JPS60177179A - 黒色装飾品 - Google Patents
黒色装飾品Info
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- JPS60177179A JPS60177179A JP3136284A JP3136284A JPS60177179A JP S60177179 A JPS60177179 A JP S60177179A JP 3136284 A JP3136284 A JP 3136284A JP 3136284 A JP3136284 A JP 3136284A JP S60177179 A JPS60177179 A JP S60177179A
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- silicon carbide
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C28/00—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は黒色装飾品に関し、史に詳しくは炭化ケイ素（
ＳｉＣ）で被覆され、黒色光沢を有する装飾品に関する
。
ＳｉＣ）で被覆され、黒色光沢を有する装飾品に関する
。
黒色の表面光沢を有する部材は格調の高い装飾品として
賞月される。とくに、時計の側、メガネの枠には好適で
ある。
賞月される。とくに、時計の側、メガネの枠には好適で
ある。
しかしながら、このような黒色装飾品が工業的に製造さ
れたとい５例は未だない。例えば、窒化ケイ素、炭化ケ
イ素などの焼結体セラミックスは黒色を呈しているが、
それはくすぶった黒色であり光沢の鮮やかな黒色ではな
く、到底装飾品としての価値を有するものではない。ま
た、ステンレス鋼や超合金などの基体の表面に物理蒸着
法（ＰＶＤ法）で薄膜コーティングを施して黒色装飾品
を製造することが試みられているが光沢のある黒色コー
ティングを得ることはできない。
れたとい５例は未だない。例えば、窒化ケイ素、炭化ケ
イ素などの焼結体セラミックスは黒色を呈しているが、
それはくすぶった黒色であり光沢の鮮やかな黒色ではな
く、到底装飾品としての価値を有するものではない。ま
た、ステンレス鋼や超合金などの基体の表面に物理蒸着
法（ＰＶＤ法）で薄膜コーティングを施して黒色装飾品
を製造することが試みられているが光沢のある黒色コー
ティングを得ることはできない。
それゆえ、黒色光沢を有する装飾品の工業的な開発は強
く望まれている。
く望まれている。
本発明は、工業的規模で製造することが可能で、光沢に
優れた黒色表面を有する装飾品の提供を目的とする。
優れた黒色表面を有する装飾品の提供を目的とする。
本発明の黒色装飾品は、その表面がＳｉＣ薄膜で被覆さ
れていることを特徴とする。
れていることを特徴とする。
本発明の装飾品において１表面を被覆するＳｉＣ薄膜は
、ＪＩＳ Ｚ ８１０５−２０６８で規定する（ＣＩＥ
１９７６）Ｌ 、ａ 、ｂ色空間において、Ｌ 、ａ
、ｂ はそれぞれ、＊ ３０％≦Ｌ ５５０％、（ａ）”＋（ｂ 戸≦２５の関
係を満足するような色調を有しているものである。
、ＪＩＳ Ｚ ８１０５−２０６８で規定する（ＣＩＥ
１９７６）Ｌ 、ａ 、ｂ色空間において、Ｌ 、ａ
、ｂ はそれぞれ、＊ ３０％≦Ｌ ５５０％、（ａ）”＋（ｂ 戸≦２５の関
係を満足するような色調を有しているものである。
この色調のとき、ＳｉＣ薄膜は格調高い黒色光沢をもっ
て輝いている。Ｌ が小さすぎると、薄膜表面の明度が
低くなり光沢が不満足であり、また大きすぎると、明度
が高くなりすぎて金属色（金属光沢）となり黒色ではな
くなる。したがってＬは３．０％から５０％の範題が好
ましく、更には３５〜４５％が好ましい。また、 （ａ
）”＋（ｂ 戸か大きすぎると、薄膜表面が黒色から
、赤（若しくはその補色の緑）又は黄（若しくはその補
色の青）の色相の彩度が強くなり良好な黒色とはいいが
たくなるので、（ａ ）”＋（ｂ ）”は２５以下が好
ましく、更には１６以下が好ましい。
て輝いている。Ｌ が小さすぎると、薄膜表面の明度が
