JPH04133479A - ダブルヘテロ接合型半導体発光素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 【産業上の利用分野】

本発明は、可視短波長を有する発光が得られるダブルヘ
テロ接合型半導体発光素子に関する。

【従来の技術ｌ 従来、第１の導電型を有する半導体結晶基板上に、第１
の導電型を有する第１のクラッド層としての第１の半導
体結晶層と、第１のＳ電型を与える不純物または第１の
導電型とは逆の第２の導電型を与える不純物のいずれも
意図的に導入させていないか導入させているとしても十
分低い濃度でしか導入させていず且つ上記第１の半導体
結晶層に比し狭いエネルギバンドギャップを有する活性
層としての第２の半導体結晶層と、第２の導電型を有し
且つ上記第２の半導体結晶層に比し広いエネルギバンド
ギャップを有する第２のクラッド層としての第３の半導
体結晶層とがそれらの順に積層されている構成を有する
半導体積層体が形成され、そして、半導体結晶基板の半
導体積層体側とは反対側の面上に第１の電極層がオーミ
ックに付され、また、半導体積層体側とは反対側の面上
に第２の電極層がオーミックに付されているダブルヘテ
ロ接合型半導体発光素子が提案されている。 このような構成を有する従来のダブルヘテロ接合型半導
体発光素子によれば、第１及び第２の電極層間に、所要
の電源を所要の極性で接続すれば、半導体積層体の活性
層としての第２の半導体結晶層に電流が注入され、それ
によって、活性層としての第２の半導体結晶層で、その
エネルギバンドギャップに応じた波長を有する発光が得
られ、その光が、活性層としての第２の半導体結晶層内
を第１及び第２のクラッド層としての第１及び第３の半
導体結晶層によって閉じ込められて伝播し、活性層とし
ての第２の半導体結晶層の端面から外部に放射される。 また、上述した構成を有する従来のダブルヘテロ接合型
半導体発光素子によれば、上述した光の放射が得られる
とき、上述したように活性層としての第２の半導体結晶
層で発光した光が、第１及び第２のクラッド層としての
第１及び第３の半導体結晶層によって閉じ込められると
ともに、活性層としての第２の半導体結晶層に注入され
る電流にもとずく、活性層としての第２の半導体結晶層
におけるキャリアも第１及び第２のクラッド層としての
第１及び第３の半導体結晶層によって閉じ込められるた
め、上述した光の放射を高い効率で得ることができる。 【発明が解決しようとする課題１ 上述した構成を有する従来のダブルヘテロ接合型半導体
発光素子においては、上述したように発光を得ることが
できるが、その発光が緑色光乃至青色光でなる可視短波
長を有する光で得られるダブルヘテロ接合型半導体発光
素子は、活性層としての第２の半導体結晶層を構成する
半導体材料として、ＺｎＳｅ、ＧａＮなどの可視短波長
を有する発光が可能なエネルギバンドギャップを有する
半導体材料が知られていることによって、活性層として
の第２の半導体結晶層をそのような半導体材料で構成し
たとしても、その場合に、第１及び第３の半導体結晶層
が第１の半導体結晶層とともに半導体結晶基板と格子整
合していること、第１のクラッド層としての第１の半導
体結晶層及び第２のクラッド層としての第３の半導体結
晶層が比較的低い比抵抗を呈していることとを同時に十
分満足させる半導体結晶基板、及び第１及び第３の半導
体結晶層を構成する半導体材料が見出されていなかった
ことから、はとんど実現されていなかった。 よって、本発明は、緑色光乃至青色光でなる可視短波長
を有する発光が得られる、新規なダブルヘテロ接合型半
導体発光素子を提案せんとするものである。 【課題を解決するための手段】 本発明によるダブルヘテロ接合型半導体発光素子は、従
来提案されているダブルヘテロ接合型半導体発光素子の
場合と同様に、■°第１の導電型を有する半導体結晶基
