ｐｈ
ＳＯＭｅ ｓｏ ２Ｍｅ末 ７５ ０Ｓｉ ＋ Ｍｅ ＳＯＭｅ
Ｓｏ□Ｐｈ入 ＼ ７６ ９！、ｓｉ ：３＋−Ｍｅ
Ｓｏ２Ｍｅ ＳＯ２Ｍｅ７７ ＸＳ
１＜ｔ−Ｍｅ ＳＯ２Ｍｅ Ｓｏ ２ Ｐ
ｈ＆中、ＰＮＺは）！ラニトロベンノルオキシヵルがニ
ル基を示す。
２ ＨＥｔ Ｃ□□Ｅｔ ｃｏ□Ｅｔ
３ Ｈ！Ｖｉｅ ＣＯ７Ｍｅ ＣＮ４
ＨＭｅ Ｃｏ□Ｍｅ ＯＭｅ５
ＨＭｅ ＣＯ２Ｍｅ ０ＣＨ２Ｐｈ６
ＨＣＨ２Ｐｈ Ｃｏ２ＣＨ２Ｐｈ Ｏ−８１
＜＋７ ＨＣＨ２Ｐｈ −Ｃｏ２ＣＨ２Ｐｈ
５Ｅｔ８ＨＣＨ２Ｐｈｃｏ２ｃＨ２Ｐｈｓ−ｃＨ２Ｃ
）（２ＮＩ■２１１ ＨＭｅ Ｃｏ２Ｍｅ
５ＣＨ２Ｐｈ１４ Ｍｅ Ｍ ｅ
ＣＯ２Ｍｅ ５−Ｆ２ｔ１５ Ｅ
ｔ Ｍ ｅ ＣＯ２Ｍａ Ｓ−Ｐ
ｈ１６ ０Ｓｉ ＋ Ｍｅ ＣＯ２Ｍｅ
Ｃｏ２Ｍｅ人ゝ １７ Ｒ８ｌ ｓ＋ Ｍｅ ＣＯ２Ｍｅ
ＣＮ１８ 父ｓｔ辻 Ｍｅ 、 ＣＯ２Ｍ・
０°ｔ１９ ０８１ ＋ Ｍｅ Ｃ
Ｏ２Ｍｅ ０−ＣＨ２Ｐｂ人ゝ ２０ Ｃ１５ｉ、＋ Ｅｔ Ｃｏ２ＥｔＯ−
８ｉ’＋＼ ２１ ０Ｓｔ ＋ Ｍｅ Ｃ（）ｚＭｅ
Ｓ−Ｍｅ大ゝ ２２ １Ｓ ｉ ％＋ Ｍｅ ＣＯ２Ｍｅ
Ｓ ）ｊ＝ｔ２３ ２Ｓｌｓ＋ Ｐ−ｔ
ＣＯ２Ｅ ｔ Ｓ−ＣＨ２ｃＨ２Ｆ４
６ ０８１ ＋Ｅｔ ５ＯＥｔ ０
ＣＨ２Ｐｈ人＼ ４７ ＣｌＳｉ Ｘ＋ ＫＱｅ ８０Ｅｔ
−８−１”２４８ ｉｓｔ、＋ ｎｏｒ
５ＯｎＰｒ ８−Ｐｈ４９ ０８１
イト Ｍｅ ＳＯＭｅ
Ｓ’［＝−ＮＰＮＺ人ゝ ５０ ０８ｉ ’＋ Ｅｔ ８０に；ｔ
８−最）１、 ＼ ５１ ０８ｉ 、４八１ｅ ８０２Ｍｅ
ＣＯ２Ｍｅノ、 ５２ ０ＣＨ２Ｐｊ、 ＣＨ２Ｐｈ ＳＯ２Ｍｅ
Ｃｏ２ＣＨ２Ｐｈ人 ５３（ＩｃＨ＞Ｐｈ Ｃ’ＩＩ声ｓ Ｓｏ２Ｍｅ
ＣＮ５４ Ｆｉｔ＋ Ｍｅ ８０２Ｍｅ
８−Ｍｏ２Ｓ ２ｓｉ 、＋ ｋｔ
５ｏ２Ｅｔ ５−Ｐｈ６２ ３２８１ 、、＋
Ｍｅ ８０２Ｐｈ ８−Ｍｅ６６
９Ｓｌ＜ｌ−ＣＨ２Ｐｈ ５ｏ２Ｐｈ ５
−Ｐｈ７３ ２ｂ １、（−Ｍｅ ｂＣＩＶＪｅ
５ＯＰｈ７４ ０Ｓｓ Ｊ−ＣＨ２Ｐｈ
ＳＯＭｅ ｓｏ ２Ｍｅ末 ７５ ０Ｓｉ ＋ Ｍｅ ＳＯＭｅ
Ｓｏ□Ｐｈ入 ＼ ７６ ９！、ｓｉ ：３＋−Ｍｅ
Ｓｏ２Ｍｅ ＳＯ２Ｍｅ７７ ＸＳ
１＜ｔ−Ｍｅ ＳＯ２Ｍｅ Ｓｏ ２ Ｐ
ｈ＆中、ＰＮＺは）！ラニトロベンノルオキシヵルがニ
ル基を示す。
さらに、上記例示化合物において、Ｒ２が水素原子を示
す化合物もあけることができ、その場合はナトリウム、
カリウムのようなアルカリ金属の塩をめげることもでき
る。
す化合物もあけることができ、その場合はナトリウム、
カリウムのようなアルカリ金属の塩をめげることもでき
る。
本発明による新規化合物（１）は以下に示す方法によっ
て製造することができる。
て製造することができる。
（ＩＩ） （財）（Ｉ）
上記式中、Ｒ” ｌ Ｒ２１Ｒ５およびＲ４は前述した
ものと同意義を示し Ｒ７は水素原子、低級アルキル基
または保護された１−ヒドロキシエ、チ４・基を示し、
Ｒ８はカルボキシ基の保護基を示し、Ｒ９は保護された
カル日？キシ基、シアノ基、低級アルキルスルフィニル
基、アリールスルフ・イニル基、低級アルキルスルホニ
ル基またはアリールスルホニル基を示し、Ｒは保護され
たカルｄ？キシ基、シアノ基、置換外として保護された
７ＪＣ：酸１１１′ 基、ハロダン原子若しくは保護された′ｆアミノ基有し
てもよい低級アルコキシ基、ヘテロシクリルオキシ基、
アリール部分に置換外として低級アルキル基、ハロゲン
原子若しくは低級アルコキシ基を有しでもよいアラルキ
ルオキシ基、トリ低級アルキルシリルオキシ基、置換外
として株数された水酸基、ノ・ロクゞン原子若［１、〈
は保頗されたアミノ基を有してもよい低級アルキルテオ
基、置換外として低級アルキル基、保護された水酸基、
ハロダン原子若しくは保護されたアミノ基を崩してもよ
いシクロアルキルチオ基、置換外として低級アルキル基
、）・ロク゛ン原子若しくは低級アルコキシ基を有して
もよいアリールスルフ、アリールスルフィニル基若しく
はアリールスルホニル基、アリール部分に置換外として
低級アルキル基、ハロゲン原子若しくは低黄原子を有し
てもよく、壌土に置換外としで低級アルキル基を有して
もよいヘテロシクリルチオ基で、その窒素原子が保映基
を南するものまたは場内に窒素原子、酸素原子および／
または硫黄原子を有するヘテロアリールチオ基で、壌土
に置換外として、低級アルキル基、保護されたアミノ基
を有するものを示し、Ｘは塩素、奥床、沃素のようなハ
ロダン原子を示す、５第一工程は一般式（財）を有する
化合物を製造する］、程で不活性溶剤中、塩基と一般式
（１１）を有する化合物を接触した後に、一般式０１０
含有する化合物を反応させることによって遠地される。
ものと同意義を示し Ｒ７は水素原子、低級アルキル基
または保護された１−ヒドロキシエ、チ４・基を示し、
Ｒ８はカルボキシ基の保護基を示し、Ｒ９は保護された
カル日？キシ基、シアノ基、低級アルキルスルフィニル
基、アリールスルフ・イニル基、低級アルキルスルホニ
ル基またはアリールスルホニル基を示し、Ｒは保護され
たカルｄ？キシ基、シアノ基、置換外として保護された
７ＪＣ：酸１１１′ 基、ハロダン原子若しくは保護された′ｆアミノ基有し
てもよい低級アルコキシ基、ヘテロシクリルオキシ基、
アリール部分に置換外として低級アルキル基、ハロゲン
原子若しくは低級アルコキシ基を有しでもよいアラルキ
ルオキシ基、トリ低級アルキルシリルオキシ基、置換外
として株数された水酸基、ノ・ロクゞン原子若［１、〈
は保頗されたアミノ基を有してもよい低級アルキルテオ
基、置換外として低級アルキル基、保護された水酸基、
ハロダン原子若しくは保護されたアミノ基を崩してもよ
いシクロアルキルチオ基、置換外として低級アルキル基
、）・ロク゛ン原子若しくは低級アルコキシ基を有して
もよいアリールスルフ、アリールスルフィニル基若しく
はアリールスルホニル基、アリール部分に置換外として
低級アルキル基、ハロゲン原子若しくは低黄原子を有し
てもよく、壌土に置換外としで低級アルキル基を有して
もよいヘテロシクリルチオ基で、その窒素原子が保映基
を南するものまたは場内に窒素原子、酸素原子および／
または硫黄原子を有するヘテロアリールチオ基で、壌土
に置換外として、低級アルキル基、保護されたアミノ基
を有するものを示し、Ｘは塩素、奥床、沃素のようなハ
ロダン原子を示す、５第一工程は一般式（財）を有する
化合物を製造する］、程で不活性溶剤中、塩基と一般式
（１１）を有する化合物を接触した後に、一般式０１０
含有する化合物を反応させることによって遠地される。
なお、本工程の原料化合物（ＩＩ）は公知化合物であり
、例えば特開昭５６−１３５４６４号公報に記載されて
いる。
、例えば特開昭５６−１３５４６４号公報に記載されて
いる。
