JPS58204460A - 帯電粒子ビ−ム露光装置及びそれを用いるマイクロエレクトロニクス部品の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は対象物空間内で位置決めすべきターゲットを帯
電粒子のビームに露光するために、放射線源と、帯電粒
子の単位ビームの行列を形１配シ、制御するためのビー
ム分割／変調装置とを具える帯電粒子ビーム露光装置及
びこれを使用するマイクロエレクトロニクス部品の製造
方法に関するものである。

この種の装置は米国特許第３，４９１，２８６号から既
知である。露光すべきターゲットの近くに隨がれたビー
ム分割装置を用いることにより、ターゲットを動かすこ
とを必要とせずに、ターゲット上のいくつかの区域がそ
こに記載されている電子ビーム書き込み装置により露光
される。これにより互に対する書き込むべきパターンの
方向の精度が高められる。ビーム分割装置の区域におし
）で断面積が大きな電子ビームを用いることにより、し
為くつかの単位ビームを同時に同一態様で使うことによ
っても装置を動作させることができ、動作速度が上がる
。

しかし、上述した装置で単一の走査ビームを用いる場合
は、多くの用途にとって動作速度力５低すぎる。扇形ビ
ームから取り出されたいくつかの単位ビームを用いる場
合は、勿論これより同一のノぐターンしか書き込むこと
ができない。これは多くの用達において制約となる。ま
たこのようにして形成された単位ビームの相互の一様性
は十分に同一の製品を製造するに当って不十分であるこ
とがしばしばある。例えば、大きな全電流を伴なう幅の
広いビームを用いることにより扇形ビームの局所的電流
密度分布の必要な一様性を改良すればビーム分割装置に
より止められるビーム粒子によりビーム分割装置に寿命
を短くする大きな負荷がかかり、ビーム源の陰極の負荷
も増大する。またこの種類のビームでは粒子のエネルギ
ーの広がりが大きくなり、これにより装置の精度に極め
て大きな害が与えられる。

本発明の目的は上述した欠点を除き又は少なくとも相当
に緩和した装置を提供するにある。

この目的を達成するため本発明に係る上述した種類の帯
電１粒子ビーム露光装置は前記ビーム分割／変調装置が
鏡系と、サブミラーの行列を其える反射面とを具え、こ
れらのサブミラーの各々が単位ビームを選択する帯電粒
子に対する光学要素として構成したことを特徴とする。

本発明に係る装置では合成鏡糸が帯電粒子のビームに対
する単位ビーム形成要素として一ノらく。

鏡系を用いると、ビーム源の多重像が形成されるが、こ
れは単位ビームの主線の交さ点と一致しない。これは多
重ビーム系にとって極めて魅力のある＃Ｉ成である。

注意すべきことは、鏡を具えるデツプの製造装置自体は
欧州特許願第ＥＰ　００２８５８５号から既知であるこ
とである。ここに記載されている装置では、ス射電子ビ
ームに局所的に影響する？！ｔｔ！ｉｌｌのマトリック
スを具える電子ミラーから露光すべきターゲットに電子
ビームが入射する。これによると、ビームの交さ点にパ
ターンが形成され得る。

このようなパターンは制御装置により電位分布の形で電
極に与えられる。この場合鏡を平坦に構成し、入射電子
ビームがそれを横切るように向けると好適である。入射
電子ビームの断面は開口により決まる。しかし、多くの
用途にとってこの装置は十分フレキシブルではなく、鏡
内で生ずる散乱が大きな問題となる。この目的で付は加
えられる付加的開口はビームの周の外側で生ずる散乱を
除去できるだけで、単位ビームのマトリックス内で生ず
る散乱は除去できず、従って、像要素間の混乱を与える
クロストークは十分な程度除去できない。また、反射面
が露光されるべきターゲット上に映り、このため鏡の光
学的不規則性も混乱させる要素としてターゲットに移さ
れることもこの方法のもう一つの相当な欠点である。。

本発明の好適な一実施例は単位ビーム断面を決め、鐘の
放射中心に置かれる開口を具える。主たる鍵が放射中心
から一様に露光される時、各単位鏡は反射の後放射中心
、従って放射線源の像を形成する。この像はも早や単位
ビームの主ビームの交さ点とは一致せず、放射中心にと
どまり続ける。

