JPS58207684A - ダブルヘテロ接合型半導体発光装置 - Google Patents
ダブルヘテロ接合型半導体発光装置Info
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- JPS58207684A JPS58207684A JP57090780A JP9078082A JPS58207684A JP S58207684 A JPS58207684 A JP S58207684A JP 57090780 A JP57090780 A JP 57090780A JP 9078082 A JP9078082 A JP 9078082A JP S58207684 A JPS58207684 A JP S58207684A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 61
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 title 1
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 68
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 146
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 10
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000008186 active pharmaceutical agent Substances 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 3
- 239000002772 conduction electron Substances 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 238000005381 potential energy Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 229910017214 AsGa Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、活性層と、その活性層の第１の主面上に配さ
れ、且つその活性層との間で第１のへテロ接合を形成し
ている第１のクラッド層と、上記活性層の上記第１の主
面と対向している第２の主面上に配され、且つ上記活性
層との間で第２のへテロ接合を形成している第２のクラ
ッド層とを有するダブルへテロ接合型半導体発光装置の
改良に関する。
れ、且つその活性層との間で第１のへテロ接合を形成し
ている第１のクラッド層と、上記活性層の上記第１の主
面と対向している第２の主面上に配され、且つ上記活性
層との間で第２のへテロ接合を形成している第２のクラ
ッド層とを有するダブルへテロ接合型半導体発光装置の
改良に関する。
このようなダブルへテロ接合型半導体発光装置において
、その活性層が、Ａ ｌｘ Ｇ ａ＋−ｘ Ｒ（但し、
ＲはＡＳ又は５ｂ１０〈ｘ≦１）でなり、第１のクラッ
ド層がＡ Ｉ、Ｇａ、、 Ｒ（但し、Ｏ〈ｙ≦１）でな
り、第２のクラッド層が、ＡｌｚＧａ、−２Ｒ（但し、
Ｏ＜ｚ≦１）でなる構成のものが、ダブルへテロ接合型
半導体発光装置として種々の点で優れている、として従
来、広く提案されている。
、その活性層が、Ａ ｌｘ Ｇ ａ＋−ｘ Ｒ（但し、
ＲはＡＳ又は５ｂ１０〈ｘ≦１）でなり、第１のクラッ
ド層がＡ Ｉ、Ｇａ、、 Ｒ（但し、Ｏ〈ｙ≦１）でな
り、第２のクラッド層が、ＡｌｚＧａ、−２Ｒ（但し、
Ｏ＜ｚ≦１）でなる構成のものが、ダブルへテロ接合型
半導体発光装置として種々の点で優れている、として従
来、広く提案されている。
第１図は、このような、従来提案されているダブルへテ
ロ接合型半導体発光装置の実施例を示し、第１の導電型
（例えばＮ型）を有する単結晶Ｇａ Ａｓでなる基板１
上に、第１の導電型を有する、混晶であるＡ ｌｙ Ｇ
ａ＋−ｙ Ｒでなる第１のクラッド層２と、第１の導
電型又はそれとは逆の第２の導電型（Ｐ型）若しくは補
償型を有する、混晶であるＡ ＩｘＧ ａｌ−ＸＲでな
る活性層３と、第２の導電型を有する、混晶であるＡｌ
１ＧａトｚＲでなる第２のクラッド層４と、第２の導電
型を有する単結晶ＧａＡＳでなる電極付用層５とが、そ
れ等の順に順次積層され、一方、基板１のクラッド層２
側とは反対側の面上に、電極６が、オーミックに附され
、また、電極付用層５のクラッド層４側とは反対側の面
上に、他の電極７が、オーミックに附されている構成を
有する。
ロ接合型半導体発光装置の実施例を示し、第１の導電型
（例えばＮ型）を有する単結晶Ｇａ Ａｓでなる基板１
上に、第１の導電型を有する、混晶であるＡ ｌｙ Ｇ
ａ＋−ｙ Ｒでなる第１のクラッド層２と、第１の導
電型又はそれとは逆の第２の導電型（Ｐ型）若しくは補
償型を有する、混晶であるＡ ＩｘＧ ａｌ−ＸＲでな
る活性層３と、第２の導電型を有する、混晶であるＡｌ
１ＧａトｚＲでなる第２のクラッド層４と、第２の導電
型を有する単結晶ＧａＡＳでなる電極付用層５とが、そ
れ等の順に順次積層され、一方、基板１のクラッド層２
側とは反対側の面上に、電極６が、オーミックに附され
、また、電極付用層５のクラッド層４側とは反対側の面
上に、他の電極７が、オーミックに附されている構成を
有する。
この場合、クラッド層２、活性層３、クラッド層４及び
電極付用層５は、それ等の何れもが、それぞれ、分子線
エピタキシー法、ＣＶＤ法等により、一義的に単層とし
て形成され、従って、それぞれ、単層構造を有する。
電極付用層５は、それ等の何れもが、それぞれ、分子線
エピタキシー法、ＣＶＤ法等により、一義的に単層とし
て形成され、従って、それぞれ、単層構造を有する。
ところで、第１図に示すダブルへテロ接合型半導体発光
装置においては、活性層３に荷電担体を閉じ込めさせる
効果を得るために、活性層３の禁制帯エネルギ（これを
一般に、Ｅ達する）を、クラッド層２及び４の禁制帯エ
ネルギ（これ等を、一般的に、それぞれ、Ｅｏ、及びＥ
。２とする）に比し小にすることが必要であり、また、
活性層３に光電界を閉じ込めさける効果を得るために、