本工程に使用される塩基としては水素化ナトリウム、水
素化カリウムのようなアルカリ金属水素化物、水素化カ
ルシウムのようなアルカリ土類金属水素化物、ノフェニ
ルメチルナトリウム、ノフェニルメチルカリウムのよう
なノフェニルメチルアルカリ金属の塩、メチルリチウム
、ｎ−ブチルリチウム、８−ブチルリチウム、フェニル
リチウムのような有機リチウム化合物をあげることがで
きるが、好適にはアルカリ土属本Ｉ程に使用される不活
性溶剤としては、トルエン、キシレンのような芳香族炭
化水素類、ｎ−ヘキサン、ｎ−へブタン、ｎ−オクタン
のような脂肪族炭化水素類、エーテル、テトラヒドロフ
ラン、ジメトキシエタン、ジグライムのようなエーテル
類、ツメチルホルムアミド、ツメチルアセトアミド、ヘ
キサメチルホスホホリルトリアミドのよう彦アミド類を
あげることができるが、好適にｔま芳香族炭化水素類ま
たはエーテル類である。
素化カリウムのようなアルカリ金属水素化物、水素化カ
ルシウムのようなアルカリ土類金属水素化物、ノフェニ
ルメチルナトリウム、ノフェニルメチルカリウムのよう
なノフェニルメチルアルカリ金属の塩、メチルリチウム
、ｎ−ブチルリチウム、８−ブチルリチウム、フェニル
リチウムのような有機リチウム化合物をあげることがで
きるが、好適にはアルカリ土属本Ｉ程に使用される不活
性溶剤としては、トルエン、キシレンのような芳香族炭
化水素類、ｎ−ヘキサン、ｎ−へブタン、ｎ−オクタン
のような脂肪族炭化水素類、エーテル、テトラヒドロフ
ラン、ジメトキシエタン、ジグライムのようなエーテル
類、ツメチルホルムアミド、ツメチルアセトアミド、ヘ
キサメチルホスホホリルトリアミドのよう彦アミド類を
あげることができるが、好適にｔま芳香族炭化水素類ま
たはエーテル類である。
反応温度は一７８℃乃至０℃、好適には一４０℃乃至−
２０℃であり、反応に要する時間は原料、溶剤若しくは
塩基の槙類゛または反応温度によってトなるが通常、６
１１段の化合物（ｉｆ）と塩基の反応では１分間乃至１
時間であり、後段の化合物（イ）との反１＋ｓでは１時
間乃至５時間である。
２０℃であり、反応に要する時間は原料、溶剤若しくは
塩基の槙類゛または反応温度によってトなるが通常、６
１１段の化合物（ｉｆ）と塩基の反応では１分間乃至１
時間であり、後段の化合物（イ）との反１＋ｓでは１時
間乃至５時間である。
゛また反応・と促進させるた、めに、必要に応じて、１
２−クラウン−４，１５−クラウン−５，１８−クラウ
ン−６、ジペンゾ−１−８−クラウン−６のようなりラ
ウン化合物を加えることができる。
２−クラウン−４，１５−クラウン−５，１８−クラウ
ン−６、ジペンゾ−１−８−クラウン−６のようなりラ
ウン化合物を加えることができる。
反応終了恢、目的化合物（財）は常法に従って反応混合
物から採取される。例えば反応混合物に塩化アンモニウ
ム水溶液を加え、水不混和性有機溶剤で抽出し、抽出液
を乾燥後、溶剤を留去することによって得ることができ
る。さらに必要に応じて、常法例えばカラムクロマトグ
ラフィー、再沈澱法、再結晶法によって！＊製するとと
もできる。
物から採取される。例えば反応混合物に塩化アンモニウ
ム水溶液を加え、水不混和性有機溶剤で抽出し、抽出液
を乾燥後、溶剤を留去することによって得ることができ
る。さらに必要に応じて、常法例えばカラムクロマトグ
ラフィー、再沈澱法、再結晶法によって！＊製するとと
もできる。
第二工程は必要に応じて行う工程で、一般式％式％
含まれる保護基を除去して、水酸基、カルがギア基、ア
ミノ基または環状アミノ基を復元する反応おるいは復元
されたアミノ基または環状する反応を組合１１・一般５
１！ｌ：： （１） ｔ−有す６イ８合物を 、
１、ｊ製造する工程である。
ミノ基または環状アミノ基を復元する反応おるいは復元
されたアミノ基または環状する反応を組合１１・一般５
１！ｌ：： （１） ｔ−有す６イ８合物を 、
１、ｊ製造する工程である。
本工程の脱保護反応は以下に示すように、β−ラクタム
化合物の合成の分野で通常知られている方法に従って行
われる。
化合物の合成の分野で通常知られている方法に従って行
われる。
カルボキシ基の保護基が低級アルキル基の場合は通常の
アルカリ加水分解によって保護基を除去することができ
る。
アルカリ加水分解によって保護基を除去することができ
る。
使用されるアルカリとしてはβ−ラクタム猿を開裂させ
ないものなら特に制限されないが、通常水酸化リチウム
、水酸化ナトリウム、水酸り 化カリウムのよ
うなアルカリ金属水酸化物または炭酸ナトリウム、炭酸
カリウムのようなアルカリ金属炭酸塩をあげることがで
きる。使用される溶剤としては水、メタノール、エタノ
ール、］−プロパツールのようなアルコール類、エーテ
ル、テトラヒドロフランのようなエーテル類−またはこ
れら溶剤の混合物をあげることができあり、反応時間は
１時間乃至４日間である。
ないものなら特に制限されないが、通常水酸化リチウム
、水酸化ナトリウム、水酸り 化カリウムのよ
うなアルカリ金属水酸化物または炭酸ナトリウム、炭酸
カリウムのようなアルカリ金属炭酸塩をあげることがで
きる。使用される溶剤としては水、メタノール、エタノ
ール、］−プロパツールのようなアルコール類、エーテ
ル、テトラヒドロフランのようなエーテル類−またはこ
れら溶剤の混合物をあげることができあり、反応時間は
１時間乃至４日間である。
またアルカリ水溶液を化合物頓の溶液に少量ずつ満願す
ることによって、良好な結果を得ることもできる。さら
にＲ２およびＲ５若しくはＲ４に含まれる保護基が同一
のアルキル基を有する場合には塩基の掛を調節すること
によって、まずＲ２における保護基を除去した後 Ｒ５
若しくはＲ４に含まれる保護基を除去することができる
。
ることによって、良好な結果を得ることもできる。さら
にＲ２およびＲ５若しくはＲ４に含まれる保護基が同一
のアルキル基を有する場合には塩基の掛を調節すること
によって、まずＲ２における保護基を除去した後 Ｒ５
若しくはＲ４に含まれる保護基を除去することができる
。
カルボキシ基の保護基がハロｒノアルキル基、アラルキ
ル基、ベンズヒドリル基などの還元処理によって除去し
得る保護基である化合物を還元剤と接触させることによ
って達成される。本反応に使用される還元剤としては保
護基がハロゲノ低級アルキル基である場合には亜鉛−酢
酸が好適であり、保護基がアラルギル基またはベンズヒ
ドリル基である場合には水素およびパラノウムー炭素の
ような接触還元触媒！！たは硫化ナトリウム若しくは硫
化カリウムのようなアルカリ金Ｊ１８４硫化物が好適で
ある。反応は溶剤の存在下で行なわれ、使用される溶剤
としては本反応に関与しないものであれば特に限定はな
いが、メタノール、エタノールのようなアルコール類、
テトラヒドロフラン、ノオキサンのようなエ−チル類、
