JPS58208925A - 磁気ヘツド - Google Patents
磁気ヘツドInfo
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- JPS58208925A JPS58208925A JP8995082A JP8995082A JPS58208925A JP S58208925 A JPS58208925 A JP S58208925A JP 8995082 A JP8995082 A JP 8995082A JP 8995082 A JP8995082 A JP 8995082A JP S58208925 A JPS58208925 A JP S58208925A
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- Japan
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- magnetic pole
- magnetic
- recording
- unit
- recording medium
- Prior art date
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Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/48—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed
- G11B5/488—Disposition of heads
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気ヘッドに係り、更に詳しくは垂直磁気記録
再生を行なう磁気ヘッドに関するものである。
再生を行なう磁気ヘッドに関するものである。
垂直磁気記録の原理は第1図に示す如きである。
図において符号lはト磁極を小し、厚さ約1〜2pmの
Ni−Fe合金からなる。この主磁極lと約80用I1
1離れた位置に補助磁極2が配置されている。この補助
磁極2は直径約0.5mmの棒状のフェライト(Mn−
Zn)等から形成されており、その外周面には記録用の
コイル3が例えば100回巻かれている。この主磁極1
と補助磁極2との間に例えばフロンピーディスク等で代
表される磁気記録媒体4が走行される。この磁気記録媒
体4は厚さ約50μm程度のポリエステルフィルムから
なるベース4aの1磁極l側の側面に非記録用の0.5
g m程度の厚みを有する旧−Fe層4bが蒸着して
あり、更にそのLに記録用の0.5 g m程度の厚み
を有するGo−Or層4Cが蒸着しである。
Ni−Fe合金からなる。この主磁極lと約80用I1
1離れた位置に補助磁極2が配置されている。この補助
磁極2は直径約0.5mmの棒状のフェライト(Mn−
Zn)等から形成されており、その外周面には記録用の
コイル3が例えば100回巻かれている。この主磁極1
と補助磁極2との間に例えばフロンピーディスク等で代
表される磁気記録媒体4が走行される。この磁気記録媒
体4は厚さ約50μm程度のポリエステルフィルムから
なるベース4aの1磁極l側の側面に非記録用の0.5
g m程度の厚みを有する旧−Fe層4bが蒸着して
あり、更にそのLに記録用の0.5 g m程度の厚み
を有するGo−Or層4Cが蒸着しである。
Ni−Fe層4bは高透磁率材で、磁気抵抗を減少させ
磁束が主磁極に集中できるようにする役目をもつ。
磁束が主磁極に集中できるようにする役目をもつ。
このような構造のもとにコイル3に対しパルス電流を通
電すると、補助磁極2から1冊磁極lに向かって磁力線
か発生する。この磁力線は第1図に点線の矢印でボ1よ
う4.7まず高透磁率のNi−Fe層4bに向かってほ
ぼ直a1.. 、この層4bにあたると面内力11目ご
磁力線が走り、Go−Cr層4c内においてはL磁極l
に向か−〕で垂直に磁力線が走り、この層4Cを磁化し
、磁気記録が行なわれる。
電すると、補助磁極2から1冊磁極lに向かって磁力線
か発生する。この磁力線は第1図に点線の矢印でボ1よ
う4.7まず高透磁率のNi−Fe層4bに向かってほ
ぼ直a1.. 、この層4bにあたると面内力11目ご
磁力線が走り、Go−Cr層4c内においてはL磁極l
に向か−〕で垂直に磁力線が走り、この層4Cを磁化し
、磁気記録が行なわれる。