活性層３の屈折率（これを一般的に、ｎＡとする）を、
クラッド層２及び４の屈折率（これ等を、〜般的に、そ
れぞれ、ｎ（、及びｎ。２とする）に比し大にすること
が必要であるため、活性層３を構成しているＡ ＩＸＧ
ａｔ−ｘ ＲのＸと、クラッド層２を構成しているＡ
Ｉ、ＧａトｙＲのｙと、クラッド層４を構成している△
＋ｌＧ ａｔ−Ｚ Ｒの２とを、 ｘ ＜ｙ 、 ｚ・・・・・・・・・・・・（１）なる
関係にしている。
装置においては、活性層３に荷電担体を閉じ込めさせる
効果を得るために、活性層３の禁制帯エネルギ（これを
一般に、Ｅ達する）を、クラッド層２及び４の禁制帯エ
ネルギ（これ等を、一般的に、それぞれ、Ｅｏ、及びＥ
。２とする）に比し小にすることが必要であり、また、
活性層３に光電界を閉じ込めさける効果を得るために、
活性層３の屈折率（これを一般的に、ｎＡとする）を、
クラッド層２及び４の屈折率（これ等を、〜般的に、そ
れぞれ、ｎ（、及びｎ。２とする）に比し大にすること
が必要であるため、活性層３を構成しているＡ ＩＸＧ
ａｔ−ｘ ＲのＸと、クラッド層２を構成しているＡ
Ｉ、ＧａトｙＲのｙと、クラッド層４を構成している△
＋ｌＧ ａｔ−Ｚ Ｒの２とを、 ｘ ＜ｙ 、 ｚ・・・・・・・・・・・・（１）なる
関係にしている。
このため、即ち、クラッド層２を構成しているＡ ｌｙ
Ｇ ａｌ−ｙ Ｒにおけるｙと、クラッド層４を構成
しているＡ ｌｚ Ｇ ａトｚ Ｒにおけるｌとが、活
性層２を構成しているＡｌＸＧａ１〜ｘＲにおける×に
比し大であるため、第１図に示す従来のダブルへテロ接
合型半導体発光装置の場合、クラッド層２及び４の直列
抵抗が比較的大なる値を有し、従って動作時、クラッド
層２及び４において、比較的大きな発熱を伴い、よって
、安定な発光が得られないという欠点を有していた。
Ｇ ａｌ−ｙ Ｒにおけるｙと、クラッド層４を構成
しているＡ ｌｚ Ｇ ａトｚ Ｒにおけるｌとが、活
性層２を構成しているＡｌＸＧａ１〜ｘＲにおける×に
比し大であるため、第１図に示す従来のダブルへテロ接
合型半導体発光装置の場合、クラッド層２及び４の直列
抵抗が比較的大なる値を有し、従って動作時、クラッド
層２及び４において、比較的大きな発熱を伴い、よって
、安定な発光が得られないという欠点を有していた。
また、第１図に示づ゛従来のダブルへテロ接合型半導体
発光装置の場合、上述したように、上述したｙ及びＺが
、上述した×に比し大であるため、クラッド層２及び４
が、良好な結晶性を有するものとして得られていず、よ
って、早期に劣化するという欠点を有していた。
発光装置の場合、上述したように、上述したｙ及びＺが
、上述した×に比し大であるため、クラッド層２及び４
が、良好な結晶性を有するものとして得られていず、よ
って、早期に劣化するという欠点を有していた。
さらに、第１図に示す従来のダブルへテロ接合型半導体
発光装置においては、発光波長が、活性層３を構成して
いるＡｌｘＧａ１−アＲにおけるＸのみによって決めら
れるが、そのＸと、クラッド層２を構成しているＡ ｌ
ｙ Ｇ ａｌ−ｙＲにおけるｙと、クラッド層４を構成
しているＡ ｌｚ Ｇ ａｌ−２Ｒにおけるｌとを、前
述した（１）式の関係にする必要があり、そして、上述
したｙ及び２を大にすれば、上述した欠点がざらに助長
されるので、上述したＸの値のとり得る範囲が、比較的
狭いものである。
発光装置においては、発光波長が、活性層３を構成して
いるＡｌｘＧａ１−アＲにおけるＸのみによって決めら
れるが、そのＸと、クラッド層２を構成しているＡ ｌ
ｙ Ｇ ａｌ−ｙＲにおけるｙと、クラッド層４を構成
しているＡ ｌｚ Ｇ ａｌ−２Ｒにおけるｌとを、前
述した（１）式の関係にする必要があり、そして、上述
したｙ及び２を大にすれば、上述した欠点がざらに助長
されるので、上述したＸの値のとり得る範囲が、比較的
狭いものである。
コ（７） タめ、第１図に示す従来のダブルへテロ接合
型半導体発光装置の場合、発光波長を短波長化するのが
困難である等の欠点を有していた。
型半導体発光装置の場合、発光波長を短波長化するのが
困難である等の欠点を有していた。
また、上述した、活性層が、ＡｔＸＧａ、−ｘＲ（但し
、ＲはＡｓ又はｓｂ、ｏ〈×≦１）でなり、第１のクラ
ッド層が、Ａ Ｉ、Ｇ ａｌ−ｙ Ｒ（但し、０＜ｙ≦
１）でなり、第２のクラッド層が、Ａ ｌｚＧ ａｌ−
２Ｒ（但し、Ｏ＜ｚ≦１）でなる構成を有する、ダブル
ヘテロ接合型半導体発光装置として、従来、第２図に示
すように、見掛上、第１図で上述したダブルへテロ接合
型半導体発光装置の実施例と同様の構成を有するが、活
性層３が、一義的（単層として形成されたものではなく
、厚さＤｌを有し、且つ活性層３を構成しているＡｌｘ
Ｇａ１−ｘＲにおけるＸをＸｌとした、Ａ ＩＸ、Ｇ
ａｔ−ｘ、 Ｒでなる層Ｌ１と、Ｗ サＤ２ヲ有Ｌ、且
つ活性層３を構成しているＡ ＩｘＧ ａｔ−ｘ Ｒに
おけるＸをｘ２（但しｘ２＞ｘ、）としたＡ ｌ ｘＬ
Ｇ ａ １−ｘ、 Ｒでなる層Ｌ２とが、交互順次に繰
返し積層されている超格子＃ｌＩ造を有するものが提案
されている。
、ＲはＡｓ又はｓｂ、ｏ〈×≦１）でなり、第１のクラ
ッド層が、Ａ Ｉ、Ｇ ａｌ−ｙ Ｒ（但し、０＜ｙ≦
１）でなり、第２のクラッド層が、Ａ ｌｚＧ ａｌ−
２Ｒ（但し、Ｏ＜ｚ≦１）でなる構成を有する、ダブル
ヘテロ接合型半導体発光装置として、従来、第２図に示
すように、見掛上、第１図で上述したダブルへテロ接合
型半導体発光装置の実施例と同様の構成を有するが、活
性層３が、一義的（単層として形成されたものではなく
、厚さＤｌを有し、且つ活性層３を構成しているＡｌｘ
Ｇａ１−ｘＲにおけるＸをＸｌとした、Ａ ＩＸ、Ｇ
ａｔ−ｘ、 Ｒでなる層Ｌ１と、Ｗ サＤ２ヲ有Ｌ、且
つ活性層３を構成しているＡ ＩｘＧ ａｔ−ｘ Ｒに
おけるＸをｘ２（但しｘ２＞ｘ、）としたＡ ｌ ｘＬ
Ｇ ａ １−ｘ、 Ｒでなる層Ｌ２とが、交互順次に繰
返し積層されている超格子＃ｌＩ造を有するものが提案
されている。
ところで、第２図に示すダブルへテロ接合型半導体発光
装置においては、その活性層３が、上述した超格子構造
を有するので、その活性層３が、第３図に示すような、
櫛歯状の、厚さくこれを一般に、Ｄ八とする）方向に対
する伝導電子でみたポテンシャルエネルギ（これを一般
に、ＥＡとする）を呈し、従ってポテンシャル井戸８を
有する。
装置においては、その活性層３が、上述した超格子構造