酢酸のような脂肪酸およびこれらの有機溶剤と水との混
合溶剤が好適である。反応温度は通常は０℃乃至室温付
近であり、反応時間は原料化合物および還元剤の種類に
よって異なるが、通常は５分間乃至１２時間である。
ル基、ベンズヒドリル基などの還元処理によって除去し
得る保護基である化合物を還元剤と接触させることによ
って達成される。本反応に使用される還元剤としては保
護基がハロゲノ低級アルキル基である場合には亜鉛−酢
酸が好適であり、保護基がアラルギル基またはベンズヒ
ドリル基である場合には水素およびパラノウムー炭素の
ような接触還元触媒！！たは硫化ナトリウム若しくは硫
化カリウムのようなアルカリ金Ｊ１８４硫化物が好適で
ある。反応は溶剤の存在下で行なわれ、使用される溶剤
としては本反応に関与しないものであれば特に限定はな
いが、メタノール、エタノールのようなアルコール類、
テトラヒドロフラン、ノオキサンのようなエ−チル類、
酢酸のような脂肪酸およびこれらの有機溶剤と水との混
合溶剤が好適である。反応温度は通常は０℃乃至室温付
近であり、反応時間は原料化合物および還元剤の種類に
よって異なるが、通常は５分間乃至１２時間である。
反応終了後、保護基の除去反応の目的化合物は常法に従
って反応混合物から採取される。例えは反応混合物よシ
析出した不溶物を戸去して後、有機溶剤層を水洗、乾燥
し溶剤を留去することによって得ることができる。
って反応混合物から採取される。例えは反応混合物よシ
析出した不溶物を戸去して後、有機溶剤層を水洗、乾燥
し溶剤を留去することによって得ることができる。
このようにして得られた目的化合物は、必要なら１＝ｖ
常法例えば再結晶、分取用薄層クロマトグラフィー、カ
ラムクロマトグラフィーなどによって）１イ製すること
ができる。
常法例えば再結晶、分取用薄層クロマトグラフィー、カ
ラムクロマトグラフィーなどによって）１イ製すること
ができる。
水酸基の保護基が低級脂肪アシル基、低級アルギルスル
ホニル基若しく！′ｊ：＃ｌ＃アリールスルボニル基で
ある場合またはアラルキルオキシカルｒｙｅニル基の場
合にはそれぞれ前記カル４ぐキシ基の保護基が低級アル
キル基である場合におけるアルカリ加水分解またはカル
ボキシ基の保護基がアラルキル基、ベンズヒドリル基で
ある場合における接触還元と同様な操作に従ってそれぞ
れの保護基を除去することができる。
ホニル基若しく！′ｊ：＃ｌ＃アリールスルボニル基で
ある場合またはアラルキルオキシカルｒｙｅニル基の場
合にはそれぞれ前記カル４ぐキシ基の保護基が低級アル
キル基である場合におけるアルカリ加水分解またはカル
ボキシ基の保護基がアラルキル基、ベンズヒドリル基で
ある場合における接触還元と同様な操作に従ってそれぞ
れの保護基を除去することができる。
水酸基の保饅基ン硬トリ低級アルキルシリル基である場
合には、反応は相当する化合物をフッ化テトラブチルア
ンモニウムで処理することによシ実施することができる
。使用される溶剤としては特に限定はないが、テトラヒ
ドロフラン、することによって好適に行なわれる。
合には、反応は相当する化合物をフッ化テトラブチルア
ンモニウムで処理することによシ実施することができる
。使用される溶剤としては特に限定はないが、テトラヒ
ドロフラン、することによって好適に行なわれる。
アミノ基の保護基がアシル基若しくはハロゲノつ′セチ
ル基である場合またはアラルキル基若しくはアラルキル
オキシカルがニル基である場合にはそれぞれ前記カルボ
キシ基の保護基がアシル基の場合の加水分′Ｎｆまたは
カルボキシ基の保護基がアラルキル基である場合の接触
還元と同様な方法によってそれぞれの保護基を除去する
ことかできる。
ル基である場合またはアラルキル基若しくはアラルキル
オキシカルがニル基である場合にはそれぞれ前記カルボ
キシ基の保護基がアシル基の場合の加水分′Ｎｆまたは
カルボキシ基の保護基がアラルキル基である場合の接触
還元と同様な方法によってそれぞれの保護基を除去する
ことかできる。
保護基を除去することによって復元されたアを示す。）
に変換子る反応は相当する化合物帖を一般式 ％式％ （式中、Ｒ５およびＲ６σ前述し、たものと同意義を示
し、Ｒは例えばメチル、エチル、ｎ−ゾロピル、インゾ
ロビルのような低級アルキル基を示す。）を有するイミ
ドエステルと接触させることによって達成される。反応
に使用される溶剤としては特に限定はないが、）Ｊ（、
Ｂ伺近に保たれたリン酸緩衝液の使用が好適でおる。反
応温度は０℃乃至室温付近の比較的低温が望ましく、反
応時間は通常１０分乃至２時間である。
に変換子る反応は相当する化合物帖を一般式 ％式％ （式中、Ｒ５およびＲ６σ前述し、たものと同意義を示
し、Ｒは例えばメチル、エチル、ｎ−ゾロピル、インゾ
ロビルのような低級アルキル基を示す。）を有するイミ
ドエステルと接触させることによって達成される。反応
に使用される溶剤としては特に限定はないが、）Ｊ（、
Ｂ伺近に保たれたリン酸緩衝液の使用が好適でおる。反
応温度は０℃乃至室温付近の比較的低温が望ましく、反
応時間は通常１０分乃至２時間である。
以上の各種の反応を実施した後、谷反応の目的化合物は
常法に従って反応混合物から採取され、必賛ならば常法
例えば再結晶法、分取用薄層クロマトグラフィー、カラ
ムクロマトグラフィーなどによってさらに精製すること
ができる。
常法に従って反応混合物から採取され、必賛ならば常法
例えば再結晶法、分取用薄層クロマトグラフィー、カラ
ムクロマトグラフィーなどによってさらに精製すること
ができる。
本発明よシ得られた前記一般式（１）を有する化合物は
以下に示すように優れた抗菌活性を有する化合物または
それらの中間体に容易に導くことができる。
以下に示すように優れた抗菌活性を有する化合物または
それらの中間体に容易に導くことができる。
例えば
１）化合物（１）において Ｒ３がシアノ基、低級アル
キルスルフィニル基、アリールスルフィニル基、低級ア
ルキルスルホニル基または了り−ルスルホニル基であシ
Ｒ４が低級アルコキシ基、アラルキルオキシ基、トリ
低級アルキルシリルオキシ基、ヘテロシクリルオキシ基
、低級アルキルチオ基、シクロアルキル′チオ基、アリ
ールチオ基、アラルキルチオ基、ヘテロシクリルチオ基
またはへテロアリールチオ基である化合物は常法に従っ
てトリエチルアｉン、 ＤＢＮ、、ＤＢＵ。
キルスルフィニル基、アリールスルフィニル基、低級ア
ルキルスルホニル基または了り−ルスルホニル基であシ
Ｒ４が低級アルコキシ基、アラルキルオキシ基、トリ
低級アルキルシリルオキシ基、ヘテロシクリルオキシ基
、低級アルキルチオ基、シクロアルキル′チオ基、アリ
ールチオ基、アラルキルチオ基、ヘテロシクリルチオ基
またはへテロアリールチオ基である化合物は常法に従っ
