JPS58209206A - 電子回路 - Google Patents
電子回路Info
- Publication number
- JPS58209206A JPS58209206A JP9259482A JP9259482A JPS58209206A JP S58209206 A JPS58209206 A JP S58209206A JP 9259482 A JP9259482 A JP 9259482A JP 9259482 A JP9259482 A JP 9259482A JP S58209206 A JPS58209206 A JP S58209206A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- voltage
- circuit
- current
- oscillation
- transistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03L—AUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION, OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
- H03L3/00—Starting of generators
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、発振の起動性を損うことなく消費電力を著し
く低減きせることができる発振装置用電子回路に関する
。
く低減きせることができる発振装置用電子回路に関する
。
例えば、電子時計用の発振回路の如く、１．５ボルト程
度の低電圧で、かつ、低消費電力で作動させることが要
京される電子回路の揚台には、Ｃ−ＭＯＳ等の工うｌ低
消費電力素子を使用することが有力な解決策ときれてい
るが、未だ充分な低消費電力化は達成きれていない。
度の低電圧で、かつ、低消費電力で作動させることが要
京される電子回路の揚台には、Ｃ−ＭＯＳ等の工うｌ低
消費電力素子を使用することが有力な解決策ときれてい
るが、未だ充分な低消費電力化は達成きれていない。
また、曲刃、０−ＭＯＳを流れる貫通電流をその流路に
抵抗器を介在させて制限しょうとする試みもなされては
いるが、この方法は回路の時定数を増加させる欠点があ
シ、出力波形に悪影響を与える虞れがある上に、型温投
入時に発掘開始が迅速に行なわれるのを阻害するという
大きな欠点を有している。
抵抗器を介在させて制限しょうとする試みもなされては
いるが、この方法は回路の時定数を増加させる欠点があ
シ、出力波形に悪影響を与える虞れがある上に、型温投
入時に発掘開始が迅速に行なわれるのを阻害するという
大きな欠点を有している。
本発明の目的は、従って、電源投入時に確実且つ迅速に
発振が開始され、発振が開始された後は必要最小限の消
費電力で安定に発振を持続させることができるようにし
７’（電子回路を提供することにある。
発振が開始され、発振が開始された後は必要最小限の消
費電力で安定に発振を持続させることができるようにし
７’（電子回路を提供することにある。
以下、図示の実施例に、Ｃシ本発明の詳細な説明する。
第１図には、本発明による電子回路１の一実施例が示さ
れている。電子回路１は発条回路として働くものであり
、エンハンスメント型のＰチャンネルＭＯＳトランジス
タ２、エンハンスメント型のＮチャンネルＭｏ８ トラ
ンジスタ６及び水晶発珈子４を含んで成る水晶発奎回４
ｓと、核水晶発振回路５に直流電力を供給するための電
池６とを備え、電池６の一極とアースとの間にはスイッ
チ７が接続されている。この水晶発振回路５は、２つの
Ｍｏ８ トランジスタ２，６を相補型に接続して成る公
