JPS58205333A - スイツチングトランジスタの保護回路 - Google Patents
スイツチングトランジスタの保護回路Info
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- JPS58205333A JPS58205333A JP58078857A JP7885783A JPS58205333A JP S58205333 A JPS58205333 A JP S58205333A JP 58078857 A JP58078857 A JP 58078857A JP 7885783 A JP7885783 A JP 7885783A JP S58205333 A JPS58205333 A JP S58205333A
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- voltage
- input terminal
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/08—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
- H03K17/081—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit
- H03K17/0812—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the control circuit
- H03K17/08126—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the control circuit in bipolar transitor switches
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- Dc-Dc Converters (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
- Pharmaceuticals Containing Other Organic And Inorganic Compounds (AREA)
- Power Conversion In General (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、スイッチングトランジスタ用の駆動パルスを
遮断する遮断装置を備え、この遮断装置は比較器によっ
て駆動され、その比較器はスイッチングトランジスタの
電圧を基準電圧と比較し、スイッチングトランジスタの
過負荷の際に前記駆動パルスを遮断するスイッチングト
ランジスタの保護回路に関するものである。
遮断する遮断装置を備え、この遮断装置は比較器によっ
て駆動され、その比較器はスイッチングトランジスタの
電圧を基準電圧と比較し、スイッチングトランジスタの
過負荷の際に前記駆動パルスを遮断するスイッチングト
ランジスタの保護回路に関するものである。
この種の保護回路は雑誌[EIektronikJ 1
980年、第25号、第46〜47ページにより公知で
ある。この種の保護回路によって、スイッチングトラン
ジスタは飽和状態になったかどうかについて監視される
。すなわち、スイッチングトランジスタのコレクタ・エ
ミッタ間電圧がトランジスタの飽和の際に生じる値を超
えたかどうかが調べられる。その結果、スイッチングト
ランジスタは短絡や過負荷から保護される。すなわち公
知の保護回路では、スイッチングトランジスタのコレク
タ・エミッタ区間に生じる電圧を比較器において飽和値
に対応する基準電圧と比較し、スイッチングトランジス
タのコレクタ・エミッタ間電圧が飽和値を超えたとき駆
動パルスを遮断する。
980年、第25号、第46〜47ページにより公知で
ある。この種の保護回路によって、スイッチングトラン
ジスタは飽和状態になったかどうかについて監視される
。すなわち、スイッチングトランジスタのコレクタ・エ
ミッタ間電圧がトランジスタの飽和の際に生じる値を超
えたかどうかが調べられる。その結果、スイッチングト
ランジスタは短絡や過負荷から保護される。すなわち公
知の保護回路では、スイッチングトランジスタのコレク
タ・エミッタ区間に生じる電圧を比較器において飽和値
に対応する基準電圧と比較し、スイッチングトランジス
タのコレクタ・エミッタ間電圧が飽和値を超えたとき駆
動パルスを遮断する。
しかし、この公知の保護回路においては次のような問題
がある。それは、スイッチングトランジスタ投入の際、
コレクタ・エミッタ間電圧が比較的緩慢に下降し、ある
一定の遅れ時間の後始めて低い定常値K”達することで
ある@この遅れ時間中に保護回路が動作するのを防止す
るためには、保護回路が対応する遅れを持たなければな
らない。
がある。それは、スイッチングトランジスタ投入の際、
コレクタ・エミッタ間電圧が比較的緩慢に下降し、ある
一定の遅れ時間の後始めて低い定常値K”達することで
ある@この遅れ時間中に保護回路が動作するのを防止す
るためには、保護回路が対応する遅れを持たなければな
らない。
しかし、この遅れは短絡事故が起こったときの遮断時に
も作用するので、短絡電流は遅れ時間中も抑制されるこ
となく増加するおそれがある。スイッチングトランジス
タが大きなペース電流で駆動されたり、あるいは高増幅