てトリエチルアｉン、 ＤＢＮ、、ＤＢＵ。
ＤＡＢＣＯのような有機アミンと処理することにより一
般式 （式中、Ｒ１およびＲ２は前述したものと同意義を示し
、Ｒは低級アルコキシ基、アラルキルオキシ基、トリ低
級アルキルシリルオキシ基、ヘテロシクリルオキシ基、
低級アルキルチオ基、シクロアルキルチオ基、アリール
チオ基、アラルキルチオ基、ヘテロシクリルチオ基また
はへテロアリールチオ基を示す。）を有する化合物に導
くことができる。
般式 （式中、Ｒ１およびＲ２は前述したものと同意義を示し
、Ｒは低級アルコキシ基、アラルキルオキシ基、トリ低
級アルキルシリルオキシ基、ヘテロシクリルオキシ基、
低級アルキルチオ基、シクロアルキルチオ基、アリール
チオ基、アラルキルチオ基、ヘテロシクリルチオ基また
はへテロアリールチオ基を示す。）を有する化合物に導
くことができる。
２）化合物（１）において Ｒ３が保護されてもよいカ
ル７１？キシ基またはシアノ基でおシ １４が低級アル
キルチオ基、シクロアルキルチオ基、アリールチオ基、
アラルキルチオ基、ヘテロシクリルチオ基またはへテロ
アリールチオ基である化合物は Ｒ５が保護されたカル
ボキシ基またはシアノ基の場合には脱保護基反応または
加水分解反応によりカルボキシ基に変換し一般式（式中
、Ｒ１およびＲ２は前述したものと同意義を示し、Ｒは
低級アルキルチオ基、シクロアルキルチオ基、アリール
チオ基、アラルキルチオ基、ヘテロシクリルチオ基また
はヘテロアリール基を示す。）を有する化合物を製造し
、次いで、塩基性のもとでＮ−クロロスクシイミド、Ｎ
−プロモスクシイミドのような酸化剤と処理することに
よって一般式 （式中、ＲおよびＲは前述したものと同意義を示す。）
に導くことができる。
ル７１？キシ基またはシアノ基でおシ １４が低級アル
キルチオ基、シクロアルキルチオ基、アリールチオ基、
アラルキルチオ基、ヘテロシクリルチオ基またはへテロ
アリールチオ基である化合物は Ｒ５が保護されたカル
ボキシ基またはシアノ基の場合には脱保護基反応または
加水分解反応によりカルボキシ基に変換し一般式（式中
、Ｒ１およびＲ２は前述したものと同意義を示し、Ｒは
低級アルキルチオ基、シクロアルキルチオ基、アリール
チオ基、アラルキルチオ基、ヘテロシクリルチオ基また
はヘテロアリール基を示す。）を有する化合物を製造し
、次いで、塩基性のもとでＮ−クロロスクシイミド、Ｎ
−プロモスクシイミドのような酸化剤と処理することに
よって一般式 （式中、ＲおよびＲは前述したものと同意義を示す。）
に導くことができる。
３）化合物（１）において Ｒ３およびＲ４が同一また
は異なって保護されてもよいカルボキシ基またはシアノ
基である化合物は、Ｒ３および／またはＲ４か保護され
たカルボキシ基またはシアノ基の場合には脱保護基反応
または加水分解反応 □によりカルボキン基に変換
し、脱炭酸反応を行 □１［′なった後、一般式 （式中、ＲおよびＲは前述したものと同意義を示す。）
を有する化合物を製造し、次いで化合物（■）をハンス
デイカ−（Ｉ（ｕｎｓｄｉｅｃｋｅｒ ）反応の条件下
に、相当するカルボン酸の銀塩を塩素、臭素、沃素のよ
うな・・ロダンと反応させニ一般式 （式中、ＲおよびＲは前述したものと同意義を示し、Ｙ
は塩素原子、臭素原子、沃素原子のようなハロゲン原子
を示す。）を有する化合物に変換した後、ジメチルスル
ホキシドにより酸化することによって前記化合物（６）
に導くことができる。
は異なって保護されてもよいカルボキシ基またはシアノ
基である化合物は、Ｒ３および／またはＲ４か保護され
たカルボキシ基またはシアノ基の場合には脱保護基反応
または加水分解反応 □によりカルボキン基に変換
し、脱炭酸反応を行 □１［′なった後、一般式 （式中、ＲおよびＲは前述したものと同意義を示す。）
を有する化合物を製造し、次いで化合物（■）をハンス
デイカ−（Ｉ（ｕｎｓｄｉｅｃｋｅｒ ）反応の条件下
に、相当するカルボン酸の銀塩を塩素、臭素、沃素のよ
うな・・ロダンと反応させニ一般式 （式中、ＲおよびＲは前述したものと同意義を示し、Ｙ
は塩素原子、臭素原子、沃素原子のようなハロゲン原子
を示す。）を有する化合物に変換した後、ジメチルスル
ホキシドにより酸化することによって前記化合物（６）
に導くことができる。
４）化合物（１）において Ｒ５が低級アルキルスルフ
ィニル基、アリールスルフィニル基・低級アルキルスル
ホニル基またはアリールスルホニル基であり、Ｒ４が了
り−ルスルフイニル基またはアリールスルホニル基であ
る化合物はアルカリ加水分解することによって前記化合
物（ロ）に導くことができる。
ィニル基、アリールスルフィニル基・低級アルキルスル
ホニル基またはアリールスルホニル基であり、Ｒ４が了
り−ルスルフイニル基またはアリールスルホニル基であ
る化合物はアルカリ加水分解することによって前記化合
物（ロ）に導くことができる。
次に実施例および参考例をあげて本発明をさらに具体的
に説明する。
に説明する。
実施例１
３５％水素化カリウムのミネラルオイル［ｌａ物８．０
１５ミリモルをヘキサンにて数回洗浄後、無水テトラヒ
ドロフラン（ＴＨＦ） １０ ｒｎｌ ｔ−加工トライ
アイス−アセトンにて系を一４０℃にする。
１５ミリモルをヘキサンにて数回洗浄後、無水テトラヒ
ドロフラン（ＴＨＦ） １０ ｒｎｌ ｔ−加工トライ
アイス−アセトンにて系を一４０℃にする。
同温にて４−ヨードメチルアゼチジノン１．１２７４ｔ
のＴＨＦ５ｍｌ＃を加え、ついで１８−クラウン−６２
，１２？を加える。５分間攪拌彼２−フエニルチオプテ
ンニ酸ジメチルエステル ２０２ｔｒＤ ＴＨＦ Ｓ
ｍｌ液を加え一４０″乃至−２５℃にて３時間攪拌する
。
のＴＨＦ５ｍｌ＃を加え、ついで１８−クラウン−６２
，１２？を加える。５分間攪拌彼２−フエニルチオプテ
ンニ酸ジメチルエステル ２０２ｔｒＤ ＴＨＦ Ｓ
ｍｌ液を加え一４０″乃至−２５℃にて３時間攪拌する
。
反応液に、塩化アンモニウムの飽和水溶液を加え、反応
を停止させた後、酢酸エチルにて生成物を抽出する。無
水硫酸マグネシウムにて乾に後、減圧下溶媒を留去し、
クロマトグラフィーに付し、シクロヘキサン：酢酸エチ
ル−２：１にてＲｆ ＝０．３の首記化合物４８０Ｉｌ
ｒ４／（ｉ−得た。当化合ｖ／Ｊはノアステレオマ−の
混りであり、更にシクロヘキタン；酢醒エチル−１：１
にて分離精製する事によ多３鴇鶏のノアステレオマ−を
得た。
を停止させた後、酢酸エチルにて生成物を抽出する。無
水硫酸マグネシウムにて乾に後、減圧下溶媒を留去し、
クロマトグラフィーに付し、シクロヘキサン：酢酸エチ
ル−２：１にてＲｆ ＝０．３の首記化合物４８０Ｉｌ
ｒ４／（ｉ−得た。当化合ｖ／Ｊはノアステレオマ−の
混りであり、更にシクロヘキタン；酢醒エチル−１：１
にて分離精製する事によ多３鴇鶏のノアステレオマ−を