を有するので、その活性層３が、第３図に示すような、
櫛歯状の、厚さくこれを一般に、Ｄ八とする）方向に対
する伝導電子でみたポテンシャルエネルギ（これを一般
に、ＥＡとする）を呈し、従ってポテンシャル井戸８を
有する。
従って、第２図に示す従来のダブルへテロ接合型半導体
発光装置においては、活性層３に荷電担体を閉じ込めさ
せる効果が、上述したポテンシャル井戸８によって得ら
れている。
発光装置においては、活性層３に荷電担体を閉じ込めさ
せる効果が、上述したポテンシャル井戸８によって得ら
れている。
このため、第２図に示す従来のダブルへテロ接合型半導
体発光装置においては、活性層３に光電界を閉じ込めさ
せる効果を得るために、活性層３の屈折率ｎＡを、クラ
ッド層２及び４の屈折率ｎｃ１ 及びｎｃよ に比し
大にする必要があり、一方、活性層３の、第１図で上述
した従来のダブルへテロ接合型半導体発光装置にお【プ
る活性層３が構成しているＡｌｘＧａ、−ｙＲのＸに対
応するＸをヌとするとき、その又が、 又＝ （ｘ、 Ｑ、＋ ｘ２ｏ２）／ （Ｄ、＋ Ｄ２
）・・・・・・・・・・・・・・・（２）で表わされる
ので、その又と、クラッドＨ２を構成しているＡｌｙＧ
ａ、〜、Ｒにおけるｙと、クラッド層４を構成している
Ａ ＩｚＧ ａｌ−ＺＲにおけるｌとを、上述した（１
）式に対応して、又＜ｙ、ｚ・・・・・・・・・（３） になる関係にしている。□ 第２図に示１従来のダブルへテロ接合型半導体発光装置
においては、活性層３に関する上述した又と、クラッド
層２及び４に関する上述したｙ及びｌどを、前述した（
３）式の関係にする必要があり、そして上述したｙ及び
ｌを人にすれば、後述するように、安定な発光が得られ
ないと共に、早期に劣化するという欠点が助長されるの
で、又の値のとり得る範囲が比較的狭いとしても、発光
波長が、活性層３に関する上述した又によるばかりでな
く、超格子ｍ造を構成しているＡ Ｉｙ、 Ｇ ａｔ−
ｘ、 Ｒでなる層Ｌ１と、Ａ１８２Ｇａ、、−、、Ｒで
なる層Ｌ２とが順次交互に繰返し積層されている、その
繰返し数によっても決められるので、発光波長を短波長
化することが出来るという特徴を有Ｊる。
体発光装置においては、活性層３に光電界を閉じ込めさ
せる効果を得るために、活性層３の屈折率ｎＡを、クラ
ッド層２及び４の屈折率ｎｃ１ 及びｎｃよ に比し
大にする必要があり、一方、活性層３の、第１図で上述
した従来のダブルへテロ接合型半導体発光装置にお【プ
る活性層３が構成しているＡｌｘＧａ、−ｙＲのＸに対
応するＸをヌとするとき、その又が、 又＝ （ｘ、 Ｑ、＋ ｘ２ｏ２）／ （Ｄ、＋ Ｄ２
）・・・・・・・・・・・・・・・（２）で表わされる
ので、その又と、クラッドＨ２を構成しているＡｌｙＧ
ａ、〜、Ｒにおけるｙと、クラッド層４を構成している
Ａ ＩｚＧ ａｌ−ＺＲにおけるｌとを、上述した（１
）式に対応して、又＜ｙ、ｚ・・・・・・・・・（３） になる関係にしている。□ 第２図に示１従来のダブルへテロ接合型半導体発光装置
においては、活性層３に関する上述した又と、クラッド
層２及び４に関する上述したｙ及びｌどを、前述した（
３）式の関係にする必要があり、そして上述したｙ及び
ｌを人にすれば、後述するように、安定な発光が得られ
ないと共に、早期に劣化するという欠点が助長されるの
で、又の値のとり得る範囲が比較的狭いとしても、発光
波長が、活性層３に関する上述した又によるばかりでな
く、超格子ｍ造を構成しているＡ Ｉｙ、 Ｇ ａｔ−
ｘ、 Ｒでなる層Ｌ１と、Ａ１８２Ｇａ、、−、、Ｒで
なる層Ｌ２とが順次交互に繰返し積層されている、その
繰返し数によっても決められるので、発光波長を短波長
化することが出来るという特徴を有Ｊる。
黙しながら、第２図に示す従来のダブルへゾロ接合型半
導体発光装置においては、上述した（３）式から明らか
なように、クラッド層２及び４に関する上述、したｙ及
びＺが、活性層３に関する上述したヌに比し大であるた
め、第１図で上述したダブルへテロ接合型半導体発光装
置の場合と同様の理由で、安定な発光が得られないと共
に、早期に劣化するという欠点を有していた。
導体発光装置においては、上述した（３）式から明らか
なように、クラッド層２及び４に関する上述、したｙ及
びＺが、活性層３に関する上述したヌに比し大であるた
め、第１図で上述したダブルへテロ接合型半導体発光装
置の場合と同様の理由で、安定な発光が得られないと共
に、早期に劣化するという欠点を有していた。
よって、本発明は、第２図で上述したダブルへテロ接合
型半導体発光装置の特徴を有するが、第１図及び第２図
で上述したダ、プルへテロ接合型半導体発光装置の欠点
を有しない、新規なダブルへテロ接合型半導体発光装置
を提案せんどするもので、以下詳述するところより明ら
かとなるであろう。
型半導体発光装置の特徴を有するが、第１図及び第２図
で上述したダ、プルへテロ接合型半導体発光装置の欠点
を有しない、新規なダブルへテロ接合型半導体発光装置
を提案せんどするもので、以下詳述するところより明ら
かとなるであろう。
第４図は、本発明によるダブルへテロ接合型半導体発光
装置の実施例を示す。第４図において、第２図との対応
部分には同一符号を付して示ず。
装置の実施例を示す。第４図において、第２図との対応
部分には同一符号を付して示ず。
本発明によるダブルへテロ接合型半導体発光装置の実施
例は、見掛上、第２図で上述したダブルへテロ接合型半
導体発光装置の実施例と同様の構成を有するが、クラッ
ド層２が、一義的に単層として形成されたものではなく
、厚さＤ３を有し、且つクラッド層２を構成しているＡ
ｌｙＧａ、−、Ｒにおけるｙをｙｌとした、Ａ Ｉｙ、
Ｇ ａｌ−ｙ、 Ｒでなる層Ｌ３と、厚さＤ４を有し
、且つクラッド層２を構成しているΔＩｙＧａｌ−ｙＲ
におけるｙをｙ２とした、Ａ ＩｙＧａ、−ｙ２Ｒ（但
シＶ２＞ Ｖｌ ） １４６層［４とが、交互順次に繰
返し積層されている超格子構造を有する。
例は、見掛上、第２図で上述したダブルへテロ接合型半
導体発光装置の実施例と同様の構成を有するが、クラッ
ド層２が、一義的に単層として形成されたものではなく
、厚さＤ３を有し、且つクラッド層２を構成しているＡ
ｌｙＧａ、−、Ｒにおけるｙをｙｌとした、Ａ Ｉｙ、
Ｇ ａｌ−ｙ、 Ｒでなる層Ｌ３と、厚さＤ４を有し
、且つクラッド層２を構成しているΔＩｙＧａｌ−ｙＲ
におけるｙをｙ２とした、Ａ ＩｙＧａ、−ｙ２Ｒ（但
