JPH0512626A - 磁気ヘツド - Google Patents
磁気ヘツドInfo
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- JPH0512626A JPH0512626A JP19271691A JP19271691A JPH0512626A JP H0512626 A JPH0512626 A JP H0512626A JP 19271691 A JP19271691 A JP 19271691A JP 19271691 A JP19271691 A JP 19271691A JP H0512626 A JPH0512626 A JP H0512626A
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- Japan
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- magnetic
- film
- flux density
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁気抵抗素子にかかる磁束を集中させて記
録、再生特性の優れた磁気ヘツドを得る。 【構成】高飽和磁束密度磁性膜２の先端部４を先細り形
状にして、漏洩磁束を少なくした。漏洩磁束が少なくな
るので、磁気抵抗素子１にかかる磁束を集中させて再生
出力の向上を計る。
録、再生特性の優れた磁気ヘツドを得る。 【構成】高飽和磁束密度磁性膜２の先端部４を先細り形
状にして、漏洩磁束を少なくした。漏洩磁束が少なくな
るので、磁気抵抗素子１にかかる磁束を集中させて再生
出力の向上を計る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気ヘツドに係り、特に
磁気抵抗素子に磁束を集中させることができる磁気ヘツ
ドに関するものである。
磁気抵抗素子に磁束を集中させることができる磁気ヘツ
ドに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年の情報量の増大と、機器の小型化に
伴い磁気記録装置での記録密度は年々増大している。磁
気記録装置では磁気記録媒体に書き込まれた情報を読み
出す磁気センサとして、フアラデイの電磁誘導則を利用
した誘導形磁気ヘツドが長年用いられてきた。しかし、
磁気記録装置の小型化に伴い磁気ヘツドと磁気記録媒体
との間の相対速度が減少してきたため、さらに磁気記録
装置の小型化が進むと、誘導形磁気ヘツドでは十分なＳ
／Ｎで信号を読みとれなくなるため、最近ではこの誘導
形磁気ヘツドに代つて磁束の大、小により出力が変化す
る磁気抵抗素子を用いた磁気抵抗形磁気ヘツドの開発が
進められている。
伴い磁気記録装置での記録密度は年々増大している。磁
気記録装置では磁気記録媒体に書き込まれた情報を読み
出す磁気センサとして、フアラデイの電磁誘導則を利用
した誘導形磁気ヘツドが長年用いられてきた。しかし、
磁気記録装置の小型化に伴い磁気ヘツドと磁気記録媒体
との間の相対速度が減少してきたため、さらに磁気記録
装置の小型化が進むと、誘導形磁気ヘツドでは十分なＳ
／Ｎで信号を読みとれなくなるため、最近ではこの誘導
形磁気ヘツドに代つて磁束の大、小により出力が変化す
る磁気抵抗素子を用いた磁気抵抗形磁気ヘツドの開発が
進められている。
【０００３】磁気抵抗形磁気ヘツドにはギヤツプ近傍に
磁気抵抗素子を置く非シールド型と、高透磁率磁性体に
より閉磁路を作りギヤツプとは離れたところに別のギヤ
ツプを設け、そこに磁気抵抗素子を配置するヨーク型が
ある。ヨーク型の場合、高透磁率磁性体の飽和磁束密度
が大きければ磁気抵抗素子に大きな磁界をかけられ、出
力を高めることも可能である。
磁気抵抗素子を置く非シールド型と、高透磁率磁性体に
より閉磁路を作りギヤツプとは離れたところに別のギヤ
ツプを設け、そこに磁気抵抗素子を配置するヨーク型が