知の回路であり、水晶撮動子４の各端子は、コンデンサ
８，９を介して電池６の十極に接続されると共に、Ｐチ
ャンネルＭＯＳトランジスタ２のソースもまた電池６の
十極に接続をれている。
れている。電子回路１は発条回路として働くものであり
、エンハンスメント型のＰチャンネルＭＯＳトランジス
タ２、エンハンスメント型のＮチャンネルＭｏ８ トラ
ンジスタ６及び水晶発珈子４を含んで成る水晶発奎回４
ｓと、核水晶発振回路５に直流電力を供給するための電
池６とを備え、電池６の一極とアースとの間にはスイッ
チ７が接続されている。この水晶発振回路５は、２つの
Ｍｏ８ トランジスタ２，６を相補型に接続して成る公
知の回路であり、水晶撮動子４の各端子は、コンデンサ
８，９を介して電池６の十極に接続されると共に、Ｐチ
ャンネルＭＯＳトランジスタ２のソースもまた電池６の
十極に接続をれている。
この水晶発振回路５に′＠電池から流入する亀流工ａ及
び水晶発振回路５にかかる電圧Ｖａ 全制御する目的で
、ＮチャンネルＭｏ８ トランジスタ３のソースは、電
流・電圧制御回路１０を介してアースされている。ここ
で、ＮチャンネルＭＯＳトランジスタ３のソースとアー
スとの間に接続されであるコンデンサ１１は、平渭用の
コンデンサである。
び水晶発振回路５にかかる電圧Ｖａ 全制御する目的で
、ＮチャンネルＭｏ８ トランジスタ３のソースは、電
流・電圧制御回路１０を介してアースされている。ここ
で、ＮチャンネルＭＯＳトランジスタ３のソースとアー
スとの間に接続されであるコンデンサ１１は、平渭用の
コンデンサである。
電流・電圧制御回路１０は、Ｍｏ８ ）ランジスタ３の
ソースとアースとの間に介挿接続されたエンハンスメン
ト型ＮチャンネルＭＯ８トランジスタ１１を有し、核Ｍ
ＯＳトランジスタ１１のゲートには、固定バイアス電源
回路１２からの固定バイアス電圧ＶＢが印加されている
。固定バイアス電流回路１２の構成は、ブロック１３又
はブロック１４がソースとケートとを短絡したテイフー
レツションタイプのＭＯＳトランジスタから成り、ブロ
ック１５又はブロック１４の曲刃はゲートとドレインと
を短絡した同一導電型のＭＯＳトランジスタから成り、
両ブロック１５．１４の接続点に成る一定の電圧を発生
する工うになっている。
ソースとアースとの間に介挿接続されたエンハンスメン
ト型ＮチャンネルＭＯ８トランジスタ１１を有し、核Ｍ
ＯＳトランジスタ１１のゲートには、固定バイアス電源
回路１２からの固定バイアス電圧ＶＢが印加されている
。固定バイアス電流回路１２の構成は、ブロック１３又
はブロック１４がソースとケートとを短絡したテイフー
レツションタイプのＭＯＳトランジスタから成り、ブロ
ック１５又はブロック１４の曲刃はゲートとドレインと
を短絡した同一導電型のＭＯＳトランジスタから成り、
両ブロック１５．１４の接続点に成る一定の電圧を発生
する工うになっている。
ゲートとドレインを接続したものは、複数個直列に接続
する事が可能で、その場合には、接続点にその倍数の電
圧を発生する。
する事が可能で、その場合には、接続点にその倍数の電
圧を発生する。
第２図に一つの実施例を示す。
ブロック１５を構成するものはＮチャンネルＭ ＯＳ
トランジスタ１５であり、ゲートとソースを接発してＰ
基板をソースと同電位にしたディプレッションクイズで
ある。一方、ブロック１４を構成するのは、エンハンス
メント型ＮチャンネルＭＯ８トランジスタ１６であり、
ゲートとドレインとを接続すると共に、Ｐ基板とソース
をも接続する。ＮチャンネルＭＯＳトランジスタ１５の
ゲートとＮチャンネルＭＱＳ ）ランジスタ１６のゲー
トの接続ｄ、 １７ ｉは、ＮチャンネルＭｏ８ ）ラ
ンジヌタ１５のソースとＮチャンネルＭＯＳトランジス
タ１６のドレインの接続点１８に接続する。