得た。
２．２〜３．３ （４Ｈ、ｍ ）、３．４８ （３Ｈ、
ａ 、 ＣＯ２１ＶＩｅ ）、３．８６（３Ｈ，ａ、Ｃ
ＯＯＭｅ）、３．８〜４．３ （１１１、ｍ ）、５．
２８（ＩＨ。
ａ 、 ＣＯ２１ＶＩｅ ）、３．８６（３Ｈ，ａ、Ｃ
ＯＯＭｅ）、３．８〜４．３ （１１１、ｍ ）、５．
２８（ＩＨ。
ａ）、７．３〜７．８ （５Ｈ、ｍ ）２．４〜３．２
（４Ｈ、ｍ ）、３．６７ （３Ｈ、ａ 、 Ｃ０２
Ｍ８ ）、３．８４（３Ｈ，ａ ＋ＣＯ２Ｍｅ ）、３
．７〜４．３ （Ｉ Ｈ、ｍ ）、５．５２（ＩＨ，ａ
）、６．９〜７．７ （５Ｈ、ｍ ）ＮＭＲ（ＣＤＣｌ
２）δ：２．２２（ＩＨ，ｄ、ｄ、Ｊ＝１０及び１４Ｈ
ｚ）、２．７４（ＩＨ，ｄ、ｄ、 Ｊ＝５及び１４ Ｈ
ｚ ）、２８〜３３（２Ｈ，ｍ）、３．４６ （３Ｈ、
ａ 、 ＣＯ２Ｍｅ ）、３．５〜３．９ （Ｉ Ｈ。
（４Ｈ、ｍ ）、３．６７ （３Ｈ、ａ 、 Ｃ０２
Ｍ８ ）、３．８４（３Ｈ，ａ ＋ＣＯ２Ｍｅ ）、３
．７〜４．３ （Ｉ Ｈ、ｍ ）、５．５２（ＩＨ，ａ
）、６．９〜７．７ （５Ｈ、ｍ ）ＮＭＲ（ＣＤＣｌ
２）δ：２．２２（ＩＨ，ｄ、ｄ、Ｊ＝１０及び１４Ｈ
ｚ）、２．７４（ＩＨ，ｄ、ｄ、 Ｊ＝５及び１４ Ｈ
ｚ ）、２８〜３３（２Ｈ，ｍ）、３．４６ （３Ｈ、
ａ 、 ＣＯ２Ｍｅ ）、３．５〜３．９ （Ｉ Ｈ。
ｍ）、３．８８ （３Ｈ、ｓ 、ＣＯ□Ｍｅ ）、４．
６９（ＩＨ，ｓ）、７．０〜７．７（５Ｈ，ｍ） ＩＲ（ＫＢｒ）ｃｈａ 、１７６５．１７４０元素
分析 Ｃ１６Ｈ４６ＮＯ５Ｓとして計算値 Ｃ，５７，
４７：Ｉ（，４，８２；Ｎ、４．１９；Ｓ、９．５９実
側値 ｃ 、 ５７．３６ ：Ｈ，４，９３：Ｎ 、
４．２０ ：８ 、９．６３実施例２ ３５％水素化カリウムのミネラルオイル懸濁ｉ０．７０
５ミリモルをヘキサンにて数回洗浄する。
６９（ＩＨ，ｓ）、７．０〜７．７（５Ｈ，ｍ） ＩＲ（ＫＢｒ）ｃｈａ 、１７６５．１７４０元素
分析 Ｃ１６Ｈ４６ＮＯ５Ｓとして計算値 Ｃ，５７，
４７：Ｉ（，４，８２；Ｎ、４．１９；Ｓ、９．５９実
側値 ｃ 、 ５７．３６ ：Ｈ，４，９３：Ｎ 、
４．２０ ：８ 、９．６３実施例２ ３５％水素化カリウムのミネラルオイル懸濁ｉ０．７０
５ミリモルをヘキサンにて数回洗浄する。
ＴＨＦ ３ ｄを加え、系を一４０℃に冷却する。同温
にて４−ヨードメチル−３−（１−ターシャリ−ブチル
ツメチルシリルオキシエチル）−２−アゼチジンｙ０．
１０５ｆＩ−の１ ｍｌ ＴＨＦ液を加え、更に０．１
５８４？の２−フエールチオーブテンニ酸ジメチルエス
テルの１ ｍ１ＴＨＦ液、１８−クラウン−６０，０１
２４ｔを順次加える。反応液’ｔ−−３０゜乃至−１０
℃にて１時間４０分、−７０℃にて１時間攪拌したのち
、ｐ）１７のりん酸緩衝液にて反応を停止する。酢酸エ
チルにて抽出後、無水硫酸マグネシウムにて乾燥する。
にて４−ヨードメチル−３−（１−ターシャリ−ブチル
ツメチルシリルオキシエチル）−２−アゼチジンｙ０．
１０５ｆＩ−の１ ｍｌ ＴＨＦ液を加え、更に０．１
５８４？の２−フエールチオーブテンニ酸ジメチルエス
テルの１ ｍ１ＴＨＦ液、１８−クラウン−６０，０１
２４ｔを順次加える。反応液’ｔ−−３０゜乃至−１０
℃にて１時間４０分、−７０℃にて１時間攪拌したのち
、ｐ）１７のりん酸緩衝液にて反応を停止する。酢酸エ
チルにて抽出後、無水硫酸マグネシウムにて乾燥する。
溶媒を留去後、抽出生成物をメルク社製シリカダル薄層
クロマトグラフィーに付し、シクロヘキサン：酢酸エチ
ル＝５：ｌの系にてＲｆ ＝ ０．５の部分よシ所望の
首記化合物２１■を得た。これは２つのノアステレオマ
−のまざりである。
クロマトグラフィーに付し、シクロヘキサン：酢酸エチ
ル＝５：ｌの系にてＲｆ ＝ ０．５の部分よシ所望の
首記化合物２１■を得た。これは２つのノアステレオマ
−のまざりである。
ＮＭＲ（ＣＤＣ２，）δ：０．０５（６Ｈ，ｓ、ツメチ
ル）、０．８１（９Ｈ。
ル）、０．８１（９Ｈ。
５ａｔ−グチル）、１．２０及び１．２３ （３ｋ１．
ｄ 、 Ｊ＝６Ｈｚ ）、１．５〜２．０ （Ｉ Ｈ
、ｍ ）、２．７〜３．６ （２Ｈ、ｍ ）、３．６６
、３．６９ 。
ｄ 、 Ｊ＝６Ｈｚ ）、１．５〜２．０ （Ｉ Ｈ
、ｍ ）、２．７〜３．６ （２Ｈ、ｍ ）、３．６６
、３．６９ 。
３．７１及び３．８４（各３ Ｈ、ａ 、 ＣＯＯＭｅ
）、３．８〜４．５ （ＩＨ。
）、３．８〜４．５ （ＩＨ。
ｍ）、５．４８及び５．６１（各ＩＨ，ｓ）、６．９〜
７．７ （５Ｈ、ｍ ）実施例３ ヘプタン ３５係水素化カリウムのミネラルオイル懸濁物２．５９
ミリモルをとり、ヘキサンにて数回洗浄後、ＴＨＦ ５
ｍを加え、反応系ｆｉ−−７８℃にする。
７．７ （５Ｈ、ｍ ）実施例３ ヘプタン ３５係水素化カリウムのミネラルオイル懸濁物２．５９
ミリモルをとり、ヘキサンにて数回洗浄後、ＴＨＦ ５
ｍを加え、反応系ｆｉ−−７８℃にする。
これに２．５９ミリモルの１８−クラウン−６及び０．
４３５１ Ｌｔ（２，５９ミリモル）のノフェニルメタ
ンを加え、−７８℃乃至室温にて２時間攪拌する。
４３５１ Ｌｔ（２，５９ミリモル）のノフェニルメタ
ンを加え、−７８℃乃至室温にて２時間攪拌する。
系を再び一４０℃まで冷却し、４−ヨードメチル−２−
アゼチジノン０．２７３２ｐのＴＨＦ Ｓ ｍｌ液及び
２−メチルチオ−１テンニ鈑ツメチルエステル０．５０
９４ｊｉｌ−を加える。反応系を−４０乃至−２０℃に
保ったまま３時間攪拌する。塩化アンモニウム水を加え
反応を停止し、酢酸エチルにて数回抽出し、無水硫酸マ
グネシウムにて乾燥後、溶媒を減圧下留去し、シクロヘ
キサン：酢酸エチル＝２：１の系にてシリカダルラビッ
トクロマトグラフィーに付し、Ｒｆ＝０．６ （シクロ
ヘキサン：酢酸エテル−１：１）の値を有する所望の首
記化合物９０ダ（２４％）を得た。
アゼチジノン０．２７３２ｐのＴＨＦ Ｓ ｍｌ液及び
２−メチルチオ−１テンニ鈑ツメチルエステル０．５０
９４ｊｉｌ−を加える。反応系を−４０乃至−２０℃に
保ったまま３時間攪拌する。塩化アンモニウム水を加え
反応を停止し、酢酸エチルにて数回抽出し、無水硫酸マ
グネシウムにて乾燥後、溶媒を減圧下留去し、シクロヘ
キサン：酢酸エチル＝２：１の系にてシリカダルラビッ
トクロマトグラフィーに付し、Ｒｆ＝０．６ （シクロ
ヘキサン：酢酸エテル−１：１）の値を有する所望の首
記化合物９０ダ（２４％）を得た。
ＮＭＲ（ＣＤＣ１３）δ： ２．１４（３Ｈ，ｓ、ｓＭ
ｅ）、２．４３ （Ｌ Ｈ。
ｅ）、２．４３ （Ｌ Ｈ。
ｄ、ｄ、Ｊ＝６及び１５Ｈｚ）、２．８７（ＩＨ，ｄ、
ｄ、Ｊ＝６及びＩ Ｈｚ ）、２．９〜３．６ （３Ｈ
、ｍ ）、３．７６ （３Ｈｌａ 、Ｃｏ ２Ｍｅ ）
、３．８０ （３Ｈ、ｓ 、 Ｃｏ２Ｍｅ ）、３．８