率のダーリントン回路が用いられている場合には、短絡
電流はしばしば、スイッチングトランジスタの動作時間
中にある制約された短絡回数に対してのみ許される値を
超えてしまうことがある。
も作用するので、短絡電流は遅れ時間中も抑制されるこ
となく増加するおそれがある。スイッチングトランジス
タが大きなペース電流で駆動されたり、あるいは高増幅
率のダーリントン回路が用いられている場合には、短絡
電流はしばしば、スイッチングトランジスタの動作時間
中にある制約された短絡回数に対してのみ許される値を
超えてしまうことがある。
したがって本発明の目的は、冒頭に述べたような保護回
路を、応答遅れが全くないか、もしくは極めてわずかし
かないように構成することに、ある。
路を、応答遅れが全くないか、もしくは極めてわずかし
かないように構成することに、ある。
この目的は本発明によれば、比較器がスイッチングトラ
ンジスタのペース・エミッタ間電圧を基準電圧と比較す
るように構成することによって達成される。
ンジスタのペース・エミッタ間電圧を基準電圧と比較す
るように構成することによって達成される。
本発明によれば、公知の装置のように短絡時のスイッチ
ングトランジスタのコレクターエミッタ間電圧の上昇を
遮断規準として用いるのではなく、ベース・エミッタ間
電圧の上昇が用いられる。すなわち、スイッチングトラ
ンジスタにおいては、コレクタ電流の増大とともに、コ
レクタ・エミッタ間電圧のみならず、一定のペース電流
のもとではベース・エミッタ間電圧も上昇する。短絡の
ない通常運転でベース・エミッタ間電圧は投入パルスの
供給とほとんど同時に定常値に達する。すなわちベース
・エミッタ間電圧はコレクタ・エミッタ間電圧とは異な
り、投入相の始まりで上昇した値に達する。そのため本
発明の保護回路では応答遅れが全く無くなるか、または
ベース・エミッタ間の導通特性によって条件づけられた
極めてわずかな応答遅れしか生じない。ベース・エミッ
タ間電圧の上昇はコレクタ電流の増大にほぼ遅れ無しに
追従するので、すなわち短絡電流はほとんど遅れなしに
検出されるので、本発明の保護回路によれば、短絡の際
に非常に急速な遮断を達成することができる。したがっ
て短絡電流は上昇速度の高い場合でも、周期的な過電流
運転に対しても許容される値に制限することができる0
本発明の保護回路では最短の投入時間または遮断時間に
ついての条件を考慮しなくてもよい。そのことは公知の
装置では応答遅延回路のコンデンサの充電のために必要
であった。さらに本発明の保護回路では非常に大きな値
をとり得るコレクタ電圧を測定しなくてもよく、低い、
したがって監視用電子回路で簡単に処理できるベース電
圧を測定すればよい。
ングトランジスタのコレクターエミッタ間電圧の上昇を
遮断規準として用いるのではなく、ベース・エミッタ間
電圧の上昇が用いられる。すなわち、スイッチングトラ
ンジスタにおいては、コレクタ電流の増大とともに、コ
レクタ・エミッタ間電圧のみならず、一定のペース電流
のもとではベース・エミッタ間電圧も上昇する。短絡の
ない通常運転でベース・エミッタ間電圧は投入パルスの
供給とほとんど同時に定常値に達する。すなわちベース
・エミッタ間電圧はコレクタ・エミッタ間電圧とは異な
り、投入相の始まりで上昇した値に達する。そのため本
発明の保護回路では応答遅れが全く無くなるか、または
ベース・エミッタ間の導通特性によって条件づけられた
極めてわずかな応答遅れしか生じない。ベース・エミッ
タ間電圧の上昇はコレクタ電流の増大にほぼ遅れ無しに
追従するので、すなわち短絡電流はほとんど遅れなしに
検出されるので、本発明の保護回路によれば、短絡の際
に非常に急速な遮断を達成することができる。したがっ
て短絡電流は上昇速度の高い場合でも、周期的な過電流
運転に対しても許容される値に制限することができる0
本発明の保護回路では最短の投入時間または遮断時間に
ついての条件を考慮しなくてもよい。そのことは公知の
装置では応答遅延回路のコンデンサの充電のために必要
であった。さらに本発明の保護回路では非常に大きな値
をとり得るコレクタ電圧を測定しなくてもよく、低い、
したがって監視用電子回路で簡単に処理できるベース電
圧を測定すればよい。
本発明の保護回路は、基準電圧としてツェナー電圧を有
するツェナーダイオードを比較器とし、そのツェナーダ
イオードの一端をスイッチングトランジスタのベースに
接続し、他端を遮断用トランジスタのベースに接続する
ことKよって得られる。この構成によれば、短絡時にス
イッチングトランジスタは完全には遮断されず、スイッ
チングトランジスタを流れる電流を許容値に制限する。
するツェナーダイオードを比較器とし、そのツェナーダ
イオードの一端をスイッチングトランジスタのベースに
接続し、他端を遮断用トランジスタのベースに接続する
ことKよって得られる。この構成によれば、短絡時にス
イッチングトランジスタは完全には遮断されず、スイッ
チングトランジスタを流れる電流を許容値に制限する。
しかし完全な遮断は併設のユニット、例えば調節装置に
よって行うことができる。
よって行うことができる。
比較器と遮断装置との間にメモリーを接続すれば嘱保護
回路によるスイッチングトランジスタの遮断を完全にす
ることができる。このメモリーのリセットのために、メ
モリーのクロックパルス側縁制御されるリセット入力端
に駆動パルスを入力することができる。こうすることに
よって遮断状態を、短絡電流を生じさせる駆動パルスの
消滅によって、または新たな駆動パルスの発生によって