低くなり光沢が不満足であり、また大きすぎると、明度
が高くなりすぎて金属色（金属光沢）となり黒色ではな
くなる。したがってＬは３．０％から５０％の範題が好
ましく、更には３５〜４５％が好ましい。また、 （ａ
）”＋（ｂ 戸か大きすぎると、薄膜表面が黒色から
、赤（若しくはその補色の緑）又は黄（若しくはその補
色の青）の色相の彩度が強くなり良好な黒色とはいいが
たくなるので、（ａ ）”＋（ｂ ）”は２５以下が好
ましく、更には１６以下が好ましい。
この装飾品の基体としては１例えば、ステンレス鋼ヤニ
ッケル基合金が用いられるが。
ッケル基合金が用いられるが。
これらの金属の熱膨張係数とその上に形成される炭化ケ
イ素の熱膨張係数との差が大きい為、炭化ケイ素層形成
後の冷却過程で炭化ケイ素が基体から剥離を起すことが
ある。そこで、本発明はこの剥離を起す熱応力を緩和す
る為、基体と表面層との熱膨張係の間の係数を有する緩
衝層を設けたものである。
イ素の熱膨張係数との差が大きい為、炭化ケイ素層形成
後の冷却過程で炭化ケイ素が基体から剥離を起すことが
ある。そこで、本発明はこの剥離を起す熱応力を緩和す
る為、基体と表面層との熱膨張係の間の係数を有する緩
衝層を設けたものである。
熱応力緩衝層としては、熱膨張係数が、５×１０ ／℃
〜１５ＸｌＯ／’Ｃ更には６Ｘ１０ ／６ ℃〜９Ｘ１０ ／’ｃであることが好ましい。
〜１５ＸｌＯ／’Ｃ更には６Ｘ１０ ／６ ℃〜９Ｘ１０ ／’ｃであることが好ましい。
この場合、更に基体と炭化ケイ素との熱膨張係数間の中
心付近に係数を有する熱応力緩衝層を用いると、その効
果は一層顕著になる。
心付近に係数を有する熱応力緩衝層を用いると、その効
果は一層顕著になる。
例えば基体がフェライト系ステンレス鋼であると、熱膨
張係数が６Ｘ１０ ／ ’Ｃ〜９ＸｌＯ’／℃好ましく
は７×ｌθ 〜８ＸｌＯ−６７℃を有する熱応力緩衝層
が望ましく、具体的には窒化チタン、窒化ハフニウムが
あり、基体がりｐムーアルミニウム合金であると、熱膨
張係数が６Ｘ１０ ’／’Ｃ〜１１ＸＩＯ’／’Ｃ好マ
Ｌ ＜ハ、７×ｌＯ〜ｌ０ＸＩＯ／’Ｃを有する緩衝層
が望ましく、具体的には窒化チタン、窒化バナジウム、
酸化アルミニウムがあり、基体がオーステナイト系ステ
ンレス鋼であると、熱膨張係数は、６ＸｌＯ／’Ｃ〜１
５Ｘ１０ ／’ｃ好ましくは８Ｘ１０−６〜１３ｘ１０
７℃ を有する緩衝層が望ましく、具体的には窒化ニオ
ブ。
張係数が６Ｘ１０ ／ ’Ｃ〜９ＸｌＯ’／℃好ましく
は７×ｌθ 〜８ＸｌＯ−６７℃を有する熱応力緩衝層
が望ましく、具体的には窒化チタン、窒化ハフニウムが
あり、基体がりｐムーアルミニウム合金であると、熱膨
張係数が６Ｘ１０ ’／’Ｃ〜１１ＸＩＯ’／’Ｃ好マ
Ｌ ＜ハ、７×ｌＯ〜ｌ０ＸＩＯ／’Ｃを有する緩衝層
が望ましく、具体的には窒化チタン、窒化バナジウム、
酸化アルミニウムがあり、基体がオーステナイト系ステ
ンレス鋼であると、熱膨張係数は、６ＸｌＯ／’Ｃ〜１
５Ｘ１０ ／’ｃ好ましくは８Ｘ１０−６〜１３ｘ１０
７℃ を有する緩衝層が望ましく、具体的には窒化ニオ
ブ。
酸化ジルコニウムがある。以上述べた効果のほかに熱応
力緩衝層は５表面層としての炭化ケイ素の雲すな減少さ
せる効果を有する。この際、熱応力緩衝層としては相態
図で示すところの単相状態組織の材料が好ましい。これ
により、炭化ケイ素をこの緩衝層にプラズマ化学蒸着し
た際、炭化ケイ素蒸着層に雲りを一層生じにくくさせる
。この理由は心ずしも明らかではないが、ＳｉＣプラズ
マ化学蒸着を実施する際、その被着表面では、スパッタ
現象と蒸着現象が同時に起る。そこで被着体表面が複相
状態であると、それぞれの相でスパッタ速度や蒸着速度
が異なり、それが雲りの原因になるが、単相であると、
その雲りが生じにくいと考えられる。
力緩衝層は５表面層としての炭化ケイ素の雲すな減少さ
せる効果を有する。この際、熱応力緩衝層としては相態
図で示すところの単相状態組織の材料が好ましい。これ
により、炭化ケイ素をこの緩衝層にプラズマ化学蒸着し
た際、炭化ケイ素蒸着層に雲りを一層生じにくくさせる
。この理由は心ずしも明らかではないが、ＳｉＣプラズ