このような垂直磁気記録方式を採用すると、従来のリン
グ型磁気・\ンドによる磁気記録が面内方向であるのに
比較し、はるかに高密度記録が口■能である。
グ型磁気・\ンドによる磁気記録が面内方向であるのに
比較し、はるかに高密度記録が口■能である。
例えば、現在市販されているリング型磁気ヘッドを使用
したフロッピーディスクに対する記録密度はIOK b
its/1nch (約25■)程度が限界であるが、
垂直磁気記録方式を採用するとそのほぼ10倍(1)
100K bits/1nchの記録が可能である。
したフロッピーディスクに対する記録密度はIOK b
its/1nch (約25■)程度が限界であるが、
垂直磁気記録方式を採用するとそのほぼ10倍(1)
100K bits/1nchの記録が可能である。
しかし、100K bits/1nch前後の磁気記録
が可能であっても再生することは困難である。現在の垂
直磁気記録再生方式として補助磁極に再生用コイルを巻
いて信号を検出する手段も検討されているが、記録媒体
の記録層(Ni−Fe層)と補助磁極との間が50μm
以ト敲れているため再生出力信号のレベルが低く、ノイ
ズ等も混入し誤動作が生じ易いという不都合がある。
が可能であっても再生することは困難である。現在の垂
直磁気記録再生方式として補助磁極に再生用コイルを巻
いて信号を検出する手段も検討されているが、記録媒体
の記録層(Ni−Fe層)と補助磁極との間が50μm
以ト敲れているため再生出力信号のレベルが低く、ノイ
ズ等も混入し誤動作が生じ易いという不都合がある。
このような垂直磁気記録用のヘッドは例えば第2図に、
」\すような駆動装置に取り伺けられる。
」\すような駆動装置に取り伺けられる。
第2図において符号5で小すものはキャリッジで、図示
していないガイド軸に沿って摺動自在に取り伺けられて
おり、その一端のに面には前述した補助磁極2が取り伺
けられている。
していないガイド軸に沿って摺動自在に取り伺けられて
おり、その一端のに面には前述した補助磁極2が取り伺
けられている。
ギヤリッジ5の上側には主磁極用のへラドアーム6が設
けられている。 このヘッドアーム6の基端には板ばね
7が固定されており、この板ばね7は前記キャリッジ5
の補助磁極2とは反対側゛の端部に当て板8を介してね
じ9によって固定される。ヘッドアーム6の自由端側の
ド面で補助磁極2と対抗する位置には主磁極lが取り付
けられている。
けられている。 このヘッドアーム6の基端には板ばね
7が固定されており、この板ばね7は前記キャリッジ5
の補助磁極2とは反対側゛の端部に当て板8を介してね
じ9によって固定される。ヘッドアーム6の自由端側の
ド面で補助磁極2と対抗する位置には主磁極lが取り付
けられている。
ヘッドアーム6の主磁極lと反対側であるL面には端子
板10が設けられており、この端子板10とプリント基
板11との間は例えば100〜・200mm程度の長さ
をもつシールド線12によっ′C接続ぎれている。シー
ルド線12を用いたのは・′イズを拾わないようにする
ためである。 プリント基板ll側iこはLSI等の電
f部品13が装着されている。
板10が設けられており、この端子板10とプリント基
板11との間は例えば100〜・200mm程度の長さ
をもつシールド線12によっ′C接続ぎれている。シー
ルド線12を用いたのは・′イズを拾わないようにする
ためである。 プリント基板ll側iこはLSI等の電
f部品13が装着されている。
前記・・7 F 7− A 5の途中には側力に向かっ
てレバー6aが突設され(おり、このレバー6aのトカ
(ごは、これと係合する位置にソレノイド14か設けら
れており、このソレノイド14のロッドの先端には可動
+H−1sが固定されており、スプリング16により常
時[−力への移動習性かむ・えられている。
てレバー6aが突設され(おり、このレバー6aのトカ
(ごは、これと係合する位置にソレノイド14か設けら
れており、このソレノイド14のロッドの先端には可動
+H−1sが固定されており、スプリング16により常
時[−力への移動習性かむ・えられている。
ヘンドアームロは板ばね7によって1磁極1が補助磁極
2に近づく方向に力をかえられており、ヘッドアーム6
の途中に調節tr(能に設けられたピン17のド端がキ
ャリッジ5側の突起5aに接することによりそのド降限
を規制されている。
2に近づく方向に力をかえられており、ヘッドアーム6
