JPS58208922A - 磁気ヘツド - Google Patents
磁気ヘツドInfo
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- JPS58208922A JPS58208922A JP8995382A JP8995382A JPS58208922A JP S58208922 A JPS58208922 A JP S58208922A JP 8995382 A JP8995382 A JP 8995382A JP 8995382 A JP8995382 A JP 8995382A JP S58208922 A JPS58208922 A JP S58208922A
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- Japan
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- magnetic pole
- magnetic
- recording
- main magnetic
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- Pending
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
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- Magnetic Heads (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気ヘラｌ’に係り、更に詳しくは垂直磁気記
録再生を行なう磁気へ・ンドに関するものである。
録再生を行なう磁気へ・ンドに関するものである。
垂直磁気記録の原理は第１図に示す如きである。
１Δにおいて将す１は主磁極を示し、厚ざ約１〜２ｐｍ
のＮｉ−Ｆｅ合金からなる。この主磁極ｌと約８０ｇｍ
＃れた位置に補助磁極２か配置されている。この補助磁
極２は的径約０．５ｍｍの棒状のフェライｉ （Ｍｎ−
Ｚｎ）等から形成されており、その外周面には記録用の
コイル３が例えば１００回巻かれでいる。この主磁極ｌ
と補助磁極２どの間に例えばフロンピーディスク簿で代
表される磁気記録媒体４が走行される。この磁気記録媒
体４は厚さ約５０Ｋｍ程度のポリエステルフィルムから
なるベー７４ａのｆ、磁極ｌ側の側面に非記録用の０．
５ルｍ程度の厚みを有するＮｉ−Ｆｅ層４ｂが蒸着して
あり、更にそのＥに記録用の０．５ ｇ ｍ程度の厚み
を有するＧｏ−Ｃｒ層４Ｃが゛蒸着しである。
のＮｉ−Ｆｅ合金からなる。この主磁極ｌと約８０ｇｍ
＃れた位置に補助磁極２か配置されている。この補助磁
極２は的径約０．５ｍｍの棒状のフェライｉ （Ｍｎ−
Ｚｎ）等から形成されており、その外周面には記録用の
コイル３が例えば１００回巻かれでいる。この主磁極ｌ
と補助磁極２どの間に例えばフロンピーディスク簿で代
表される磁気記録媒体４が走行される。この磁気記録媒
体４は厚さ約５０Ｋｍ程度のポリエステルフィルムから
なるベー７４ａのｆ、磁極ｌ側の側面に非記録用の０．
５ルｍ程度の厚みを有するＮｉ−Ｆｅ層４ｂが蒸着して
あり、更にそのＥに記録用の０．５ ｇ ｍ程度の厚み
を有するＧｏ−Ｃｒ層４Ｃが゛蒸着しである。
Ｎｉ−Ｆｅ層４ｂは高透磁率材で、磁気抵抗を減少させ
磁束が主磁極に集中できるようにする役目をもつ。
磁束が主磁極に集中できるようにする役目をもつ。
このような構造のもとにコイル３に対しパルス電流を通
電すると、補助磁極２から主磁極ｌに向かって磁力線が
発生する。この磁力線は第１図に点線の矢印で示すよう
にまず高透磁率のＮｉ−Ｆｅ層４ｂに向かってほぼ直進
し、この層４ｂにあたると面内方向に磁力線が走り、Ｃ
ｏ−Ｃｒ層４ｃ内においては主磁極１に向かって垂直に
磁力線が走り、この層４Ｃを磁化し磁気記録か行なわれ
る。
電すると、補助磁極２から主磁極ｌに向かって磁力線が
発生する。この磁力線は第１図に点線の矢印で示すよう
にまず高透磁率のＮｉ−Ｆｅ層４ｂに向かってほぼ直進