マ化学蒸着を実施する際、その被着表面では、スパッタ
現象と蒸着現象が同時に起る。そこで被着体表面が複相
状態であると、それぞれの相でスパッタ速度や蒸着速度
が異なり、それが雲りの原因になるが、単相であると、
その雲りが生じにくいと考えられる。
単相組織の材料としては、例えば、ＩＶａｌｖａ、■ａ
族元素の窒化物、酸化物、ホウ化物又は、ケイ化物等
がある。
族元素の窒化物、酸化物、ホウ化物又は、ケイ化物等
がある。
以上述べた、熱応力緩衝層の厚さは、 ０．０１以上が
望ましい。これは、厚さが増加することにより、雲りや
剥離を生じにくくなり、総合的な効果を有する為である
。しかし、あまり厚くなりすぎると、剥離を生じやすく
なる為、１００μｍ以下が好ましい。
望ましい。これは、厚さが増加することにより、雲りや
剥離を生じにくくなり、総合的な効果を有する為である
。しかし、あまり厚くなりすぎると、剥離を生じやすく
なる為、１００μｍ以下が好ましい。
又、熱応力緩衝層は、製造コストの観点から単層が好ま
しいが、複層でも混合層でも良〜１゜ 本発明にかかる熱応力緩衝層（例えばＴｉＮ）およびそ
の上に形成されるＳｉＣ膜は、模式図として例示した以
下の処理装置を用いたプラズマ化学蒸着法（ＰＣＶＤ法
）によって形成することができる。
しいが、複層でも混合層でも良〜１゜ 本発明にかかる熱応力緩衝層（例えばＴｉＮ）およびそ
の上に形成されるＳｉＣ膜は、模式図として例示した以
下の処理装置を用いたプラズマ化学蒸着法（ＰＣＶＤ法
）によって形成することができる。
図で、ｌは反応室で、室内にはヒータ用電源２に接続し
たヒータ３、その上には放電用直流源４に接続した負電
極５、負電極５と対向して正電極６が配置されている。
たヒータ３、その上には放電用直流源４に接続した負電
極５、負電極５と対向して正電極６が配置されている。
負を極ｊ５は表面処理すべき基体７の支持台の機能も兼
ねている。
ねている。
反応室ｌには、原料である反応ガスの供給系（図示した
右側の系）が連結されていて、ここから、所定の流量で
各原料が導入される。
右側の系）が連結されていて、ここから、所定の流量で
各原料が導入される。
熱応力緩衝層（ＴｉＮ）を形成する反応ガスは水素（Ｈ
７）と四塩化チタン（ＴｉＣｚ＋） と窒素（Ｎ、）の
３種類の混合ガスである。図で、８はＮ、の供給ボンベ
である。９はＴｉＣｌ４のバブラー恒温槽で、ここに収
納されているＴｉ（Ｊ４は水素ボンベｌＯから送入され
るＨ８でバブリングされ、該恒温槽の温度に相当する蒸
気圧のＴｉＣＪ、がＨｌとともに反応室ｌ内に尋人され
る。このとき、槽９の温度はＴｉＣｌ４の供給量との関
係から決められるが１通常２０〜８０℃の範囲の温度で
ある。
７）と四塩化チタン（ＴｉＣｚ＋） と窒素（Ｎ、）の
３種類の混合ガスである。図で、８はＮ、の供給ボンベ
である。９はＴｉＣｌ４のバブラー恒温槽で、ここに収
納されているＴｉ（Ｊ４は水素ボンベｌＯから送入され
るＨ８でバブリングされ、該恒温槽の温度に相当する蒸
気圧のＴｉＣＪ、がＨｌとともに反応室ｌ内に尋人され
る。このとき、槽９の温度はＴｉＣｌ４の供給量との関
係から決められるが１通常２０〜８０℃の範囲の温度で
ある。
次に表面層ＳｉＣ膜を形成する反応ガスは水素（Ｈ２）
と四塩化ケイ素（ＳｉＣ１４）と炭化水素の３種類の混
合ガスである。図で、１２は炭化水素の供給ボンベであ
る。用いる炭化水素としては、メタン、エタン、プロパ
ン、エチレン、アセチレン、プロピレンなどが好適であ
る。
と四塩化ケイ素（ＳｉＣ１４）と炭化水素の３種類の混
合ガスである。図で、１２は炭化水素の供給ボンベであ
る。用いる炭化水素としては、メタン、エタン、プロパ
ン、エチレン、アセチレン、プロピレンなどが好適であ
る。
１１は５ｉＣ１，のバブラー恒温槽で、ここに収納され
ている５ｉｃｋ４は水素ボンベ２０から送入される水素
でバブリングされ、該恒温槽１１の温度に相当する蒸気
圧の５ｉＣＩ！、がＨ！とともに反応室ｌ内に導入され
る。このとき。
ている５ｉｃｋ４は水素ボンベ２０から送入される水素
でバブリングされ、該恒温槽１１の温度に相当する蒸気
圧の５ｉＣＩ！、がＨ！とともに反応室ｌ内に導入され
