JPS58213838A - ゲルマニウムの回収方法 - Google Patents
ゲルマニウムの回収方法Info
- Publication number
- JPS58213838A JPS58213838A JP9619682A JP9619682A JPS58213838A JP S58213838 A JPS58213838 A JP S58213838A JP 9619682 A JP9619682 A JP 9619682A JP 9619682 A JP9619682 A JP 9619682A JP S58213838 A JPS58213838 A JP S58213838A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- germanium
- porous glass
- reducing agent
- heat treatment
- heat
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Manufacture And Refinement Of Metals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は酸化ゲルマニウムを含有する多孔質ガラス塊を
熱処理して透明ガラスとする際に揮散する高価なゲルマ
ニウムを回収する方法に関するものである。
熱処理して透明ガラスとする際に揮散する高価なゲルマ
ニウムを回収する方法に関するものである。
最近、石英系光ファイバを使用した光通信システムが脚
光をあびてきている。この石英系光ファイバの一部は外
付OVD法(化学気相沈着法)やVAD法 (気相軸付
法)によって一旦、多孔質ガラス塊が製造され、その後
透明ガラス化工程、紡糸工程等を経て製造されている。
光をあびてきている。この石英系光ファイバの一部は外
付OVD法(化学気相沈着法)やVAD法 (気相軸付
法)によって一旦、多孔質ガラス塊が製造され、その後
透明ガラス化工程、紡糸工程等を経て製造されている。
すなわち外付OVD法やVAD法はハロゲン化ケイ素に
ゲルマニウム、リン、ホウ素等のハロゲン化物をガス状
で混合して酸水素炎等の高温反応部に供給し、該反応部
で火炎加水分解反応させて微粒子状の酸化物とし、この
微粒子状の酸化物を多孔質ガラス塊に堆積形成し、その
後この多孔質ガラス塊を熱処理して透明なガラスとして
いる。この際特に石英系光ファイバでは屈折率を大きく
するために酸化ケイ素中に酸化ゲルマニウムをドーピン
グするが、酸化ゲルマニウムは蒸気圧が高いため通常の
合成ガラス製造法では高温のために酸化ゲルマニウムが
揮散してしまい酸化ケイ素中に酸化ゲルマニウムをドー
ピングすることは困難である。そのために、外付OVD
法やVAD法では酸化ゲルマニウムの揮散を抑えるため
に、まず低温で反応させてガラス成分を微粒子状に付着
させた多孔質ガラス塊とし、該多孔質ガラス塊を高温で
熱処理して透明ガラス化する方法がとられている。
ゲルマニウム、リン、ホウ素等のハロゲン化物をガス状
で混合して酸水素炎等の高温反応部に供給し、該反応部
で火炎加水分解反応させて微粒子状の酸化物とし、この
微粒子状の酸化物を多孔質ガラス塊に堆積形成し、その
後この多孔質ガラス塊を熱処理して透明なガラスとして
いる。この際特に石英系光ファイバでは屈折率を大きく
するために酸化ケイ素中に酸化ゲルマニウムをドーピン
グするが、酸化ゲルマニウムは蒸気圧が高いため通常の
合成ガラス製造法では高温のために酸化ゲルマニウムが
揮散してしまい酸化ケイ素中に酸化ゲルマニウムをドー
ピングすることは困難である。そのために、外付OVD
法やVAD法では酸化ゲルマニウムの揮散を抑えるため
に、まず低温で反応させてガラス成分を微粒子状に付着
させた多孔質ガラス塊とし、該多孔質ガラス塊を高温で
熱処理して透明ガラス化する方法がとられている。
しかしながら、多孔質ガラス塊を熱処理して透明ガラス
とする熱処理工程においても多孔質ガラス塊の表面近傍
で一部酸化ゲルマニウムが揮散し・これを防止すること
は不可能である〇 一方、近年ゲルマニウムは牛導体や光7アイパ等の原料
として需要が増加してきたことから入手するのが困難と
なってきている。
とする熱処理工程においても多孔質ガラス塊の表面近傍
で一部酸化ゲルマニウムが揮散し・これを防止すること
は不可能である〇 一方、近年ゲルマニウムは牛導体や光7アイパ等の原料
として需要が増加してきたことから入手するのが困難と
なってきている。
そこで本発明者等は上記の如く光フアイバ製造工程中に
おいて揮散するゲルマニウムを回収し有効に再使用する
ことをもくろみ、種々実験研究を重ねた結果、多孔質ガ
ラス塊の熱処理工程中で揮散する酸化ゲルマニウムを還
元し金属ゲルマニウムとして回収することに成功したの
である0以下、本発明を図示した一実施例について説明
する。
おいて揮散するゲルマニウムを回収し有効に再使用する
ことをもくろみ、種々実験研究を重ねた結果、多孔質ガ
ラス塊の熱処理工程中で揮散する酸化ゲルマニウムを還
元し金属ゲルマニウムとして回収することに成功したの
である0以下、本発明を図示した一実施例について説明
する。
図において1はWAD法(又は外付OVD法)で製造し
た多孔質ガラス塊で、該多孔質ガラス塊1は熱処理管2
内に回転しつつ下降するように支持されている03は熱
処理管2内の多孔質ガラス塊1を加熱する電気炉で、中
心部の温度が最高となり、入口側又は出口側に行くに従
って温度が低くなるよう設計されている。4.5は熱処
理管2に設けたガラス供給口と廃山口、6は熱処理管2
のガス廃出口5側に配置した還元剤で、本実施例ではフ
レーク状の炭素を使用している。高温に加熱された熱処
理管2の上方に設けたガス供給口4から、熱処理管2内
