JPS58210624A - ウエハ洗浄装置 - Google Patents
ウエハ洗浄装置Info
- Publication number
- JPS58210624A JPS58210624A JP9311682A JP9311682A JPS58210624A JP S58210624 A JPS58210624 A JP S58210624A JP 9311682 A JP9311682 A JP 9311682A JP 9311682 A JP9311682 A JP 9311682A JP S58210624 A JPS58210624 A JP S58210624A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pure water
- chemical
- wafers
- wafer
- reservoir
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はウェハｒ安定して清浄に洗浄処理するウェハ洗
浄装置に関する。
浄装置に関する。
通常、半導体製品の製造過程において半導体基板（ウェ
ハ）に対しエツチング等の薬液処理を施こ丁場合、薬液
処理を終えたウニ”ｋ純水で洗浄する必要がある。
ハ）に対しエツチング等の薬液処理を施こ丁場合、薬液
処理を終えたウニ”ｋ純水で洗浄する必要がある。
そのため、従来に、薬液槽内で薬液処理を行なったウェ
ハを薬液槽外に取り出し、そのウェハｒ薬液槽とは別個
の純水槽中に移し換えて洗浄処理會行なっている。
ハを薬液槽外に取り出し、そのウェハｒ薬液槽とは別個
の純水槽中に移し換えて洗浄処理會行なっている。
ところが、このような従来方式では、ウニ・・會薬液槽
から純水槽に移し換えるのに時間がかかる上に、移換中
のウェハは空中に置かれることになるので、その移換中
のウニ・・に異物が付着し易く、そのその異物がそのま
まウニ／１に付着したまま残留し、歩留りの低下の原因
になるという問題がある。
から純水槽に移し換えるのに時間がかかる上に、移換中
のウェハは空中に置かれることになるので、その移換中
のウニ・・に異物が付着し易く、そのその異物がそのま
まウニ／１に付着したまま残留し、歩留りの低下の原因
になるという問題がある。
本発明の目的は、前記従来技術の欠点ケ解消し、ウェハ
の洗浄を短時間で清浄に行ない、常に安定した品質のウ
ェハを得ることができ、歩留り會向上させることのでき
るウニ／１洗浄装置を提供することにある。
の洗浄を短時間で清浄に行ない、常に安定した品質のウ
ェハを得ることができ、歩留り會向上させることのでき
るウニ／１洗浄装置を提供することにある。
この目的會運成するため、本発明は、薬液処理を終えた
ウニ／％Ｑ空中に出丁ことなく薬液槽から純水槽に移し
換えて洗浄するものである。
ウニ／％Ｑ空中に出丁ことなく薬液槽から純水槽に移し
換えて洗浄するものである。
以下、本発明を図面に示す一実施例にしたがって詳細１
ｃ説明する。
ｃ説明する。
第１図は本発明によるウニ／）洗浄装置の−実施［４１
１を示す斜視図である。
１を示す斜視図である。
本実施例においては、半導体ウエノ・ｒ純沓で洗浄する
純水槽１は長手方向の一端側に純水供給口２、その反対
端側に純水排出口３をＮＬ、純水供給側が浅く、純水排
出側が深い二段構造となっている。
純水槽１は長手方向の一端側に純水供給口２、その反対
端側に純水排出口３をＮＬ、純水供給側が浅く、純水排
出側が深い二段構造となっている。
純水槽ｌの純水排出側には、薬液たとえばエツチング液
？入れた薬液槽４が上下動可能に収容されている。
？入れた薬液槽４が上下動可能に収容されている。
この薬液槽４の中には、本実施例では１枚処理用のウェ
ハガイド５が出し入れ可能となってお９、このウェハガ
イド５のスリット内にウェハ６會水平方回に挿入、保持
した状態で該ウエノ１ガイド５會薬液槽４内の薬液の中
に沈めることにより、ウェハ６に対してエツチング等の
所望の薬液処理を施こ丁ことができる。
ハガイド５が出し入れ可能となってお９、このウェハガ
イド５のスリット内にウェハ６會水平方回に挿入、保持
した状態で該ウエノ１ガイド５會薬液槽４内の薬液の中
に沈めることにより、ウェハ６に対してエツチング等の
所望の薬液処理を施こ丁ことができる。
一方、前記純水槽ｌの純水供給側には、ウエノ・６の純
水洗浄槽のウェハガイド７が出し入れ可能に設けられ、
前記薬液槽４内で薬液処理された後、蔽薬液槽４が該純
水槽１の底に沈むことにより咳純水槽ｌの純水排出側内
で一応純水洗浄されたウェハ６に純水中ｔウニ・・ガイ
ド５から該ウェハガイド７のスリットの中に水平方向に
移動させられ、該ウェハガイド７内で純水供給口２から
の清浄な純水による洗浄処理ケ受ける。
水洗浄槽のウェハガイド７が出し入れ可能に設けられ、
前記薬液槽４内で薬液処理された後、蔽薬液槽４が該純
水槽１の底に沈むことにより咳純水槽ｌの純水排出側内
で一応純水洗浄されたウェハ６に純水中ｔウニ・・ガイ
ド５から該ウェハガイド７のスリットの中に水平方向に
移動させられ、該ウェハガイド７内で純水供給口２から
の清浄な純水による洗浄処理ケ受ける。
次に、本実施例の作用について第２図（４）〜（Ｏ１’
に参照しながら説明する。薬液処理を受けるウェハ６＃
″ｌｔ一対のウェハガイド５の対向したスリット内［１