〜４．４ （Ｌ Ｈ、ｍ ）、５，３１（ＩＨ，ｓ ） 実施例４ ３５チ水素化カリウムのミネラルオイル懸濁物２．２６
ミｌＪモルをとシ、ヘキサンにて数回洗浄後ＴＩ（Ｆ
２ ｗＬｌ、ノフェニルメタン０．３８５ ｉ、 １８
−クラウン−６０，６ｉを加え、室温にて２時間２０分
攪拌後、−４０℃に冷却し、４−ヨードメチル−３−（
１−ターシャリ−ブチルツメチルシリルオキシエチル）
−２−アゼチゾノン０．８０４ ？のＴＨＦ ６ ｍｌ
液を加え、５分間攪拌し、更に０．８６ｙ−の２−メチ
ルチオーブテンニ酸ツメチルエステルの４ ｍｌ！ＴＨ
Ｆ液をゆつくシ満願する。
ｄ、Ｊ＝６及びＩ Ｈｚ ）、２．９〜３．６ （３Ｈ
、ｍ ）、３．７６ （３Ｈｌａ 、Ｃｏ ２Ｍｅ ）
、３．８０ （３Ｈ、ｓ 、 Ｃｏ２Ｍｅ ）、３．８
〜４．４ （Ｌ Ｈ、ｍ ）、５，３１（ＩＨ，ｓ ） 実施例４ ３５チ水素化カリウムのミネラルオイル懸濁物２．２６
ミｌＪモルをとシ、ヘキサンにて数回洗浄後ＴＩ（Ｆ
２ ｗＬｌ、ノフェニルメタン０．３８５ ｉ、 １８
−クラウン−６０，６ｉを加え、室温にて２時間２０分
攪拌後、−４０℃に冷却し、４−ヨードメチル−３−（
１−ターシャリ−ブチルツメチルシリルオキシエチル）
−２−アゼチゾノン０．８０４ ？のＴＨＦ ６ ｍｌ
液を加え、５分間攪拌し、更に０．８６ｙ−の２−メチ
ルチオーブテンニ酸ツメチルエステルの４ ｍｌ！ＴＨ
Ｆ液をゆつくシ満願する。
−４０°乃至−２０℃にて２時間４５分攪拌後、垣間
化アンモニウム水溶液にて反応を停止参ゐ、酢酸エチル
にて３回抽出し、抽出液を合わせて、無水硫酸マグネシ
ウムにて乾燥した。溶媒を減圧濃縮後、生成物をシリカ
ゲルラビットクロマトグラフィー （塩化メチレン：シ
クロヘキサン＝１〇二１ 、 Ｒ４＝０．１ ）、次い
で薄層クロマトグラフィー、（エチルエーテル：シクロ
ヘキサン＝１： １ 、 Ｒｆ＝０．６ ） ｉＣよシ
精製する事によシ、所 フ・ｉ望の首記化合吻合
ジアステレオマーの混合物としてｌ ６６ ｔｎ９を得
た。シクロヘキサン：エーテル＝ｌ：１の系に工９再度
薄層クロマトグラフィーを行う挙により各々のジアステ
レオマーヲ分離出来る。
にて３回抽出し、抽出液を合わせて、無水硫酸マグネシ
ウムにて乾燥した。溶媒を減圧濃縮後、生成物をシリカ
ゲルラビットクロマトグラフィー （塩化メチレン：シ
クロヘキサン＝１〇二１ 、 Ｒ４＝０．１ ）、次い
で薄層クロマトグラフィー、（エチルエーテル：シクロ
ヘキサン＝１： １ 、 Ｒｆ＝０．６ ） ｉＣよシ
精製する事によシ、所 フ・ｉ望の首記化合吻合
ジアステレオマーの混合物としてｌ ６６ ｔｎ９を得
た。シクロヘキサン：エーテル＝ｌ：１の系に工９再度
薄層クロマトグラフィーを行う挙により各々のジアステ
レオマーヲ分離出来る。
ノアステレオマ−・Ｉ Ｒｆ＝０．５（エーテル：シ
クロヘキサン＝１：１） ＩＲ（ＣＨＣ６，）ｃｒｒＬ−’ ： １７７２ 、１
７５ＯＮＭＲ，（ＣＤＣｔ、 ）δ： ０．０５（６Ｈ
，ｓ）、０．８８ （９Ｈ、ｓ ）、１．１９ （３Ｈ
、ｄ 、 Ｊ＝６．６Ｈｚ ）、２．１６（３Ｈ，ａ）
、２３１（２Ｈ，ｄ、ｄ、Ｊ＝１４及び９１（ｚ ）、
２．９４（ＩＨ，ｄ、ｄ。
クロヘキサン＝１：１） ＩＲ（ＣＨＣ６，）ｃｒｒＬ−’ ： １７７２ 、１
７５ＯＮＭＲ，（ＣＤＣｔ、 ）δ： ０．０５（６Ｈ
，ｓ）、０．８８ （９Ｈ、ｓ ）、１．１９ （３Ｈ
、ｄ 、 Ｊ＝６．６Ｈｚ ）、２．１６（３Ｈ，ａ）
、２３１（２Ｈ，ｄ、ｄ、Ｊ＝１４及び９１（ｚ ）、
２．９４（ＩＨ，ｄ、ｄ。
Ｊ−１４及び４Ｈｚ）、２．８〜３．１０ （Ｉ Ｈ、
ｍ ）、３．７９（３Ｈ，ｓ）、３．８０ （３Ｈ、ｓ
）、３．８〜４．４ （２，Ｈ、ｍ ）、５．３４（
ＩＨ，ｓ） 元素分析 Ｃ４，Ｈ，Ｎ０６ＳＳｉとして計算値 ｃ
、 ５２．８７ ；Ｈ，７，７０：Ｎ 、 ３．２５実
測値 Ｃ、５２，８３：Ｈ，７，８９：Ｎ 、 ３．３
３クロ・ヘキサン＝１：１） ＩＮ（ｎｅａｔ）ｃｍ ’ ： １７３５ ＋ １７７
ＯＮＭＲ（ＣＤ−Ｇｔ、）δ： ０．０４（６１ｉ、
ｓ）、０．８４（９Ｈ，ｓ）、１．１５ （３Ｈ、ｄ
、 Ｊ＝６Ｈｚ ）、２．１０’（３Ｈ、ｓ ）、２．
０８（ＩＨ、ａ、ａ、 Ｊ＝１２及び７．５ Ｈｚ ）
、２．７０ （Ｉ Ｈ。
ｍ ）、３．７９（３Ｈ，ｓ）、３．８０ （３Ｈ、ｓ
）、３．８〜４．４ （２，Ｈ、ｍ ）、５．３４（
ＩＨ，ｓ） 元素分析 Ｃ４，Ｈ，Ｎ０６ＳＳｉとして計算値 ｃ
、 ５２．８７ ；Ｈ，７，７０：Ｎ 、 ３．２５実
測値 Ｃ、５２，８３：Ｈ，７，８９：Ｎ 、 ３．３
３クロ・ヘキサン＝１：１） ＩＮ（ｎｅａｔ）ｃｍ ’ ： １７３５ ＋ １７７
ＯＮＭＲ（ＣＤ−Ｇｔ、）δ： ０．０４（６１ｉ、
ｓ）、０．８４（９Ｈ，ｓ）、１．１５ （３Ｈ、ｄ
、 Ｊ＝６Ｈｚ ）、２．１０’（３Ｈ、ｓ ）、２．
０８（ＩＨ、ａ、ａ、 Ｊ＝１２及び７．５ Ｈｚ ）
、２．７０ （Ｉ Ｈ。
ｄ、ｄ、Ｊ＝１２及び６ Ｈｚ ）、３．０８（ＩＨ，
ｄ、ｄ、Ｊ＝３及び５ ｋｉｚ ）、３．３〜３．８
（Ｉ Ｈ、ｍ ）、３．７７（３Ｈ，ａ）、３．８３（
３Ｈ，＠）、３．８〜４．４ （Ｉ Ｈ、ｍ ）、４．
７０（ＩＨ，ａ）実施例５ 実施例４により得たジアステレオマー・１９５ ｒｎｇ
ｆ ＴＨＦ ５ ｔｎｌ及び水４ ｍｌ （Ｄ混合液
１ｃｉｓｔ、、０、ＩＮ水ｉｆｆ化ナトリウム水溶液２
．２ ｍｌを２日間に亘り満願する。簡加後更に１０時
間攪拌し反応溶液を濃縮し、更に全体を面接凍結乾燥す
る事により所望のｄ配化合物９０ダを得た。
ｄ、ｄ、Ｊ＝３及び５ ｋｉｚ ）、３．３〜３．８
（Ｉ Ｈ、ｍ ）、３．７７（３Ｈ，ａ）、３．８３（
３Ｈ，＠）、３．８〜４．４ （Ｉ Ｈ、ｍ ）、４．
７０（ＩＨ，ａ）実施例５ 実施例４により得たジアステレオマー・１９５ ｒｎｇ
ｆ ＴＨＦ ５ ｔｎｌ及び水４ ｍｌ （Ｄ混合液
１ｃｉｓｔ、、０、ＩＮ水ｉｆｆ化ナトリウム水溶液２
．２ ｍｌを２日間に亘り満願する。簡加後更に１０時
間攪拌し反応溶液を濃縮し、更に全体を面接凍結乾燥す
る事により所望のｄ配化合物９０ダを得た。
ＮＭＲ（Ｄ２（Ｊ 、ＤＳＳ基準）δ： ０．１４（６
Ｈ，ｓ）、０．９０（９ｆ（、ｓ）、１．２６’（３Ｈ
，ｄ 、 Ｊ＝６ Ｈｚ ）、２．１５（３１１，ａ）
、３．７３ （３Ｈ、ａ ）、２１〜２．３２（２Ｈ）
、３．１〜３．５ （２Ｈ）、３．８〜４．４ （２Ｈ
）、５．９２（ＩＨ，ｓ）実施例６ 実施例４より得たアザビシクロへブタン誘導体のノアス
テレオマ−−１９２，４ｍ９ｆ ＴＨＦ ５ｍｌ及び水
５ ｍｌの混合溶媒に溶解し、攪拌下０． Ｉ Ｎ水酸
化ナトリウム溶液４．２８ ｍｔ ｆ！：３日間かけて
滴’ ８８．４ｍ９（９２係）を得た。
Ｈ，ｓ）、０．９０（９ｆ（、ｓ）、１．２６’（３Ｈ
，ｄ 、 Ｊ＝６ Ｈｚ ）、２．１５（３１１，ａ）