る。このとき。
槽ｉｉの温度は５ｉ（４’ａの供給量から決められるが
、通常は一７０〜ｌＯ℃の範囲にある。
、通常は一７０〜ｌＯ℃の範囲にある。
またアルゴンボンベ１３は基体７０表面をＴｉＮ薄膜で
被覆するに先立ち、該基体表面を清浄化するためのアル
ゴン（Ａｒ）スパッタ用である。さらに１５は反応室ｌ
内を所定のガス圧にするための真空ポンプの油逆流防止
ＴｉＮ及びＳｉＣ薄膜形成時に副生ずる塩化物を捕捉す
るためのトラップであり、これら全体で排気系が結成さ
れている。
被覆するに先立ち、該基体表面を清浄化するためのアル
ゴン（Ａｒ）スパッタ用である。さらに１５は反応室ｌ
内を所定のガス圧にするための真空ポンプの油逆流防止
ＴｉＮ及びＳｉＣ薄膜形成時に副生ずる塩化物を捕捉す
るためのトラップであり、これら全体で排気系が結成さ
れている。
図の装置を用いて、まず、供給系からＡｒガスを適当量
４ν、入しながら真空ポンプ１５で排気し反応室１内を
約０．０５ＴｏｒｒのＡｒ雰囲気に圧力調整し基体７０
表面を電流密度約０．５ｍＡ／ｄ でスパッタして清浄
化する。
４ν、入しながら真空ポンプ１５で排気し反応室１内を
約０．０５ＴｏｒｒのＡｒ雰囲気に圧力調整し基体７０
表面を電流密度約０．５ｍＡ／ｄ でスパッタして清浄
化する。
その後、反応ガス供給系を切替え反応ガス（Ｎ２ ＋’
ｌ’ ｉ Ｃ４−１−Ｎ２）を反応室ｌ内に導入しなが
ら排気し反応ガスの全体圧力を所定の値に調節し、ヒー
タ３で基体７を加熱して両電極５，６間に電圧印加し反
応室１内にグロー放電を発生させる。
ｌ’ ｉ Ｃ４−１−Ｎ２）を反応室ｌ内に導入しなが
ら排気し反応ガスの全体圧力を所定の値に調節し、ヒー
タ３で基体７を加熱して両電極５，６間に電圧印加し反
応室１内にグロー放電を発生させる。
室内のガス圧が０．０５ Ｔｏｒｒ未滴の場合にはグロ
ー放電が発生せず、また５ Ｔｏｒｒを超えるとグロー
放電が安定しないばかりではなくアーク放電が発生し始
める。好ましくは０．５〜２Ｔｏｒｒである。
ー放電が発生せず、また５ Ｔｏｒｒを超えるとグロー
放電が安定しないばかりではなくアーク放電が発生し始
める。好ましくは０．５〜２Ｔｏｒｒである。
基体の加熱温度は１００〜１０００℃、好ましくは３０
０〜７００℃、最も好ましくは５００℃である。
０〜７００℃、最も好ましくは５００℃である。
また、放電時、基体の単位面積当りに流す電流の電流密
度は０．０１〜１ｍＡ／ｉ 、好ましくは０．０５〜０
．５ ｍＡ／（ｉである。
度は０．０１〜１ｍＡ／ｉ 、好ましくは０．０５〜０
．５ ｍＡ／（ｉである。
装置を運転するに当り必要な他のパラメータ、例えば放
電維持電圧、反応ガスの流量なとは、反応室の大きさ、
基体の表面積が変動すると上記した３つの条件の変動に
対応して変化させなければならないので一義的には決め
られない。
電維持電圧、反応ガスの流量なとは、反応室の大きさ、
基体の表面積が変動すると上記した３つの条件の変動に
対応して変化させなければならないので一義的には決め
られない。
その後、゛反応ガス供給系を切替え反応ガス（Ｎ２ ＋
Ｓ ｉ Ｃ４＋ＣＨ４）を反応室１内に導入しながら排
気し反応ガスの全体圧力を所定の値に調節しながら、ヒ
ータ３で基体７を加熱して両電極５，６間に電圧印加し
反応室１内にグロー放電を発生させる。
Ｓ ｉ Ｃ４＋ＣＨ４）を反応室１内に導入しながら排
気し反応ガスの全体圧力を所定の値に調節しながら、ヒ
ータ３で基体７を加熱して両電極５，６間に電圧印加し
反応室１内にグロー放電を発生させる。
室内のガス圧が０．０５ Ｔｏｒｒ未滴の場合にはグロ
ー放電が発生せず、また５Ｔｏｒｒ’＆超えるとグロー
放電が安定し７ないばかりではなくアーク放電が発生し
始める。好ましくは０．５〜２Ｔｏｒｒである。
ー放電が発生せず、また５Ｔｏｒｒ’＆超えるとグロー
放電が安定し７ないばかりではなくアーク放電が発生し
始める。好ましくは０．５〜２Ｔｏｒｒである。
基体の加熱温度は１００〜１０００℃、好ましくは３０
０〜７００℃、最も好ましくは５００℃である。
０〜７００℃、最も好ましくは５００℃である。
また、放電時、基体の単位面積当りに流す電流の電流密