ある。ヨーク型の場合、高透磁率磁性体の飽和磁束密度
が大きければ磁気抵抗素子に大きな磁界をかけられ、出
力を高めることも可能である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来技術の磁気ヘツド
においては、磁気抵抗素子を配置するギヤツプ部分の形
状によつては磁界が広り、磁気抵抗素子にかかる磁界が
弱くなり記録、再生特性が悪くなる欠点があつた。本発
明はかかる従来技術の欠点を解消しようとするもので、
その目的とするところは、磁気抵抗素子にかかる磁束を
集中させて記録、再生特性のすぐれた磁気ヘツドを提供
するにある。
においては、磁気抵抗素子を配置するギヤツプ部分の形
状によつては磁界が広り、磁気抵抗素子にかかる磁界が
弱くなり記録、再生特性が悪くなる欠点があつた。本発
明はかかる従来技術の欠点を解消しようとするもので、
その目的とするところは、磁気抵抗素子にかかる磁束を
集中させて記録、再生特性のすぐれた磁気ヘツドを提供
するにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は前述の目的を達
成するために、高飽和磁束密度磁性膜の先端部を先細り
形状にしたのである。また、高飽和磁束密度磁性膜の幅
ｌ2 と先端部の幅ｌ1 との関係をｌ1 ≦２／３ｌ2 にし
たものである。
成するために、高飽和磁束密度磁性膜の先端部を先細り
形状にしたのである。また、高飽和磁束密度磁性膜の幅
ｌ2 と先端部の幅ｌ1 との関係をｌ1 ≦２／３ｌ2 にし
たものである。
【０００６】
【作用】高飽和磁束密度磁性膜の先端部を先細り形状に
することによつて磁気抵抗素子にかかる磁界を強め、磁
気抵抗素子以外の部分での漏洩磁束が少なくなるので、
磁気抵抗素子からの出力は大きくなる。
することによつて磁気抵抗素子にかかる磁界を強め、磁
気抵抗素子以外の部分での漏洩磁束が少なくなるので、
磁気抵抗素子からの出力は大きくなる。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を用いて説明す
る。図１は本発明の実施例に係る磁気ヘツド近傍の平面
図、図２は他の実施例を示した磁気ヘツド近傍の斜視
図、図３から図９は磁気ヘツドの製作手順を説明する斜
視図である。図１から図２において、１は磁気抵抗素
子、２は高飽和磁束密度磁性膜、３は磁気抵抗素子１の
電流端子、４は高飽和磁束密度磁性膜２の先端部であ
る。
る。図１は本発明の実施例に係る磁気ヘツド近傍の平面
図、図２は他の実施例を示した磁気ヘツド近傍の斜視
図、図３から図９は磁気ヘツドの製作手順を説明する斜
視図である。図１から図２において、１は磁気抵抗素
子、２は高飽和磁束密度磁性膜、３は磁気抵抗素子１の
電流端子、４は高飽和磁束密度磁性膜２の先端部であ
る。
【０００８】この様な構造において、磁気抵抗素子１近
傍の高飽和磁束密度磁性膜２の先端部４を図１に示すよ
うに先細り形状にしたのである。この様に高飽和磁束密
度磁性膜２の先端部４を先細り形状にすることによつ
て、漏洩磁束をしぼり込むことができ磁気抵抗素子１に
かかる磁界が強くなり、磁気抵抗素子１からの出力を大
きくすることができる。図１に示す高飽和磁束密度磁性
膜２の先端部４における先細り形状は、高飽和磁束密度
磁性膜２の幅ｌ2 と先端部４の幅ｌ1 はｌ1 ≦２／３ｌ
2 にすることが望ましく、ｌ2 ＞ 1 ≧２／３ｌ2 では
先細り形状による効果が表われない。
傍の高飽和磁束密度磁性膜２の先端部４を図１に示すよ
うに先細り形状にしたのである。この様に高飽和磁束密
度磁性膜２の先端部４を先細り形状にすることによつ
て、漏洩磁束をしぼり込むことができ磁気抵抗素子１に
かかる磁界が強くなり、磁気抵抗素子１からの出力を大
きくすることができる。図１に示す高飽和磁束密度磁性
膜２の先端部４における先細り形状は、高飽和磁束密度
磁性膜２の幅ｌ2 と先端部４の幅ｌ1 はｌ1 ≦２／３ｌ