の途中に調節tr(能に設けられたピン17のド端がキ
ャリッジ5側の突起5aに接することによりそのド降限
を規制されている。
即ち、ソレノイド14に通電されない状態ではロッドは
自由状態にありスプリング16を介してuf動片15が
L方に移動されており、レバー6aを介してヘッドアー
ム6が押しLげられ、主磁極lと補助磁極2の間が開い
た状態にある。
自由状態にありスプリング16を介してuf動片15が
L方に移動されており、レバー6aを介してヘッドアー
ム6が押しLげられ、主磁極lと補助磁極2の間が開い
た状態にある。
このような構造を採用したのは磁気ディスクカセット1
8を装置に装着する場合にF磁極lが磁気ティスフカセ
ット18にあたらないようにするためである。そして、
磁気ディスクカセット18が装着され装置が駆動状態に
な−)た場合はソレノイド14に通電され口f動片15
をド降させ板ばね7の力によりヘンドアームロ、従って
L磁極lをド降させ、磁気ディスクカセット18内に収
容されている磁気ディスク19をカセットの開11部1
8aを介してl−1Fに挾み磁気記録再生を行なわせる
。この時の補助磁極2と′E磁極lの間隔はほぼ80g
mであり、この間隔は前記ピン17のド端が突起5aに
あたることにより確保される。
8を装置に装着する場合にF磁極lが磁気ティスフカセ
ット18にあたらないようにするためである。そして、
磁気ディスクカセット18が装着され装置が駆動状態に
な−)た場合はソレノイド14に通電され口f動片15
をド降させ板ばね7の力によりヘンドアームロ、従って
L磁極lをド降させ、磁気ディスクカセット18内に収
容されている磁気ディスク19をカセットの開11部1
8aを介してl−1Fに挾み磁気記録再生を行なわせる
。この時の補助磁極2と′E磁極lの間隔はほぼ80g
mであり、この間隔は前記ピン17のド端が突起5aに
あたることにより確保される。
磁気−(スフ18はモータ2oによってベルト21を介
して回転されるブー922に突設されたボス22aをデ
ィスクの中心孔19aに嵌合させることにより回転され
る。
して回転されるブー922に突設されたボス22aをデ
ィスクの中心孔19aに嵌合させることにより回転され
る。
符号23で示すものはパルスモータで、その出力軸23
aに巻きつけられた幅狭のスチールベルト24と25の
両端が前記キャリノジ5に固定され、パルスモータ23
の回転に応じてこれらスチールベルト24.25が巻き
取られたり、巻きほどかれたりすることによりキャリノ
ジ5は制御イ、1号に従って移動する。
aに巻きつけられた幅狭のスチールベルト24と25の
両端が前記キャリノジ5に固定され、パルスモータ23
の回転に応じてこれらスチールベルト24.25が巻き
取られたり、巻きほどかれたりすることによりキャリノ
ジ5は制御イ、1号に従って移動する。
以1〕のような構造を41する市直磁気記録型磁気\2
ドは高電度の磁気記録には適しているが、再生は困難で
あるという不都合がある。
ドは高電度の磁気記録には適しているが、再生は困難で
あるという不都合がある。
又、このような磁気へンドでは磁気記録媒体の両面に対
する記録再生を行なうことができず1両面磁気記録再生
用とし7(ただ単に磁気/=ツiを2個ならべただけで
は内生の困難さが2倍に増えるだけである。
する記録再生を行なうことができず1両面磁気記録再生
用とし7(ただ単に磁気/=ツiを2個ならべただけで
は内生の困難さが2倍に増えるだけである。
本発明は以1;のような事情に鑑みなされたものC,磁
気記録媒体の両面に対する高密度の磁気記録再生を行な
うことができるように構成した垂直磁気記録再生型の磁
気・\ンドを提供することを目的としている。
気記録媒体の両面に対する高密度の磁気記録再生を行な
うことができるように構成した垂直磁気記録再生型の磁
気・\ンドを提供することを目的としている。
本発明においては上記の目的を達成するために、磁気記
録媒体を挾んで記録再生磁気ヘッドユニットを設け、各
ユニットに主磁極と補助磁極とを収容し、これらが介い
に相手方のユニットの補助磁極と主磁極とに対向するよ
うに収容し、主磁極が形成されている基板の反対側の側
面には磁気記録を電気信号に変換する磁気抵抗効果素子
(以ドMR素子という)を形成した構造を採用した。
録媒体を挾んで記録再生磁気ヘッドユニットを設け、各
ユニットに主磁極と補助磁極とを収容し、これらが介い