トランジスタ１５であり、ゲートとソースを接発してＰ
基板をソースと同電位にしたディプレッションクイズで
ある。一方、ブロック１４を構成するのは、エンハンス
メント型ＮチャンネルＭＯ８トランジスタ１６であり、
ゲートとドレインとを接続すると共に、Ｐ基板とソース
をも接続する。ＮチャンネルＭＯＳトランジスタ１５の
ゲートとＮチャンネルＭＱＳ ）ランジスタ１６のゲー
トの接続ｄ、 １７ ｉは、ＮチャンネルＭｏ８ ）ラ
ンジヌタ１５のソースとＮチャンネルＭＯＳトランジス
タ１６のドレインの接続点１８に接続する。
この回路を互いに電位の異なる電池６の十１ｆｉｉ端子
と一極端子との間に接続し、その中間の電位に所定の電
圧を発生させる拳を目的としている。その電圧は、電池
６の端子電圧の変動に対しても、また温度の変化に対し
ても変動の少ない事が要求され、この回路は、その要求
を満たす一定電圧を発生する回路である。
と一極端子との間に接続し、その中間の電位に所定の電
圧を発生させる拳を目的としている。その電圧は、電池
６の端子電圧の変動に対しても、また温度の変化に対し
ても変動の少ない事が要求され、この回路は、その要求
を満たす一定電圧を発生する回路である。
第６図は、第２図の電流と電圧の関係を示す図である。
ＭＯＳトランジスタは、飽和状態においては第（１）式
の関係が成立する。
の関係が成立する。
■＝ Ｋ （ｖａ −ＶＴ ）２１１１１１１ 、、、
、、、 （１）■＝ソースドレイン間にｆＬｎる電流 に：導電係数 ＶＧ：ソースゲート電圧ｖＴ：スレッ
ショールド電圧 デイルッション型のＮチャンネルＭＯＳトランジスタ１
５のスレッショールド電圧’ｅＶＴ＋ｓ とすると、
ＮチャンネルＭＱＳ ）ランジスタ１５とＮチャンネル
Ｍｏ６ トランジスタ１６のそれぞれの電流■ＳＳ と
工１６は第（２）式と第（３）式の工うになる。
、、、 （１）■＝ソースドレイン間にｆＬｎる電流 に：導電係数 ＶＧ：ソースゲート電圧ｖＴ：スレッ
ショールド電圧 デイルッション型のＮチャンネルＭＯＳトランジスタ１
５のスレッショールド電圧’ｅＶＴ＋ｓ とすると、
ＮチャンネルＭＱＳ ）ランジスタ１５とＮチャンネル
Ｍｏ６ トランジスタ１６のそれぞれの電流■ＳＳ と
工１６は第（２）式と第（３）式の工うになる。
Ｉｌｓ ＝に＋ｓ （ＶＧｌｓ −Ｖｊ＋ｓ）２・・・
−−（２１ここで、ＶＧＩ５とＫＩ５はトランジスタｂ
のソースケート間電圧と導電係数である。
−−（２１ここで、ＶＧＩ５とＫＩ５はトランジスタｂ
のソースケート間電圧と導電係数である。
■＋ａ ＝ ＫＩ６（ＶＧ＋ｓ ＶＴｌｍ ）・・
・・・・・・・（３）ここで、’Ｈｈ＋６＋ Ｋ１６
トｖ１６ はトランジスタ１６のソースゲート間電圧
、導電係数とスレッショールド電圧である。
・・・・・・・（３）ここで、’Ｈｈ＋６＋ Ｋ１６
トｖ１６ はトランジスタ１６のソースゲート間電圧
、導電係数とスレッショールド電圧である。
玩＝工１１８＋ ＶＧＩＳ ＝ Ｏがら求める一定７
ｚ７−スケート間亀圧ＶＧ、、は第（４ｉ式になる。
ｚ７−スケート間亀圧ＶＧ、、は第（４ｉ式になる。
ＶＧ、６＝侍
ｘｔｓ ｖｙ１５ ＋ ＶＴｔｓ −−−ｆ４１第１図
の直線ａｉｄトランジスタ１５のＪニーＶの関係を表わ
し、直線ａはトランジスタ１６のＪ■−Ｖの関係を表わ
す。
の直線ａｉｄトランジスタ１５のＪニーＶの関係を表わ
し、直線ａはトランジスタ１６のＪ■−Ｖの関係を表わ
す。
硝３図の長さＣ−Ｑは工１５を表わすので、工１６を表
わす長さｇ−ｆｉｄ工１５に等しくなる。従って（４）
式ノＶ Ｇｔｓ ｕ 、長さｃ−ｇに等しい長さＯ−
ｆの電圧を表わす事になる。第（４）式でＫｔｓ＝ｘｔ
ｓの場合は ＶＧｌｓ ＝ ＶＴＩ６ ＶＴｔｓ＝
・−・＝ （５１第ｉ５）式は、第３図の長さｄ−ｏと