、再び除去することができる。
回路によるスイッチングトランジスタの遮断を完全にす
ることができる。このメモリーのリセットのために、メ
モリーのクロックパルス側縁制御されるリセット入力端
に駆動パルスを入力することができる。こうすることに
よって遮断状態を、短絡電流を生じさせる駆動パルスの
消滅によって、または新たな駆動パルスの発生によって
、再び除去することができる。
遮断装置に特別なメモリーを前置する代りに、比較器に
も記憶作用を遂行するためにその出力端子と入力端子と
の間に帰還ダイオードを配置することができる。すなわ
ち、そうすることによって比較器が一度応答したとき、
比較器はリセットされるまで応答状態に保たれる。
も記憶作用を遂行するためにその出力端子と入力端子と
の間に帰還ダイオードを配置することができる。すなわ
ち、そうすることによって比較器が一度応答したとき、
比較器はリセットされるまで応答状態に保たれる。
メモリー作用を有する比較器のリセットは、駆動パルス
がダイ・オード、および抵抗を並列に接続したコンデン
サを介して比較器の入力端子に入力され、その結果駆動
パルスの側縁で比較器をリセットすることによって行う
ことができる。
がダイ・オード、および抵抗を並列に接続したコンデン
サを介して比較器の入力端子に入力され、その結果駆動
パルスの側縁で比較器をリセットすることによって行う
ことができる。
スイッチングトランジスタのコレクタ・エミッタ区間が
ダイオードおよびコンデンサの直列回W&によって橋絡
され、駆動パルスが抵抗を介してダイオードとコンデン
サとの接続点に入力され、そのダイオードとコンデンサ
との接続点が比較器の比較入力端子に接続されている保
護回路においては、前記接続点およびスイッチングトラ
ンジスタのベースを、減給、合ダイオードを介して比較
器の同一比較入力端子に接続することができる。この保
護回路ではスイッチングトランジスタのベース・エミッ
タ間電圧もコレクタ・エミッタ間電圧も監視される。ベ
ース・エミッタ間電圧しか監視しなければ、短絡は検知
できるが、過負荷を検知することはできない。すなわち
、スイッチングトランジスタの過負荷は負荷回路の電流
増加によってのみならず、例えばスイッチングトランジ
スタのコレクタ・エミッタ区間に過少ペース電流によっ
て一ス電圧の監視によって短絡時の急速保護を達成でき
、またエミッタ・コレクタ間電圧の監視によつて考え得
るほとんどあらゆる過電流に対する確実な保護を達成す
ることができる。
ダイオードおよびコンデンサの直列回W&によって橋絡
され、駆動パルスが抵抗を介してダイオードとコンデン
サとの接続点に入力され、そのダイオードとコンデンサ
との接続点が比較器の比較入力端子に接続されている保
護回路においては、前記接続点およびスイッチングトラ
ンジスタのベースを、減給、合ダイオードを介して比較
器の同一比較入力端子に接続することができる。この保
護回路ではスイッチングトランジスタのベース・エミッ
タ間電圧もコレクタ・エミッタ間電圧も監視される。ベ
ース・エミッタ間電圧しか監視しなければ、短絡は検知
できるが、過負荷を検知することはできない。すなわち
、スイッチングトランジスタの過負荷は負荷回路の電流
増加によってのみならず、例えばスイッチングトランジ
スタのコレクタ・エミッタ区間に過少ペース電流によっ
て一ス電圧の監視によって短絡時の急速保護を達成でき
、またエミッタ・コレクタ間電圧の監視によつて考え得
るほとんどあらゆる過電流に対する確実な保護を達成す
ることができる。
比較器の出力端子と基準電圧が入力される比較入力端子
との間に帰還コンデンサを接続することができる。この
ような構成の比較器によれば、遮断指令をある一定の最
小時間保持し7ておくことができる。その最小時間の経
過後、例えば附加的なコレクタ・エミッタ間電圧の監視
によりスイッチングトランジスタを最終的に遮断するこ
とができる。
との間に帰還コンデンサを接続することができる。この
ような構成の比較器によれば、遮断指令をある一定の最
小時間保持し7ておくことができる。その最小時間の経
過後、例えば附加的なコレクタ・エミッタ間電圧の監視
によりスイッチングトランジスタを最終的に遮断するこ
とができる。
次に本発明の実施例を詳細に説明する。
第1図は本発明による保護回路の概略基本構成を示すも
のである。負荷5がスイッチングトランジスタ1と直列
にして電源UVに接続されている。
のである。負荷5がスイッチングトランジスタ1と直列
にして電源UVに接続されている。
負荷5が短絡されるか過小抵抗を持つと、許容限度を超
えた大きな電流がスイッチングトランジスタlを通って
流れ、これを破壊に到らせるおそれがある。これを防止
するために本発明による保護口′路が設けられる。以下
に述べる本発明の保護回路は、スイッチングトランジス
タ10代りにダーリントン接続のトランジスタ装置が用
いられる場合にも同様に適用可能である。
えた大きな電流がスイッチングトランジスタlを通って
流れ、これを破壊に到らせるおそれがある。これを防止
するために本発明による保護口′路が設けられる。以下
に述べる本発明の保護回路は、スイッチングトランジス
タ10代りにダーリントン接続のトランジスタ装置が用
いられる場合にも同様に適用可能である。
スイッチングトランジスタ1のベースには遮断装置4を
介して駆動パルスが導かれる。遮断装置4は事故時だス
イッチングトランジスタ1に対する投入パルスを阻止す