単位ビームの操作に必要な放射線源像と主ビームの交さ
点との間の分離はこのようにして達成される。各単位ビ
ームの断面は単一の開口により決まる。親糸のお蔭でほ
ぼ全ビーム系が有効に使用されるから、放射線源の負荷
は限られ続ける。唯一つの開口が単位ビームリミタとし
て餉らくから、克服できない発熱や厄介な問題は生じな
い。従って、電子ビームだけでなく、イオンビームを使
うこともできる。

別の好適な実施例では開口が文字盤としての形をとって
おり、全ての単位ビームが十分に同一な断σ１１を有し
、これを所望通りに選ぶことができる。

こうすれば、例えば、単位ビーム数に対応するいくつか
のパターンを極めて迅速に露光することができる。また
これらのパターンは自動的に同一になる。

別の実施例では、例えばもう一つの鋭系を用いることに
より、励起可能なゲージ（ｇａｕｇｅ　）光学系（所謂
フライズアイ光学系）、単位ビームの主ビームの交さ点
及び多重放射線源像が再び再結合される。

少なくともビーム分割について鏡を用いるから、本発明
装置は球面及び色収差に対する線圧が簡単になり、従っ
て、ビーム体体に対し大きな開口角が許されるという実
用的な利点が得られる。またこのようにすると、分割さ
れた単位ビームの各々を簡単に操作することもできる。

これは鐘の裏側全体を信号を供給するリード線に利用で
きるからである。光学的な観点からは、鏡の反射面だけ
が大事であるから、この要素の構造を非常に丈夫にする
ことができ、従って装置の安定性が増す。ゲージをビー
ム分割に用いないから、粉々になることによる問題は生
じない。さもないと、イオンビームを用いる時、このよ
うな問題は非常に厳しくなる。鏡の反射率は高く、殆ん
ど１００％にまで高くできるから、ビームを非常に効率
よく利用できる。これは負荷、殊に陰極負荷にとって利
点となる０ 光学的観点からはこの装置は極めて簡単になる０、蓋し
、開口付きの個々の多重ビーム変調に対する実施例でさ
え、実際には多重スポット整形のために唯３個の帯電粒
子光学系、即ち、分割された鏡と、彎曲の中心に置かれ
る開口と、放射線源像を結合するための装置を具えるだ
けであるからである。

装置の極めて本質的な部分である反射系の好適な実施例
は凹面鏡として形成し、この凹面鐘に曲率半径が主鏡の
曲率半径からずれている凹所として単位鏡を形成、する
。単位鏡は正方行列内でｑ゛に全く近く位置させると好
適である。代りに単位鏡は反射面又はその近傍に設けら
れた動作可能な電極として形成することもできる。所望
とあらば、オンオフ制御及び単位ビームの偏向もこのよ
うな電極により達成することもできる。

本発明に係る帯電粒子ビーム麿光装幇は電子又はイオン
リトグラフィ装置で使用し、例えば走査のライン方向の
横方向に例えば唯−行の単位ビームを用いるテレビジョ
ン装置で多重放射線源として使用し、また例えば高速の
文字書き込みを伴なう電子−光学表示装置で使用するの
に好適である。

図面につき本発明の詳細な説明する。

第１図に示す装置は放射線源１を具えるが、この放射線
源１は電子線源とすることもできるし、イオン線源とす
ることもできる。但し、簡単に説明するため以下では電
子−光学装置として説明する。

この装置はまた、開口２、第１のレンズ４、・ビーム偏
向装置ｌｔ６、第２のレンズ８、第２の開口１０゜電子
−光学鏡１２（これは単位鏡１４をマ）　ＩＪラックス
状並べた反射面１５を有する）、第３のレンズ１６、付
勢すべき網状光学装置１８、減力レンズｉ２０及び対象
物空間２２内に配置されているターゲット担体２４をも
具える。

ビーム偏向装置６では放射線源１から出た電子ビームの
中心部ｚ５が電子−光学鏡の方向に偏向され、その主ビ
ーム２６が鏡の軸線２８と一致する。電子−光学鏡１２
は原理的には彎曲８ｏの光学中心から出る電子ビームに
より一様に露光される。単一の鏡の場合は、反射された
ビームは再度彎曲３０の光学中心に焦点を結ぶこととな
ろう。