板上に、第１の導電型を有する第１のクラッド層として
の第１の半導体結晶層と、第１の導電型を与える不純物
または第１の導電型とは逆の第２の導電型を与える不純
物のいずれも意図的に導入させていないか導入させてい
るとしても十分低い濃度でしか導入させていず且つ上記
第１の半導体結晶層に比し狭いエネルギバンドギャップ
を有する活性層としての第２の半導体結晶層と、第２の
導電型を有し且つ上記第２の半導体結晶層に比し拡いエ
ネルギバンドギャップを有する第２のクラッド層として
の第３の半導体結晶層とがそれらの順に積層された構成
を有する半導体積層体が形成され、そして、■上記半導
体結晶基板の上記半導体積層体側とは反対側の面上に第
１の電極層がオーミックに付され、また、■上記半導体
積層体の上記半導体結晶基板側とは反対側の面上に第２
の電極層がオーミックに付されている構成を有する。 しかしながら、本発明によるダブルヘテロ接合型半導体
発光素子は、このような構成を有するダブルヘテロ接合
型半導体発光素子において、■上記半導体結晶基板が、
７ｎＳｅまたは１ｎＧａ　　　Ａｓ（ただし、０≦Ｘ≦
１）でなり、×１−ｘ また、■上記第１及び第３の半導体結晶層が、Ｚｎ（Ｓ
ｗＳｅ１−ｗ　　　）（ただし、０≦Ｗ〈１）ｗ　　　
１−ｗ でなり、さらに、■上記第２の半導体結晶層が、（ＨＱ
ｙ　Ｚｎ１−ｙ　）（Ｓｚ　５ｅ１−Ｚ　）（ただし、
Ｏくｙ〈１．０≦ｚ〈１）でなる。 （作用・効果］ 本発明によるダブルヘテロ接合型半導体発光素子は、見
掛上、半導体結晶基板、及び第１、第２及び第３の半導
体結晶層を構成している半導体材料の何たるかを問わな
い限り、前述した従来のダブルヘテロ接合型半導体発光
素子の場合と同様の構成を有する。 このため、本発明によるダブルヘテロ接合型半導体発光
素子の場合も、前述した従来のダブルヘテロ接合型半導
体発光素子の場合と同様に、第１及び第２の電極層間に
、所要の電源を所要の極性で接続すれば、半導体積層体
の活性層としての第２の半導体結晶層に電流が注入され
、それによって活性層としての第２の半導体結晶層でそ
のエネルギバンドギャップに応じた波長を有する発光が
得られ、その光が、活性層としての第２の半導体結晶層
内を第１及び第２のクラッド層としての第１及び第３の
半導体結晶層によって閉じ込められて伝播し、活性層と
しての第２の半導体結晶層の端面から外部に放射される
。 また、本発明によるダブルヘテロ接合型半導体発光素子
によれば、前述した従来のダブルヘテロ接合型半導体発
光素子の場合と同様に、上述した光の放射が得られると
き、上述したように活性層としての第２の半導体結晶層
で発光した光が、第１及び第２のクラッド層としての第
１及び第３の半導体結晶層によって閉じ込められるとと
もに、活性層としての第２の半導体結晶層に注入される
電流にもとずく、活性層としての第２の単導体結晶層に
おけるキャリアも、第１及び第２のクラッド層としての
第１及び第３の半導体結晶層によって閉じ込められるた
め、上述した光の放射を高い効率で得ることができる。 しかしながら、本発明によるダブルヘテロ接合型半導体
発光素子の場合、活性層としての第２の半導体結晶層が
、（Ｈｇ　Ｚｎ　　　）（ＳＶ　　　１−Ｖ ｚＳｅｌ−ｚ）でなり、そして、その（ＨｇＶ　Ｚｎ１
．）（Ｓ　　Ｓｅ　　　）は、そのｙ及びＺのｚ　　　
　１−７ 値に応じた値をとるが、緑色光乃至青色光でなる可視短
波長を発光し得るエネルギバンドギャップを有している
ことから、活性層としての第２の半導体結晶層が、緑色
光乃至青色光でなる可視短波長を発光し得るエネルギバ
ンドギャップを有している。 また、第１及び第２のクラッド層としての第１及び第３
の半導体結晶層がＺｎ（Ｓ　　５ｅ１−、）でなり、そ
して、そのＺｎ（ＳｗＳｅ１−ｗ）Ｗ　　　　　１−ｗ は、そのＷの値を適当に選ぶことによって、その値に応
じた値をとるが、活性層としての第２の半導体結晶層に