2 にすることが望ましく、ｌ2 ＞ 1 ≧２／３ｌ2 では
先細り形状による効果が表われない。
【０００９】図２は他の実施例を示すもので、図１に示
す磁気ヘツドと図２に示す磁気ヘツドの異なる点は、図
１に示す磁気ヘツドでは高飽和磁束密度磁性膜２の先端
部４における幅方向のみ先細り形状にしたが、図２に示
す磁気ヘツドでは高飽和磁束密度磁性膜２の先端部４に
おける幅方向及び厚さ方向の両方を先細り形状にしたも
のである。図２に示すように高飽和磁束密度磁性膜２の
幅方向（ｌ1 ，ｌ2 ）および厚さ方向（ｔ1 ，ｔ2）の
両方を先細り形状にすることによつて、漏洩磁束を益々
しぼり込むことができるので、磁気抵抗素子１にかかる
磁界が強くなり、磁気抵抗素子１からの出力を大きくす
ることができる。なお、図２に示す高飽和磁束密度磁性
膜２の先端部４における先細り形状の幅ｌ1 ，ｌ2 は図
１のものと同一であるが、高飽和磁束密度磁性膜２の厚
さｔ2 と先端部４の厚さｔ2 はｔ1 ≦２／３ｔ2 にする
ことが望ましい。
す磁気ヘツドと図２に示す磁気ヘツドの異なる点は、図
１に示す磁気ヘツドでは高飽和磁束密度磁性膜２の先端
部４における幅方向のみ先細り形状にしたが、図２に示
す磁気ヘツドでは高飽和磁束密度磁性膜２の先端部４に
おける幅方向及び厚さ方向の両方を先細り形状にしたも
のである。図２に示すように高飽和磁束密度磁性膜２の
幅方向（ｌ1 ，ｌ2 ）および厚さ方向（ｔ1 ，ｔ2）の
両方を先細り形状にすることによつて、漏洩磁束を益々
しぼり込むことができるので、磁気抵抗素子１にかかる
磁界が強くなり、磁気抵抗素子１からの出力を大きくす
ることができる。なお、図２に示す高飽和磁束密度磁性
膜２の先端部４における先細り形状の幅ｌ1 ，ｌ2 は図
１のものと同一であるが、高飽和磁束密度磁性膜２の厚
さｔ2 と先端部４の厚さｔ2 はｔ1 ≦２／３ｔ2 にする
ことが望ましい。
【００１０】この様に磁気抵抗素子１はギヤツプ内部も
しくはギヤツプ近傍に配置すればよく、磁気抵抗素子用
磁性膜としてはＮｉ−Ｆｅ，Ｎｉ−Ｃｏ単体膜、Ｎｉ−
ＦｅもしくはＮｉ−Ｃｏと強磁性もしくは反強磁性膜と
積層膜の他にＦｅ／Ｃｒ、Ｃｕ／Ｃｏ、Ａｕ／Ｃｏなど
の多層膜〔（強磁性もしくは反強磁性膜）／（非磁性金
属膜）／（軟磁性膜）／（非磁性金属膜）〕の積層膜で
あつてもよい。高飽和磁束密度磁性材としてはパーロマ
イ、Ｍｏパーロマイ、高硬度パーロマイ、Ｃｏ系および
Ｆｅ系アモルフアス、センダストなどを用いてもよく、
保磁力が小さくかつ、透磁率が高ければＦｅ膜でもよ
い。基体としては磁性、非磁性フエライトの他に、他の
摺動特性のよいセラミツクを用いてもよい。
しくはギヤツプ近傍に配置すればよく、磁気抵抗素子用
磁性膜としてはＮｉ−Ｆｅ，Ｎｉ−Ｃｏ単体膜、Ｎｉ−
ＦｅもしくはＮｉ−Ｃｏと強磁性もしくは反強磁性膜と
積層膜の他にＦｅ／Ｃｒ、Ｃｕ／Ｃｏ、Ａｕ／Ｃｏなど
の多層膜〔（強磁性もしくは反強磁性膜）／（非磁性金
属膜）／（軟磁性膜）／（非磁性金属膜）〕の積層膜で
あつてもよい。高飽和磁束密度磁性材としてはパーロマ
イ、Ｍｏパーロマイ、高硬度パーロマイ、Ｃｏ系および
Ｆｅ系アモルフアス、センダストなどを用いてもよく、
保磁力が小さくかつ、透磁率が高ければＦｅ膜でもよ
い。基体としては磁性、非磁性フエライトの他に、他の
摺動特性のよいセラミツクを用いてもよい。
【００１１】以下、図３から図９を用いて磁気ヘツドの
製作手順について説明する。図３に示すようにＭｎ−Ｚ
ｎフエライト基体上にＣｏＮｂＺｒアモルフアス膜をス
パツタした。その後にＣｏＮｂＺｒ膜をトラツク幅の短
冊にエツチングし、フオトレジストとマスクを用いてパ
ターンを転写した化学エツチングした。図４に示すよう
にフオトレジストを塗布し、磁気抵抗素子を形成する部
分だけレジストに穴をあけ、ＳｉＯ2 をスパツタし、レ
ジストを除去した。図５はシヤントバイアス電極の形成
を示す。フオトレジストを塗布、シヤントバイアスおよ