長さ。−ｅで表わされる大きさの重圧をカＢえたものに
なる。第５囚の屯ｅは正の部分にある必要はなく、従っ
て第２図のトランジスタ１６は、エンハンスメント型で
もディプレッション型でも可能で６る。Ｋ１５ ＝に１
６の場合については、トランジスタ１５とトランジスタ
１６のスレッショールド電圧のみをコントロールする拳
により所定の電圧が得られるが、Ｋ１５〆ＫＩ６の場合
は、第（４）式による出力電圧になる為に導電係数のコ
ントロールも必要になる。電池６の端子電圧Ｅの変動に
対する出力電圧である７ ｘケ）間電圧Ｖ Ｇ１６の
関係は、トランジスタ１５がＭｏ８の飽和特性を持つソ
ースドレイン間電圧以上の電圧を維持出来る電圧でろｎ
は、第（４）式の関係になる。
わす長さｇ−ｆｉｄ工１５に等しくなる。従って（４）
式ノＶ Ｇｔｓ ｕ 、長さｃ−ｇに等しい長さＯ−
ｆの電圧を表わす事になる。第（４）式でＫｔｓ＝ｘｔ
ｓの場合は ＶＧｌｓ ＝ ＶＴＩ６ ＶＴｔｓ＝
・−・＝ （５１第ｉ５）式は、第３図の長さｄ−ｏと
長さ。−ｅで表わされる大きさの重圧をカＢえたものに
なる。第５囚の屯ｅは正の部分にある必要はなく、従っ
て第２図のトランジスタ１６は、エンハンスメント型で
もディプレッション型でも可能で６る。Ｋ１５ ＝に１
６の場合については、トランジスタ１５とトランジスタ
１６のスレッショールド電圧のみをコントロールする拳
により所定の電圧が得られるが、Ｋ１５〆ＫＩ６の場合
は、第（４）式による出力電圧になる為に導電係数のコ
ントロールも必要になる。電池６の端子電圧Ｅの変動に
対する出力電圧である７ ｘケ）間電圧Ｖ Ｇ１６の
関係は、トランジスタ１５がＭｏ８の飽和特性を持つソ
ースドレイン間電圧以上の電圧を維持出来る電圧でろｎ
は、第（４）式の関係になる。
Ｅ≧ＶＴ１６ ２ＶＴＩ５ −−＝１６１第（６）式が
所定の電圧を出力する為の電源重圧の範囲を表わす。
所定の電圧を出力する為の電源重圧の範囲を表わす。
このようにして接続点１８に生じた一定電圧が、バイア
ス電圧ＶＢ としてＭｏＳトランジスタ１１のゲートに
印加避ｎる。
ス電圧ＶＢ としてＭｏＳトランジスタ１１のゲートに
印加避ｎる。
この結果、Ｍｏ８）ランジスタ１１は電池６の端子電圧
凡の変動に拘らず一定の固定バイアス重圧にニジバイア
スが掛けられるので、Ｍｏ８）ランジスタ１１のドレイ
ン型理よりＲドレイン−ソース間電圧ＶＤＥＩは第４図
に示される所定の特性に足められることになる。即ち、
水晶発振回路５に流ｎる電流工ａか小ざい場合には、電
圧ＶＤＳ は小さく、従って、電圧Ｖａの値は大きく
なっている。電流Ｉａが増大するに従ってｖａ（＝Ｅ−
ＶＤＢ）の１ｒｈ−は小ごくなり、電圧Ｖ Ｄａ の
値が所定値に達すると電流ＩＤはｈ相状態となる。従っ
て、これ以艦は、電流Ｔａ の太きをが変化せず、電圧
Ｖ’ａのみが変化することになる。
凡の変動に拘らず一定の固定バイアス重圧にニジバイア
スが掛けられるので、Ｍｏ８）ランジスタ１１のドレイ
ン型理よりＲドレイン−ソース間電圧ＶＤＥＩは第４図
に示される所定の特性に足められることになる。即ち、
水晶発振回路５に流ｎる電流工ａか小ざい場合には、電
圧ＶＤＳ は小さく、従って、電圧Ｖａの値は大きく
なっている。電流Ｉａが増大するに従ってｖａ（＝Ｅ−
ＶＤＢ）の１ｒｈ−は小ごくなり、電圧Ｖ Ｄａ の
値が所定値に達すると電流ＩＤはｈ相状態となる。従っ
て、これ以艦は、電流Ｔａ の太きをが変化せず、電圧
Ｖ’ａのみが変化することになる。
このＬうな構成によると、電源のスイッチ７を 。
閉じた直後は、水晶発振回路５には極めて小さな（至）
の電流しか流ｒｔていないので、電圧ＶＤ８ は小さ
く、水晶発振（ロ）路５に印加される電圧Ｖａは大きく
なる。このため、水晶発振回路５は発振しゃすい状態と