比し広いエネルギバンドギャップをとることから、第１
及び第２のクラッド層としての第１及び第３の半導体結
晶層に、活性層としての第２の半導体結晶層に比し広い
エネルギバンドギャップを有せしめ得る。 さらに、半導体結晶基板がＺｎＳｅまたはＩｎＧａＡＳ
でなることから、半導体結晶ｘ　　　１−ｘ 基板がＩ　ｎｘ　Ｇａ１−ｘ　Ａ　ｓでなる場合、その
Ｘの値を適当に選ぶことによって、第１、第２及び第３
の半導体結晶層と半導体結晶基板とを、互に格子整合す
るに十分な互にほぼ等しい格子定数を有するものとする
ことができる。 また、第１及び第２のクラッド層としての第１及び第３
の半導体結晶層が、Ｚｎ（ＳｗＳｅｌ−０）でなること
によって、第１及び第２の導電型を与える不純物を比較
的高濃度にそれぞれ導入させることができ、よって、第
１及び第２のクラッド層としての第１およ第３の半導体
結晶層を、ともに比較的低い比抵抗を有（るものとする
ことができる。 以上のことから、本発明によるダブルヘテロ接合型半導
体発光素子によれば、第１及び第２のクラッド層として
の第１及び第３の半導体結晶層が、活性層としての第１
の半導体結晶層とともに、半導体結晶基板と格子整合し
ていること、第１のクラッド層としての第１の半導体結
晶層及び第２のクラッド層としての第３の半導体結晶層
がともに比較的低い比抵抗を呈していることとを同時に
十分満足して、緑色光乃至青色光でなる可視短波長を有
する発光を得ることができる。 ［実施例１１ 次に、第１図を伴って、本発明によるダブルヘテロ接合
型半導体発光素子の第１の実施例を述べよう。 第１図に示す本発明によるダブルヘテロ接合型半導体発
光素子は、前述した従来のダブルヘテロ接合型半導体発
光素子の場合と同様に、第１の導電型としての例えばｎ
型を有する半導体結晶基板１上に、第１の導電型として
のｎ型を有する第１のクラッド層としての第１の半導体
結晶層２と、第１の導電型としてのｎ型を与える不純物
または第２の導電型としてのｐ型を与える不純物のいず
れも意図的に導入させていないか導入させているとして
も十分低い濃度でしか導入させていない活性層としての
第２の半導体結晶層３と、第２の導電型としてのｐ型を
有する第２のクラッド層としての第２の半導体結晶層４
とがそれらの順に積層されている構成を有する半導体積
層体５が形成されている。 また、前述した従来のダブルヘテロ接合型半導体発光素
子の場合と同様に、半導体結晶基板１の半導体積層体５
側とは反対側の面上に第１の電極層６がオーミックに付
され、また、半導体積層体５の半導体結晶基板１側とは
反対側の面上に第２の電極層７がオーミックに付されて
いる。 しかしながら、第１図に示す本発明によるダブルヘテロ
接合型半導体発光素子は、半導体結晶基板１がＧａＡＳ
でなる。 また、半導体積層体５を構成している第１及び第２のク
ラッド層としての第１及び第３の半導体結晶層２及び４
が、ともに７ｎＳｅでなり、また、活性層としての第２
の半導体結晶層３が、（Ｈｇ　　　Ｚｎ　　　　）Ｓｅ
でなる。 ０．０５　　　０９５ また、第１のクラッド層としてのｎ型を有する第１の半
導体結晶層２は、それにＩ、ＧａまたはＡＩが導入され
ていることによってｎ型を有し、また、第２のクラッド
層としてのｎ型を有する第３の半導体結晶層４は、それ
にＮ、０またはｌｉが導入されていることによって、ｐ
型を有している。なお、活性層として第２の半導体結晶
層３がｎ型またはｐ型を有する場合、そのｎ型またはｐ
型は上述した不純物を導入することによって得られる。 なお、上述した半導体結晶層２．３及び４は、分子線エ
ピタキシャル成長法、有機金属気相成長法などのそれ自
体は公知の方法によって形成し得る。 以上が、本発明によるダブルヘテロ接合型半導体発光素
子の第１の実施例の構成である。 このような本発明によるダブルヘテロ接合型半導体発光