電子−光学鏡１２は行列（マトリックス）状に並べられ
たサブミラー１４を具え、その各々が光学素子として働
ら〈。入射する一様な電子ビーム２５はこれによりビー
ム断面内の行列要案の数により与えられる数の単位ビー
ム８１に分割される。

単位ビーム８１の主ビーム８８は再度彎曲８０の光学中
心で互に交わるが、単位鏡１４の光学的効果により、単
位ビーム３１の各々がクロスオーバ（Ｃｒｏｓｓ−ＯＶ
ｅｒ　）　３２を形成し、従って像面８５に放射線源の
像を形成する。そしてこの像は単位−１４を制御するこ
とにより最適化することができる。このようにして像面
内に相互に分離された行列が形成されるが、相互に同一
の単位鏡と一様な入射ビームとを用いる時は更に単位ビ
ームを結像させる相互に等しい対象物点が形成される。

全ての単位ビームは彎曲の光学中心面に配置された第２
の開口ｌＯを通り抜ける。この開口はまた単位ビーム当
りのビーム断面積に影響するが、各ビームに対して同一
程度である。所望とあらば、ビーム開口２と協働して、
開口２を第２の開口１０に結像させることにより単位ビ
ームの各々につきビームの整形を行なうことができる。

そしてこのために部分的な重なり合いだけが生ずること
もある。

結像された単位ビームは第２のレンズ８によりコリメー
トされ、ビーム偏向袋ｇｔ６に加えラレ、そこで乱調さ
れずにターゲット担体２４の方へ偏向されるが、これも
コリメーションのお蔭である。

レンズ１６と減力レンズ糸２ｏとを用いて、単位ビーム
の各々が開口１０をターゲット担体２４上に位置させる
べきターゲット３８上に結像させることができる。ビー
ムの整形を欲しない時は開口２を省略することができる
。付勢できる網状光学袋ｒ！ｔ１８は再度単位ビームの
主ビームのクロスオーバを多重放射線源像と結合させる
ことができる。

開口ｌＯの像は各本位ビームにおいて自動的に空間的に
分離され、各単位ビームの主ビームのクロスオーバが再
度ターゲットの露光のために放射線源の像と一致する。

この結合動作のために付勢可能な網状光学装置１８を用
いる代りに、第１の−のサブミラーの行列に適合したサ
ブミラーの行列を具える第２の鏡を用いることができる
。ここでの第２の鏡の動作の点では、サブミラーの効果
は単位ビームを発散させるようなものである。しかし、
２個の鍵のこの外観は交換することができ、この時は鏡
１２が発散させるサブミラーを具える０この種類の鏡は
第２の鐘を欠く場合にも使用することができる。この特
別のビーム偏向装置を使用することができる。しかし、
この偏向のためにもビーム偏向装置６を使用することが
できる。ビームの偏向は鏡を入射ビームに対して成る角
度をなして配設することにより達成することもできる。

このような成る角度をなす配置は第１の鏡に対して選択
することもできる。ｌ対ｌの像が形成される時唯一つの
光学的誤差は非点収差であり、これに対しては鏡を既知
の態様で補正することができる。ビーム偏向装置として
は偏向方向に対し横の方向を向く一様な磁界又は高周波
の静電プリズムを使用することができる。後者について
は後に第８図につき詳細に説明する。

単位ビームの主ビームのクロスオーバと放射線源像との
結合のために、米国特許第Ｌ４９１，２３６号に記載さ
れ、フライズアイ（ｆｌｙ’ｓ　ｅｙｅ　）　　として
知られる電子−光学装置を使用することもできる０減カ
レンズＪ２０を用いると、単位ビームの各々が例えばπ
に弱められてターゲット上に結像する。開口Ｎｏの区域
に文字盤（ｃｈａｒａｃｔｅｒｔｅｍｐｌａｔｅ　）を
配置すると、各単位ビームにランダムで十分に同一の断
面積を与えることができる。

偏向させ、組合わせ、そして減力した後、こうして形成
された単位ビームの行列は例えばパターンを直接ターゲ
ットに書き込むことに使用することができる。これは多
数の同一のパターンを書き込まねばならない時殊に重要
である。これはしばしばマイクロエレクトロニクス回路
要素を作る時に生ずる。