シＶ２＞ Ｖｌ ） １４６層［４とが、交互順次に繰
返し積層されている超格子構造を有する。
また、クラッド層４が、一義的に単層として形成された
ものではなく、厚さＤＳを有し、且つクラッド層４を構
成しているＡ ｌｚ Ｇ ａｔ−Ｚ ＲにおけるＺを７
１とした、Ａ ’Ｚ＋Ｇ ”Ｉ−Ｚ＋ Ｒでなる層Ｌ５
と、厚さＤ６を有し、且つクラッド層４を構成している
Ａ ｌｚ Ｇ ａｌ−２Ｒにお（〕るＺを７２としたＡ
ＩＺ２Ｇ ａｌ−２，Ｒでなる層Ｌ６とが、交互順次
に繰返し積層されている超格子構造を有する。
ものではなく、厚さＤＳを有し、且つクラッド層４を構
成しているＡ ｌｚ Ｇ ａｔ−Ｚ ＲにおけるＺを７
１とした、Ａ ’Ｚ＋Ｇ ”Ｉ−Ｚ＋ Ｒでなる層Ｌ５
と、厚さＤ６を有し、且つクラッド層４を構成している
Ａ ｌｚ Ｇ ａｌ−２Ｒにお（〕るＺを７２としたＡ
ＩＺ２Ｇ ａｌ−２，Ｒでなる層Ｌ６とが、交互順次
に繰返し積層されている超格子構造を有する。
そして、この場合、活性層３が有する超格子構造の前述
した（２）式で表わされるヌと、クラッド層２が有する
超格子構造の、 ｊ ＝ （Ｖ１ｏ３十Ｖ２ Ｄ４） ／ （Ｄ
３＋ Ｄ４）・・・・・・・・・・・・（４） で表わされるＶと、クラッド層４が有する超格子構造の
、 ２ − （Ｚｌ Ｄｇ＋ ｚ２ ｏら＞ ／
（Ｃ５＋ Ｄ（、、）・・・・・・・・・・・・
（５） で表わされるｉとが、 又〉■、７・・・・・・・・・・・・（６〉なる関係を
有する。
した（２）式で表わされるヌと、クラッド層２が有する
超格子構造の、 ｊ ＝ （Ｖ１ｏ３十Ｖ２ Ｄ４） ／ （Ｄ
３＋ Ｄ４）・・・・・・・・・・・・（４） で表わされるＶと、クラッド層４が有する超格子構造の
、 ２ − （Ｚｌ Ｄｇ＋ ｚ２ ｏら＞ ／
（Ｃ５＋ Ｄ（、、）・・・・・・・・・・・・
（５） で表わされるｉとが、 又〉■、７・・・・・・・・・・・・（６〉なる関係を
有する。
また、上述したＤｌ、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｄ、及びＣ６
が、Ｄ、＜Ｄ、、 ［）３＜ Ｄ、、 ＤＳ＜０６・・
・・・・・・・・・・（７） なる関係を有する。
が、Ｄ、＜Ｄ、、 ［）３＜ Ｄ、、 ＤＳ＜０６・・
・・・・・・・・・・（７） なる関係を有する。
また、上述したり、、 Ｃ２，Ｃ３，ｏ、、 Ｃ５及び
Ｃ６が、Ｄ１≧Ｄ３．Ｄｓ ・・・・・・・・・・・
・（８）Ｄ、≧（４５Ａ±５Ａ） ＞＞Ｃ４，Ｃ６・・
・・・・・・・・・・く９） なる関係を有する。
Ｃ６が、Ｄ１≧Ｄ３．Ｄｓ ・・・・・・・・・・・
・（８）Ｄ、≧（４５Ａ±５Ａ） ＞＞Ｃ４，Ｃ６・・
・・・・・・・・・・く９） なる関係を有する。
また、実際上は、上述したＶ及び７が
夕：＝、７・・・・・・・・・・・・（１０）なる関係
を有する。
を有する。
さらに、上述したり３、Ｃ４′、Ｃ５及びＣ６がＣ３′
、Ｃ５、Ｃ４ζＣ６・・・・・・・・・・・・（１１）
なる関係を有する。
、Ｃ５、Ｃ４ζＣ６・・・・・・・・・・・・（１１）
なる関係を有する。
以上で本発明によるダブルへテロ接合型半導体発光装置
の実施例の構成が明らかとなった。
の実施例の構成が明らかとなった。
このような構成による本発明によるダブルへテロ接合型
半導体発光装置によれば、活性層３が、第２図で上述し
たダブルへテロ接合型半導体発光装置の場合と同様に、
超格子構造を有し、そしてその活性層３が、第３図で上
述したように、ポテンシャル井戸を有しているので、そ
のポテンシャル井戸によって活性層３に電荷担体を閉じ
込めさせる効果が得られている。
半導体発光装置によれば、活性層３が、第２図で上述し
たダブルへテロ接合型半導体発光装置の場合と同様に、
超格子構造を有し、そしてその活性層３が、第３図で上
述したように、ポテンシャル井戸を有しているので、そ
のポテンシャル井戸によって活性層３に電荷担体を閉じ
込めさせる効果が得られている。
また、本発明者等の実験によれば、活性層３、クラッド
層２及び４が、第１図で上述したダブルへテロ接合型半
導体発光装置の場合のように、単層構造を有しているも
のとすれば、この場合の活性層３、クラッド層２及び４
が、第６図で実線９に示づような、この場合の活性層３
を構成している△ｌＸＧ ａ、−ｙ、Ｒにおける×１ク
ラッド層２を構成しているＡＩＧａＲにおけるｙｌ、：
Ｙ １−ｆｆ 及びクラッド層４を構成しているＡｌ２Ｇａ＝、Ｒにお
けるＺに対する屈折率ｎＡ、ｎＣ１，及びｎ。２を早す
るが、第４図で上述した本発明によるダブルヘテロ接合
型半導体発光装置の場合は、活性層３が有する超格子構
造を構成しているＡ１子”ｌ−Ｘ□Ｒの厚さＣ２、クラ
ッド層２が有する超格子構造を構成しているＡ Ｉ、、
Ｇ ａ ＋−，ｙ、 Ｈの厚さＣ４、クラッド層４が有
する超格子構造を構成しているＡ１□２Ｇ ａ 、、、
Ｒの厚さＤうが・ Ｃ２，Ｃ４，Ｃ６＜ ＜ （４５人±５Ａ）・・・・・
・・・・・・・ （１２） なる関係を有する場合、第６図中に試料＃１〜＃４で示
すように、活性層３、クラッド層２及び４が、活性層３
、クラッド層２及び４が単層構造を有している場合の、
上述した×、ｙ及び２に対する屈折率ｎＡ、ｎｃ、及び
ｎ。、の関係に近似しでいる、活性層３に関する上述し
たマ、及びクラッド層２及び４に関づる上述したマ及び
ｉに対する屈折率翫、ｎ、、及びｎＣ２を呈することを
確認した。
層２及び４が、第１図で上述したダブルへテロ接合型半
導体発光装置の場合のように、単層構造を有しているも
のとすれば、この場合の活性層３、クラッド層２及び４
が、第６図で実線９に示づような、この場合の活性層３
を構成している△ｌＸＧ ａ、−ｙ、Ｒにおける×１ク
ラッド層２を構成しているＡＩＧａＲにおけるｙｌ、：
Ｙ １−ｆｆ 及びクラッド層４を構成しているＡｌ２Ｇａ＝、Ｒにお
けるＺに対する屈折率ｎＡ、ｎＣ１，及びｎ。２を早す
るが、第４図で上述した本発明によるダブルヘテロ接合
型半導体発光装置の場合は、活性層３が有する超格子構
造を構成しているＡ１子”ｌ−Ｘ□Ｒの厚さＣ２、クラ
ッド層２が有する超格子構造を構成しているＡ Ｉ、、
Ｇ ａ ＋−，ｙ、 Ｈの厚さＣ４、クラッド層４が有
する超格子構造を構成しているＡ１□２Ｇ ａ 、、、
Ｒの厚さＤうが・ Ｃ２，Ｃ４，Ｃ６＜ ＜ （４５人±５Ａ）・・・・・
・・・・・・・ （１２） なる関係を有する場合、第６図中に試料＃１〜＃４で示