し、この層４ｂにあたると面内方向に磁力線が走り、Ｃ
ｏ−Ｃｒ層４ｃ内においては主磁極１に向かって垂直に
磁力線が走り、この層４Ｃを磁化し磁気記録か行なわれ
る。
このような＋ｆ５直磁％記録力式を採用すると、従来の
リンク型磁気ヘントによる磁気記録が面内力面であるの
に比較し、はるかに高富１隻記録が口■能である。
リンク型磁気ヘントによる磁気記録が面内力面であるの
に比較し、はるかに高富１隻記録が口■能である。
例えば、現在市販されているリング型磁気ヘッドを使用
したフロンピーディスクに対する記録密度はＩＯＫ ｂ
ｉｔｓ／１ｎｃｈ （約２５ｍｍ ）程度が限界である
が、垂直磁気記録方式を採用するとそのほぼ１０倍の１
００Ｋ ｂｉｔｓ／１ｎｃｈの記録が可能である。
したフロンピーディスクに対する記録密度はＩＯＫ ｂ
ｉｔｓ／１ｎｃｈ （約２５ｍｍ ）程度が限界である
が、垂直磁気記録方式を採用するとそのほぼ１０倍の１
００Ｋ ｂｉｔｓ／１ｎｃｈの記録が可能である。
しかし、ＬＯＯＫ ｂｉｔｓ／１ｎｃｈ前後の磁気記録
が可能であっても再生することは困難である。現在の垂
直磁気記録再生方式として補助磁極に再生用コイルを巻
いて信号を検出する手段も検討されているが、記録媒体
の記録層（Ｎｉ−Ｆｅ層）と補助磁極との間が５０ｐｍ
以−ヒ離れているため再生出力信号のレベルが低く、ノ
イズ等も混入し誤動作が生じ易いという不都合がある。
が可能であっても再生することは困難である。現在の垂
直磁気記録再生方式として補助磁極に再生用コイルを巻
いて信号を検出する手段も検討されているが、記録媒体
の記録層（Ｎｉ−Ｆｅ層）と補助磁極との間が５０ｐｍ
以−ヒ離れているため再生出力信号のレベルが低く、ノ
イズ等も混入し誤動作が生じ易いという不都合がある。
このような垂直磁気記録用のヘンドは例えば第２図に示
すような駆動装置に取り付けられる。
すような駆動装置に取り付けられる。
第２図において符号５で小すものはキャリン′で、リボ
していないカイト軸に治って摺動自在に取り伺けられて
おり、その 端の１−面には前述した補助磁極２が取す
イ・１けられている。
していないカイト軸に治って摺動自在に取り伺けられて
おり、その 端の１−面には前述した補助磁極２が取す
イ・１けられている。
キャリッジ５のｌ二側にはト磁極用のヘンドアームロが
設けられている。 このヘンドアームロの基端には板ば
ね７か固定されでおり、この板ばね７は前記キャリッジ
５の補助磁極２とは反対側の端部に当て板８を介してね
じ９によって固定される。ヘッドアーム６の自由端側の
ド面で補助磁極 ２と対抗子る位置には主磁極１が取
り付けられている。
設けられている。 このヘンドアームロの基端には板ば
ね７か固定されでおり、この板ばね７は前記キャリッジ
５の補助磁極２とは反対側の端部に当て板８を介してね
じ９によって固定される。ヘッドアーム６の自由端側の
ド面で補助磁極 ２と対抗子る位置には主磁極１が取
り付けられている。
ヘッドアーム６の主磁極ｌと反対側であるＬ面には端子
板ｌＯが設けられており、この端子板１０と増幅回路等
を実装したプリント基板１１との間は例えば１００〜２
００ｍｍ程度の長さをもつシールド線１２によって接続
されている。シールド線１２を用いたのはノイズを拾わ
ないようにするためである。プリント基板ｌｌ側にはＬ
ＳＩ等の電子部品１３が装着されている。
板ｌＯが設けられており、この端子板１０と増幅回路等
を実装したプリント基板１１との間は例えば１００〜２
００ｍｍ程度の長さをもつシールド線１２によって接続
されている。シールド線１２を用いたのはノイズを拾わ
ないようにするためである。プリント基板ｌｌ側にはＬ
ＳＩ等の電子部品１３が装着されている。
前記へ・ントアーム６の途中には側力に向がってドパ−
６ａが突設され−Ｃおり、このレバー６ａのＦカには、
これと係合する位置にソレノイド１４が設けられＣおり
、このソレノイド１４のロッドの先端にはＬ可動片１５
か固定されており、スプリング１６により常時１．力＼
の移動習性がうえられている。
６ａが突設され−Ｃおり、このレバー６ａのＦカには、
これと係合する位置にソレノイド１４が設けられＣおり