素子は、見掛上、半導体結晶基板１、及び第１、第２及
び第３の半導体結晶層２．３及び４を構成している半導
体材料の何たるかを問わない限り、前述した従来のダブ
ルヘテロ接合型半導体発光素子の場合と同様の構成を有
する。 このため、第１図に示す本発明によるダブルヘテロ接合
型半導体発光素子の場合も、前述した従来のダブルヘテ
ロ接合型半導体発光素子の場合と同様に、第１及び第２
の電極層６及び７間に、所要の電源を所要の極性（本例
の場合、第２の電極層７側を負とする）で接続すれば、
半導体積層体５の活性層としての第２の半導体結晶層３
に電流が注入され、それによって活性層としての第２の
半導体結晶層３でそのエネルギバンドギャップに応じた
波長を有する発光が得られ、その光が、活性層としての
第２の半導体結晶層３内を第１及び第２のクラッド層と
しての第１及び第３の半導体結晶層２及び４によって閉
じ込められて伝播し、活性層としての第２の半導体結晶
層３の端面から外部に放射される。 また、第１図に示す本発明によるダブルヘテロ接合型半
導体発光素子によれば、前述した従来のダブルヘテロ接
合型半導体発光素子の場合と同様に、上述した光の放射
が得られるとき、上述したように活性層としての第２の
半導体結晶層３で発光した光が、第１及び第２のクラッ
ド層としての第１及び第３の半導体結晶層２及び４によ
って閉じ込められるとともに、活性層としての第２の半
導体結晶層３に注入される電流にもとすく、活性層とし
ての第２の半導体結晶層３におけるキャリアも、第１及
び第２のクラッド層としての第１及び第３の半導体結晶
層２及び４によって閉じ込められるため、上述した光の
放射を高い効率で得ることができる。 しかしながら、第１図に示す本発明によるダブルヘテロ
接合型半導体発光素子の場合、第２図に、各種半導体材
料の格子定数に対するエネルギバンドギャップの関係を
示しているところから明らかなように、活性層としての
第２の半導体結晶層３が（Ｈｇ　　　Ｚｎ　　　　）Ｓ
ｅＯ，０５０，９５ でなり、その（ＨＱ　　　　Ｚｎ　　　　）Ｓｅが０．
０５　　　０．９５ 約２．５３ｅＶのエネルギバンドギャップを有すること
から、活性層としての第２の半導体結晶層３が、青色光
でなる可視短波長を発光し得るエネルギバンドギャップ
を有している。 また、第１及び第２のクラッド層としての第１及び第３
の半導体結晶層２及び４がともにＺｎＳｅでなることか
ら、第１及び第２のクラッド層としての第１及び第３の
半導体結晶層２及び４が、活性層としての第２の半導体
結晶層３に比し広いエネルギバンドギャップを有してい
る。 さらに、半導体結晶基板１が、ＧａＡｓであることから
、第２図に示すところからも明らかなように、第１、第
２及び第３の半導体結晶層２．３及び４と半導体結晶基
板１とが、互に格子整合するに十分な互にほぼ等しい格
子定数を有する。 また、第１及び第２のクラッド層としての第１及び第３
の半導体結晶層２及び４が、ＺｎＳｅでなることによっ
て、それらに、第１及び第２の導電型としてのｐ型及び
ｐ型を与える上述した不純物を比較的高濃度に導入させ
ることができ、よって、第１及び第２のクラッド層とし
ての第１及び第３の半導体結晶層２及び４を、比較的低
い比抵抗を有するものとすることができる。 以上のことから、第１図に示す本発明によるダブルへゾ
ロ接合型半導体発光素子によれば、第１及び第２のクラ
ッド層としての第１及び第３の半導体結晶層が、活性層
としての第１の半導体結晶層３とともに半導体結晶基板
１と格子整合していること、第１のクラッド層としての
第１の半導体結晶層２及び第２のクラッド層としての第
３の半導体結晶層４が比較的低い比抵抗を呈しているこ
ととを同時に十分満足して、青色光でなる可視短波長を
有する発光を得ることができる。

【実施例２】 次に、本発明によるダブルヘテロ接合型半導体発光素子
の第２の実施例を述べよう。 本発明によるダブルヘテロ接合型半導体発光素子は、見