すように、活性層３、クラッド層２及び４が、活性層３
、クラッド層２及び４が単層構造を有している場合の、
上述した×、ｙ及び２に対する屈折率ｎＡ、ｎｃ、及び
ｎ。、の関係に近似しでいる、活性層３に関する上述し
たマ、及びクラッド層２及び４に関づる上述したマ及び
ｉに対する屈折率翫、ｎ、、及びｎＣ２を呈することを
確認した。
また、第４図に示す本発明によるダブルヘテロ接合型半
導体発光装置の場合は、上述したり。
導体発光装置の場合は、上述したり。
Ｄ及びＤが、
Ｇ
Ｄ、Ｄ、Ｄ≧（４５Ａ±５Ａ）・・・・・・・・・（１
３）２ ４ ６ の場合、第６図中に試料＃１１〜＃２２で示すように、
活性層３、クラッド層２及び４が、活性層３、クラッド
層２及び４が単層構造である場合の、上述したｘ、ｙ、
及びＺに対する屈折率ｎｔ、、ｎｅ、及びｎＣ２の関係
に近似していない、活性層３に関する上述したＸ、及び
クラッド層２及び４に関するｙ及びｌに対する屈折率ｎ
Ａ、、 ｎ、、及び０り２を呈することを確認した・ さらに、活性層３、クラッド層２及び４が、第１図で上
述したダブルへテロ接合型半導体発光装置の場合のよう
に、単層構造を有している場合は、それ等活性層３、ク
ラッド層２及び４が、第７図で実線１０に示すような、
上述した屈折率ｎＡ、ｎｃ、及びＣ３，に対する禁制帯
エネルギＦＡ、Ｅ、１及びＥ４呈するが、第４図に示す
本発明によるダブルへテロ接合型半導体発光装置の場合
は、上述したＣ２、竪及びＣ６が、上述した（１３）式
の関係を有する場合、活性層３、クラッド層２及び４が
、第７図で試料＃１１〜＃２２で示すように、上述した
禁制帯エネルギＥ、Ｅ及びＥに対応するエネルギ単位差
Ｅ、′、ＦＣ′Ｌ、及びＥＣンを呈することを確認した
。
３）２ ４ ６ の場合、第６図中に試料＃１１〜＃２２で示すように、
活性層３、クラッド層２及び４が、活性層３、クラッド
層２及び４が単層構造である場合の、上述したｘ、ｙ、
及びＺに対する屈折率ｎｔ、、ｎｅ、及びｎＣ２の関係
に近似していない、活性層３に関する上述したＸ、及び
クラッド層２及び４に関するｙ及びｌに対する屈折率ｎ
Ａ、、 ｎ、、及び０り２を呈することを確認した・ さらに、活性層３、クラッド層２及び４が、第１図で上
述したダブルへテロ接合型半導体発光装置の場合のよう
に、単層構造を有している場合は、それ等活性層３、ク
ラッド層２及び４が、第７図で実線１０に示すような、
上述した屈折率ｎＡ、ｎｃ、及びＣ３，に対する禁制帯
エネルギＦＡ、Ｅ、１及びＥ４呈するが、第４図に示す
本発明によるダブルへテロ接合型半導体発光装置の場合
は、上述したＣ２、竪及びＣ６が、上述した（１３）式
の関係を有する場合、活性層３、クラッド層２及び４が
、第７図で試料＃１１〜＃２２で示すように、上述した
禁制帯エネルギＥ、Ｅ及びＥに対応するエネルギ単位差
Ｅ、′、ＦＣ′Ｌ、及びＥＣンを呈することを確認した
。
尚さらに、活性層３が有する超格子構造を構成している
Ａ Ｉ、Ｇ ａ、−ｘ、Ｒでなる層Ｌ１の厚さＤｌ、ク
ラッド層２が有する超格子構造を構成しているＡ １ｙ
ＩＧ ａ ＋−ｙ、 Ｒでなる層Ｌ３の厚さＤ３、及び
クランド層４が有する超格子構造を構成しているＡＩＧ
ａＲでなる層Ｌ５の厚さＤＳに対する、ｚ、 ＋−
ｚ。
Ａ Ｉ、Ｇ ａ、−ｘ、Ｒでなる層Ｌ１の厚さＤｌ、ク
ラッド層２が有する超格子構造を構成しているＡ １ｙ
ＩＧ ａ ＋−ｙ、 Ｒでなる層Ｌ３の厚さＤ３、及び
クランド層４が有する超格子構造を構成しているＡＩＧ
ａＲでなる層Ｌ５の厚さＤＳに対する、ｚ、 ＋−
ｚ。
活性層３が有覆る超格子構造を構成しているＡＩＸと”
ｌ−Ｘ、Ｒでなる層Ｌ２（障壁を構成している）の厚さ
Ｄ２、クラッド層２が有する超格子構造を構成している
ＡＩ、、Ｇａ、−ブ２Ｒでなる層Ｌ２（障壁を構成して
いる）の厚さＤ２、及びクラッド層４が有している超格
子構造を構成しているＡｌＧａ Ｒでなる層＋６（障
壁を構成していｚ、！ ’−”２ る）の厚さＤの関係が、活性層２、クラッド層２及び４
の、上述した屈折率ｎＡ、ｎｏ、及びｎ、をパラメータ
として、第８図に示づように得られることを確認した。
ｌ−Ｘ、Ｒでなる層Ｌ２（障壁を構成している）の厚さ
Ｄ２、クラッド層２が有する超格子構造を構成している
ＡＩ、、Ｇａ、−ブ２Ｒでなる層Ｌ２（障壁を構成して
いる）の厚さＤ２、及びクラッド層４が有している超格
子構造を構成しているＡｌＧａ Ｒでなる層＋６（障
壁を構成していｚ、！ ’−”２ る）の厚さＤの関係が、活性層２、クラッド層２及び４
の、上述した屈折率ｎＡ、ｎｏ、及びｎ、をパラメータ
として、第８図に示づように得られることを確認した。
従って、第４図に示１本発明によるダブルへテロ接合型
半導体発光装置の場合、上述したＤｌ、Ｄ２、Ｄ３、竪
、Ｄ５及びＤ６が、上述した（８）及び（９）式の関係
を有するので、活性層３の屈折率ｎＡが、クラッド層２
及び４の屈折率ｎ。Ｌ及びｎｏ２に比し大なる関係を有
しているものである。
半導体発光装置の場合、上述したＤｌ、Ｄ２、Ｄ３、竪
、Ｄ５及びＤ６が、上述した（８）及び（９）式の関係
を有するので、活性層３の屈折率ｎＡが、クラッド層２
及び４の屈折率ｎ。Ｌ及びｎｏ２に比し大なる関係を有
しているものである。
従って、第４図に示す本発明によるダブルへテロ接合型
半導体発光装置によれば、第２図で上述したダブルへテ
ロ接合型半導体発光装置の場合と同様の、ダブルへテロ
接合型半導体発光装置としての機能が得られるものであ
る。
半導体発光装置によれば、第２図で上述したダブルへテ
ロ接合型半導体発光装置の場合と同様の、ダブルへテロ
接合型半導体発光装置としての機能が得られるものであ
る。
また、第４図に示す本発明によるダブルへテロ接合型半
導体発光装置の場合、第２図で上述した従来のダブルへ
テロ接合型半導体発光装置の場合と同様に、活性層３に
関する上述したＸによるばかりでなく、超格子構造を構
成しているＡｌＧａ Ｒでなる層Ｌ１と、ＡｌＧａ
ＲＸ、 ｌ−に、 Ｘ、
１−Ｘ２でなる層Ｌ２とが順次交互に繰返し積層されて
いる、その繰返し数によっても決められるので、発光波
長を短波長化することが出来るという特徴を有する。
導体発光装置の場合、第２図で上述した従来のダブルへ
テロ接合型半導体発光装置の場合と同様に、活性層３に
関する上述したＸによるばかりでなく、超格子構造を構
成しているＡｌＧａ Ｒでなる層Ｌ１と、ＡｌＧａ