、３．７３ （３Ｈ、ａ ）、２１〜２．３２（２Ｈ）
、３．１〜３．５ （２Ｈ）、３．８〜４．４ （２Ｈ
）、５．９２（ＩＨ，ｓ）実施例６ 実施例４より得たアザビシクロへブタン誘導体のノアス
テレオマ−−１９２，４ｍ９ｆ ＴＨＦ ５ｍｌ及び水
５ ｍｌの混合溶媒に溶解し、攪拌下０． Ｉ Ｎ水酸
化ナトリウム溶液４．２８ ｍｔ ｆ！：３日間かけて
滴’ ８８．４ｍ９（９２係）を得た。
ＮＭＲ（Ｄ２０ 、 ＤＳＳ基準）δ二０．１７（６Ｈ
，ａ）、０．９３（９Ｈ，＋）、１．２８ （３ｉ（、
ｄ 、 Ｊ ＝５．５ Ｈｚ ）、２．１０ （、３１
（。
，ａ）、０．９３（９Ｈ，＋）、１．２８ （３ｉ（、
ｄ 、 Ｊ ＝５．５ Ｈｚ ）、２．１０ （、３１
（。
Ｓ）、２０〜２．５ （３Ｈ、ｍ ）、５．３６（ＩＨ
，８）参考例１ 実施例６により得たジナトリウム塩９３．０〜をｔ−ブ
タノール１．４ ｍｌに溶解し、Ｎ−クロロスクシンイ
ミド６０．６■を加え２４時間２５℃にて攪拌する。四
塩化炭素を加えｔ−ブタノールを共沸して減圧下留去し
て、粗生成物をえる。
，８）参考例１ 実施例６により得たジナトリウム塩９３．０〜をｔ−ブ
タノール１．４ ｍｌに溶解し、Ｎ−クロロスクシンイ
ミド６０．６■を加え２４時間２５℃にて攪拌する。四
塩化炭素を加えｔ−ブタノールを共沸して減圧下留去し
て、粗生成物をえる。
これをジメチルホルムアミド４ ”” Ｋ 溶Ｍし２、
ｐ−二トロベンジルブロマ・ｆド２６８＋１１５７及び
少量のナトリウムアイオダイドを加え２０時間攪拌する
。反応液を酢酸エチル１０ｍ１ＩＣあけ、水洗を２′回
行う。無水硫酸マグネシウムにて乾燥し、溶媒を減圧下
留去し、薄層クロマトグラフィー（シクロヘキサン：酢
酸エチル＝２ ： １ ）にてＲｆ＝０．４の部分を分
離する事により所望の首記化合物を得た。
ｐ−二トロベンジルブロマ・ｆド２６８＋１１５７及び
少量のナトリウムアイオダイドを加え２０時間攪拌する
。反応液を酢酸エチル１０ｍ１ＩＣあけ、水洗を２′回
行う。無水硫酸マグネシウムにて乾燥し、溶媒を減圧下
留去し、薄層クロマトグラフィー（シクロヘキサン：酢
酸エチル＝２ ： １ ）にてＲｆ＝０．４の部分を分
離する事により所望の首記化合物を得た。
ＮＭＲ（ＣＤＣｌ２． ＴＭＳ ）δ： ０．０９（６
Ｈ，ｓ）、０．８７（９Ｈ。
Ｈ，ｓ）、０．８７（９Ｈ。
Ｓ）、１．２２（３Ｈ，ｄ 、 Ｊ＝６ Ｈｚ ）、２
．１〜２．９ （２Ｈ、ｍ ）、３．１６（ＩＩ（、ｄ
ｄ、Ｊ ＝４．８Ｈｚ、２Ｈｚ）、３．８〜４．５ （
２Ｈ。
．１〜２．９ （２Ｈ、ｍ ）、３．１６（ＩＩ（、ｄ
ｄ、Ｊ ＝４．８Ｈｚ、２Ｈｚ）、３．８〜４．５ （
２Ｈ。
ｍ）、４．７３（ＩＨ，ａ）、５．２６（２Ｈ，ｓ）、
７．１〜８．４ （４Ｈ。
７．１〜８．４ （４Ｈ。
ｍ）
特許出願人 三共株式会社
代理人 弁理士 樫 出 庄 治
Claims (2)
- （１）一般式 〔式中、Ｒ１け水素原子、低級アルキル基または保護さ
れてもよい１−ヒドロキシエチル基ヲ示し、Ｒ２は水素
原子またはカルがキシ基の保護基を示し、Ｒ３は保護さ
れてもよいカルがキシ基、シアノ基、低級アルキルスル
フィニル基、アリールスルフィニル基、低級アルキルス
ルホニル基または了り−ルスルホニル基を示し、Ｒ４は
保護されてもよいカルがキシ基、シアノ基、置換分とし
て保護されてもよい水酸基、ハロダン原子、保赦されて
もよいアミノ基若しくは式示す。）を有してもよい低級
アルコキシ基、ヘテロシクリルオキ７基、アリール部分
に置換分として低級アルキル基、ハロダン原子若しくは
低級アルコキシ基を有してもよいアラルキルオキシ基、
トリ低級アルキルシリルオキシ基、置換分として保護さ
れてもよい水酸基、ハロダン原子、保護されてもよいア
ミノ基若しくは式アルキルチオ基、置換分として低級ア
ルキル基、保護されてもよい水酸基、ハロダン原子、保
睦義を示す。）を有してもよいシクロアルキルチオ基、
置換分として低級アルキル基、ハロダン原子若しくは低
級アルコキシ基を南してもよいアリールチオ基、アリー
ルスルフィニル基若しくはアリールスルホニル基、了り
−ル部分に置換分として低級アルキル基、ハロダン原子
ＭＬ〈は低級アルコキシ基を有してもよいアラルキたは
硫黄原子を有してもよく、環上に置換外として低級アル
キル基を有してもよいヘテロシクリルチオ基で、その窒
素原子が保護基若しくはたけ環内に窒素原子、酸素原子
および／または硫黄原子を有するヘテロアリールチオ基
で、壌土にｔｉ換分として、低級アルキル基、保護され
を示す。）を有するものを示す。〕ヲ廟するカルバペナ
ムカル−ずン酸誘導体およびその塩。 - （２） 一般式 （式中、Ｘは・・０グン原子を示し、Ｒ７は水素原子、
低級アルキル基または保護されｆｃｌ−ヒドロキシエチ
ル基を示す。）を有する化合物を一般式 （式中 Ｒ８はカルボキシ基の保護基を示踵Ｒ９は保護
されたカルボキシ基、シアノ基、低級アルキルスルフィ
ニル基、アリールスルフィニル基、低級アルキルスルホ
ニル基またはアリ−ルスルフニル基を示し、Ｒ１０は保
護されたカルがキシ基、シアノ基、置換外として保役さ
れた水酸基、ハロゲン原子若しくは保護されたアミノ基
を有してもよい低級アルコキシ基、ヘテロシクリルオキ
シ基、アリール部分に置換外として低級アルキル基、ハ
ロゲン原子若しくは低級アルコキシ基を有してもよいア
ラルキルオキシ基、トリ低級アルキルシリルオキシ基、
置換外として保護された水酸基、ハロゲン原子若しくは
保護されたアミノ基を有してもよい低級アルキル
□１′！ ヶオ１、いあヶよ、７□よア７．ヤ７３．ッ、８
′・′れた水酸基、ハロゲン原子若しくは保晦されたア
ミノ基を有してもよいシクロアルキルチオ基、置換外と
して低級アルキル基、ハロゲン原子若しくは低級アルコ
キシ基を有してもよい了り−ルチオ基、アリールスルフ
ィニル基若しくはアリールスルホニル基、アリール部分
に置換外として低級アルキル基、ハロゲン原子若しくは
低黄原子を有してもよく、壌土に置換外として低級アル
キル基を有してもよいヘテロシクリルチオ基で、その窒
素原子が保護Ｍ５を有するものまたは環内に窒素原子、
酸素原子および／または硫黄原子を有するヘテロアリー
ルチオ基で、壌土に置換外として、低級アルキル基、保
護されたアミン基を壱するものを示す。）を有する化合
物と塩基の存在下反応さぜ、一般式 （式中、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９およびｎｉ Ｏは前述したも
のと同意義を示す。）を有する化合物を製造し、次いで
所望に応じて、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９またはＲ１０に含まれ
る水酸基、カルボキシ基またはアミン基の保饅基を除去