ビーム分割装置として鏡を用いる主たる利点は混乱を生
ずる光学的欠陥を引き起こさずに単位ビームを空間的に
うまく分割できることである。図から明らかな通り、説
の背後に光学的に「自由な］空間３９が得られ、ここに
制御信号のためのリード線を設けることができるが、こ
れは極めて有利な点である。

第２図は本発明に係る枦のいくつかの好適な実施例の略
図である。

第２図の第１の部分Ａは第１図の反射面１５に対応し、
曲率半径が例えば１００１１１１である反射面４０を有
する鏡を示すが、これには曲率半径が例えば５０１１１
１である行列状に配置されたサブミラー４２が設けられ
ている。これらのサブミラーは、例えばｌ０ＸＩＯの正
方行列に配置され、直径が５闘で、例えば６ｍのスペー
サ４４を具えている。

鏡面で測ってサブミラーを、例えば、正方形とすること
ができる。しかし、この場合は縁の欠陥を除くため、正
方形の四隅を僅かながらも丸めた方がよい。この最も単
純な形態では、空間的に分離された単位ビームの行列が
鏡により得られる。如何なる操作に対しても他の既知の
スイッチング兼ビーム整形手段を装置に含める必要があ
る。

第２図の部分Ｂは他の点では部分Ａに示した鏡に完全に
一致する鐘にスイッチング又は偏向′に極４６を設けた
ものを示す。これらの電極は供給リード線４７に取り付
けられ且つ鏡に対して電気的に絶縁された板状の形状を
している。これらの板の外面は部分Ａの鏡の面と一致し
ている。電位の異なる電極を用いることにより前述した
ようなサブミラーの光学効果が達成できる。従って、こ
の場合は元の幾何学的なサブミラーを省くことができる
。サブミラーの幾何学的形状と電極の数、形状１方向及
び電位とを適合させることにより最適に動作するサブミ
ラーを与える中間的な解決策も可能である。しかし、こ
の場合は一つのサブミラー当り可成り多数の電極を設け
る必要がある。このような実施例を第２図のＢに示した
。凹面鏡はその形状に関する限り唯一つであって、代り
に多数の、例えば一つのサブミラー当り１０から２０の
電線電極５０が設けられている。電線電極は今の場合単
純な導電性のワイヤにより形成され、その自由端が鏡面
と一致する。但し、前述したよりに鍵からは電気的に絶
縁されている。また、絶縁体内にファイバ構造の導体を
設けることも可能である。反射面上の均一な抵抗層、例
えば真空蒸着した炭素層又は半導体材料層（例えば、厚
さが数十μｍのＳｉ）内に、後側でサブミラーと接触す
る行列状の’＊、ａｉによりサブミラーを形成すること
もできる。この時反射面迄延在しないＮ極がこのシリコ
ンに対する電極として役立つ。各電極を導電性のブツシ
ュで囲み、これらのブツシュをまとめて閉じたマトリッ
クス、例えば蜂の巣を形成すると好適である。各電極に
は個別的に１位を与えることができるが、通常は電位線
をサブミラー当りグループ状に′ａ極をまとめ、また対
応するサブミラーの１！極をまとめると好適である。サ
ブミラー当り、サブミラーの幾何学的構造に対応するグ
ループ構成を用いることができる。

第２図の部分りはサブミラーか、例えば鋳面から突出す
る円柱電極５４により形成される実施例を示す。これら
の円柱ｖｌＬ８Ｉｉ５４の各々の内部に変調又はスイッ
チング′市極５６を設けることができる。サブミラーの
表面は平坦にすることができるが、付加的な彎曲を呈す
るようにすることもできる。第２図の部分Ｅは鏡面が相
互に絶縁され、また前述したように鏡面からも絶縁され
ている格子電極５８によりサブミラーが形成される実施
例を示す。ここでも、変調、スイッチング等のため異な
る電位をこれらの電極に与えることができる。

また別個の制御電極６０を用いることもできる。

格子型ｔｉｌｉｉ５８は絶縁体６２を介して鏡に連結す
るように示されている。しかし、鏡面から同−距離離れ
て位置する電極を絶縁して鏡の縁でだけ支持するマスク
により形成することもできる。電位は主としてこれらの
電極がない場合にこの区域にかかる電位に適合させる。