ＲＸ、 ｌ−に、 Ｘ、
１−Ｘ２でなる層Ｌ２とが順次交互に繰返し積層されて
いる、その繰返し数によっても決められるので、発光波
長を短波長化することが出来るという特徴を有する。
さらに、第４図に示す本発明によるダブルへテロ接合型
半導体発光装置の場合、上述したマ、ｙ及びＺが、上述
した（６）式の関係を有するので、上述したｙ及びＺが
、第１図で上述した従来のダブルへテロ接合型半導体発
光装置の場合の上述した（１）式、及び第２図で上述し
た従来のダブルへテロ接合型半導体発光装置の場合の上
述した（３）式の場合とは逆に、上述した×に比し小で
あるので、第１図及び第２図で上述したダブルへテロ接
合型半導体発光装置に伴なう、安定な発光が得られない
と共に、早期に劣化するという、欠点を何等伴なうこと
がないという人なる特徴を有する。
半導体発光装置の場合、上述したマ、ｙ及びＺが、上述
した（６）式の関係を有するので、上述したｙ及びＺが
、第１図で上述した従来のダブルへテロ接合型半導体発
光装置の場合の上述した（１）式、及び第２図で上述し
た従来のダブルへテロ接合型半導体発光装置の場合の上
述した（３）式の場合とは逆に、上述した×に比し小で
あるので、第１図及び第２図で上述したダブルへテロ接
合型半導体発光装置に伴なう、安定な発光が得られない
と共に、早期に劣化するという、欠点を何等伴なうこと
がないという人なる特徴を有する。
尚、第４図に示す本発明によるダブルへテロ接合型半導
体発光装置の場合、クラッド層２及び４が超格子構造を
有し、従ってポテンシャル井戸を有するので、作動時に
おりる電流の注入効率が問題となると考えられる。黙し
ながら、クラッド層２及び４に関する上述したり、Ｄが
、 ６ 」口述した（９）式の関係を有するので、クラッド層２
及び４が超格子構造を有するとしても、注入効率につき
、実質的に問題はないものである。
体発光装置の場合、クラッド層２及び４が超格子構造を
有し、従ってポテンシャル井戸を有するので、作動時に
おりる電流の注入効率が問題となると考えられる。黙し
ながら、クラッド層２及び４に関する上述したり、Ｄが
、 ６ 」口述した（９）式の関係を有するので、クラッド層２
及び４が超格子構造を有するとしても、注入効率につき
、実質的に問題はないものである。
尚上述にＪ３いては、本発明の１つの実施例を示したに
留まり、本発明の精神を脱することなしに、種々の変型
変更をなし得るであろう。
留まり、本発明の精神を脱することなしに、種々の変型
変更をなし得るであろう。
第１図は、活性層が単層構造を有する、従来のダブルへ
テロ接合型半導体発光装置の実施例を示す路線的断面図
である。 第２図は、活性層が超格子構造を有する、従来のダブル
へテロ接合型半導体発光装置の実施例を示す路線的断面
図である。 第３図は、第２図に示すダブルへテロ接合型半導体発光
装置における活性層が、超格子構造を有することを示す
、その厚さ方向に対する伝導電子でみたポテンシャルエ
ネルギの関係を示す−図である。 第４図は、本発明によるダブルへテロ接合型半導体発光
装置の実施例を示１路線的断面図である。 第５図は、第４図に示す本発明によるダブルへテロ接合
型半導体発光装置に２おける活性層及びクラッド層が超
格子構造を有することを示す、それ等の厚さ方向に対す
る伝導電子でみたポテンシャルエネルギの関係を示す図
である。 第６図は、本発明によるダブルへテロ接合型半導体発光
装置における活性層及びクラッド層におけるＡ１の含有
量に対する屈折率の関係を示す図である。 第７図は、本発明によるダブルへテロ接合型半導体発光
装置における活性層及びクラッド層の、屈折率に対する
エネルギ単位差の関係を示す図である。 第８図は、本発明によるダブルへテロ接合型半導体発光
装置における活性１及びクラッド層が有している超格子
構造のポテンシャル井戸を構成している層の厚さと、超
格子構造の障壁を構成している層の厚さとの関係を、屈
折率をパラメータとして示す図である。 １・・・・・・・・・・・・・・・Ｇａ Ａｓでなる基
板２・・・・・・・・・・・・・・・ＡｔｙＧａ、、Ｒ
でなる第１のクラッド層 ３・・・・・・・・・・・・・・・Ａ ｌ ｘ Ｑ ａ
＋ −Ｘ Ｒでなる活性層４・・・・・・・・・・・
・・・・ＡすＧａ、−７Ｒでなる第２のクラッド層 ５・・・・・・・・・・・・・・・Ｇａ ＡＳでなる電
極付用層６．７・・・・・・・・・電極 Ｌｌ・・・・・・・・・・・・活性層３が有する超格子
構造を構成しているＡ Ｉｘ、Ｇ ａ、−ｘ、Ｒでなる
第１の層 Ｌ２・・・・・・・・・・・・活性層３が有する超格子
構造を構成しているＡ １ｘＺＧ ａ、 、Ｒでなる第
２の層 Ｌ３・・・・・・・・・・・・クラッド層２が有する超
格子構造を構成しているＡＩＧａ ｙ、 ヒγＩ Ｒでなる第３の層 Ｌ４・・・・・・・・・・・・クラッド層２が有する超
格子構造を構成しているＡｌｙ、Ｇａ・−ｙ２Ｒでなる
第４の層 Ｌ５・・・・・・・・・・・・クラッド層４が有する超
格子構造を構成しているＡ Ｉ Ｇ ａ、−Ｚ。 １ Ｒでなる第５の層 Ｌ６・・・・・・・・・・・・クラッド層４が有する超
格子構造を構成しているＡ Ｉ２Ｑ ａ、−。 Ｒでなる第６の層 ８・・・・・・・・・・・・・・・ポテンシャル井戸出
願人 日本電信電話公社 −４〔 第１図 第２図 第８図 ＝ ＤＡ 第４図 □ ２ ３ ４ Ｄ、 、 ＤＣ，、ＤＣ。 第６図 第７図 、 ２ − （、Ｅさ、、ＥＣ。 第８図 ：５０１００
テロ接合型半導体発光装置の実施例を示す路線的断面図
である。 第２図は、活性層が超格子構造を有する、従来のダブル
へテロ接合型半導体発光装置の実施例を示す路線的断面
図である。 第３図は、第２図に示すダブルへテロ接合型半導体発光
装置における活性層が、超格子構造を有することを示す
、その厚さ方向に対する伝導電子でみたポテンシャルエ
ネルギの関係を示す−図である。 第４図は、本発明によるダブルへテロ接合型半導体発光
装置の実施例を示１路線的断面図である。 第５図は、第４図に示す本発明によるダブルへテロ接合
型半導体発光装置に２おける活性層及びクラッド層が超
格子構造を有することを示す、それ等の厚さ方向に対す
る伝導電子でみたポテンシャルエネルギの関係を示す図
である。 第６図は、本発明によるダブルへテロ接合型半導体発光
装置における活性層及びクラッド層におけるＡ１の含有
量に対する屈折率の関係を示す図である。 第７図は、本発明によるダブルへテロ接合型半導体発光