びその電極部分にだけフオトマスクを用いて穴をあけ
る。Ｃｕをスパツタ、レジストを除去した。図６は磁気
抵抗素子（ＮｉＦｅ）の形成を示す。フオトレジストを
塗布し、シヤントバイアスおよびその電極部分にのみフ
オトマスクを用いて穴をあける。その後にＮｉＦｅをス
パツタしレジストを除去した。図７はギヤツプの形成を
示す。なお図７において５はパーロマイ電極、６はシヤ
ントバイアス電極を示す。レジストを塗布し、パーロマ
イ電極５、シヤントバイアス電極６にはレジストが残る
ようにしてＣｏＮｂＺｒ膜、パーロマイ膜部分に穴をあ
ける。その後にＳｉＯ2 をスパツタし、レジストを除去
した。図８は対向電極の形成を示す。レジストを塗布
し、下部ＣｏＮｂＺｒ膜に重なるようレジスト膜に穴を
あける。このときパーマロイ膜上では図１に示したよう
なギヤツプを形成するようにする。その後にＣｏＮｂＺ
ｒをスパツタし、レジストを除去した。図９は磁気ヘツ
ドの最終工程を示す。パーマロイおよびシヤントバイア
ス用電極部分以外の部分に保護膜としてＳｉＯ2 をスパ
ツタし、一個づつに切断して電極にリード線をつけて完
成させる。
製作手順について説明する。図３に示すようにＭｎ−Ｚ
ｎフエライト基体上にＣｏＮｂＺｒアモルフアス膜をス
パツタした。その後にＣｏＮｂＺｒ膜をトラツク幅の短
冊にエツチングし、フオトレジストとマスクを用いてパ
ターンを転写した化学エツチングした。図４に示すよう
にフオトレジストを塗布し、磁気抵抗素子を形成する部
分だけレジストに穴をあけ、ＳｉＯ2 をスパツタし、レ
ジストを除去した。図５はシヤントバイアス電極の形成
を示す。フオトレジストを塗布、シヤントバイアスおよ
びその電極部分にだけフオトマスクを用いて穴をあけ
る。Ｃｕをスパツタ、レジストを除去した。図６は磁気
抵抗素子（ＮｉＦｅ）の形成を示す。フオトレジストを
塗布し、シヤントバイアスおよびその電極部分にのみフ
オトマスクを用いて穴をあける。その後にＮｉＦｅをス
パツタしレジストを除去した。図７はギヤツプの形成を
示す。なお図７において５はパーロマイ電極、６はシヤ
ントバイアス電極を示す。レジストを塗布し、パーロマ
イ電極５、シヤントバイアス電極６にはレジストが残る
ようにしてＣｏＮｂＺｒ膜、パーロマイ膜部分に穴をあ
ける。その後にＳｉＯ2 をスパツタし、レジストを除去
した。図８は対向電極の形成を示す。レジストを塗布
し、下部ＣｏＮｂＺｒ膜に重なるようレジスト膜に穴を
あける。このときパーマロイ膜上では図１に示したよう
なギヤツプを形成するようにする。その後にＣｏＮｂＺ
ｒをスパツタし、レジストを除去した。図９は磁気ヘツ
ドの最終工程を示す。パーマロイおよびシヤントバイア
ス用電極部分以外の部分に保護膜としてＳｉＯ2 をスパ
ツタし、一個づつに切断して電極にリード線をつけて完
成させる。
【００１２】実施例１
図３から図９に示したプロセスに従つて磁気ヘツドを製
作した。基板にはＭｎ−Ｚｎフエライト、高飽和磁束密
度磁性体にはＣｏＮｂＺｒアモルフアス膜（飽和磁束密
度９００ＯＧ、保持力０．１０ｅ）、磁気抵抗素子には
パーマロイ膜を使用した。そして、パーマロイ膜と平行
にＣｕシヤントバイアス電極を配置し、パーマロイ膜の
磁化ベクトルが外部磁界が００ｅのとき媒体平面から４
５度傾くようにしてある。磁気ヘツドのギヤツプ長は、
０．１５μｍ、トラツク幅は２０μｍ．ＣｏＮｂＺｒア
モルフアス膜の膜厚は１０μｍ、図１で示した高飽和磁
束密度磁性膜２の幅ｌ2 は２０μｍ、先端部４の幅１２
μｍである。一方、磁気抵抗素子部分のギヤツプの長さ
は１０μｍ、パーマロイ膜の大きさは厚さが５００Å
で、幅が２０μｍ、長さが１５μｍである。
作した。基板にはＭｎ−Ｚｎフエライト、高飽和磁束密
度磁性体にはＣｏＮｂＺｒアモルフアス膜（飽和磁束密
度９００ＯＧ、保持力０．１０ｅ）、磁気抵抗素子には
パーマロイ膜を使用した。そして、パーマロイ膜と平行
にＣｕシヤントバイアス電極を配置し、パーマロイ膜の