第８図はビーム偏向装置として高周波静電プリズム７０
を使用すべる一実施例を示したものである。

但し、装置の中で放射線源１（この場合、例えばＨｅ＋
イオン源とすることができる）、開口ＩＯ、マトリック
スミラー１２及びターゲット担体２４だけを示した。こ
の実施例の利点は結像又は書き込みビーム８１がその原
点、即ちマトリックスミラー１２から曲げられないこと
である。このようにすると光学的誤りが減り、光学要素
の位置決めが簡略になる。高周波静電プリズム７０は原
理的にパルスで制御され、パルスがかつている時は入来
ビーム２６がマトリックスミラーの方に偏向さね、パル
スがかつていない時は書き込みビームが真肯に通ること
ができる。このようなプリズムを用いると質量の差に基
づいてイオンの選択を行なうこともできる。このように
動作させるパルスは原理的には約繰り返し同波数の半分
に達するが、この期間中は活性なパルスが存在しない。

この時間はターゲット上のランデインダスポットを光学
的に移動させるのに使用することができる。放射線源を
適当に選択することによりこれもまたパルスで制御でき
、放射線源の全電流を比例して減らすことができる。単
位ビームのスイッチングによるオンオフもプリズムに対
するパルス周波数で制御することもできるＨｅ＋イオン
の場合通常の寸法の装置なで約Ｉ　ＭＨｚの繰り返し周
波数を使用することができる。

以上中として帯電粒子ビームを用いることによるリトグ
ラフィ装置につき帯電粒子ビーム露光装置を説明してき
たが、応用分野はもつと広い。例えばこの装置はたとえ
極めて簡単な形態のものであっても数本のビームによる
同時書き込みを行なうテレビジョン装置で使用すること
もできる。これは殊に数個の像部分を異なる態様で処理
しなければならない時及び表示スクリーンに高い局部的
な瞬間的な負荷がかかる場合に通常のフレーム間波数が
低すぎるように経験する時に殊に有利である。多重ビー
ムオツシロスコープ管及び前述したようにしかるべき表
示装置で使用すると極めて有利な結果が得られる。

例えば正方形行列のサブミラーをたたく時に生ずる可能
性のあるような帯電粒子ビーム（主ビーム）２６が十分
均一には鏡１２をたたかない時は、例えばマトリックス
に適合したパターン、例えばこの正方形行列の４隅の間
で放射線源側でビームを走査することにより均一性を強
めることができる。結像誤りを防ぐためには開口ｌＯ内
の点８０を中心とする傾斜としてこの走査動作を行なう
ことができる。

今のタイプのビーム露光装置で複合パターンを露光する
ためには、２個の開口の像に対するシステムを互に交換
し、本願人の別のオランダ国特許願に開示されているビ
ーム分割装置によりビームの整形を行なうと有利である
。

【図面の簡単な説明】

第１１Ｍは本発明に係る帯電粒子ビーム露光装置の略図
、 第２図は第１図の装置の単位鏡のマトリックスを具える
鏡系の種々の実施例の線図、 第８図は高周波プリズムの形態をした偏向要素を具える
本発明に係る帯電粒子露光装置の略図である。 ■・・・放射線源 ２・・・開口（特許請求の範囲では第２の開口）４・・
・第１のレンズ　　　６・・・ビーム偏向装置８・・・
第２のレンズ １２・・・ｍ子−光学鏡（マトリックスミラー）■４・
・・単位鏡（サブミラー） １５・・・反射面　　　　　　１６・・・第３のレンズ
１８・・・網状光学装置　　２ｏ・・・減力レンズ系２
２・・・対象物空間　　　２４・・・ターゲット担体２
５・・・電子ビームの中心　２６・・・主ビーム（入来
ビーム）２８・・・鐘の軸線　　　　８ｏ・・・彎曲（
点）３１・・・単位ビーム（結像又は書き込みビーム）
３２・・・クロスオーバ　　３３・・・主ビーム８５・
・・像面　　　　　　　８８・・・ターゲット８９・・
・光学的に「自由な」空間 ４０・・・反射面　　　　　　４２・・・単位鏡（サブ
ミラー）４４・・・スペーサ ４６・・・スイッチング又は偏向電極 ４７・・・供給リード線　　　５ｏ・・・電線電極５４
・・・円柱Ｎ極 ５６・・・変調又はスイッチング電極