度は０．０１〜ｌ ｍＡ ／’ｃｕｔ好ましくは０．０
５〜０．５ ｍＡ／ｄである。
度は０．０１〜ｌ ｍＡ ／’ｃｕｔ好ましくは０．０
５〜０．５ ｍＡ／ｄである。
装置をＪｉ転するに肖り必要−な他のパラメータ、例え
ば放電維持電圧、反応ガスの流量などは、反応量の大き
さや基体の表面積が変動すると上記した３つの条件の変
動に対応して変化させなければならないので一義的には
決められない。本発明にがかるＳｉＣ薄膜を形成する場
合に重要な問題は、上記した反応ガス中で、炭素の原子
数とケイ素の原子数を所定の割合で制御することである
。
ば放電維持電圧、反応ガスの流量などは、反応量の大き
さや基体の表面積が変動すると上記した３つの条件の変
動に対応して変化させなければならないので一義的には
決められない。本発明にがかるＳｉＣ薄膜を形成する場
合に重要な問題は、上記した反応ガス中で、炭素の原子
数とケイ素の原子数を所定の割合で制御することである
。
すなわち、反応ガス中の炭素の原子数をｎとし、反応ガ
ス中のＳｉの原子数をｎ′としたとき、反応ガス中にあ
ってばＴ「管か７５％以上となるように各反応ガスの供
給量が制御されるべぎである。
ス中のＳｉの原子数をｎ′としたとき、反応ガス中にあ
ってばＴ「管か７５％以上となるように各反応ガスの供
給量が制御されるべぎである。
この比（モル％）が小さすぎると、形成されたＳｉＣ薄
膜はその明度が大きくなりすぎて望ましい色調が得られ
なくなる。好ましくは８０〜９０％である。
膜はその明度が大きくなりすぎて望ましい色調が得られ
なくなる。好ましくは８０〜９０％である。
また、本発明にかかるＳｉＣ薄膜の形成に当っては、形
成される薄膜が半透明膜なのでその膜厚が１μｍより薄
いときには干渉稿を伴った干渉色となるので、格調高い
黒色光沢を得るには膜厚は１μｍ以上形成しなければな
らない。好ましくは１．５〜２．５μｍ程度である。
成される薄膜が半透明膜なのでその膜厚が１μｍより薄
いときには干渉稿を伴った干渉色となるので、格調高い
黒色光沢を得るには膜厚は１μｍ以上形成しなければな
らない。好ましくは１．５〜２．５μｍ程度である。
以上述べた様に、ＰＣＶＤ法を用いて熱応力緩衝層と表
面層を連続形成すると、雲りが生じにくい上に熱応力緩
衝と表面、５を異なる方法で製造する場合に比べて生産
効率の点から好ましい。
面層を連続形成すると、雲りが生じにくい上に熱応力緩
衝と表面、５を異なる方法で製造する場合に比べて生産
効率の点から好ましい。
図に示した装置を用い、第２表に示した条件で、第１表
に示す装飾品を作成した。
に示す装飾品を作成した。
この際Ｓｉ″Ｃ膜の雲りや剥離の状態を観察し、その結
果を第１表に併記した。
果を第１表に併記した。
第１表から明らかな如く、本発明の実施品は、雲りや剥
離が少なく実用上好ましいことがわかる。
離が少なく実用上好ましいことがわかる。
又、第１表に記載以外の窒化物、はう化物ケイ化物及び
酸化物の熱応力緩衝層を形成して、雲りや剥珀１を状態
を調べたが、Ｔｉ’Ｎは、それらに比較して良好な値を
示し、た。
酸化物の熱応力緩衝層を形成して、雲りや剥珀１を状態
を調べたが、Ｔｉ’Ｎは、それらに比較して良好な値を
示し、た。
以下余白
〔発明の効果〕
本発明は、炭化ケイ素の下に熱応力緩衝層を設けること
により、炭化ケイ素膜が雲りにり＜、かつ剥離しにくい
熱色装飾品を提供できる。
により、炭化ケイ素膜が雲りにり＜、かつ剥離しにくい
熱色装飾品を提供できる。
図面は、熱応力緩衝層及び炭化ケイ素層を形成するＰＣ
ＶＤ装置の概念図である。 ｌ・・・・・・反応室 ２・・・・・ヒータ用電源３・
・・・・・ヒータ ４・・・・・・グロー放電用直流電
源５・・・・・・負電極兼支持台 ６・・・・・・正電
極７・・・・・・基体 ８・・・・・・窒素ガスボンベ
９・・・・・・四塩化チタンバブラー恒温槽１０、２０
・・・・・・水素ガスボ／べ１１・・・・・・四塩化ケ
イ素バブラー恒温槽１２・・・・・・炭化水素ガスボン
ベ １３・・・・・・アルゴンガスボンベ １４・・・・・
・トラップ１５・・・・・・真空ポンプ
ＶＤ装置の概念図である。 ｌ・・・・・・反応室 ２・・・・・ヒータ用電源３・