掛上、半導体結晶基板１、及び第１、第２及び第３の半
導体結晶層２．３及び４を構成している半導体材料の何
たるかの詳細を問わない限り、第１図を伴って上述した
本発明によるダブルヘテロ接合型半導体発光素子の場合
と同様の構成を有する。従って、図示詳細説明はしない
。 しかしながら、本発明によるダブルヘテロ接合型半導体
発光素子の第２の実施例は、第１及び第２のクラッド層
としての第１及び第３の半導体結晶層２及び４がＺｎＳ
ｅでなり、また、活性層としての第３の半導体結晶層３
が（ＨＱＺｎ　　　　）Ｓｅでなる第１図で上述し０．
０５　　　０，９５ た本発明によるダブルヘテロ接合型半導体発光素子の第
１の実施例の場合に代え、第１及び第２のクラッド層と
しての第１及び第３の半導体Ｓｅ　　　） 結晶層２及び４が、Ｚｎ（Ｓｏ、。６ｏ、９４でなり、
また、活性層としての第３の半導体結０．０１５　　０
．９８５）　Ｓ０Ｔ：な晶層３が、（Ｈａ　　　　Ｚｎ ることを除いて、第１図で上述した本発明によるダブル
へゾロ接合型半導体発光素子の第１の実施例の場合と同
様の構成を有する。 以上が、本発明によるダブルヘテロ接合型半導体発光素
子の第２の実施例の構成である。 このような本発明によるダブルヘテロ接合型半導体発光
素子の第２の実施例によれば、それが、上述した事項を
除いて、第１図で上述した本発明によるダブルヘテロ接
合型半導体発光素子と同様の構成を有するので、第１図
で上述した本発明によるダブルヘテロ接合型半導体発光
素子の場合と同様に、光の放射を高い効率で得ることが
できる。 しかしながら、本発明によるダブルヘテロ接合型半導体
発光素子の第２の実施例の場合、活性層としての第２の
半導体結晶層３が（Ｈｇ（。 ０１５　　０．９８５）Ｓｅでなり、その（Ｈｇ　（、
、Ｏｚｎ　　　　＞　ｓｅが約２．６４ｅＶのエネル１
５　　　　０．９８５ ギバンドギャップを有することから、活性層としての第
２の半導体結晶層３が青色光でなる可視短波長を発光し
得るエネルギバンドギャップを有している。 また、第１及び第２のクラッド層としての第１及び第３
の半導体結晶層２及び４がともにＺｎ（Ｓ　　　　Ｓｅ
　　　　）でなることから、第０．０６　　　０．９４ １及び第２のクラッド層としての第１及び第３の半導体
結晶層２及び４が、活性層としての第２の半導体結晶層
３に比し広いエネルギバンドギャップを有している。 さらに、半導体結晶基板１が、第１図で上述した本発明
によるダブルヘテロ接合型半導体発光素子の場合と同様
に、ＧａＡｓでなることから、第１、第２及び第３の半
導体結晶層２．３及び４と半導体結晶基板１とが、第１
図で上述した本発明によるダブルヘテロ接合型半導体発
光素子の場合と同様に、互に格子整合するに十分な互に
ほぼ等しい格子定数を有する。 また、第１及び第２のクラッド層としての第１及び第３
の半導体結晶層２及び４が１，７ｎ（Ｓ　　　　Ｓｅ　
　　　）でなることから、ｎ型０．０６　　　０．９４ 及びｐ型を与える不純物を、第１図で上述した本発明に
よるダブルヘテロ接合型半導体発光素子の場合と同様に
比較的高濃度にそれぞれ導入させることができ、よって
、第１及び第２のクラッド層としての第１及び第３の半
導体結晶層２及び４を、第１図で上述した本発明による
ダブルヘテロ接合型半導体発光素子の場合と同様に、比
較的低い比抵抗を有するものとすることができる。 以上のことから、本発明によるダブルヘテロ接合型半導
体発光素子の第２の実施例によれば、第１及び第２のク
ラッド層としての第１及び第３の半導体結晶層が、活性
層としての第１の半導体結晶層３とともに半導体結晶基
板１と格子整合していること、第１のクラッド層として
の第１の半導体結晶層２及び第２のクラッド層としての
第３の半導体結晶層４が比較的低い比抵抗を呈している
こととを、第１図で上述した本発明によるダブルヘテロ