にヘリウムガスを送り込みつつ多孔質ガラス塊1を上方
から下方へ降下させると、多孔質ガラス塊1はその先端
から加熱溶融され透明ガラス7となる。この時多孔質ガ
ラス塊の表面近傍に含有されていた二酸化ゲルマニウム
の一部は高温のために還元されて蒸気圧の高い一酸化ゲ
ルマニウムとなり揮散する。この揮散した一酸化ゲルマ
ニウムは熱処理管2内を流れるヘリウムガスにともなわ
れて熱処理管2のガス廃出口側へ流れ、加熱状態にある
還元剤6と接触すると一酸化ゲルマニウムは還元されて
不揮発性の金属ゲルマニウムとなり回収される。
た多孔質ガラス塊で、該多孔質ガラス塊1は熱処理管2
内に回転しつつ下降するように支持されている03は熱
処理管2内の多孔質ガラス塊1を加熱する電気炉で、中
心部の温度が最高となり、入口側又は出口側に行くに従
って温度が低くなるよう設計されている。4.5は熱処
理管2に設けたガラス供給口と廃山口、6は熱処理管2
のガス廃出口5側に配置した還元剤で、本実施例ではフ
レーク状の炭素を使用している。高温に加熱された熱処
理管2の上方に設けたガス供給口4から、熱処理管2内
にヘリウムガスを送り込みつつ多孔質ガラス塊1を上方
から下方へ降下させると、多孔質ガラス塊1はその先端
から加熱溶融され透明ガラス7となる。この時多孔質ガ
ラス塊の表面近傍に含有されていた二酸化ゲルマニウム
の一部は高温のために還元されて蒸気圧の高い一酸化ゲ
ルマニウムとなり揮散する。この揮散した一酸化ゲルマ
ニウムは熱処理管2内を流れるヘリウムガスにともなわ
れて熱処理管2のガス廃出口側へ流れ、加熱状態にある
還元剤6と接触すると一酸化ゲルマニウムは還元されて
不揮発性の金属ゲルマニウムとなり回収される。
なお還元剤にフレーク状の炭素を使用するときの炭素層
の温度は高温側を1250°C1低温側を800°Cと
したときゲルマニウムの回収率が極めて良好であったが
、炭素層の長さによってその最適温度分布は異なる。
の温度は高温側を1250°C1低温側を800°Cと
したときゲルマニウムの回収率が極めて良好であったが
、炭素層の長さによってその最適温度分布は異なる。
本発明は以上詳述したように、光フアイバ製造工程で揮
散する高価なゲルマニウムを回収することに着目し、多
孔質ガラス塊の透明ガラス化に際し熱処理管中を流れる
ガス流に、揮散した一酸化ゲルマニウムを乗せ、該−酸
化ゲルマニウムを還元して金属ゲルマニウムとして回収
することに成功したものであり、その経済的効果は極め
て大きいものである。
散する高価なゲルマニウムを回収することに着目し、多
孔質ガラス塊の透明ガラス化に際し熱処理管中を流れる
ガス流に、揮散した一酸化ゲルマニウムを乗せ、該−酸
化ゲルマニウムを還元して金属ゲルマニウムとして回収
することに成功したものであり、その経済的効果は極め
て大きいものである。
図は本発明の一実施例を示す説明図である。
1:多孔質ガラス塊 2:熱処理管
6+還元剤
Claims (1)
- ゲルマニウムを含有する多孔質ガラス塊を熱処理管中で
熱処理して透明ガラス化する際に揮散する酸化ゲルマニ
ウムを回収する方法において、前記透明ガラス化せしめ
る熱処理管中に還元剤を配置し、該還元剤で揮散した酸
化ゲルマニウムを還元し金属ゲルマニウムとして回収す
ることを特徴とするゲルマニウムの回収方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9619682A JPS58213838A (ja) | 1982-06-07 | 1982-06-07 | ゲルマニウムの回収方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9619682A JPS58213838A (ja) | 1982-06-07 | 1982-06-07 | ゲルマニウムの回収方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58213838A true JPS58213838A (ja) | 1983-12-12 |
Family
ID=14158535
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9619682A Pending JPS58213838A (ja) | 1982-06-07 | 1982-06-07 | ゲルマニウムの回収方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58213838A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2010042226A3 (en) * | 2008-10-09 | 2010-07-29 | Leblanc, Diane, S. | Production of silicon |
CN104911363A (zh) * | 2015-06-24 | 2015-09-16 | 上海交通大学 | 一种回收褐煤烟尘中锗的方法 |
-
1982
- 1982-06-07 JP JP9619682A patent/JPS58213838A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2010042226A3 (en) * | 2008-10-09 | 2010-07-29 | Leblanc, Diane, S. | Production of silicon |
CN104911363A (zh) * | 2015-06-24 | 2015-09-16 | 上海交通大学 | 一种回收褐煤烟尘中锗的方法 |
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