、このソレノイド１４のロッドの先端にはＬ可動片１５
か固定されており、スプリング１６により常時１．力＼
の移動習性がうえられている。
ヘンドアームロは板ばね７によって１：磁極ｌが補助磁
極２に近−っ〈方間に刀を与−えられており、ヘッドア
ーム６の途中に調節可能に設けられたビン１７のド端が
キャリッジ５側の突起５ａに接することによりそのド降
限を規制されている。
極２に近−っ〈方間に刀を与−えられており、ヘッドア
ーム６の途中に調節可能に設けられたビン１７のド端が
キャリッジ５側の突起５ａに接することによりそのド降
限を規制されている。
即ち、ソレノイド１４に通電されない状態ではロンドは
自由状態にありスプリング１６を介して可動片１５が」
三方に移動されており、レバー６ａを介してヘッドアー
ム６が押し上げられ、主磁極ｌと補助磁極２の間が開い
た状態にある。
自由状態にありスプリング１６を介して可動片１５が」
三方に移動されており、レバー６ａを介してヘッドアー
ム６が押し上げられ、主磁極ｌと補助磁極２の間が開い
た状態にある。
このような構造を採用したのは磁気ディスクカセット１
日を装置に装着する場合に主磁極１が磁気ディスクカセ
ット１８にあたらないようにするためである。そして、
磁気ディスクカセット１８が装着され装置か駆動状戻、
になった場合はンレノイ１１４に通１１ｉされｎｆ動片
１５をド降させ板ばね７の力によりヘッドアーム６、従
って（二磁極ｌをド降させ、磁気ディスフカセラ！・１
８内に収容されている磁気ディスク１８をカセットの聞
１１部１８ａを介してＩ、ドに挾み磁気記録再生を行な
わせる。この時の補助磁極２と主磁極ｌの間隔はほぼ８
０ｇｍであり、この間隔は前記ピン１７のド端が突起５
ａにあたることにより確保される。
日を装置に装着する場合に主磁極１が磁気ディスクカセ
ット１８にあたらないようにするためである。そして、
磁気ディスクカセット１８が装着され装置か駆動状戻、
になった場合はンレノイ１１４に通１１ｉされｎｆ動片
１５をド降させ板ばね７の力によりヘッドアーム６、従
って（二磁極ｌをド降させ、磁気ディスフカセラ！・１
８内に収容されている磁気ディスク１８をカセットの聞
１１部１８ａを介してＩ、ドに挾み磁気記録再生を行な
わせる。この時の補助磁極２と主磁極ｌの間隔はほぼ８
０ｇｍであり、この間隔は前記ピン１７のド端が突起５
ａにあたることにより確保される。
磁気ディスク１９はモータ２０によってベルト２１ヲ介
して回転されるブー９２２に突設されたボス２２ａをデ
ィスクの中心孔１９ａに嵌合させることにより回転され
る。
して回転されるブー９２２に突設されたボス２２ａをデ
ィスクの中心孔１９ａに嵌合させることにより回転され
る。
符号２３で示すものはパルスモータで、その出力軸２３
ａに巻きつけられた幅狭のスチールベルト２４と２５の
両端が前記キャリッジ５に固定され、パルスモータ２３
の回転に応じてこれらスチールベルト２４．２５が巻き
取られたり、巻きほどがれたりすることによりキャリッ
ジ５は制御信号に従って移動する。
ａに巻きつけられた幅狭のスチールベルト２４と２５の
両端が前記キャリッジ５に固定され、パルスモータ２３
の回転に応じてこれらスチールベルト２４．２５が巻き
取られたり、巻きほどがれたりすることによりキャリッ
ジ５は制御信号に従って移動する。
気へ５．ドは第２図に小すように増幅回路等を設けたプ
リンｌ−基板ｌｌ側と１、磁極側と°をシールド線１２
で結ぶほど離しＣ設けであるため、外部からの磁気的、
゛電気的ノ・イスが混入し易いという欠点があった。
リンｌ−基板ｌｌ側と１、磁極側と°をシールド線１２
で結ぶほど離しＣ設けであるため、外部からの磁気的、
゛電気的ノ・イスが混入し易いという欠点があった。
本発明は以［；のような従来の欠点を除大するたドを提
供することをｌ−１的としている。
供することをｌ−１的としている。
本発明においてはＬ記の目的を達成するために１、磁極
側の基板に磁気抵抗効果素子（以ドＭＲ素ｆ−という）
とその増幅回路を設けた構造を採用した。
側の基板に磁気抵抗効果素子（以ドＭＲ素ｆ−という）