装置における活性層及びクラッド層の、屈折率に対する
エネルギ単位差の関係を示す図である。 第８図は、本発明によるダブルへテロ接合型半導体発光
装置における活性１及びクラッド層が有している超格子
構造のポテンシャル井戸を構成している層の厚さと、超
格子構造の障壁を構成している層の厚さとの関係を、屈
折率をパラメータとして示す図である。 １・・・・・・・・・・・・・・・Ｇａ Ａｓでなる基
板２・・・・・・・・・・・・・・・ＡｔｙＧａ、、Ｒ
でなる第１のクラッド層 ３・・・・・・・・・・・・・・・Ａ ｌ ｘ Ｑ ａ
＋ −Ｘ Ｒでなる活性層４・・・・・・・・・・・
・・・・ＡすＧａ、−７Ｒでなる第２のクラッド層 ５・・・・・・・・・・・・・・・Ｇａ ＡＳでなる電
極付用層６．７・・・・・・・・・電極 Ｌｌ・・・・・・・・・・・・活性層３が有する超格子
構造を構成しているＡ Ｉｘ、Ｇ ａ、−ｘ、Ｒでなる
第１の層 Ｌ２・・・・・・・・・・・・活性層３が有する超格子
構造を構成しているＡ １ｘＺＧ ａ、 、Ｒでなる第
２の層 Ｌ３・・・・・・・・・・・・クラッド層２が有する超
格子構造を構成しているＡＩＧａ ｙ、 ヒγＩ Ｒでなる第３の層 Ｌ４・・・・・・・・・・・・クラッド層２が有する超
格子構造を構成しているＡｌｙ、Ｇａ・−ｙ２Ｒでなる
第４の層 Ｌ５・・・・・・・・・・・・クラッド層４が有する超
格子構造を構成しているＡ Ｉ Ｇ ａ、−Ｚ。 １ Ｒでなる第５の層 Ｌ６・・・・・・・・・・・・クラッド層４が有する超
格子構造を構成しているＡ Ｉ２Ｑ ａ、−。 Ｒでなる第６の層 ８・・・・・・・・・・・・・・・ポテンシャル井戸出
願人 日本電信電話公社 −４〔 第１図 第２図 第８図 ＝ ＤＡ 第４図 □ ２ ３ ４ Ｄ、 、 ＤＣ，、ＤＣ。 第６図 第７図 、 ２ − （、Ｅさ、、ＥＣ。 第８図 ：５０１００
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 Δ１ｘＧａトＸＲ（但し、ＲはＡ３又はＳｂ、０
＜Ｘ≦１）でなる活性層と、 該活性層の第１の主面上に配され、且つ上記活性層との
間で第１のへテロ接合を形成しＴいる、Ａ Ｉｙ Ｇ
ａｔ−ｙ Ｒ＜但し、０＜ｙ≦１）でなる第１のクラッ
ド層と、 上記活性層の上記第１の主面と対向している第２の主面
上に配され、且つ上記活性層との間で第２のへテロ接合
を形成している、Ａ ｌｚ Ｇ ａｌ−２Ｒ（但し、Ｏ
＜ｚ ≦１ ） Ｔ：”、にル’Ｍ２のクラッド層とを
有するダブルへテロ接合型半導体発光装置に６おいて、 上記活性層が、厚さＤｌを有し、且つ上記Ａ ｌｘＧ
ａ、−ＸＲにおけるｘｅｘ、とした、Ａ ＩＸ。 Ｇａ、−ｘ、Ｒでなる第１の層と、厚すＤ２ヲ有゛シ、
且つ上記ＡｌＸＧａ、−ＸＲにおけるＸをＸ、とした、
Ａ ｌｘ２ｇ ａｔ−Ｘ、 Ｒ（但し、Ｘ２ ＞ Ｘｌ
）でなる第２の層とが、交互順次に繰返し積層されて
いる第１の超格子構造を有し、 上記第１のクラッド層が、厚さＤ３を有し、且つ上記Ａ
ｌｙＧａ、、−ｙＲにおけるｙをｙｌとした、Ａ ｌｙ
、Ｇ ａｌ−ｙ、 Ｒでなる第３の層と、厚さＤ４を有
し、且つ上記ＡＩ、ＧａトｙＲにおけるｙをｙ、とした
、Ａ ＩＹ２Ｇ ａ ）−ｙ２Ｒ（但し、ｙ２＞ Ｖ、
）でなる第４の層とが交互順次に繰返し積層されてい
る第２の超格子構造を有し、 上記第２のクラッド層が、厚さＤ５を有し、且つ一ヒ記
△ｌｚ Ｇ ａｌ−２Ｒにおける２を７１とした、Ａ
ｌｚ、Ｇ ａトＺ、 Ｒでなる第５の層と、厚さＤ６を
有し、且つ上記Ａ Ｉｚ Ｇ ａｔ−ｚ Ｒにおけるｌ
をｚ２とした、Ａ Ｉ□、Ｇ ａｌ−２２Ｒ（但し、ｚ
２＞ Ｚｌ ）でなる第６の層とが交互順次に繰返し積
層されている第３の超格子構造を有し、 上記活性層が有する第１の超格子ＷＩ造のｘ ＝ ＜
Ｘ、 Ｄ１＋Ｘ２Ｄ２） ／＜ Ｄ、＋ Ｄ２）で表わ
される又と、上記第１のクラッド層が有する第２の超格
子構造の ■＝（ｙ１Ｄ３＋ｙ２Ｄ４）／（Ｄ３＋Ｄ４）で表わさ
れるＶと、上記第２のクラッド層が有する第３の超格子
構造の Ｚ −（Ｚ１ＤＳ＋ Ｚ２ Ｄ６） ／ （Ｄ５
＋Ｄ６）で表わされるｉとが、 ｘ ＞ｙ ｌ Ｚ なる関係を有することを特徴とするダブルへテロ接合型
半導体発光装置。 ２、特許請求の範囲第１項記載のダブルへテロ接合型半
導体発光装置において、及びｉが、■−７ なる関係を有することを特徴とするダブルへテロ接合型
半導体発光装置。 ３、特許請求の範囲第１項記載のダブルへテロ接合型半
導体発光装置において、Ｄｌ、 ［）２． ［）３゜Ｄ
４． Ｄぢ及びＤ６が、 Ｄｌ＜Ｄ２″′″ ［）３＜ Ｄ４ Ｄ５〈Ｄ６ なる関係を有することを特徴とするダブルへテロ接合型
半導体発光装置。 ４、特許請求の範囲第１項記載のダブルへテロ接合型半
導体発光装置において、Ｄ、、 Ｄ、、 Ｄ３゜Ｄ４．
Ｄ５及びＤ６が、 Ｄ１≧０３． Ｄ５ Ｄ２≧（４５人±５人） ＞ ＞ ｏ４． ｏ６なる関
係を有することを特徴とするダブルへテロ接合型半導体
発光装置。 ５、特許請求の範囲第４項記載のダブルへテロ接合型半
導体発光装置において、Ｄ３． Ｄ４． ｏｓ及びＤ６
が、 Ｄ３ζＤ５．Ｄ４′、Ｄ６ なる関係を有することを特徴とするダブルへテロ接合型
半導体発光装置。 ６、特許請求の範囲第４項記載のダブルへテロ接合型半
導体発光装置において、Ｄ、、 Ｄ２． ｏ３゜Ｄ４．
Ｄ５及びＤ６が、□ Ｄ、＜Ｄ２ ［）３＜ ０４ Ｄ５くＤら なる関係を有することを特徴とするダブルへテロ接合型
半導体発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57090780A JPS58207684A (ja) | 1982-05-28 | 1982-05-28 | ダブルヘテロ接合型半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57090780A JPS58207684A (ja) | 1982-05-28 | 1982-05-28 | ダブルヘテロ接合型半導体発光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58207684A true JPS58207684A (ja) | 1983-12-03 |
| JPS6364075B2 JPS6364075B2 (ja) | 1988-12-09 |