枚ずつ挿入して９ｉｆ、持された状態で絨送機病（図示
せず）によｐ純水＠１内の薬液槽４の上方まで水平方向
に搬送されて来る（第２図（Ａ）参照）。
に参照しながら説明する。薬液処理を受けるウェハ６＃
″ｌｔ一対のウェハガイド５の対向したスリット内［１
枚ずつ挿入して９ｉｆ、持された状態で絨送機病（図示
せず）によｐ純水＠１内の薬液槽４の上方まで水平方向
に搬送されて来る（第２図（Ａ）参照）。
次いで、ウェハガイド５は薬液槽４内の薬液８、たとえ
ばエツチング液の中に沈められ、ウェハ６はその薬液８
による薬液処理ケ受ける（第２図（Ｂ）参照）。
ばエツチング液の中に沈められ、ウェハ６はその薬液８
による薬液処理ケ受ける（第２図（Ｂ）参照）。
ウェハ６に対する所要の薬液処理を完了した後、薬液槽
４のみが第２図（Ｑ）に示すように純水槽１の純水排出
側の底に沈み、ウェハガイド５とウェハ６は薬液処理位
置のま１で残され、薬液槽４から純水槽１へのウェハ６
の移換えが行われる。し友かって、この状態では、薬液
槽４内の薬液８は純水槽１の純水排出側の純水９の中に
放出され、不要な純水９と共に純水排出口３から排出式
れる。
４のみが第２図（Ｑ）に示すように純水槽１の純水排出
側の底に沈み、ウェハガイド５とウェハ６は薬液処理位
置のま１で残され、薬液槽４から純水槽１へのウェハ６
の移換えが行われる。し友かって、この状態では、薬液
槽４内の薬液８は純水槽１の純水排出側の純水９の中に
放出され、不要な純水９と共に純水排出口３から排出式
れる。
一方、ウェハガイド５内に保持されたウェハ６は純水槽
１の純水排出側から流れ込んだ純水９により一応の純水
洗浄処ＩＭ！會受け、ある程度清浄仕される。
１の純水排出側から流れ込んだ純水９により一応の純水
洗浄処ＩＭ！會受け、ある程度清浄仕される。
その後、ウェハ６はウェハガイド５の中からプッシャー
（図示せず）によシ押し出され、純水９中を純水供給側
の一対のウェハガイド７の対向したスリット内に水平方
向に移動して挿入、保持される。この位置では、ウェハ
６は純水供給口２からスリット状に噴出される純水によ
り洗浄され、薬液や他の異物を除去される。
（図示せず）によシ押し出され、純水９中を純水供給側
の一対のウェハガイド７の対向したスリット内に水平方
向に移動して挿入、保持される。この位置では、ウェハ
６は純水供給口２からスリット状に噴出される純水によ
り洗浄され、薬液や他の異物を除去される。
純水洗浄ｚｌＰＪえたウェハ６はウェハガイド７と共に
純水槽ｌから引き上げられ、仄の処理工程に送らｎる。
純水槽ｌから引き上げられ、仄の処理工程に送らｎる。
本実施例によれば、ウェハ６に薬液槽４から純水＋＃１
１ｖｃ移し換える際に、ウエノ為６が空中に全く出４い
ので、ウェハ６に空中の塵埃等の異物が付着することが
なく、常に安定した洗浄を行なえるので、安定した品質
の製品を得ることができ、また移換中のウェハ６の乾燥
が全く起こらないので、純水洗浄自体の効果も非常に大
キく、極めて清浄度の高いウェハを得ることができる。
１ｖｃ移し換える際に、ウエノ為６が空中に全く出４い
ので、ウェハ６に空中の塵埃等の異物が付着することが
なく、常に安定した洗浄を行なえるので、安定した品質
の製品を得ることができ、また移換中のウェハ６の乾燥
が全く起こらないので、純水洗浄自体の効果も非常に大
キく、極めて清浄度の高いウェハを得ることができる。
しかも、本実施例においては、ウェハ６の移換えは極め
て短時間かつ一定時間で行なうことができ、よ）安定し
た均一処理が可能となる。したがって、本実施例は微細
パターンの半導体ウエノ・咎の洗浄にとって極めて好適
なものでおる。
て短時間かつ一定時間で行なうことができ、よ）安定し
た均一処理が可能となる。したがって、本実施例は微細
パターンの半導体ウエノ・咎の洗浄にとって極めて好適
なものでおる。
なお、本実施例は１枚処理方式のウェハの洗浄に適用し
たものであるが、本発明はバッチ処理方式にも同様に適
用可能である。
たものであるが、本発明はバッチ処理方式にも同様に適
用可能である。
以上説明したように、本発明によれば、ウェハの薬液槽
から純水槽への移換時にウェハが空中に出ないので、空
中の塵埃等の異物が付着せず、極めて清浄度の高い安定
した洗浄音響なうことができ、歩留りの向上を図ること
ができる上に、短時間かつ一定時間での洗浄が可能であ
る。
から純水槽への移換時にウェハが空中に出ないので、空
中の塵埃等の異物が付着せず、極めて清浄度の高い安定
した洗浄音響なうことができ、歩留りの向上を図ること
ができる上に、短時間かつ一定時間での洗浄が可能であ
る。
第１因は本発明によるウェハ洗浄装置の一実施例の概略
的斜視図、 第２図体）〜（０）は第１図の実施ｆｌｌＫよるウェハ
の薬液処理および洗浄過程を順次示す略断面図である。 １・・・純水槽、２・・・純水供給口、３・・・純水排
出口、４・・・薬液槽、５・・・ウェハガイド、６・・
、ウェハ、７・・・ウェハガイド、８・・・薬液、９・
・・純水１、。 代理人 弁理士 薄 １）利 辛 ）？ 、、：ｒ （７） １２３
的斜視図、 第２図体）〜（０）は第１図の実施ｆｌｌＫよるウェハ
の薬液処理および洗浄過程を順次示す略断面図である。 １・・・純水槽、２・・・純水供給口、３・・・純水排
出口、４・・・薬液槽、５・・・ウェハガイド、６・・
、ウェハ、７・・・ウェハガイド、８・・・薬液、９・
