JPS58213622A - ＢｅＯを含有したＳｉＯ薄膜の製造方法 - Google Patents

ＢｅＯを含有したＳｉＯ薄膜の製造方法

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Publication number
JPS58213622A
JPS58213622A JP9279682A JP9279682A JPS58213622A JP S58213622 A JPS58213622 A JP S58213622A JP 9279682 A JP9279682 A JP 9279682A JP 9279682 A JP9279682 A JP 9279682A JP S58213622 A JPS58213622 A JP S58213622A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gas
beo
inlet
sic film
film containing
Prior art date
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Pending
Application number
JP9279682A
Other languages
English (en)
Inventor
Tetsuo Kawai
哲郎 川井
Masahiko Sakakibara
正彦 榊原
Hisao Hara
久雄 原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Proterial Ltd
Original Assignee
Hitachi Metals Ltd
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Publication date
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Publication of JPS58213622A publication Critical patent/JPS58213622A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はＯＶＤによりＢｅＯを含有したＳｉＯ薄展の製
造方法に関するものである。
ＢｅＯを含有した高密度８１０は熱伝導性が極めて良く
かつ良好な絶縁体であるため最近半導体等エレクトロニ
クスの基板材料として注目を集めている。
しかしＢｅＯを含有しかつ高密度の８１０を得るために
その軸造方法はホットプレスに頼らざるを得ないのが現
状である。そのため製造コストが高くなるのが欠点であ
る。
ところで、エレクト四二りスの基板材料とし使用する場
合には必ずしもプ四ツクは必要でなく、放熱作用があれ
に良いだけであり厚さは必ずしも必要ではない。大面積
の膜を効率良く製造するには０ＶＩ）が適している〇 本発明はホットプレスによる製法ではコストが高くなる
欠点を解消する目的で（至）法により大面株のｓｈｏ膜
を安価に製造することを目的とする。
（至）でＢｅＯ膜を形成する方法は良く知られている。
ＢｅＯを口で形成することも可能である。
しかし、ＢｅＯを含有させたＢｅＯ膜を形成することは
困難である。なぜならばＢｅＯを形成するには雰囲気を
激化雰囲気にする必要があるが、酸化雰囲気中へ８１０
を形成する反応ガスを同時に流すとｓｌの１部が酸化さ
れ５１０３となってしまい膜の熱伝導串を著しく低下さ
せてしまうからである。
そこで本発明者らは、ＢｅＯを形成するガスとＳｉＯを
形成する反応ガスとをそれぞれ独立に交互に間に流すと
、Ｓｉが酸化されずに加０を含有したＢｅＯ膜が形 削成されることを見い出した。この方法の場合ＢｅＯを
コーティングする前に形成されたＢｅＯ膜は安定であり
Ｂｏｏが形成葛れるような低い酸素ポテンシャルでは酸
化されることはない。
以下実施例に従って詳細に説明する。
なお実施例で使用した０″ｖｎ装激の概念図は第１図に
示した。
実施例 第１図に示すＯＶＤ装飯を用いてｋＬｓ０６基板２が所
定温度の１０００　Ｃに達するまで反応ガス導入口３か
らＨ２ガスを流し電気炉で加熱した。基板温度が１００
０Ｃに達した後、導入口フからＳｉＯム浴８中をバブリ
ングさせた一ガスを３００ｍ４／分及び導入口６からＯ
Ｈａガス３００Ｉ１１４／分導入した。８１０ム浴８の
温度は２０Ｃに保った。この状態で１０分間保持し基板
ｚ上に８１０膜を形成しせた。次に導入口６及び導入ロ
アのガスを止め導入口４から４ｏＯＣに加熱したＢｓハ
ク９中を通したＨＯｔガスを５ｏｍｔ／分及び導入口６
から００露ガスをｓｏｍｅ／分導入した。この状態で１
分間保持し基板ｚ上に形成されたＳｉａ膜の上にＢｅＯ
を形成させた。
この一連のガス導入を１０回くり返した。反応は５０Ｔ
ｏｒｒの減圧下で行なわせた。
このようにしてＢｅＯを含有したＳｉａ膜が浮名１０μ
形成賂れた〇 この方法で形成された楔の熱伝導度はＬａ　ｗ　／　Ｃ
ＩＩｄｓｇと優れた値であった。
３ｅＯの含鳴魚は反応ガスを流す時シ」を良化させるこ
とにより任意に変化させることができる。
また（至）で膜を形成した後、１ｏｏｏｔ：’から１８
００　Ｃの温度で真空中で熱処理するとＢｅＯの均一性
が増し粘性のバラツキが少なくなった。
本発明によりＯＶＤ″ｃＢｏｏを含有した８１０膜の形
成が可能となり、従来のホットプレスによる生産に比べ
て安価であるため半導１体等エレクトロニクスの基板材
料への応用が広まると期待される。
【図面の簡単な説明】
餓１図は本発明方法に使用するに好適なＧＶＩ）装機を
示す概念図である。 図中で１は電気炉、２は基板、３はＨ，ガス導入口、４
はＢｅ０Ｌ＊導入口、５は００２ガス導入口、６は０瓜
ガス導入口、７は５ｉＯｔ、導入口、８は５ｉ０４浴、
９はＢｅハク、ｌＯは排気口を示す。 証１面

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）化学気相蒸着法（ＯＶＤ）で反応ガスとして、Ｂ
    ｅのパライト、ＳｌのパライトあるいはＳｉの水素化物
    、炭化水素ガス及び００１ガスあるいは水蒸気を使用し
    て、Ｂｅの酸化物を形成する反応ガスと８１の炭化物を
    形成する反応ガスとをそれぞれ独立に交互に反応炉へ流
    すことを特徴とするＢｅＯを含有したＳｌ［有］膜の製
    造方法。
  2. （２）　　上記第１項で述べた製造方法によって得られ
    た膜を真空中で１０００　Ｇから１８００　Ｃで熱処理
    することを特徴とするＢ＠Ｏを含有したＳｉＯ薄膜の製
    造方法。
JP9279682A 1982-05-31 1982-05-31 ＢｅＯを含有したＳｉＯ薄膜の製造方法 Pending JPS58213622A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60177179A (ja) * 1984-02-23 1985-09-11 Toshiba Corp 黒色装飾品

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60177179A (ja) * 1984-02-23 1985-09-11 Toshiba Corp 黒色装飾品
JPH029671B2 (ja) * 1984-02-23 1990-03-02 Tokyo Shibaura Electric Co

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