磁化ベクトルが外部磁界が００ｅのとき媒体平面から４
５度傾くようにしてある。磁気ヘツドのギヤツプ長は、
０．１５μｍ、トラツク幅は２０μｍ．ＣｏＮｂＺｒア
モルフアス膜の膜厚は１０μｍ、図１で示した高飽和磁
束密度磁性膜２の幅ｌ2 は２０μｍ、先端部４の幅１２
μｍである。一方、磁気抵抗素子部分のギヤツプの長さ
は１０μｍ、パーマロイ膜の大きさは厚さが５００Å
で、幅が２０μｍ、長さが１５μｍである。
【００１３】比較例１
実施例１で製作したものと同じ製作方法で製作した。な
お磁気抵抗素子部分のギヤツプ部分の高飽和磁束密度磁
性膜には実施例１の様な先端部に先細り形状は施さなか
つた。
お磁気抵抗素子部分のギヤツプ部分の高飽和磁束密度磁
性膜には実施例１の様な先端部に先細り形状は施さなか
つた。
【００１４】実施例１と比較例１の磁気ヘツドを用いて
再生出力の比較を行なつた。比較は３．５インチのフロ
ツピイーデイスクシステム（ＨＤ：アンフオーマツト時
で両面２Ｍバイト）を用いて行なつた。あらかじめトラ
ツク幅は５０μｍ、ギヤツプ長さは０．５μｍのＭｅｔ
ａｌ−Ｉｎ−Ｇａｐヘツドを用いて記録密度１０ＫＦＣ
Ｉで記録してあるものを実施例１、比較例１の磁気ヘツ
ドを用いて再生した。再生時に磁気抵抗素子に流すセン
ス電流は５ｍＡとした。再生電圧のＰｅａｋ ｔｏ Ｐ
ｅａｋの値は実施例１の磁気ヘツドでは０．６３ｍＡで
あつたのに対し、比較例１の磁気ヘツドでは０．４０ｍ
Ａであつた。このときスペクトルアナライザで調べた再
生スペクトルのノイズレベルは両者共同じであつた。こ
の結果より実施例１で示した高飽和磁束密度磁性膜２の
先端部４を先細り形状にした磁気ヘツドの出力が高く、
Ｓ／Ｎでも優れていることがわかる。
再生出力の比較を行なつた。比較は３．５インチのフロ
ツピイーデイスクシステム（ＨＤ：アンフオーマツト時
で両面２Ｍバイト）を用いて行なつた。あらかじめトラ
ツク幅は５０μｍ、ギヤツプ長さは０．５μｍのＭｅｔ
ａｌ−Ｉｎ−Ｇａｐヘツドを用いて記録密度１０ＫＦＣ
Ｉで記録してあるものを実施例１、比較例１の磁気ヘツ
ドを用いて再生した。再生時に磁気抵抗素子に流すセン
ス電流は５ｍＡとした。再生電圧のＰｅａｋ ｔｏ Ｐ
ｅａｋの値は実施例１の磁気ヘツドでは０．６３ｍＡで
あつたのに対し、比較例１の磁気ヘツドでは０．４０ｍ
Ａであつた。このときスペクトルアナライザで調べた再
生スペクトルのノイズレベルは両者共同じであつた。こ
の結果より実施例１で示した高飽和磁束密度磁性膜２の
先端部４を先細り形状にした磁気ヘツドの出力が高く、
Ｓ／Ｎでも優れていることがわかる。
【００１５】
【発明の効果】本発明によれば磁気抵抗素子にかかる磁
束を集中させることができ、再生出力およびＳ／Ｎが一
段と向上する。
束を集中させることができ、再生出力およびＳ／Ｎが一
段と向上する。
【図１】本発明の実施例に係る磁気ヘツド近傍の平面図
である。
である。
【図２】他の実施例を示す磁気ヘツド近傍の斜視図であ
る。
る。
【図３】Ｍｎ−Ｚｎフエライト基板上にＣｏＮｂＺｒア
モルフアス膜をスパツタした様子を示す斜視図である。
モルフアス膜をスパツタした様子を示す斜視図である。
【図４】磁気抵抗素子の様子を示す斜視図である。
【図５】シヤントバイアス電極の様子を示す斜視図であ
る。
る。
【図６】磁気抵抗素子の形成の様子を示す斜視図であ
る。
る。
【図７】ギヤツプの形成の様子を示す斜視図である。
【図８】対向電極の形成の様子を示す斜視図である。
【図９】磁気ヘツドの最終工程を示す斜視図である。
１ 磁気抵抗素子
２ 高飽和磁束密度磁性膜
４ 先端部
Claims (2)
- 【請求項１】 非磁性もしくは磁性のセラミツク基体上
に高飽和磁束密度磁性膜を形成し、この高飽和磁束密度
磁性膜の近傍に磁気抵抗素子を配置した磁気ヘツドにお
いて、 前記高飽和磁束密度磁性膜の先端部を先細り形状にした
ことを特徴とする磁気ヘツド。 - 【請求項２】 請求項１記載の高飽和磁束密度磁性膜に