るか、短絡する。遮断装置4は比較器2によって制御さ
れ、比較器2はトランジスタ1のベース・エミッタ間電
圧UBEを基準電圧Uref と比較する。比較器2
にはメモリー3が後置されており、メモリー3は比較器
2の出力端から出力される遮断信号を記憶する。メモリ
ー3の出力端は遮断装置4の阻止入力端子SPに接続さ
れて、いる。第1図の実施例の場合、スイッチングトラ
ンジスタIK、対する駆動パルスはメモリー3のリセッ
ト入力端子にも導かれている。
介して駆動パルスが導かれる。遮断装置4は事故時だス
イッチングトランジスタ1に対する投入パルスを阻止す
るか、短絡する。遮断装置4は比較器2によって制御さ
れ、比較器2はトランジスタ1のベース・エミッタ間電
圧UBEを基準電圧Uref と比較する。比較器2
にはメモリー3が後置されており、メモリー3は比較器
2の出力端から出力される遮断信号を記憶する。メモリ
ー3の出力端は遮断装置4の阻止入力端子SPに接続さ
れて、いる。第1図の実施例の場合、スイッチングトラ
ンジスタIK、対する駆動パルスはメモリー3のリセッ
ト入力端子にも導かれている。
1
次に第2図および第3図の特性図を参照して第1図の装
置の動作を説明する。第2図はコレクタ・エミッタ間電
圧UcEとコレクタ電流Icとの関係を、ベース電流■
Bをパラメータとし1示すものである0ここで太線の囲
み部分はコレクタ電流ICおよびコレクタ・エミッタ間
電圧UcEの組合せに対する許容範囲を表わしている。
置の動作を説明する。第2図はコレクタ・エミッタ間電
圧UcEとコレクタ電流Icとの関係を、ベース電流■
Bをパラメータとし1示すものである0ここで太線の囲
み部分はコレクタ電流ICおよびコレクタ・エミッタ間
電圧UcEの組合せに対する許容範囲を表わしている。
この許容範囲は、ハツチングを施し周期的に使用が許さ
れる範囲と、ハツチングを施していない、限定された回
数N1例えばN<3000の回数だけ利用可能な範囲と
に分けられる。さらに種々の許容投入時間、例えば20
μsあるいは10μS1に対する範囲が示されている。
れる範囲と、ハツチングを施していない、限定された回
数N1例えばN<3000の回数だけ利用可能な範囲と
に分けられる。さらに種々の許容投入時間、例えば20
μsあるいは10μS1に対する範囲が示されている。
保護回路の目的は、トランジスタ1が許容運転範囲、し
たがってできるだけハツチングを施した運転範囲を離れ
ないようにす、ることである。それ故スイッチングトラ
ンジスタ1がオン状態にあるとき、例えば負荷5の短絡
によってコレクタ電流Icが増大すると、スイッチング
トランジスタ1は、コレクタ電流ICが当該コレクタ・
エミッタ間電圧UcEとそのときのペース電流IBとK
よって定まる最大コレクタ電流I。を超える前に遮断さ
れなければならない。
たがってできるだけハツチングを施した運転範囲を離れ
ないようにす、ることである。それ故スイッチングトラ
ンジスタ1がオン状態にあるとき、例えば負荷5の短絡
によってコレクタ電流Icが増大すると、スイッチング
トランジスタ1は、コレクタ電流ICが当該コレクタ・
エミッタ間電圧UcEとそのときのペース電流IBとK
よって定まる最大コレクタ電流I。を超える前に遮断さ
れなければならない。
この種の事故に対する規準として本発明の保護回路にお
いてはベース・エミッタ間電圧UBEの上昇が用いられ
る。すなわち、第3図の典型的なIB/UBB特性が示
すよつに、ペース電流■B一定の場合コレクタ電流■c
の増大と共にベース・エミッタ間電圧UBEも上昇する
。この電圧上昇はコレクタ電流ICの最大には比例しな
いが、少なくとも短絡事故を検知するのには十分である
。
いてはベース・エミッタ間電圧UBEの上昇が用いられ
る。すなわち、第3図の典型的なIB/UBB特性が示
すよつに、ペース電流■B一定の場合コレクタ電流■c
の増大と共にベース・エミッタ間電圧UBEも上昇する
。この電圧上昇はコレクタ電流ICの最大には比例しな
いが、少なくとも短絡事故を検知するのには十分である
。
すなわち第1図の回路では基準電圧Urefの選定は、
一定のペース電流IBのもとではベース・エミッタ電圧
UBEが基準電圧Urefを常に下まわるが短絡時には
その基準電圧Urefを上まわり、それにより遮断装置
4を介して、スイッチングトランジスタ1に加わる投入
パルスを消滅させるようにすればよい。ベース・エミッ
タ区間は注入ペース電流をほとんど遅れなしに流すので
、ベース電流■Bを流したときベース・エミッタ間電圧
UBEの動的な過振動が生じないので、遮断は一般に遅
れなしに行うことができる。場合によって必要な小さな
遅れは第1図には示されていない小さな時定数のR,C
’回路によって得ることができる。
一定のペース電流IBのもとではベース・エミッタ電圧
UBEが基準電圧Urefを常に下まわるが短絡時には
その基準電圧Urefを上まわり、それにより遮断装置
4を介して、スイッチングトランジスタ1に加わる投入
パルスを消滅させるようにすればよい。ベース・エミッ
タ区間は注入ペース電流をほとんど遅れなしに流すので
、ベース電流■Bを流したときベース・エミッタ間電圧
UBEの動的な過振動が生じないので、遮断は一般に遅
れなしに行うことができる。場合によって必要な小さな
遅れは第1図には示されていない小さな時定数のR,C
’回路によって得ることができる。
ペース・エミッタ間電圧UBEはコレクタ電流■cに実
用上遅れなしに追従するので、短絡時にはスイッチング