に相手方のユニットの補助磁極と主磁極とに対向するよ
うに収容し、主磁極が形成されている基板の反対側の側
面には磁気記録を電気信号に変換する磁気抵抗効果素子
(以ドMR素子という)を形成した構造を採用した。
以ド、図面に示す実施例に基づいて本発明の詳細な説明
する。
する。
第3図は本発明の原理的構造を説明側るもので、図中第
1図と同一部分には同 符号を伺しその説明は省略する
。
1図と同一部分には同 符号を伺しその説明は省略する
。
本発明においてはt磁極ヘッドを構成する基板26の一
方の側面に主磁極lを形成し、他方の側面に再生用のM
R素子27を形成しである。このようにすることにより
再生用のMR素f27を磁気記録媒体4の記録面へ近づ
け、微弱な磁気変化を効率よく拾い出すようにした。
方の側面に主磁極lを形成し、他方の側面に再生用のM
R素子27を形成しである。このようにすることにより
再生用のMR素f27を磁気記録媒体4の記録面へ近づ
け、微弱な磁気変化を効率よく拾い出すようにした。
更に詳細に説明すると第4図及び第5図に示すような構
造となっている。
造となっている。
即ち、ガラス等からなる基板26の一方の側面に形成さ
れた主磁極1は高透磁率磁性材のNi−Fe合金を厚さ
Igm程度に蒸着して形成されている。
れた主磁極1は高透磁率磁性材のNi−Fe合金を厚さ
Igm程度に蒸着して形成されている。
又、MR素f27は同じ(Ni−Fe合金を厚みが0.
05延m9幅が5〜lOルmで、展開有効長さ1〜2■
どなるように直角にジグザグに屈曲させた状態のパター
ンとして)41により形成しである。このように形成し
たMR素f2?の抵抗値はlKΩ程度あるが第7図(A
)に小すように基板26の端面28aとゼ行なMR素′
f−27のパターンに対し5て直角方向番ご磁界を加え
ると880Ω程度まで変化する。
05延m9幅が5〜lOルmで、展開有効長さ1〜2■
どなるように直角にジグザグに屈曲させた状態のパター
ンとして)41により形成しである。このように形成し
たMR素f2?の抵抗値はlKΩ程度あるが第7図(A
)に小すように基板26の端面28aとゼ行なMR素′
f−27のパターンに対し5て直角方向番ご磁界を加え
ると880Ω程度まで変化する。
l!pち、MR素1’27の特性は第6図に小才ように
50エールステンt”(Oe)の磁界の変化でその内部
抵抗値は数%急激に変化する。そしてそれ以に磁界を強
めてもある極小値には達するが抵抗値はほとんど変化し
7ない。MR素rはこのよりな性質を有するため記録媒
体4の磁化変化でもその内部抵抗は2%前後変化LL[
能である。
50エールステンt”(Oe)の磁界の変化でその内部
抵抗値は数%急激に変化する。そしてそれ以に磁界を強
めてもある極小値には達するが抵抗値はほとんど変化し
7ない。MR素rはこのよりな性質を有するため記録媒
体4の磁化変化でもその内部抵抗は2%前後変化LL[
能である。
このMR索f−は第7図(B)に小すように水?力面に
磁界を加えても内部抵抗は変化せず垂直力向・\の磁界
の変化を拾うのに適している。
磁界を加えても内部抵抗は変化せず垂直力向・\の磁界
の変化を拾うのに適している。
今、MR素子27がもつ内部抵抗IKΩの両端に1vの
電圧をケえると、この抵抗には1mAの電流が流れる。
電圧をケえると、この抵抗には1mAの電流が流れる。
従って記録媒体4の磁化変化により抵抗値が20Ω変化
すれば電圧変化はV=RXIにより、20ΩX0.00
1 A =20mVノ電圧変化が得られる。これがいわ
ゆる磁気抵抗効果であり、このような機能を備えた素子
がMR素子である。
すれば電圧変化はV=RXIにより、20ΩX0.00
1 A =20mVノ電圧変化が得られる。これがいわ
ゆる磁気抵抗効果であり、このような機能を備えた素子
がMR素子である。
l:述した例ではIKΩの内部抵抗をもつMR素r−を
用いたが、もっと高い或は低い抵抗値をもつものを使用
してもよい。
用いたが、もっと高い或は低い抵抗値をもつものを使用
してもよい。
ところで、主磁極lも再生用のMR素子27も同のNi
−Fe合金を使用しているため磁界が発生した場合、即
ち記録時においては、磁束は高透磁率磁性材からなる主
磁極lとMR素子27とに流れ込み、記録誤動作を生じ
る。
−Fe合金を使用しているため磁界が発生した場合、即
ち記録時においては、磁束は高透磁率磁性材からなる主
磁極lとMR素子27とに流れ込み、記録誤動作を生じ
る。