とその増幅回路を設けた構造を採用した。
以ド、図面に示す実施例に基づいて本発明の詳細な説明
する。
する。
第３図は本発明の原理的構造を説明するもので、図中第
１図と同・部分には同・符号を付しその説明は省略する
。
１図と同・部分には同・符号を付しその説明は省略する
。
本発明においては主磁極ヘッドを構成する基板２６の一
方の側面に［ト磁極ｌを形成し、他力の側面ニ再生用の
ＭＲ素子２７を形成しである。このようにすることによ
り再生用のＭＲ素ｒ−２７を磁気記録媒体４の記録面へ
近づけ、微弱な磁気変化を効率よく拾い出すようにした
。
方の側面に［ト磁極ｌを形成し、他力の側面ニ再生用の
ＭＲ素子２７を形成しである。このようにすることによ
り再生用のＭＲ素ｒ−２７を磁気記録媒体４の記録面へ
近づけ、微弱な磁気変化を効率よく拾い出すようにした
。
更に詳細に説明すると第４図及び第５図に示すような構
造となっている。
造となっている。
即ち、ガラス等からなる基板２６の一方の側面に形成さ
れた主磁極ｌは高透磁率磁性材のＮｉ−Ｆｅ合金を厚さ
ｌ＃Ｌｍ程度に蒸着して形成されている・又、ＭＲ素子
２７は同Ｌ；＜Ｎｉ−Ｆｅ合金を厚みカｏ、０５ｇｍ
、 Ｉｔｌｌが５〜ｌ０ｇｍで、展開有効長さ１〜２Ｉ
ＩＩＩＩ＋となるように直角にジグザグに屈曲させた状
態のパターンとして蒸着に゛より形成しである。このよ
うに形成したＭＲ素子２７の抵抗値はＩＫΩ程度あるが
第７図（Ａ）に示すように基板２６の端面２８ａと刺行
なＭＲ素子２７のパターンに対して直鵡方向に磁界を加
えると９８０Ω程度まで変化する。
れた主磁極ｌは高透磁率磁性材のＮｉ−Ｆｅ合金を厚さ
ｌ＃Ｌｍ程度に蒸着して形成されている・又、ＭＲ素子
２７は同Ｌ；＜Ｎｉ−Ｆｅ合金を厚みカｏ、０５ｇｍ
、 Ｉｔｌｌが５〜ｌ０ｇｍで、展開有効長さ１〜２Ｉ
ＩＩＩＩ＋となるように直角にジグザグに屈曲させた状
態のパターンとして蒸着に゛より形成しである。このよ
うに形成したＭＲ素子２７の抵抗値はＩＫΩ程度あるが
第７図（Ａ）に示すように基板２６の端面２８ａと刺行
なＭＲ素子２７のパターンに対して直鵡方向に磁界を加
えると９８０Ω程度まで変化する。
即ち、ＭＲ素子２７の特性は第６図に示すように５０エ
ールステツド（Ｏｅ）の磁界の変化でその内部抵抗ｆ白
は数％急激に変化する。そしてそれ以１．磁界を強めて
もある極小６１０こは達するが抵抗値はほとんど変化し
ない。ＭＲ素ｒはこのような性賀を有するため記＆！媒
体４の磁化変化でもその内部抵抗は２％前後変化ＩＩｆ
能である。
ールステツド（Ｏｅ）の磁界の変化でその内部抵抗ｆ白
は数％急激に変化する。そしてそれ以１．磁界を強めて
もある極小６１０こは達するが抵抗値はほとんど変化し
ない。ＭＲ素ｒはこのような性賀を有するため記＆！媒
体４の磁化変化でもその内部抵抗は２％前後変化ＩＩｆ
能である。
このＭＲ素ｊ’ ｉ；を第′７図（Ｂ）に小才ように水
中方向に磁界を加えても内部抵抗は変化せず垂直ツノ向
・＼の磁界の変化を拾うのに適している。
中方向に磁界を加えても内部抵抗は変化せず垂直ツノ向
・＼の磁界の変化を拾うのに適している。
今、ＭＲ人ｒ−２７かもつ内部抵抗ＩＫΩの両端にＩＶ
の゛電圧をり−えると、この抵抗には１ｍＡの電流が流
れる。従って記録媒体４の磁化変化により抵抗値が２０
Ω変化すれば電圧変化はＶ＝ ＲＸ Ｉにより、２０Ω
Ｘ Ｏ，００１Ａ ＝ ２０ｍ Ｖ （７）電圧変化が
得られる。これがいわゆる磁気抵抗効果であり、このよ
うな機能を備えた素ｆがＭＲ素子である。
の゛電圧をり−えると、この抵抗には１ｍＡの電流が流
れる。従って記録媒体４の磁化変化により抵抗値が２０
Ω変化すれば電圧変化はＶ＝ ＲＸ Ｉにより、２０Ω
Ｘ Ｏ，００１Ａ ＝ ２０ｍ Ｖ （７）電圧変化が
得られる。これがいわゆる磁気抵抗効果であり、このよ
うな機能を備えた素ｆがＭＲ素子である。
上述した例ではＩＫΩの内部抵抗をもつＭＲ素ｆを用い
たが、もっと高い或は低い抵抗値をもつものを使用して
もよい。
たが、もっと高い或は低い抵抗値をもつものを使用して
もよい。
ところで、主磁極１も再生用のＭＲ＃Ｒ２Ｔ１７一のＮ
ｉ−Ｆｅ合金を使用しているため磁界が発生した場合、