トランジスタ1の急速遮断が可能であり、その結果短絡
電流が非常に大きな上昇速度を持っている場合でも、ス
イッチングトランジスタの周期的なスイッチング過程に
対して許容されるハツチングで示し7た動作範囲を超え
ることはない。
用上遅れなしに追従するので、短絡時にはスイッチング
トランジスタ1の急速遮断が可能であり、その結果短絡
電流が非常に大きな上昇速度を持っている場合でも、ス
イッチングトランジスタの周期的なスイッチング過程に
対して許容されるハツチングで示し7た動作範囲を超え
ることはない。
極めて単純な実施例が第4図に示されている。
ここでは比較器は第1図の基準電相に相当するツェナー
電圧を有するツェナーダイオード6によって構成されて
いる。ツェナーダイオード6のカソードは逆極性のダイ
オード9を介してスイッチングトランジスタ10ベース
に接続され、ツェナーダイオード6のアノードは抵抗8
を介してスイッチングトランジスタ1のエミッタに接続
されている。遮断装置として遮断トランジスタ7が設け
られており、その遮断トランジスタ7のコレクタはツェ
ナーダイオード6のカソードに接続され、エミッタはス
イッチングトランジスタlのエミッタに接続され、ペー
スはツェナーダイオード6のアノードに接続されている
。この装置ではスイッチングトランジスタlの監視すべ
きペース・エミッタ間電圧UBEがツェナーダイオード
6のツェナー電圧を超えると、このツェナーダイオード
6が導通して抵抗8に電圧降下を生じる。この電圧降下
により遮断トランジスタ7が導通し、ダイオード9を介
してスイッチングトランジスタ1のペース電流をエミッ
タに導く。したがってスイッチングトランジスタ1のペ
ース・エミッタ間電圧は、ダイオード9のしきい値電圧
とツェナーダイオード6のツェナー電圧との和に相当す
る値に制限される。さらに第3図の特性に基づいてコレ
クタ電流も許容値に制限される。その場合スイッチング
トランジスタ1の完全な遮断は行われないが、トランジ
スタは許容動作範囲内にとどまる。
電圧を有するツェナーダイオード6によって構成されて
いる。ツェナーダイオード6のカソードは逆極性のダイ
オード9を介してスイッチングトランジスタ10ベース
に接続され、ツェナーダイオード6のアノードは抵抗8
を介してスイッチングトランジスタ1のエミッタに接続
されている。遮断装置として遮断トランジスタ7が設け
られており、その遮断トランジスタ7のコレクタはツェ
ナーダイオード6のカソードに接続され、エミッタはス
イッチングトランジスタlのエミッタに接続され、ペー
スはツェナーダイオード6のアノードに接続されている
。この装置ではスイッチングトランジスタlの監視すべ
きペース・エミッタ間電圧UBEがツェナーダイオード
6のツェナー電圧を超えると、このツェナーダイオード
6が導通して抵抗8に電圧降下を生じる。この電圧降下
により遮断トランジスタ7が導通し、ダイオード9を介
してスイッチングトランジスタ1のペース電流をエミッ
タに導く。したがってスイッチングトランジスタ1のペ
ース・エミッタ間電圧は、ダイオード9のしきい値電圧
とツェナーダイオード6のツェナー電圧との和に相当す
る値に制限される。さらに第3図の特性に基づいてコレ
クタ電流も許容値に制限される。その場合スイッチング
トランジスタ1の完全な遮断は行われないが、トランジ
スタは許容動作範囲内にとどまる。
第5図に他の実施例が示されている。この実施例はほぼ
第1図の回路に対応するが、特別なメモリー3は設けら
れておらず、比較器2自体がメモリー機能を持っている
。それは比較器2の正入力端子と出力端子との間にダイ
オード2aと抵抗2bとの直列回路を接続することによ
って行われる。
第1図の回路に対応するが、特別なメモリー3は設けら
れておらず、比較器2自体がメモリー機能を持っている
。それは比較器2の正入力端子と出力端子との間にダイ
オード2aと抵抗2bとの直列回路を接続することによ
って行われる。
比較器2の負入力端子にはスイッチングトランジスタ1
のペース−エミッタ間電圧が、比較器2の正入力端子に
は抵抗14を介して基準電圧Urefがかかる0ペース
・エミッタ間電圧UBEが基準電圧Urefを下まわっ
ている限り、比較器2の出力電圧は正であり、帰還回路
はダイオード2aによってブロックされている。しかし
、スイッチングトランジスタ1のペース・エミッタ間電
圧が基準電圧Urefよりも高くなると、比較器2の出
力電圧が負になり、遮断装置4を介して、到来する投入
パルスを遮断する。さらにその負電圧は抵抗2bおよび
この場合導通方向にあるダイオード2aを介して比較器
2の正入力端子に帰還され、その結果、比較器2の負の
出力電圧は、スイッチングトランジスタlのペース・エ
ミッタ間電圧が遮断装置の動作により零になったときも
なお維持される。比較器2によって構成されたメモリー
を再びリセットするために、その正入力端子に、ダイオ
ード10.抵抗12によって橋絡されるコンデンサ11
、および抵抗13の直列回路を介してさらに駆動パルス
が入力される。短絡が除去されたら、すなわち比較器2
の負入力端子に電圧がもはやかからないと、駆動パルス
の次の立上がりによって」二連の直列回路を介して正の
パルスが、抵抗2bとダイオード2aによる帰還のだめ
になお負の状態にある比較器2の正入力端子に伝達され
る。それ故、この正入力端子は短時間正になり、その結
果自己保持作用が止揚され、遮断装置に対する阻止信号
が除去される。
のペース−エミッタ間電圧が、比較器2の正入力端子に