そこで本発明においては主磁極lの厚みに対しMR索f
27の厚みを数1°分の−にし、MR素子に流れ込む磁
束を激減させ記録誤動作を防It=し艶。
27の厚みを数1°分の−にし、MR素子に流れ込む磁
束を激減させ記録誤動作を防It=し艶。
具体的には第8図に示すように主磁極1の厚みTをlp
m、MR素子27の厚みtをQ、Q5gmとじたため記
録誤動作は発生しなかった。
m、MR素子27の厚みtをQ、Q5gmとじたため記
録誤動作は発生しなかった。
又、MR素子27の端縁と主磁極lの端面である基板2
6の端面2Etaとの間にhだけの間隔をもたせるため
主磁極lに〜えるMR素子の影響は更に少なくなった。
6の端面2Etaとの間にhだけの間隔をもたせるため
主磁極lに〜えるMR素子の影響は更に少なくなった。
尚、h=1−法を大きくすると記録媒体4の記録面から
遠くなり、磁気記録を拾えなくなり出力信号は低ドして
しまう。又h−j゛法を小さくすると基板26の端面が
記録媒体の接触により摩耗するとMR素r−27も直接
記録媒体に接触するようになり損傷が生じてしまうため
、h、j゛法を小さくすることにも限界がある。
遠くなり、磁気記録を拾えなくなり出力信号は低ドして
しまう。又h−j゛法を小さくすると基板26の端面が
記録媒体の接触により摩耗するとMR素r−27も直接
記録媒体に接触するようになり損傷が生じてしまうため
、h、j゛法を小さくすることにも限界がある。
実験によればh 、J法か10−30μmであるならば
信リレベルの低ト及び摩耗゛、加重精度の面からも問題
は生じなかった。
信リレベルの低ト及び摩耗゛、加重精度の面からも問題
は生じなかった。
1−述したMR素f−の両端にDCIV加えても20m
V程度の電圧変化であるため磁界の強さを測定する分野
には向かない。しかし、外部磁界で磁化変化が起るため
この磁化変化点を使った小さな磁界の方向を検出するに
は都合がよい。又、周波数特性か良く蒸着加工がu(能
なため加工が容易で小型化でき安価であるため磁気記録
再生ヘッドに適している。
V程度の電圧変化であるため磁界の強さを測定する分野
には向かない。しかし、外部磁界で磁化変化が起るため
この磁化変化点を使った小さな磁界の方向を検出するに
は都合がよい。又、周波数特性か良く蒸着加工がu(能
なため加工が容易で小型化でき安価であるため磁気記録
再生ヘッドに適している。
次に、このようなMR素fを用いた磁気信号検出用の回
路を第9図と共に説明する。
路を第9図と共に説明する。
今、第9図においてE−F間にD C12Vを加えると
トランジスタTRI、ツェナーダイオードZによりD点
にIOVの安定した電圧が発生する。今り点とA点の間
に9にΩの抵抗R1を接続しA点とE′の間にlKΩの
内部抵抗を有するMR素ト27を接続すると、D−A−
E’間の直流抵抗分は9にΩ+lKΩでIOKΩとなり
この間に流れる電流はIOV/IOKΩ=1mAとなる
。即ち、MR素f−27には1mAの電流が常時流れて
いることになる。
トランジスタTRI、ツェナーダイオードZによりD点
にIOVの安定した電圧が発生する。今り点とA点の間
に9にΩの抵抗R1を接続しA点とE′の間にlKΩの
内部抵抗を有するMR素ト27を接続すると、D−A−
E’間の直流抵抗分は9にΩ+lKΩでIOKΩとなり
この間に流れる電流はIOV/IOKΩ=1mAとなる
。即ち、MR素f−27には1mAの電流が常時流れて
いることになる。
この状態でMR素f27の前方の記録媒体4の磁界が変
化するとMR素rの内部抵抗IKΩのほぼ2%である2
0Ωが変化したとする。この時A点の電圧は0.001
AX20Ω= 20m V変化することになる。そこ
で、この20mV分の信号をコンデンサCにより交流会
のみを取り出し、トランジスタTR2のベースに入力[
7、トランジスタTR2〜TR5からなる増幅回路を利
用し、E−C間にパルス状の信号として増幅して取り出
すことができ、磁気記録情報を検出できる。
化するとMR素rの内部抵抗IKΩのほぼ2%である2
0Ωが変化したとする。この時A点の電圧は0.001
AX20Ω= 20m V変化することになる。そこ
で、この20mV分の信号をコンデンサCにより交流会
のみを取り出し、トランジスタTR2のベースに入力[
7、トランジスタTR2〜TR5からなる増幅回路を利
用し、E−C間にパルス状の信号として増幅して取り出
すことができ、磁気記録情報を検出できる。