即ち記録時においては、磁束は高透磁率磁性材からなる
！Ｅ磁極１とＭＲ素子２７とに流れ込み、記録誤動作を
生じる。
ｉ−Ｆｅ合金を使用しているため磁界が発生した場合、
即ち記録時においては、磁束は高透磁率磁性材からなる
！Ｅ磁極１とＭＲ素子２７とに流れ込み、記録誤動作を
生じる。
そこで本発明においては１．磁極ｌの厚みに対しＭＲ素
％２？の厚みを数１−分の にし、ＭＲ素ｒに流れ込む
磁束を激減させ記録誤動作を防１トした。
％２？の厚みを数１−分の にし、ＭＲ素ｒに流れ込む
磁束を激減させ記録誤動作を防１トした。
桟体的には第８図に示すように主磁極ｌの厚みＴをｌｐ
ｍ、ＭＲ素子２７ノ厚みＬを０．０５ｇｍとしたため記
録誤動作は発生しなかった。
ｍ、ＭＲ素子２７ノ厚みＬを０．０５ｇｍとしたため記
録誤動作は発生しなかった。
又、ＭＲ素子２７の端縁とｔ磁極ｌの端面である基板２
６の端面２ｆｆａとの間にｈだけの間隔をもたぜるため
ト磁極ｌに４えるＭＲ素ｔの影響は更に少なくなった。
６の端面２ｆｆａとの間にｈだけの間隔をもたぜるため
ト磁極ｌに４えるＭＲ素ｔの影響は更に少なくなった。
尚、ｈ ＝ｊ−法（を大きくすると記録媒体４の記録面
から遠くなり、磁気記録を拾えなくなり出力（，１号は
低ドしてしまう。又ｈ 」−注を小さくすると基板２６
の端面が記録媒体の接触により摩耗するとＭＲ素子２７
も直接記録媒体に接触す・るようになり損傷が生じてし
まうため、６寸法を小さくすることにも限界がある。
から遠くなり、磁気記録を拾えなくなり出力（，１号は
低ドしてしまう。又ｈ 」−注を小さくすると基板２６
の端面が記録媒体の接触により摩耗するとＭＲ素子２７
も直接記録媒体に接触す・るようになり損傷が生じてし
まうため、６寸法を小さくすることにも限界がある。
実験によればｈ□ｆ／Ｌが１０〜３０μｍであるならば
イ、１号レベルめ低ド及び摩耗、加工精度の面からも問
題は生じなかった。
イ、１号レベルめ低ド及び摩耗、加工精度の面からも問
題は生じなかった。
１−述したＭＲふｒの両端にＤＣＩＶ加えても２０ｍＶ
程度の′重圧変化であるため磁界の強さを測定する分野
には向かない。しかし、外部磁界で磁化変化か起るため
この磁化変化点を使った小さな磁界の力面を検出するに
は都合がよい。又、周波数特性が良くツム着加ｌが可能
なため加１．が容易で小型化でき安価であるため磁気記
録再生ヘンドに適している。
程度の′重圧変化であるため磁界の強さを測定する分野
には向かない。しかし、外部磁界で磁化変化か起るため
この磁化変化点を使った小さな磁界の力面を検出するに
は都合がよい。又、周波数特性が良くツム着加ｌが可能
なため加１．が容易で小型化でき安価であるため磁気記
録再生ヘンドに適している。
次に、このようなＭＲ素ｒを用いた磁気信号検出用の回
路を第９図とＪ（に説明する。
路を第９図とＪ（に説明する。
今、第９図においてＥ−Ｆ間にＤ Ｃ＋２Ｖ−を加える
とトランジスタＴＲＩ、ツェナーダイオードＺによりＤ
点にＩＯＶの安定した゛市川が発生する。今り点とＡ点
の間に９にΩの抵抗Ｒ１を接続しＡ点とＥ′の間にＩＫ
Ωの内部抵抗を崩するＭＲ素子２７を接続すると、Ｄ〜
Ａ〜Ｅ′間の直流抵抗分は９にΩ＋ＩＫΩでＩＯＫΩと
なりこの間に流れる電流はＩＯＶ ／ ＩＯＫΩ−１ｍ
Ａとなる。即ち、ＭＲ素ｆ−２７には１ｍＡの電流が常
時流れていることになる。
とトランジスタＴＲＩ、ツェナーダイオードＺによりＤ
点にＩＯＶの安定した゛市川が発生する。今り点とＡ点
の間に９にΩの抵抗Ｒ１を接続しＡ点とＥ′の間にＩＫ
Ωの内部抵抗を崩するＭＲ素子２７を接続すると、Ｄ〜
Ａ〜Ｅ′間の直流抵抗分は９にΩ＋ＩＫΩでＩＯＫΩと
なりこの間に流れる電流はＩＯＶ ／ ＩＯＫΩ−１ｍ
Ａとなる。即ち、ＭＲ素ｆ−２７には１ｍＡの電流が常
時流れていることになる。
この状態でＭＲ素子２７の前カの記録媒体４の磁界が変
化するとＭＲ素ｆの内部抵抗ｌＫΩのほぼ２％である２
ｏΩが変化したとする。この時Ａ点の゛市川は０．００
１ ＡＸ２０Ω刑２０ｍＶ変化することになる。そこで
、この２０ｍＶ分の信号をコンデンサＣにより交１廐分