・・・・・ヒータ ４・・・・・・グロー放電用直流電
源５・・・・・・負電極兼支持台 ６・・・・・・正電
極７・・・・・・基体 ８・・・・・・窒素ガスボンベ
９・・・・・・四塩化チタンバブラー恒温槽１０、２０
・・・・・・水素ガスボ／べ１１・・・・・・四塩化ケ
イ素バブラー恒温槽１２・・・・・・炭化水素ガスボン
ベ １３・・・・・・アルゴンガスボンベ １４・・・・・
・トラップ１５・・・・・・真空ポンプ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基体の表面に熱応力緩衝層を介して炭化ケイ素を主
成分とする層を設けた黒色装飾品。 ６ ２、熱応力緩衝層は５×ｌＯ／℃〜１５×ｌＣ６／℃の
熱膨張係数を有する特許請求の範囲第１項に記載の黒色
装飾品。 ３、熱応力緩衝層は、単相状態の組織を有する特許請求
の範囲第１項乃至第２項に記載の点色装飾品。 ４、熱応力緩衝層は、周期律表の■ａ、 ■ａ、 ■ａ
族元索の窒化物、酸化物、ホウ化物及びケイ化物の化合
物群から選ばれた１種または２種以上からなる単層、複
合層又は混合層である特許請求の範囲第１項乃至第３項
に記載の黒色装飾品。 ５、熱応力緩衝層は０．０１／ｊｍ以上の厚さを有する
特許請求の範囲第１項乃至第４項に記載の黒色装飾品。 ６、熱応力緩衝層は、基体上にプラズマ化学蒸着法で形
成された特許請求の範囲第１項乃至第５項に記載の黒色
装飾品。 ７、該炭化ケイ素の表面が、ＪＩＳ Ｚ ８１０５−２
０６８で規定する（ＣＩＥ１９７６）Ｌ 。 ａ＊、ｂ＊色空間において、Ｌ、ａ、ｂ はそれぞれ、
３０％≦Ｌ”≦５０％ｌ （ａ＊）”＋（ｂ”）”≦２
５の関係を満足する色調を有している特許請求の範囲第
１項乃至第６項に記載の黒色装飾品。 ８、該炭化ケイ素が、プラズマ化学蒸着法で形成された
薄膜である特許請求の範囲第１項乃至第７項に記載の黒
色装飾品。 ９、該炭化ケイ素の厚みが１／Ａｍ以上である特許請求
の範囲第１項乃至第８項のいずれかに記載の黒色装飾品
。 １０、該プラズマ化学蒸着法において、反応ガス中の炭
素の原子数をｎ１反応ガス中のケイ素原子数をｎ′とし
たとき、ｎ、 ｎ’が７５％≦−１万の関係を満足する
数である特許請求のｎ十ｎ 範囲第８項記載の黒色装飾品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3136284A JPS60177179A (ja) | 1984-02-23 | 1984-02-23 | 黒色装飾品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3136284A JPS60177179A (ja) | 1984-02-23 | 1984-02-23 | 黒色装飾品 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60177179A true JPS60177179A (ja) | 1985-09-11 |
| JPH029671B2 JPH029671B2 (ja) | 1990-03-02 |
Family
ID=12329126
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3136284A Granted JPS60177179A (ja) | 1984-02-23 | 1984-02-23 | 黒色装飾品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60177179A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0313580A (ja) * | 1989-06-09 | 1991-01-22 | Toyo Kinzoku Netsushiyori Kenkyusho:Kk | 表面処理金属体，及び，該金属体からなる溶接用ワーク位置決めピン並びに金型用押出しピン |
| US5141613A (en) * | 1990-03-09 | 1992-08-25 | Eniricerche S.P.A. | Silicon carbide coatings |