は抵抗14を介して基準電圧Urefがかかる0ペース
・エミッタ間電圧UBEが基準電圧Urefを下まわっ
ている限り、比較器2の出力電圧は正であり、帰還回路
はダイオード2aによってブロックされている。しかし
、スイッチングトランジスタ1のペース・エミッタ間電
圧が基準電圧Urefよりも高くなると、比較器2の出
力電圧が負になり、遮断装置4を介して、到来する投入
パルスを遮断する。さらにその負電圧は抵抗2bおよび
この場合導通方向にあるダイオード2aを介して比較器
2の正入力端子に帰還され、その結果、比較器2の負の
出力電圧は、スイッチングトランジスタlのペース・エ
ミッタ間電圧が遮断装置の動作により零になったときも
なお維持される。比較器2によって構成されたメモリー
を再びリセットするために、その正入力端子に、ダイオ
ード10.抵抗12によって橋絡されるコンデンサ11
、および抵抗13の直列回路を介してさらに駆動パルス
が入力される。短絡が除去されたら、すなわち比較器2
の負入力端子に電圧がもはやかからないと、駆動パルス
の次の立上がりによって」二連の直列回路を介して正の
パルスが、抵抗2bとダイオード2aによる帰還のだめ
になお負の状態にある比較器2の正入力端子に伝達され
る。それ故、この正入力端子は短時間正になり、その結
果自己保持作用が止揚され、遮断装置に対する阻止信号
が除去される。
もう一つの実施例が第6図に示されている。ここではス
イッチングトランジスタ1のペース・エミッタ区間にダ
イオード2oとコンデンサ21との直列回路が並列に接
続されている。ダイオード20とコンデンサ21との接
続点は比較器2の負入力端子に接続されている。比較器
2の出力端子は抵抗22を介して、遮断装置として用い
られる遮断トランジスタ4のペースに接続されている0
この遮断トランジスタ4のコレクタ・エミッタ区間はス
イッチングトランジスタエのベース−エミッタ区間に並
列に接続されている。比較器2の正入力端子には抵抗1
4を介して基準電圧Urefが入力される。比較器2の
出力端子と正入力端子との間の帰還回路にはコンデンサ
2Cが挿入されている。第6図の回路は第1図の回路と
同様の動作をすでに述べたと同様に行うが、コンデンサ
21により遮断装置に対してわずかな応答遅れが生じる
ようKしている。帰還コンデンサ2cKより、このコン
デンサ2Cと抵抗14とからなるRC回路の時定数によ
って決定される時間の間、比較器2の自己保持が得られ
る。こうすることによって、遮断装置が動作したとき、
例えば5〜1oマイク【1秒というような最小遮断時間
を得る。
イッチングトランジスタ1のペース・エミッタ区間にダ
イオード2oとコンデンサ21との直列回路が並列に接
続されている。ダイオード20とコンデンサ21との接
続点は比較器2の負入力端子に接続されている。比較器
2の出力端子は抵抗22を介して、遮断装置として用い
られる遮断トランジスタ4のペースに接続されている0
この遮断トランジスタ4のコレクタ・エミッタ区間はス
イッチングトランジスタエのベース−エミッタ区間に並
列に接続されている。比較器2の正入力端子には抵抗1
4を介して基準電圧Urefが入力される。比較器2の
出力端子と正入力端子との間の帰還回路にはコンデンサ
2Cが挿入されている。第6図の回路は第1図の回路と
同様の動作をすでに述べたと同様に行うが、コンデンサ
21により遮断装置に対してわずかな応答遅れが生じる
ようKしている。帰還コンデンサ2cKより、このコン
デンサ2Cと抵抗14とからなるRC回路の時定数によ
って決定される時間の間、比較器2の自己保持が得られ
る。こうすることによって、遮断装置が動作したとき、
例えば5〜1oマイク【1秒というような最小遮断時間
を得る。
すでに述べたように、スイッチングトランジスタ10ペ
ース・エミッタ間電圧を監視することによって実質的に
短絡事故のみが検知され得るので、第6図の保護回路に
はコレクタ・エミッタ間電圧の上昇に応動する第2の遮
断装置が設けられている。すなわちスイッチングトラン
ジスタ1のコレクタ・エミッタ間にダイオード15とコ
ンデンサ16との直列回路が接続されてお9、ダイオー
ドンサ16の接続点には抵抗17を介して駆動ノ<ルス
が入力されるOさらにこの接続点は抵抗18およびダイ
オード19を介して比較器2の負入力端子と接続されて
いる。
ース・エミッタ間電圧を監視することによって実質的に
短絡事故のみが検知され得るので、第6図の保護回路に
はコレクタ・エミッタ間電圧の上昇に応動する第2の遮
断装置が設けられている。すなわちスイッチングトラン
ジスタ1のコレクタ・エミッタ間にダイオード15とコ
ンデンサ16との直列回路が接続されてお9、ダイオー
ドンサ16の接続点には抵抗17を介して駆動ノ<ルス
が入力されるOさらにこの接続点は抵抗18およびダイ
オード19を介して比較器2の負入力端子と接続されて
いる。
この保護回路に投入パルスが到来すると、抵抗17を介
してコンデンサ16が充電される。しかし、−事故の無
い運転状態ではコンデンサ16の電圧は、比較器2を駆
動制御するのには十分な値に達していない。すなわち、
投入パルスの到来後ある一定の遅れ時間が経過してスイ
ッチングトランジスタlがオンになり、コンデンサ16
はダイオード15およびスイッチングトランジスタ1を
介して同トランジスタ1のコレクタ・エミッタ間電圧に
まで放電される。事故でないときに投入パルスにより比
較器2が動作しないように保証するために、抵抗17お