ところで、このようにしてMR素子から取り出した信号
は微弱であるためMR素子からトランジスタTR2のベ
ースまでの人力電線を長くすると。
は微弱であるためMR素子からトランジスタTR2のベ
ースまでの人力電線を長くすると。
外部からのノイズが混入し、誤動作を生ずることになる
。そこで、従来においては第2図に示すようにシールド
線12を用いてノイズ対策を行なっていたが、本発明に
おいては第5IAに>I’+すようにもっと完全なノイ
ズ対策が施されている。
。そこで、従来においては第2図に示すようにシールド
線12を用いてノイズ対策を行なっていたが、本発明に
おいては第5IAに>I’+すようにもっと完全なノイ
ズ対策が施されている。
即ち、第5図に示すように基板26のMR素′f−27
が形成された側の側面に数gの集積回路チップ28を取
り伺け、MR素p27+ご連続する端fパターン27a
との間を数l11mの長さのリード線2月こよって結線
し、更に、基板26のMR東f−27側の側面に形成さ
れた人カ端イ3o、出力端r−31iの間の短い金属線
で結線しである。この結果従来のように100〜20’
Om+++もの長さのシールド線を引きまわす必要がな
くノイズ対策はほぼ完全である。
が形成された側の側面に数gの集積回路チップ28を取
り伺け、MR素p27+ご連続する端fパターン27a
との間を数l11mの長さのリード線2月こよって結線
し、更に、基板26のMR東f−27側の側面に形成さ
れた人カ端イ3o、出力端r−31iの間の短い金属線
で結線しである。この結果従来のように100〜20’
Om+++もの長さのシールド線を引きまわす必要がな
くノイズ対策はほぼ完全である。
第5図に示す例にあっては集積回路チップ28に収容憂
きないコンデンサ32等は基板−ヒの蒸着パターンの間
及びチップとの間を金属線で結線しである。 第5図に
示すような回路構成はいわゆる混成集積回路の実装方法
であるが、勿論基板26をも5i02等を使用して高集
積化してもよく、磁気的にみても5i02基板りに主磁
極l及びMR素子27を蒸着してもなんら問題はない。
きないコンデンサ32等は基板−ヒの蒸着パターンの間
及びチップとの間を金属線で結線しである。 第5図に
示すような回路構成はいわゆる混成集積回路の実装方法
であるが、勿論基板26をも5i02等を使用して高集
積化してもよく、磁気的にみても5i02基板りに主磁
極l及びMR素子27を蒸着してもなんら問題はない。
更に完全に外部からの磁気ノイズや電気的ノイズの混入
を防止するには第1O図に示すようなケース内に補助磁
極及び″f、磁極を収容する構造を採用すればよい。
を防止するには第1O図に示すようなケース内に補助磁
極及び″f、磁極を収容する構造を採用すればよい。
第1O図において、第1図及び第2図と同一部分には同
一符号が付されている。
一符号が付されている。
@10図において主磁極及びMR素子27を設けた基板
2Bは、ヘッドアーム6の自由端側に固定された高透磁
率磁性材からなるケース33内に収容ぎれ7樹脂34に
よって固定され、全体として−L磁極ユこット35を構
成している。
2Bは、ヘッドアーム6の自由端側に固定された高透磁
率磁性材からなるケース33内に収容ぎれ7樹脂34に
よって固定され、全体として−L磁極ユこット35を構
成している。
又、補助磁極2はキャリッジ5側に固定された高−透磁
率磁性材からなるケース36中に収容されコイルと共に
樹脂34により固定されており、全体として補助磁極ユ
ニット37を構成している。このような構造を採用すれ
ば外部ノイズに対する防御構造は完全である。
率磁性材からなるケース36中に収容されコイルと共に
樹脂34により固定されており、全体として補助磁極ユ
ニット37を構成している。このような構造を採用すれ
ば外部ノイズに対する防御構造は完全である。
尚、F磁極ユニット35及び補助磁極ユニット37には
それぞれ外部と接続するための端子35a、3?aが設
けである。
それぞれ外部と接続するための端子35a、3?aが設
けである。
一方第11図には磁気記録媒体の両面に磁気記録再生を
行なうことができるように構成した磁気ヘッドの構造が
示されている。
行なうことができるように構成した磁気ヘッドの構造が
示されている。
即ち、符号38で示すものはそれぞれ記録再生ヘッド:
1ニントで、 −力はキャリッジ5に他方は・・、2ド
アームロ側に固定されている。それぞれの記録再生・\