なり、迅速に発振を開始する。発振が開始されると、水
晶発振回路５に流れる電流Ｉａの太き芒が増大するので
、そ７″ｌ−に伴ないＶａＯ値≠・小さくなり、水晶発
振回路５が完全に安定発振状態に移る。この結果、電流
工ａ の値は、安定発振状態に相応した一定電流値工ｌ
となるため、その発掘振幅は、発振回路５が必要とす
る電力に従った振幅電圧ｖ１となる。このｖｌの値に、
第４図に示す特性曲線上において電圧ＶＤ８の値の変化
が電流よりに依存しない範囲、即ち、第４図に示した特
性曲線の平坦な部分にｇ、置する工うに設定される。ま
た、ＭＯＳトランジスタ１１に流れる飽和電流電工、Ｉ
ａｔ ｖ′ｉ、ｆｌｆ’、ｌえはバイアス璽、圧ＶＢ
の値を調節することに工す任意の値に設定することかで
＠るので、組合わされる水晶発振回路に応じて所望の設
計値に合わせることができる。この工うにして、水晶発
振回路５の定常発掘状態においては。
の電流しか流ｒｔていないので、電圧ＶＤ８ は小さ
く、水晶発振（ロ）路５に印加される電圧Ｖａは大きく
なる。このため、水晶発振回路５は発振しゃすい状態と
なり、迅速に発振を開始する。発振が開始されると、水
晶発振回路５に流れる電流Ｉａの太き芒が増大するので
、そ７″ｌ−に伴ないＶａＯ値≠・小さくなり、水晶発
振回路５が完全に安定発振状態に移る。この結果、電流
工ａ の値は、安定発振状態に相応した一定電流値工ｌ
となるため、その発掘振幅は、発振回路５が必要とす
る電力に従った振幅電圧ｖ１となる。このｖｌの値に、
第４図に示す特性曲線上において電圧ＶＤ８の値の変化
が電流よりに依存しない範囲、即ち、第４図に示した特
性曲線の平坦な部分にｇ、置する工うに設定される。ま
た、ＭＯＳトランジスタ１１に流れる飽和電流電工、Ｉ
ａｔ ｖ′ｉ、ｆｌｆ’、ｌえはバイアス璽、圧ＶＢ
の値を調節することに工す任意の値に設定することかで
＠るので、組合わされる水晶発振回路に応じて所望の設
計値に合わせることができる。この工うにして、水晶発
振回路５の定常発掘状態においては。
その安定発条状態を持続するに足る必要小限のパワーを
電池６から供給することができる。若し、外乱等にエリ
、発振を持続するのに必要な電力が変化すると、自動的
に発振振幅が変化し、町作点が第４図の特性曲線の平坦
部上を移動することにより安定な発振に戻す動作を行う
ことになる。
電池６から供給することができる。若し、外乱等にエリ
、発振を持続するのに必要な電力が変化すると、自動的
に発振振幅が変化し、町作点が第４図の特性曲線の平坦
部上を移動することにより安定な発振に戻す動作を行う
ことになる。
上記説明から判るように、定常状態において、水晶発揚
回路５に供給される電力は、電池６の端子電圧とは関係
なく、電流・電圧制御回路１０によって定められるので
、電池としてマンガン電池の如く、放電電圧特性が平坦
でなく、垂下傾向をホすものであっても電池の端子電圧
の低下の影響なしに使用することができ、極めて安定な
動作を保紅することができる。
回路５に供給される電力は、電池６の端子電圧とは関係
なく、電流・電圧制御回路１０によって定められるので
、電池としてマンガン電池の如く、放電電圧特性が平坦
でなく、垂下傾向をホすものであっても電池の端子電圧
の低下の影響なしに使用することができ、極めて安定な
動作を保紅することができる。
筒、第２図では、Ｎチャンネルトランジスタを使い竿、
池６ ／ｌ・ら定電圧出力を得る例全示したが、接紅を
変更する事により第５図と第６図に示すＬうに、Ｎチャ
ンネルを使って電池６の中側から定電圧出力を得る事も
、！６１様に可能である。電池６に接続可能ナトランジ
スタの＃は、各々のトランジスタのスレッショールド（
圧の絶対値の和が電ｌｌ１ｉｌｌ電圧Ｅ以下であれば、