よびコンデンサ16によって構成されるRC回路の時定
数はスイッチングトランジスタlの投入時間よりも長く
なければならない。
してコンデンサ16が充電される。しかし、−事故の無
い運転状態ではコンデンサ16の電圧は、比較器2を駆
動制御するのには十分な値に達していない。すなわち、
投入パルスの到来後ある一定の遅れ時間が経過してスイ
ッチングトランジスタlがオンになり、コンデンサ16
はダイオード15およびスイッチングトランジスタ1を
介して同トランジスタ1のコレクタ・エミッタ間電圧に
まで放電される。事故でないときに投入パルスにより比
較器2が動作しないように保証するために、抵抗17お
よびコンデンサ16によって構成されるRC回路の時定
数はスイッチングトランジスタlの投入時間よりも長く
なければならない。
事故、例えばスイッチングトランジスタ1のペース電流
が小さすぎることによってスイッチングトランジスタ1
のコレクタ・エミッタ間電圧が上昇すると、コンデンサ
16が抵抗17を介してそれて対応する電圧にまで充電
され、結局、抵抗18および減結合ダイオード19を介
して比較器2が駆動制御され、遮断トランジスタ4を介
してスイッチングトランジスタIt−’J断する。しか
し、この遮断は、投入過程に必要なコンデンサ16およ
び抵抗17からなるRC回路によって同様に遅延させら
れる。スイッチングトランジスタ1を遮断するとコレク
タ・エミッタ間電圧がさらに上昇し、まずなおも投入パ
ルスが抵抗17にかかるので、コンデンサ16は高い電
圧に充電される状態を続ける0それによりスイッチング
トランジスタ1は、投入パルスが消滅し、コンデンサ1
6が抵抗17を介して放電されるので遮断状態に保たれ
る。このようにコレクタ・エミッタ間電圧の監視を行う
この回路装置は、投入パルスの消滅によって再び解かれ
る自己保持特性を持っている。
が小さすぎることによってスイッチングトランジスタ1
のコレクタ・エミッタ間電圧が上昇すると、コンデンサ
16が抵抗17を介してそれて対応する電圧にまで充電
され、結局、抵抗18および減結合ダイオード19を介
して比較器2が駆動制御され、遮断トランジスタ4を介
してスイッチングトランジスタIt−’J断する。しか
し、この遮断は、投入過程に必要なコンデンサ16およ
び抵抗17からなるRC回路によって同様に遅延させら
れる。スイッチングトランジスタ1を遮断するとコレク
タ・エミッタ間電圧がさらに上昇し、まずなおも投入パ
ルスが抵抗17にかかるので、コンデンサ16は高い電
圧に充電される状態を続ける0それによりスイッチング
トランジスタ1は、投入パルスが消滅し、コンデンサ1
6が抵抗17を介して放電されるので遮断状態に保たれ
る。このようにコレクタ・エミッタ間電圧の監視を行う
この回路装置は、投入パルスの消滅によって再び解かれ
る自己保持特性を持っている。
すなわち上述の回路装置においては、短絡事故の際にベ
ース・エミッタ間電圧の監視によってスイッチングトラ
ンジスタ1を極めて単連に遮断することができる0なお
、コンデンサ2Cによって設定される最小遮断時間は、
その経過後、到来する投入パルスが再び消滅されるまで
、比較器2がコレクタ番エミッタ間電圧の監視によって
コンテンf16を介して動作状態に保たれるように設計
される。ベース・エミッタ間電圧の監視によって確実に
は検知することのできない過負荷の場合には、スイッチ
ングトランジスタ1の遮断はコレクタ嘲エミッタ間電圧
の監視によって直接性われる。
ース・エミッタ間電圧の監視によってスイッチングトラ
ンジスタ1を極めて単連に遮断することができる0なお
、コンデンサ2Cによって設定される最小遮断時間は、
その経過後、到来する投入パルスが再び消滅されるまで
、比較器2がコレクタ番エミッタ間電圧の監視によって
コンテンf16を介して動作状態に保たれるように設計
される。ベース・エミッタ間電圧の監視によって確実に
は検知することのできない過負荷の場合には、スイッチ
ングトランジスタ1の遮断はコレクタ嘲エミッタ間電圧
の監視によって直接性われる。
この種の遮断は、短絡時とは異なり、ある一定の時間遅
れ後始めて行われる0というのは考慮すべき電流が短絡
時よりも少ないのSl この場合の時間遅れはそれほど
危険ではないからである。過負荷が投入相中に始めて生
じる場合には、コンデンサ16が予め充電されているの
で、応答時間が相当短くなる。
れ後始めて行われる0というのは考慮すべき電流が短絡
時よりも少ないのSl この場合の時間遅れはそれほど
危険ではないからである。過負荷が投入相中に始めて生
じる場合には、コンデンサ16が予め充電されているの
で、応答時間が相当短くなる。
第1図は本発明の保護回路の基本構成を示す接続図、第
2図、第3図は本発明の保護回路の作用を説明するだめ
の線図、第4図、第5図、第6図は本発明の保護回路の
異なる実施例を示す接続図である。 l・・・スイッチングトランジスタ、 2・・・比較器
、3・・・メモリー、 4・・・遮断装置(遮断トラン
ジスタ)、 5・・・負荷、 6・・・ツェナーダイオ
ード、7・・・遮断トランジスタ、 UBE・・・スイ
ッチングトランジスタのペース・エミッタ間電圧”re
f・・・基準電圧。
2図、第3図は本発明の保護回路の作用を説明するだめ
の線図、第4図、第5図、第6図は本発明の保護回路の
異なる実施例を示す接続図である。 l・・・スイッチングトランジスタ、 2・・・比較器
、3・・・メモリー、 4・・・遮断装置(遮断トラン