接合型半導体発光素子の場合と同様に、同時に十分満足
し、しかしながら青色光でなる可視短波長を有する発光
を得ることができる。

【実施例３】 次に、本発明によるダブルヘテロ接合型半導体発光素子
の第３の実施例を述べよう。 本発明によるダブルヘテロ接合型半導体発光素子の第３
の実施例は、見掛上、半導体結晶基板１、及び第１、第
２及び第３の半導体結晶層２．３及び４を構成している
半導体材料の何たるかの詳細を問わない限り、第１図を
伴って上述した本発明によるダブルヘテロ接合型半導体
発光素子の場合と同様の構成を有する。従って、図示詳
細説明はしない。 しかしながら、本発明によるダブルヘテロ接合型半導体
発光素子の第２の実施例は、半導体結晶基板１がＧａＡ
ｓでなり、また、活性層としての第３の半導体結晶層３
が（ＨＱ　□、０５　Ｚｎ　、０．９５　）　Ｓ　ｅで
なる第１図で上述した本発明によるダブルヘテロ接合型
半導体発光素子の第１の実施例の場合に代え、半導体結
晶基板１が０．０３９　　０．９６１Ａ６Ｔ：なり・ま
た・活性Ｉｎ　　　　Ｑａ 層としての第３の半導体結晶層３が、（ＨＱ　０１５　
Ｚｎ　Ｏ，８５）　Ｓｅでなることを除いて、第１図で
上述した本発明によるダブルヘテロ接合型半導体発光素
子の第１の実施例の場合と同様の構成を有する。 以上が、本発明によるダブルヘテロ接合型半導体発光素
子の第２の実施例の構成である。 このような本発明によるダブルヘテロ接合型半導体発光
素子によれば、それが、上述した事項を除いて、第１図
で上述した本発明によるダブルヘテロ接合型半導体発光
素子と同様の構成を有するので、第１図で上述した本発
明によるダブルヘテロ接合型半導体発光素子の場合と同
様に、光の放射を高い効率で得ることができる。 しかしながら、本発明によるダブルヘテロ接合型半導体
発光素子の場合、活性層としての第ｚｎ　　　　＞ ２の半導体結晶層３が（”　０．１５　　　０．８５（
Ｓ　　　　Ｓｅ　　　　）でなり、その（ＨＣＩ　。 Ｏ，２６０，７４ Ｚｎ　　　　）’（Ｓ　　　　Ｓｅ　　　　）が約１５
　　　　０．８５　　　　　　０．２６　　　　．０．
７４２．５３ｅＶのエネルギバンドギャップを有するこ
とから、活性層としての第２の半導体結晶層３が青色光
でなる可視短波長を発光し得るエネルギバンドギャップ
を右している。 また、半導体結晶基板１がｌｎ　　　　ＧａＯ，０３９
０ ，９６１ＡＳでなり、また、第１及び第２のクラッド層
としての第１及び第３の半導体結晶層２及び４がともに
ＺｎＳｅでなり、第１及び第２のクラッド層としての第
１及び第３の半導体結晶層２及び４が、活性層としての
第２の半導体結晶層３に比し広いエネルギバンドギャッ
プを有している。 さらに、半導体結晶基板１が、第１図で上述した本発明
によるダブルヘテロ接合型半導体発光素子の場合と同様
に、ｌｎ　　　　ＧａＯ，０３９０，９６１ Ａｓでなることから、第１、第２及び第３の半導体結晶
層２．３及び４と半導体結晶基板１とが、第１図で上述
した本発明によるダブルヘテロ接合型半導体発光素子の
場合と同様に、互に格子整合するに十分な互にほぼ等し
い格子定数を有する。 また、第１及び第２のクラッド層としての第１及び第３
の半導体結晶層２及び４が、ＺｎＳｅでなることから、
ｐ型及びｐ型を与える不純物を、第１図で上述した本発
明によるダブルヘテロ接合型半導体発光素子の場合と同
様に比較的高濃度にそれぞれ導入させることができ、よ
って、第１及び第２のクラッド層としての第１及び第３
の半導体結晶層を、第１図で上述した本発明によるダブ
ルへゾロ接合型半導体発光素子の場合と同様に、比較的
低い比抵抗を有するものとすることができる。　以上の
ことから、本発明によるダブルヘテロ接合型半導体発光
素子の第２の実施例によれば、第１及び第２のクラッド
層としての第１及び第３の半導体結晶層が、活性層とし
ての第１の半導体結晶層３とともに半導体結晶基板１と