おいて、高飽和磁束密度磁性膜の幅ｌ2 と先端部の幅ｌ
1 との関係をｌ1 ≦２／３ｌ2 にしたことを特徴とする
磁気ヘツド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19271691A JPH0512626A (ja) | 1991-07-08 | 1991-07-08 | 磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19271691A JPH0512626A (ja) | 1991-07-08 | 1991-07-08 | 磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0512626A true JPH0512626A (ja) | 1993-01-22 |
Family
ID=16295875
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19271691A Withdrawn JPH0512626A (ja) | 1991-07-08 | 1991-07-08 | 磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0512626A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5640754A (en) * | 1993-11-08 | 1997-06-24 | Commissariat A L'energie Atomique | Process of producing a magnetic read head having a multilayer magnetoresistant element and a concentrator |
| EP0801381A1 (fr) * | 1996-04-12 | 1997-10-15 | Silmag | Tête magnétique horizontale à magnétorésistance perfectionnée |
-
1991
- 1991-07-08 JP JP19271691A patent/JPH0512626A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5640754A (en) * | 1993-11-08 | 1997-06-24 | Commissariat A L'energie Atomique | Process of producing a magnetic read head having a multilayer magnetoresistant element and a concentrator |
| US5764448A (en) * | 1993-11-08 | 1998-06-09 | Commissariat A L'energie Atomique | Magnetic read head having a multilayer magnetoresistant element and a concentrator, as well as its production process |
| EP0801381A1 (fr) * | 1996-04-12 | 1997-10-15 | Silmag | Tête magnétique horizontale à magnétorésistance perfectionnée |
| FR2747499A1 (fr) * | 1996-04-12 | 1997-10-17 | Silmag Sa | Tete magnetique horizontale a magnetoresistance perfectionnee |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19981008 |