・・純水１、。 代理人 弁理士 薄 １）利 辛 ）？ 、、：ｒ （７） １２３
Claims (1)
- １、 ウェハを薬液処理した後、純水で洗浄して薬液上
除去するウェハ洗浄装置において、薬液処理を終え几ウ
ニ・・全空中に出丁ことなく薬液槽から純水槽に移し換
えて洗浄するものであって、純水槽中に置かれる薬液槽
を有し、この薬液中でウェハを薬液処理した後、該薬液
槽のみ音線水中に沈めることによりウニ／％に薬液槽か
ら純水槽に移し換えて洗浄することを特徴とするウニ／
１洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9311682A JPS58210624A (ja) | 1982-06-02 | 1982-06-02 | ウエハ洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9311682A JPS58210624A (ja) | 1982-06-02 | 1982-06-02 | ウエハ洗浄装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58210624A true JPS58210624A (ja) | 1983-12-07 |
Family
ID=14073543
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9311682A Pending JPS58210624A (ja) | 1982-06-02 | 1982-06-02 | ウエハ洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58210624A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01289122A (ja) * | 1988-05-17 | 1989-11-21 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | ウェーハ自動洗浄装置 |
-
1982
- 1982-06-02 JP JP9311682A patent/JPS58210624A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01289122A (ja) * | 1988-05-17 | 1989-11-21 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | ウェーハ自動洗浄装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6125861A (en) | Post-CMP wet-HF cleaning station | |
| TWI612602B (zh) | 製程分離型基板處理裝置及處理方法 | |
| US6360756B1 (en) | Wafer rinse tank for metal etching and method for using | |
| TW201545228A (zh) | 半導體矽片的清洗方法和裝置 | |
| JPH02250324A (ja) | 半導体装置の製造方法およびそれに使用される洗浄装置 | |
| JP2002520132A (ja) | 基板をクリーニングする方法及び装置 | |
| JPS58210624A (ja) | ウエハ洗浄装置 | |
| JPH09266194A (ja) | 半導体ウエーハのエッチング方法 | |
| JPH01140727A (ja) | 基板洗浄方法 | |
| JPH11145105A (ja) | 洗浄装置 | |
| JPH08195372A (ja) | 洗浄装置およびその方法 | |
| KR101052821B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 그 방법 | |
| KR20060059785A (ko) | 3베쓰 1배치식 웨이퍼 자동세정장치 | |
| JPS61121337A (ja) | ウエハの処理方法 | |
| JPH056884A (ja) | シリコンウエハーの洗浄方法 | |
| JPH04293236A (ja) | 枚葉式ウェハー洗浄装置 | |
| JP4306217B2 (ja) | 洗浄後の半導体基板の乾燥方法 | |
| JP4207205B2 (ja) | リフトオフ方法及び装置 | |
| JPH07183268A (ja) | 半導体ウェハの洗浄装置 | |
| JPS61148821A (ja) | 処理装置 | |
| JP3000997B1 (ja) | 半導体洗浄装置及び半導体装置の洗浄方法 | |
| TW434661B (en) | Method and apparatus for preventing particles re-attachment in a wafer cleaning process | |
| JPS58161328A (ja) | 薄片状物品の洗浄装置 | |
| JPH02205024A (ja) | 半導体装置の製造装置 | |
| KR100199376B1 (ko) | 세정 장치 및 그를 이용한 웨이퍼 세정 방법 |