JPS5821825B2 - ハンドウタイソウチ - Google Patents

ハンドウタイソウチ

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JPS5821825B2
JPS5821825B2 JP50122292A JP12229275A JPS5821825B2 JP S5821825 B2 JPS5821825 B2 JP S5821825B2 JP 50122292 A JP50122292 A JP 50122292A JP 12229275 A JP12229275 A JP 12229275A JP S5821825 B2 JPS5821825 B2 JP S5821825B2
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thin
layer
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体装置の電極構造に関するものである。
ショットキダイオードは従来よく知られているように例
えば第１図の構造をとり得る。
具体的構成としては半導体単結晶板１１の第１主面１２
の一部にシリコン酸化膜１３を残こして４〜５μの深さ
にエツチングした部分１４をつくり、鳩からなる蒸着層
１５を設けてショットキバリア１６を形成する。
蒸着層１５の上にＡｌ−Ｎｉ−Ａｕ等の多層構造の第１
金属薄層１７を蒸着してオーミックコンタクトとする。
このときショットキバリヤ１６、第１金属薄層１７が半
導体母材１８とシリコン酸化膜１３の両方にまたがって
被覆される部分（オーバレイ）１９が設けられるのはプ
レナー技術としてよく知られているものである。
一方半導体単結晶板１１の第２主面２０にはＮ ｉ −
Ａｕ 一等の多層構造の第２金属薄層２１がメッキ方法
等により接続されたオーミックコンタクトとする。
以上の構成から成るショットキダイオードペレット１０
の両側に電極端子をとりつける場合、第１金属薄層１７
にはＣｕにＮｉメッキしたカソードリード端子２２をＰ
ｂ−８ｒ半田材２３を介して鑞付けし、第２金属薄層２
１にはＣｕにＮｉメッキしたアノードベース電極２４を
Ｐｂ−８ｎ半田材２５を介して鑞付けする。
以上の例では１０〜３０Ａ程度の比較的大きい電流容量
を有するショットキダイオードの構造例であり、極力電
圧降下を低減し、熱放散効果を高くするため、カソード
リード線子２２の第１金属薄層１７に対向する部分をで
きるだけ大きくし、アノードベース電極２４はスタッド
部分２７を有し、これに放熱板をとりつけるようにする
。
ここで問題になるのは第１金属薄層１７とカソードリー
ド端子２２の鑞付は時において半田材２３が対向する部
分２６の外側領域２８にはみ出てオーバレイ１９の上ま
で達し、時にはこの部分に半田材２３のもりあがり部分
２９ができることである。
又鑞付部２２の端部３１にも半田材２３がちりあがるこ
とである。
これらの場合はみ出した半田材によって発生するストレ
スがショットキバリア１６の端部３０の付近に与えられ
、所望の設計耐圧が得られなかったり、実使用時に耐圧
劣化が生じるなど信頼性の上からも大きい難点があった
。
本発明は以上の従来構造の欠点を改善し、高い信頼性を
有する半導体装置を提供するものである。
以下、本発明の実姉例を第２図及び第３図を用いて説明
する。
本発明の一実施例による電力用ショットキバリアダイリ
ードを第２図により説明する。
第２図に於いて、第１図と同一符号は同−又は相当部分
を示す。
４０はカソードリード端子で、第１金属薄層１７と半田
材２３を介して鑞付される部分の端部４１に段差を持っ
た半田だまりを有するものである。
この様な半田だまりを有するカソードリード端子４０を
使用することにより、鑞付は時に溶融した半田材２３が
表面張力によって対向する部分２６の外側領域２８には
はみ出さず、対向する部分以外に半田材が留まることや
半田材のもりあがり部分２９が生じないことにより半田
材により発生するストレスがショットキバリヤ１６の端
部３０付近に与えられないため、所望の設計耐圧が得ら
れることや、実使用時に耐圧劣化が生じない高信頼度の
電力用ショットキダイオードを得ることができる。
次に本発明の他の実施例による電力用ショットキバリヤ
ダイオードを第３図により説明する。
第３図に於いて、第２図と同一符号は同−又は相当部分
を示す。
５０はカソードリード端子で、上述したカソードリード
端子４０と同様なものであり、鑞付される部分の端部４
１にくぼみを持った半田だまりを有するものである。
この様なカソードリード端子５０を有する電力用ショッ
トキバリヤダイオードは上述した事と同様な作用効果を
有するものである。
ここで本発明の詳細な説明中、半導体装置として大電力
用ショットキバリヤダイオードについて述べたが、本発
明はこれに限定されることなく鑞付は時に半田材かベレ
ットの不必要部分にはみ出し、接着することにより好ま
しくない結果を与えるものについて、例えば他のダイオ
ード、トランジスタ、サイリスク等の半導体装置にも適
用できることは明白である。
さらに半田だまりをカソードリード端子に設けたものと
して説明したが、この半田だまりを半導体ペレット側に
設は得ることも同様に明白である。
以上説明したように本発明は、半導体の電極と半田材を
介して鑞付けするリード端子との端部接合部近傍に半田
だまりを設けた半導体装置を構成することにより、電極
鑞付けによる耐圧の劣化が・防止できるとともに信頼性
を高くすることができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来の大電力用ショットキバリヤダイオードの
構造断面図、第２図及び第３図は本発明・の実姉例によ
る大電力用ショットキバリヤダイオードを示す構造断面
図である。 なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 １１は半導体、１２は第１主面、１５は第１金属薄層、
２０は第２主面、２１は第２金属薄層、）２２は第１電
極、２３は鑞材、２４は第２電極。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ 半導体板の第１主面に接続される第１金属薄層と、
    前記第１金属薄層と対向する面を有する第１電極と、前
    記第１金属薄層と前記第１電極との両者の間に介在して
    前記両者を接着する鑞材と、前記半導体板の第２主面に
    接続される第２金属薄層と、前記第２金薄層に接続され
    る第２電極とを有し、前記第１金属薄層に鑞材を介して
    接続する前記第１電極の対向する面の面積が前記第１金
    属薄層の面積より小さく、前記第１電極の対向する面の
    周囲に前記第１金属薄層と離れるような半田だまり部を
    設けて前記第１金属薄層と前記第１電極とを鑞付けする
    際、前記鑞材が前記第１金属薄層の端領域付近または前
    記端領域の外側面に流れ出て接着しないように前記半田
    だまり部に前記鑞材の流れた分をためるようにする構造
    を有することを特徴とする半導体装置。
JP50122292A 1975-10-09 1975-10-09 ハンドウタイソウチ Expired JPS5821825B2 (ja)

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JPS5246766A JPS5246766A (en) 1977-04-13
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