任意の数を選択出来る。
池６ ／ｌ・ら定電圧出力を得る例全示したが、接紅を
変更する事により第５図と第６図に示すＬうに、Ｎチャ
ンネルを使って電池６の中側から定電圧出力を得る事も
、！６１様に可能である。電池６に接続可能ナトランジ
スタの＃は、各々のトランジスタのスレッショールド（
圧の絶対値の和が電ｌｌ１ｉｌｌ電圧Ｅ以下であれば、
任意の数を選択出来る。
本発明にｘ ｔ＋−け、上述の如く、電源投入時には発
揚回路部分に大きな電圧を印加し、発振を円滑且つ迅速
に開始させ、一旦発賑か開始した後は、％少の重圧とは
関係なく、発振回路部が安定に発振を持続するのに必侵
な最小限のパワーを供給する工うに電圧、塾Ｒ，調節を
行なうことができるので、低電圧で、低消費電力の高安
定発条回路を提供することができる。従って、ＭＲ正電
源しては、放電電圧特性か平坦である必較はなく、悴え
ｄ、マンガン電池の如き安価な電、１ｔｌ］、を用いる
ことができる号の利点を有する。
揚回路部分に大きな電圧を印加し、発振を円滑且つ迅速
に開始させ、一旦発賑か開始した後は、％少の重圧とは
関係なく、発振回路部が安定に発振を持続するのに必侵
な最小限のパワーを供給する工うに電圧、塾Ｒ，調節を
行なうことができるので、低電圧で、低消費電力の高安
定発条回路を提供することができる。従って、ＭＲ正電
源しては、放電電圧特性か平坦である必較はなく、悴え
ｄ、マンガン電池の如き安価な電、１ｔｌ］、を用いる
ことができる号の利点を有する。
第１図は本発明の一寅施例全示す回路図、第２図は第１
図に示した固定バイアス電源回路の具体例を示す回路図
、納５図は凛２図に示した回路の電流−電圧特性図、第
４区：は第１８／１の電圧・塾、流制御回路の電圧−電
流特性１図、第５ド１．第６図は第１図に示した固定バ
イアス電源回路の沖の具体例を示す回路図である。 １・・・電子回路、 ２・・・ＰチャンネルＭ Ｑ Ｓ ）ランジスタ、５・
・・ＮチャンネルＩｖｌ Ｑ Ｓ ）ンンジスタ、４・
・・水晶発蚕子、 ５・・・水晶発徹回路。 ＶＢ ・・・固定バイアス電圧、 ６・・・電池、 工ａ ・・・電流。 ７・・・スイッチ Ｖａ ・・・電圧、８９１
１・・・コンデンサ。 １０・・・電流・電圧制御回路、 １２・・・固定したバイアス電源回路、１５１６・・・
ＮチャンネルＭＯ８トランジスタ。 以 上 出願人 株式会社 第二精工今 代理人 升理士 最 上 務
図に示した固定バイアス電源回路の具体例を示す回路図
、納５図は凛２図に示した回路の電流−電圧特性図、第
４区：は第１８／１の電圧・塾、流制御回路の電圧−電
流特性１図、第５ド１．第６図は第１図に示した固定バ
イアス電源回路の沖の具体例を示す回路図である。 １・・・電子回路、 ２・・・ＰチャンネルＭ Ｑ Ｓ ）ランジスタ、５・
・・ＮチャンネルＩｖｌ Ｑ Ｓ ）ンンジスタ、４・
・・水晶発蚕子、 ５・・・水晶発徹回路。 ＶＢ ・・・固定バイアス電圧、 ６・・・電池、 工ａ ・・・電流。 ７・・・スイッチ Ｖａ ・・・電圧、８９１
１・・・コンデンサ。 １０・・・電流・電圧制御回路、 １２・・・固定したバイアス電源回路、１５１６・・・
ＮチャンネルＭＯ８トランジスタ。 以 上 出願人 株式会社 第二精工今 代理人 升理士 最 上 務
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （］） 発昏回路と、厘流電湧と、前記発振回路と前
記直流電源との山１に介挿接続され電流の値に従って電
圧降下レベｌしが定まる電圧・電流制御回路とを備えて
散ることを特徴とする電子回路。 （２） 前記電圧・電流制御回路が、固定バイアスさ
れた臥Ｉ ＭＯＳ −ＦＥＴであることを特徴とする特
許請求の（ｐ囲第１旧記載の電子回路。 １３’ＩＭｉ＋記ｇｆ、 Ｉ Ｍ Ｑ Ｓ−Ｗ’ Ｅ