のみを取り出し、トランジスタＴＲ２のベースに入力し
、トランジスタＴＲ２〜ＴＲ５からなる増幅回路を利用
し、Ｅ−Ｃ間にパルス状の１６号として増幅して取り出
すことができ、磁気記録情報を検出できる。
化するとＭＲ素ｆの内部抵抗ｌＫΩのほぼ２％である２
ｏΩが変化したとする。この時Ａ点の゛市川は０．００
１ ＡＸ２０Ω刑２０ｍＶ変化することになる。そこで
、この２０ｍＶ分の信号をコンデンサＣにより交１廐分
のみを取り出し、トランジスタＴＲ２のベースに入力し
、トランジスタＴＲ２〜ＴＲ５からなる増幅回路を利用
し、Ｅ−Ｃ間にパルス状の１６号として増幅して取り出
すことができ、磁気記録情報を検出できる。
ところで、このようにしてＭＲ素子から取り出した（、
１号は微弱であるためＭＲ素子からトランジスタＴＲ２
のベースまでの久方電線を長くすると、外部からのノイ
ズが混入し、誤動作を生ずることになる。そこで、従来
においでは第２図に示すようにシールド線１２を用いて
ノイズ対策を行なっていたか、本発明においては第５図
に示すようにもっと完全なノイズ対策が施されている。
１号は微弱であるためＭＲ素子からトランジスタＴＲ２
のベースまでの久方電線を長くすると、外部からのノイ
ズが混入し、誤動作を生ずることになる。そこで、従来
においでは第２図に示すようにシールド線１２を用いて
ノイズ対策を行なっていたか、本発明においては第５図
に示すようにもっと完全なノイズ対策が施されている。
即ち、第５図に示すように基板２６のＭＲ素子２７が形
成された側の側面に数ｇの集積回路チップ２８を取り付
け、ＭＲ素子２７に連続する端子パター７２７ａとの間
を数ｍｍの長さのリード線２９によって結線し、更に、
基板２日のＭＲＪｇｆ−２７側の側面に形成された入力
端ｒ−３０、出力端ｆ−３１との間の短い金属線で結線
しである。この結果従来のように１００〜２００ ｍｍ
もの長さのシールド線を引きまわす必要がなくノイズ対
策はほぼ完全である。
成された側の側面に数ｇの集積回路チップ２８を取り付
け、ＭＲ素子２７に連続する端子パター７２７ａとの間
を数ｍｍの長さのリード線２９によって結線し、更に、
基板２日のＭＲＪｇｆ−２７側の側面に形成された入力
端ｒ−３０、出力端ｆ−３１との間の短い金属線で結線
しである。この結果従来のように１００〜２００ ｍｍ
もの長さのシールド線を引きまわす必要がなくノイズ対
策はほぼ完全である。
第５図に小す例【ごあっては集積回路チップ２８に収容
できないコンデンサ３２等は基板トの蒸着パターンの間
及びチップとの間を金属線で結線しである。 第５図に
ン］（すような回路構成はいわゆる混成集積回路の実装
方法であるが、勿論基板２６をも８１０２等を使用して
高集積化し、でもよく、磁気的にみ（も５ｉ０２基板ｌ
−に１．磁極ｌ及びＭＲ索ｆ−２７を蒸着し、でもなん
ら問題はない。
できないコンデンサ３２等は基板トの蒸着パターンの間
及びチップとの間を金属線で結線しである。 第５図に
ン］（すような回路構成はいわゆる混成集積回路の実装
方法であるが、勿論基板２６をも８１０２等を使用して
高集積化し、でもよく、磁気的にみ（も５ｉ０２基板ｌ
−に１．磁極ｌ及びＭＲ索ｆ−２７を蒸着し、でもなん
ら問題はない。
史に完全に外部からの磁気ノイズや′電気的ノイズの混
入を防１１−するには第１Ｏ図にｉｆ’ｘすようなケー
ス丙に補助磁極及び主磁極を収容する構造を採用すれば
よい。
入を防１１−するには第１Ｏ図にｉｆ’ｘすようなケー
ス丙に補助磁極及び主磁極を収容する構造を採用すれば
よい。
第１Ｏ図において、第１図及び第２図と回一部分には同
一・符号が付されている。
一・符号が付されている。
第１０図において主磁極及びＭＲ素子２７を設けた基板
２６は、ヘッドアーム６の自由端側に固定された高透磁
率磁性材からなるケース３３内に収容され樹脂３４によ
って固定され、全体として主磁極ユニ７ト３５を構成し
ている。
２６は、ヘッドアーム６の自由端側に固定された高透磁
率磁性材からなるケース３３内に収容され樹脂３４によ
って固定され、全体として主磁極ユニ７ト３５を構成し
ている。
又、補助磁極２はキャリッジ５側に固定された高透磁率