Family
ID=14008114
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57090780A Granted JPS58207684A (ja) | 1982-05-28 | 1982-05-28 | ダブルヘテロ接合型半導体発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58207684A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0202089A2 (en) * | 1985-05-13 | 1986-11-20 | Xerox Corporation | Semiconductor laser |
| JPS6218081A (ja) * | 1985-07-16 | 1987-01-27 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
| JPS6254988A (ja) * | 1985-09-04 | 1987-03-10 | Hitachi Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
| FR2589630A1 (fr) * | 1985-07-23 | 1987-05-07 | Deveaud Benoit | Absorbant saturable a tres faibles temps de commutation |
| JPS62165385A (ja) * | 1986-01-14 | 1987-07-21 | Nec Corp | 半導体発光装置 |
| JPS62296484A (ja) * | 1986-06-17 | 1987-12-23 | Seiko Epson Corp | 青色発光素子 |
| US4806994A (en) * | 1984-11-29 | 1989-02-21 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
| EP0334759A2 (en) * | 1988-03-23 | 1989-09-27 | Fujitsu Limited | Semiconductor device |
| US4918496A (en) * | 1987-07-02 | 1990-04-17 | Kokusai Denshin Denwa Kabushiki Kaisha | Infrared emitting device with dislocation free layer |
| JPH0334593A (ja) * | 1989-06-30 | 1991-02-14 | Toshiba Corp | 半導体発光装置 |
| US5107306A (en) * | 1988-09-28 | 1992-04-21 | U.S. Philips Corp. | Semiconductor device having a waveguide structure |
-
1982
- 1982-05-28 JP JP57090780A patent/JPS58207684A/ja active Granted
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4806994A (en) * | 1984-11-29 | 1989-02-21 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
| EP0202089A2 (en) * | 1985-05-13 | 1986-11-20 | Xerox Corporation | Semiconductor laser |
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| FR2589630A1 (fr) * | 1985-07-23 | 1987-05-07 | Deveaud Benoit | Absorbant saturable a tres faibles temps de commutation |
| JPS6254988A (ja) * | 1985-09-04 | 1987-03-10 | Hitachi Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
| WO1987001522A1 (en) * | 1985-09-04 | 1987-03-12 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device |
| JPS62165385A (ja) * | 1986-01-14 | 1987-07-21 | Nec Corp | 半導体発光装置 |
| JPS62296484A (ja) * | 1986-06-17 | 1987-12-23 | Seiko Epson Corp | 青色発光素子 |
| US4918496A (en) * | 1987-07-02 | 1990-04-17 | Kokusai Denshin Denwa Kabushiki Kaisha | Infrared emitting device with dislocation free layer |
| EP0334759A2 (en) * | 1988-03-23 | 1989-09-27 | Fujitsu Limited | Semiconductor device |
| US5107306A (en) * | 1988-09-28 | 1992-04-21 | U.S. Philips Corp. | Semiconductor device having a waveguide structure |
| JPH0334593A (ja) * | 1989-06-30 | 1991-02-14 | Toshiba Corp | 半導体発光装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6364075B2 (ja) | 1988-12-09 |
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