ジスタ)、 5・・・負荷、 6・・・ツェナーダイオ
ード、7・・・遮断トランジスタ、 UBE・・・スイ
ッチングトランジスタのペース・エミッタ間電圧”re
f・・・基準電圧。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ■)スイッチングトランジスタ用の駆動パルスを遮断す
る遮断装置を備え、この遮断装置は比較器によって駆動
され、その比較器はスイッチングトランジスタの電圧を
基準電圧と比較し、スイッチングトランジスタの過負荷
の際に前記駆動パルスを遮断するスイッチングトランジ
スタの保護回路において、前記比較器はスイッチングト
ランジスタのペース・エミッタ間電圧を基準電圧と比較
することを特徴とするスイッチングトランジスタの保護
回路0 2、特許請求の範囲第1項記載の保護回路において、遮
断装置はスイッチングトランジスタの駆動電流を導くト
ランジスタであり、比較器は基準電圧としてのツェナー
電圧を有するツェナーダイオードであり、このツェナー
ダイオードは一端がスイッチングトランジスタのペース
に接続され、他端が前記遮断用トランジスタのペースに
接続されていることを特徴とするスイッチングトランジ
スタの保護回路0 3)特許請求の範囲第1項まだは第2項言己載の保護回
路圧おいて、比較器と遮断装置との間にメモリーが接続
されていることを特徴とするスイッチングトランジスタ
の保護回路04)特許請求の範囲第3項記載の保護回路
において、駆動パルスがメモリーのクロックツくルス側
縁で制御されるリセット入力端子に入力されることを特
徴とするスイッチングトランジスタの保護回路。 5)特許請求の範囲第1項または第2J貞記載の保護回
路において、比較器はメモリー作用を得るためてその出
力端子と入力端子との間に帰還ダイオードを備えている
ことを特徴とするスイッチングトランジスタの保護回路
。 6)特許請求の範囲第5項記載の保護回路において、駆
動パルスがダイオード、抵抗により橋絡されたコンデン
サを介して比較器の入力端子に入力され、駆動パルスの
側縁が比較器をリセットすることを特徴とするスイッチ
ングトランジスタの保護回路。 7)特許請求の範囲第1〜6項のうちのいずれかに記載
の保護回路において、スイッチングトランジスタのコレ
クタΦエミッタ区間がダイオードおよびコンデンサの直
列回路によって橋絡され、駆動パルスが抵抗を介して前
記ダイオードとコンデンサとの接続点だ入力され、その
ダイオードとコンデンサとの接続点が比較器の比較入力
端子に接続され、さらに前記接続点およびスイッチング
トランジスタのベースは減結合ダイオードを介して比較
器の同一比較入力端子に接続されていることを特徴とす
るスイッチングトランジスタの保護回路0 8)特許請求の範囲第1〜7項のうちのいずれかIC記
載の保護回路において、比較器の出力端子と基準電圧が
入力される比較入力端子との間に帰還コンデンサが接続
されていることを特徴とするスイッチングトランジスタ
の保護回路◎
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE32168330 | 1982-05-05 | ||
DE19823216833 DE3216833A1 (de) | 1982-05-05 | 1982-05-05 | Schutzschaltung fuer einen schalttransistor |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58205333A true JPS58205333A (ja) | 1983-11-30 |
Family
ID=6162787
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP58078857A Pending JPS58205333A (ja) | 1982-05-05 | 1983-05-04 | スイツチングトランジスタの保護回路 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4525765A (ja) |
EP (1) | EP0095579B1 (ja) |
JP (1) | JPS58205333A (ja) |
AT (1) | ATE22374T1 (ja) |
BR (1) | BR8302316A (ja) |
DE (2) | DE3216833A1 (ja) |
DK (1) | DK198483A (ja) |
FI (1) | FI830701L (ja) |
IN (1) | IN158665B (ja) |
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- 1983-04-20 DE DE8383103882T patent/DE3366212D1/de not_active Expired
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- 1983-05-04 DK DK198483A patent/DK198483A/da not_active Application Discontinuation
- 1983-06-14 IN IN744/CAL/83A patent/IN158665B/en unknown
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