ラドユニット38はシールドケース38の内部に):磁
極ユニフト35及び補助磁極ユニット37が収容され、
両者間はジ−スト板40によって磁気的に遮蔽されてい
る。
1ニントで、 −力はキャリッジ5に他方は・・、2ド
アームロ側に固定されている。それぞれの記録再生・\
ラドユニット38はシールドケース38の内部に):磁
極ユニフト35及び補助磁極ユニット37が収容され、
両者間はジ−スト板40によって磁気的に遮蔽されてい
る。
又Y一部のユニット38内の補助磁極ユニットと主磁極
ユニットはそれぞれ向かい合った構成とされている。
ユニットはそれぞれ向かい合った構成とされている。
このような構造を採用すれば磁気ディスク18として例
示する磁気記録媒体の両面に対する記録再生を行なうこ
とができる。
示する磁気記録媒体の両面に対する記録再生を行なうこ
とができる。
以J−の説明から明らかなように本発明によれば、 磁
気記録媒体を挾んで記録再生ヘッドを設け、各ユニット
に主磁極と補助磁極とを収容し、これらが互いに相手側
のユニットの補助磁極と主磁極とに対向するように収容
し、主磁極が形成されている基板の反対側の側面にはM
R素子を形成した構造を採用しているため、磁気記録媒
体の両面に対する磁気記録再生を高密度に行なうことが
できる垂直磁気記録再生型の磁気ヘッドを得ることがで
きる。
気記録媒体を挾んで記録再生ヘッドを設け、各ユニット
に主磁極と補助磁極とを収容し、これらが互いに相手側
のユニットの補助磁極と主磁極とに対向するように収容
し、主磁極が形成されている基板の反対側の側面にはM
R素子を形成した構造を採用しているため、磁気記録媒
体の両面に対する磁気記録再生を高密度に行なうことが
できる垂直磁気記録再生型の磁気ヘッドを得ることがで
きる。
第1図は従来の垂直磁気記録磁気ヘッドの原理的構造を
示す説明図、第2図は従来の駆動機構を説明する分解斜
視図、第3図〜第10図は本発明の・実施例を説明する
もので、第3図は本発明の原理的構造を示す説明図、第
4図はMR素子形成状態を示す一部拡大斜視図、第5図
はMR素子の実装状態を説明する斜視図、第6図はMR
素子の内部抵抗値と磁界強度の関係を示す線図、第7図
(A)、(B)はMR素子と磁化の方向の関係を示す説
明図、第8図は主磁極とMR素子との寸法関係を示す側
面図、第9図は増幅回路図、第10図は主磁極及び補助
磁極をユニットとして実装した状態の縦断側面図、第1
1図は本発明の他の実施例を説明する縦断側面図である
。 l・・・主磁極 2・・・補助磁極4・・・磁
気記録媒体 5・・・キャリッジ6・・・ヘッドアー
ム 18・・・磁気ディスク26・・・基板
27・・・MR素f−28・・・集積回路チップ
35・・・を磁極ユニット37・・・補助磁極ユニット 38・・・記録再生−\ツドユニント 39・・・シールドケース 40・・・シークレド板第
9図 第10図 第11図
示す説明図、第2図は従来の駆動機構を説明する分解斜
視図、第3図〜第10図は本発明の・実施例を説明する
もので、第3図は本発明の原理的構造を示す説明図、第
4図はMR素子形成状態を示す一部拡大斜視図、第5図
はMR素子の実装状態を説明する斜視図、第6図はMR
素子の内部抵抗値と磁界強度の関係を示す線図、第7図
(A)、(B)はMR素子と磁化の方向の関係を示す説
明図、第8図は主磁極とMR素子との寸法関係を示す側
面図、第9図は増幅回路図、第10図は主磁極及び補助
磁極をユニットとして実装した状態の縦断側面図、第1
1図は本発明の他の実施例を説明する縦断側面図である
。 l・・・主磁極 2・・・補助磁極4・・・磁
気記録媒体 5・・・キャリッジ6・・・ヘッドアー
ム 18・・・磁気ディスク26・・・基板
27・・・MR素f−28・・・集積回路チップ
35・・・を磁極ユニット37・・・補助磁極ユニット 38・・・記録再生−\ツドユニント 39・・・シールドケース 40・・・シークレド板第
9図 第10図 第11図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 m、lニー磁極と補助磁極とを磁気記録媒体を挾んで配
置してなる垂直磁気記録再生型の磁気ヘッドにおいて、
磁気記録媒体を挾んでそれぞれ磁気記録再生ヘッドユニ
ットを設け、各ユニットには主磁極と補助磁極とを配置
すると共に、−・方のユニットに収容された主磁極と補
助磁極が他方のユニットに収容された補助磁極と主磁極