磁性材からなるケース３６中に収容されコイルと共に樹
脂３４により固定されており、全体として補助磁極ユニ
ット３７を構成している。このような構造を採用すれば
外部ノイズに対する防御構造は完全である。
磁性材からなるケース３６中に収容されコイルと共に樹
脂３４により固定されており、全体として補助磁極ユニ
ット３７を構成している。このような構造を採用すれば
外部ノイズに対する防御構造は完全である。
尚、）三磁極ユニット３５及び補助磁極ユニット３７に
はそれぞれ外部と接続するための端子３５ａ、３？ａか
設けである。
はそれぞれ外部と接続するための端子３５ａ、３？ａか
設けである。
一力第１１図シこは磁気記録媒体の両面に磁気記録内生
を行なうことができるように４１４成した磁気へラドの
構造が示されている。
を行なうことができるように４１４成した磁気へラドの
構造が示されている。
即ち、符号３８で示すものはそれぞれ記録再生ヘッドユ
ニットで、 ・力はキャリッジ５に他方はヘッドアーム
６側に固定されている。それぞれの記録再生ヘッドユニ
ット３８はシールドケース３９の内部に１磁極ユニッ、
ト３５及び補助磁極ユニット３７が収容され１両者間は
ジ−スト板４０によって磁気的に遮蔽されている。
ニットで、 ・力はキャリッジ５に他方はヘッドアーム
６側に固定されている。それぞれの記録再生ヘッドユニ
ット３８はシールドケース３９の内部に１磁極ユニッ、
ト３５及び補助磁極ユニット３７が収容され１両者間は
ジ−スト板４０によって磁気的に遮蔽されている。
又１一部のユニット３８内の補助磁極ユニットと一１磁
極ユニットはぞれぞれ向かい合った構成とされでいる。
極ユニットはぞれぞれ向かい合った構成とされでいる。
このような構造を採用すれば磁気ディスク１８として例
示する磁気記録媒体の両面に対する記録古里を行なうこ
とができる。
示する磁気記録媒体の両面に対する記録古里を行なうこ
とができる。
以Ｉ−の説明から明らかなように本発明によれば、１．
磁極側の基板に磁気記録を゛電気４ｆｊゆに変換するだ
めのＭ Ｒ、ｋｆとその増幅回路とを設けた構造を採用
しているため、高密度の磁気記録、再生
磁極側の基板に磁気記録を゛電気４ｆｊゆに変換するだ
めのＭ Ｒ、ｋｆとその増幅回路とを設けた構造を採用
しているため、高密度の磁気記録、再生
第１図は従来の垂直磁気記録磁気ヘッドの原理的構造を
示す説明図、第２図は従来の駆動機構を説明する分解斜
視図、第３１図〜第１０図は本発明の・実施例を説明す
るもので、第３図は本発明の原理的構造を示す説明図、
第４図はＭＲ素子形成状態を示す一部拡大斜視図、第５
図はＭＲ素子の実装状態を説明する斜視図、第６図はＭ
Ｒ素子の内部抵抗値と磁界強度の関係を示す線図、第７
図（Ａ）、（Ｂ）はＭＲ素子と磁化の方向の関係を示す
説明図、第８図は主磁極とＭＲ素ｆとの寸法関係を小す
側面図、第９図は増幅回路図、第１Ｏ図は主磁極及び補
助磁極をユニットとして実装した状態の縦断側面図、第
１１図は本発明の他の実施例を説明する縦断側面図であ
る。 ｌ・・・−ｌモ磁極 ２・・・補助磁極４・・
・磁気記録媒体 ５・・・キャリッジ６・・・ヘッド
アーム １９・・・磁気ディスク２６・・・基板
２７・・・ＭＲ素子２８・・・集積回路チップ
３５・・・主磁極ユニット３７・・・補助磁極ユニッ
ト ３８・・・記録再生へ、ドユニット ３８・・・シールドケース ４０・・・シールド板１ １１１９図 第１０図 第１１図 Ｊｂ リ ９３３８
示す説明図、第２図は従来の駆動機構を説明する分解斜
視図、第３１図〜第１０図は本発明の・実施例を説明す
るもので、第３図は本発明の原理的構造を示す説明図、
第４図はＭＲ素子形成状態を示す一部拡大斜視図、第５
図はＭＲ素子の実装状態を説明する斜視図、第６図はＭ
Ｒ素子の内部抵抗値と磁界強度の関係を示す線図、第７
図（Ａ）、（Ｂ）はＭＲ素子と磁化の方向の関係を示す
説明図、第８図は主磁極とＭＲ素ｆとの寸法関係を小す
側面図、第９図は増幅回路図、第１Ｏ図は主磁極及び補
助磁極をユニットとして実装した状態の縦断側面図、第
１１図は本発明の他の実施例を説明する縦断側面図であ