| EP0688889A1 (fr) * | 1994-06-24 | 1995-12-27 | Institut Français du Pétrole | Méthode de passivation de pièces métalliques en super-alliage à base de nickel et de fer |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5388675A (en) * | 1976-12-28 | 1978-08-04 | Seiko Epson Corp | Exterior parts for portable watch |
| JPS542281A (en) * | 1977-06-07 | 1979-01-09 | Anelva Corp | Treating method for surface |
| JPS57155365A (en) * | 1981-03-20 | 1982-09-25 | Mitsubishi Metal Corp | Method of forming silicon carbide film excellent in adhesion on metal substrate surface |
| JPS5822375A (ja) * | 1981-07-29 | 1983-02-09 | Nippon Denso Co Ltd | 超硬被膜金属材料とその製造方法 |
| JPS58213622A (ja) * | 1982-05-31 | 1983-12-12 | Hitachi Metals Ltd | ＢｅＯを含有したＳｉＯ薄膜の製造方法 |
| JPS5925970A (ja) * | 1982-08-03 | 1984-02-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 被覆超硬合金 |
-
1984
- 1984-02-23 JP JP3136284A patent/JPS60177179A/ja active Granted
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5388675A (en) * | 1976-12-28 | 1978-08-04 | Seiko Epson Corp | Exterior parts for portable watch |
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| JPS5925970A (ja) * | 1982-08-03 | 1984-02-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 被覆超硬合金 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0313580A (ja) * | 1989-06-09 | 1991-01-22 | Toyo Kinzoku Netsushiyori Kenkyusho:Kk | 表面処理金属体，及び，該金属体からなる溶接用ワーク位置決めピン並びに金型用押出しピン |
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| FR2721622A1 (fr) * | 1994-06-24 | 1995-12-29 | Inst Francais Du Petrole | Méthode de passivation de pièces métalliques en super-alliage à base de nickel et de fer. |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH029671B2 (ja) | 1990-03-02 |
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