Ｔのバイアス電圧供給回路が、同−製型型で、かつ、異
でるスレショルド重圧を有する葬２及び第５Ｍ０８−Ｐ
ＥＴが＠記肩療電ｎＫ直列に接続されると共に前記第２
及び第５１＝４０ Ｓ−’Ｆ Ｅ Ｔのゲートが共通接
続して前記竜柳に接続ざｎ−て成シ、前記第２及び第５
Ｍ ＯＳ−Ｆ Ｅ Ｔ （Ｄ接続点の電位が固定バイア
ス電圧として呼１ｉ［：鋼１Ｍ０８−ＦＫＴのゲートに
印加されていることを特徴とする特許請求の範囲第２項
記載の電子回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9259482A JPS58209206A (ja) | 1982-05-31 | 1982-05-31 | 電子回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9259482A JPS58209206A (ja) | 1982-05-31 | 1982-05-31 | 電子回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58209206A true JPS58209206A (ja) | 1983-12-06 |
| JPH0444443B2 JPH0444443B2 (ja) | 1992-07-21 |
Family
ID=14058768
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9259482A Granted JPS58209206A (ja) | 1982-05-31 | 1982-05-31 | 電子回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58209206A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6703905B2 (en) | 2001-09-26 | 2004-03-09 | Yamaha Corporation | Crystal oscillation circuit |
| JP2011507427A (ja) * | 2007-12-19 | 2011-03-03 | ザ・スウォッチ・グループ・リサーチ・アンド・ディベロップメント・リミテッド | 能動的バイアスを用いた低電力消費クォーツ発振器 |
Citations (3)
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|---|---|---|---|---|
| JPS50143459A (ja) * | 1974-04-08 | 1975-11-18 | ||
| JPS51102449A (ja) * | 1975-02-13 | 1976-09-09 | Suwa Seikosha Kk | Denshishikidokei |
| JPS5755601A (en) * | 1980-09-20 | 1982-04-02 | Ricoh Elemex Corp | Quartz oscillating circuit |
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1982
- 1982-05-31 JP JP9259482A patent/JPS58209206A/ja active Granted
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0444443B2 (ja) | 1992-07-21 |
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