る。 ｌ・・・−ｌモ磁極 ２・・・補助磁極４・・
・磁気記録媒体 ５・・・キャリッジ６・・・ヘッド
アーム １９・・・磁気ディスク２６・・・基板
２７・・・ＭＲ素子２８・・・集積回路チップ
３５・・・主磁極ユニット３７・・・補助磁極ユニッ
ト ３８・・・記録再生へ、ドユニット ３８・・・シールドケース ４０・・・シールド板１ １１１９図 第１０図 第１１図 Ｊｂ リ ９３３８
Claims (1)
- 主磁極と補助磁極とを用いた垂直磁気記録再生型の磁気
ヘッドにおいて、Ｌ磁極が形成された基板側の磁気記録
媒体上の磁気記録を電気信号に変換するための磁気抵抗
効果素子を形成すると共に、その増幅回路を１ｉｉｊ記
基板上に設けたことを特徴とする磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8995382A JPS58208922A (ja) | 1982-05-28 | 1982-05-28 | 磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8995382A JPS58208922A (ja) | 1982-05-28 | 1982-05-28 | 磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58208922A true JPS58208922A (ja) | 1983-12-05 |
Family
ID=13985058
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8995382A Pending JPS58208922A (ja) | 1982-05-28 | 1982-05-28 | 磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58208922A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4809103A (en) * | 1984-02-03 | 1989-02-28 | Commissariat A L'energie Atomique | Head slider with an integrated flat magnetic head |
| US5712747A (en) * | 1996-01-24 | 1998-01-27 | International Business Machines Corporation | Thin film slider with on-board multi-layer integrated circuit |
-
1982
- 1982-05-28 JP JP8995382A patent/JPS58208922A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4809103A (en) * | 1984-02-03 | 1989-02-28 | Commissariat A L'energie Atomique | Head slider with an integrated flat magnetic head |
| US5712747A (en) * | 1996-01-24 | 1998-01-27 | International Business Machines Corporation | Thin film slider with on-board multi-layer integrated circuit |
| US5771571A (en) * | 1996-01-24 | 1998-06-30 | International Business Machines Corporation | Method for manufacturing thin film slider with on-board multi-layer integrated circuit |
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