格子整合していること、第１のクラッド層としての第１
の半導体結晶層２及び第２のクラッド層としての第３の
半導体結晶層４が比較的低い比抵抗を呈していることと
を第１図で上述した本発明によるダブルヘテロ接合型半
導体発光素子の場合と同様に、同時に十分満足し、しか
しながら緑色光でなる可視短波長を有する発光を得るこ
とができる。 なお、上述においては、本発明によるダブルヘテロ接合
型半導体発光素子の３つの実施例を示したに留まり、第
１のクラッド層としての第１の半導体結晶層２と半導体
結晶基板１との間に第１の導電型としてのｐ型を有する
バツ゛ノア層としｒのＺｎＳｅまたはＩｎ　　Ｇａ１−
ｘＡｓ× 系乃至Ｚｎ　（ＳｗＳｅ１−ｗ）系でなる半導体結晶層
が介挿されていたり、第２のクラッド層としての第３の
半導体結晶層３と電極層７との間にｐ１型を有する電極
付用層としてのＺｎＳｅまたはｌｎ　　Ｇａ１−ｘＡｓ
系乃至Ｚｎ　（ＳｗＳｅ１−ｗ）系でなる半導体結晶層
が介挿されていたりする構成とすることもでき、また、
上述した実施例において、半導体結晶基板１としてＺｎ
Ｓｅを用いて上述したと同様の作用・効果を得ることも
でき、さらに上述した半導体材料の組成を変更して、緑
色光を発光できるものとしたりすることもでき、さらに
、上述した実施例において、ｐ型をｎ型、ｎ型をｐ型と
読み替えた構成とすることもでき、その他、本発明の精
神を脱することなしに、種々の変型、変更をなし得るで
あろう。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明によるダブルヘテロ接合型半導体発光
素子の第１の実施例を示す路線的断面図である。 第２図は、その説明に供する各種半導体材料の格子定数
（入）に対するエネルギバンドギャップの関係を示す図
である。 １・・・・・・・・・・・・・・・半導体結晶基板２・
・・・・・・・・・・・・・・第１のクラッド層として
の第１の半導体結晶層 ３・・・・・・・・・・・・・・・活性層としての第２
の半導体結晶層 ４・・・・・・・・・・・・・・・第２のクラッド層と
しての第２の半導体結晶層 ５・・・・・・・・・・・・・・・半導体積層体６．７
・・・・・・・・・電極層 格子定数（ス）

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 　第１の導電型を有する半導体結晶基板上に、第１の導
   電型を有する第１のクラッド層としての第１の半導体結
   晶層と、第１の導電型を与える不純物または第１の導電
   型とは逆の第２の導電型を与える不純物のいずれも意図
   的に導入させていないか導入させているとしても十分低
   い濃度でしか導入させていず且つ上記第１の半導体結晶
   層に比し狭いエネルギバンドギャップを有する活性層と
   しての第２の半導体結晶層と、第２の導電型を有し且つ
   上記第２の半導体結晶層に比し拡いエネルギバンドギャ
   ップを有する第２のクラッド層としての第３の半導体結
   晶層とがそれらの順に積層されている構成を有する半導
   体積層体が形成され、 上記半導体結晶基板の上記半導体積層体側とは反対側の
   面上に第１の電極層がオーミックに付され、 上記半導体積層体の上記半導体結晶基板側とは反対側の
   面上に第２の電極層がオーミックに付されている構成を
   有するダブルヘテロ接合型半導体発光素子において、 上記半導体結晶基板が、ＺｎＳｅまたはＩｎ＿ｘＧａ＿
   １＿−＿ｘＡｓ（ただし、０≦ｘ＜１）でなり、上記第
   １及び第３の半導体結晶層が、Ｚｎ （Ｓ＿ｗＳｅ＿１＿−＿ｗ）（ただし、０≦ｗ＜１）で
   なり、 上記第２の半導体結晶層が、（Ｈｇ＿ｙＺｎ＿１＿−＿
   ｙ）（Ｓ＿ｚＳｅ＿１＿−＿ｚ）（ただし、０＜ｙ＜１
   、０≦ｚ＜１）でなることを特徴とするダブルヘテロ接
   合型半導体発光素子。