する反応並びに式−＆Ｈル基を示す。）に変換させる反
応に付すことを特徴とする一般式 〔式中、Ｒ’は水素原子、低級アルキル基または保護さ
れてもよい１−ヒドロキシエチル基を示し Ｒ２は水素
原子またはカルボキシ基の保論基を示し、Ｒ３は保護さ
れてもよいカルがキシ基、シアノ基、低級アルキルスル
フィニル基、アリールスルフィニル基、低級アルキルス
ルホニル基またはアリールスルホニル基を示し、Ｒ４は
保護されてもよいカル＋にキシ基、シアノ基、置換外と
して保護されてもよい水酸基、ハロゲン原子、保護され
てもよいアミノ基若しくは式アルコキシ基、ヘテロシク
リルオキシ基、アリー光部分に置換分として低級アルキ
ル基、・・ロダン罪子若しくは低級アルコキシ基を有し
てもよいアラルキルオキシ基、トリ低級アルキルシリル
オキシ基、置挨分として保議されてもよい水酸基、・・
ロダン原子、保護されてもよいアミてもよい低級アルキ
ルチオ基、置換分として低級アルキル基、保護されても
よい水酸基、ノ・ロケ゛ン原子、保護されてもよいアミ
ノ基若しくはクロアルキルチオ基、置換分として低級ア
ルギル基、ハロゲン原子若しくは、低級アルコキシ基を
有してもよいアリールチオ基、アリールスルフィニル基
若しくはアリールスルホニル基、アリール部分に置換分
として低級アルキル基、ノ１０ｒン原子若しくは低級ア
ルコキシ基を有してもよいアラルギルチオ基、環内に鴛
累原子を有３に し、酸素原子または硫黄原子を有してもよく、壌土に置
換分として低級アルキル基を有してもよいヘテロシクリ
ルチオ基で、その窒素原子かもよいものまたは環内に窒
素原子、酸素原子および／または硫黄原子を有するヘテ
ロアリールチオ基で、環上に置換分として、低級アルキ
ル基、保画されてもよいアミノ基若しくは式をｉするカ
ルバペナムカル鱈ぐン酸誘導体およびその塩の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57103276A JPS58222088A (ja) | 1982-06-16 | 1982-06-16 | カルバペナム誘導体およびその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57103276A JPS58222088A (ja) | 1982-06-16 | 1982-06-16 | カルバペナム誘導体およびその製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58222088A true JPS58222088A (ja) | 1983-12-23 |
Family
ID=14349839
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57103276A Pending JPS58222088A (ja) | 1982-06-16 | 1982-06-16 | カルバペナム誘導体およびその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58222088A (ja) |
-
1982
- 1982-06-16 JP JP57103276A patent/JPS58222088A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0180252B1 (en) | Process of preparing azetidinone compounds | |
| JPS59181254A (ja) | 光学活性アゼチジノンの製造方法 | |
| Leanza et al. | An efficient synthesis of 2-substituted-thio-6-hydroxyethyl-penem-3-carboxylic acids via 2-thioxopenams | |
| JPS6058988A (ja) | ペネム類の製法 | |
| JPS60120885A (ja) | ペネム類の製造方法 | |
| JPS6124396B2 (ja) | ||
| JPS607635B2 (ja) | オキサゾリジン化合物 | |
| IE57561B1 (en) | Process for debromination of dibromopenicillanic acid and derivatives | |
| JPS58222088A (ja) | カルバペナム誘導体およびその製造法 | |
| KR101031143B1 (ko) | 경구 투여용 카르바페넴 화합물의 신규 합성 중간체 및그의 제조 방법 | |
| IE49656B1 (en) | Method for the production of 2-substituted penems and penams | |
| JPS588085A (ja) | 光学活性トランス−６−置換−５（ｒ）−２−ペネム−３−カルボン酸誘導体の製造法及びこうして得られた化合物 | |
| SE461395B (sv) | 4-(2'-azidoetoxiacetyltio)-1-(2"-trifenylfosforanyliden-2"-acetat)-2-azetidinoner | |
| JP2002504156A (ja) | カルバペネム側鎖中間体の合成プロセス | |
| US4349551A (en) | Penicillin derivatives and compositions containing them | |
| US4006139A (en) | 1,2,4-Dithiaaz-3-enes | |
| JPH06104672B2 (ja) | ペネム類の製造方法 | |
| JPH02178262A (ja) | １―（２′―ハロプロピオニル）ピロリジン―２―オン誘導体 | |
| JP3118143B2 (ja) | アゼチジノン化合物の新規な製法およびその新規原料化合物 | |
| JP3748933B2 (ja) | １−置換アゼチジノン誘導体の製造法 | |
| US4035354A (en) | Thioamides of beta-lactam antibiotics | |
| JPS63170384A (ja) | ７α置換セフアロスポリン化合物 | |
| US5700933A (en) | Chiral intermediates for the preparation of carbacephems | |
| JPS61254593A (ja) | アシルアミノメチル−ペネム化合物、その製法およびそれを含む医薬製剤 | |
| JPS63112558A (ja) | ４−（１−置換アリル）−２−アゼチジノン化合物の製造方法 |