とに対向配置されるようにしたことを特徴とする磁気ヘ
ッド。 (2)主磁極は基板の−・方の側に形成され、基板の他
方の側には磁気記録を電気信号に変換する磁気抵抗効果
素子を形成したことを特徴とする特許請求の範囲第1項
記載の磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8995082A JPS58208925A (ja) | 1982-05-28 | 1982-05-28 | 磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8995082A JPS58208925A (ja) | 1982-05-28 | 1982-05-28 | 磁気ヘツド |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58208925A true JPS58208925A (ja) | 1983-12-05 |
Family
ID=13984975
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8995082A Pending JPS58208925A (ja) | 1982-05-28 | 1982-05-28 | 磁気ヘツド |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58208925A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59165216A (ja) * | 1983-03-10 | 1984-09-18 | Fuji Xerox Co Ltd | 垂直磁気ヘツド |
JPS60143419A (ja) * | 1983-12-29 | 1985-07-29 | Sony Corp | 多チヤンネル磁気抵抗効果型磁気ヘツド装置 |
US4809103A (en) * | 1984-02-03 | 1989-02-28 | Commissariat A L'energie Atomique | Head slider with an integrated flat magnetic head |
US5712747A (en) * | 1996-01-24 | 1998-01-27 | International Business Machines Corporation | Thin film slider with on-board multi-layer integrated circuit |
-
1982
- 1982-05-28 JP JP8995082A patent/JPS58208925A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59165216A (ja) * | 1983-03-10 | 1984-09-18 | Fuji Xerox Co Ltd | 垂直磁気ヘツド |
JPS60143419A (ja) * | 1983-12-29 | 1985-07-29 | Sony Corp | 多チヤンネル磁気抵抗効果型磁気ヘツド装置 |
US4809103A (en) * | 1984-02-03 | 1989-02-28 | Commissariat A L'energie Atomique | Head slider with an integrated flat magnetic head |
US5712747A (en) * | 1996-01-24 | 1998-01-27 | International Business Machines Corporation | Thin film slider with on-board multi-layer integrated circuit |
US5771571A (en) * | 1996-01-24 | 1998-06-30 | International Business Machines Corporation | Method for manufacturing thin film slider with on-board multi-layer integrated circuit |
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