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １　対象物空間（２２）内で位置′決めすべきターゲラ
   ）　（２８）を帯電粒子（２６）のヒ−Ａ　４．ニー　
   露光するために、放射線源（１）と、帯電粒子の単位ビ
   ームの行列を形成し、制御するためのビーム分割／変調
   装置とを具える帯電粒子ビーム露光装置において、前記
   ビーム分割／変調装置が鏡糸（１２）と、サブミラー（
   ト１の行列を具える反射向（１８）とを具え、これらの
   サブミラーの各々が単位ビーム（８１）を選択する帯電
   粒子に対する光学要素として構成したことを特徴とする
   帯電粒子ビーム露光装１０ 区　前記サブミラーを反射面（１５）内に幾何学的曲率
   半径が反射面の幾何学的曲率半径と異なる球面凹所（４
   ２）の行列により形成したこことを特徴とする特許請求
   の範囲第１項記載の帯電粒子ビーム露光装置。 ＆　前記サブミラーが電極系（４６〜６２）を具え、こ
   れらの電極が鏡内に設けられ、個別に又は群をなして活
   性化されることを特徴とする特許請求の範囲第１項又は
   第２項記載の帯電粒子ビーム露光装置 ４　前記電極の少なくとも一部をサブミラーを形成し、
   鐘面から突出する円柱系ブシュ（５４）として構成した
   ことを特徴とする特許請求の範囲第８項記載の帯電粒子
   ビーム露光装置。 ５　鏡の反射面が中程度の導電材料の一様な層を具え、
   こ−にサブミラーを形成する電位分布が鐘の後側と接触
   する電極系により発生させられるように構成したことを
   特徴とする特許請求の範囲第１項記載の帯電粒子ビーム
   崩光装置。 ６、　サブミラーが正方行列を形成することを特徴とす
   る特許請求の範囲第１．２，３．４又は５項に記載の帯
   電粒子ビーム麿光装置。 ７　反射面で測ったサブミラーのｈ而かけＬｆ　＋Ｅ方
   形を形成することを特徴とする特許請求σ）範囲第１．
   ２，３，４．５又は６項に記載の帯’ＰＩ１粒子ビーム
   露光装置。 ＆　鏡の彎曲（３０）の光学中心近傍に単位ビームの断
   面を決める開口（ｌＯ）を位置させることを特徴とする
   特許請求の範囲前記各項のいれかに記載の帯′重粒子ビ
   ーム露光装置。 ９、　放射線源（１）の近傍に第２の開口（２）を設け
   、これを放射線ビームにより第１の開口（１０）の面内
   に結像させることを特徴とする特許請求の範囲前記各項
   のいずれかに記載の帯電粒子ビーム露光訓ト １０、ビーム偏光製置（６）が高周波電極プリズム（）
   ０）を具えることを特徴とする特許請求の範囲Ｉ４１記
   各項のいずれかに記載の帯電粒子ビーム露光装置。　　
   　′ １１　一方では鏡（１２）により分割された単位ビーム
   の放射線源像の光学的結合を行い、他方では単位ビーム
   の主ビームのクロスオーバを行うための装置をも具える
   ことを特徴とする特許請求の範囲前記各項のいずれかに
   記載の帯電粒子ビーム露光装置。 １ｚ　　ターゲット担体（２４）の近くに減力光学系を
   設けたことを特徴とする特許請求の範囲前記各項のいず
   れかに記載の帯電粒子ビーム露光装置。 １＆　各単位ビームの制御と変調のための帯電粒子装置
   を設けたことを特徴とする特許請求の範囲１．２，５，
   ６，７，８，９，１０．１１又は１２項に記載の帯電粒
   子ビーム露光装置。 １４　　マイクロエレクトロニクス部品を作る装置の一
   部を形成することを特徴とする特許請求の範囲前記各項
   のいずれかに記載の帯電粒子ビーム菖光装置。 ｌ賑　イオン源を具え、光学要素をそれに適合させたこ
   とを特徴とする特許請求の範囲第１４項記載の帯電粒子
   ビーム露光装置。 １１１　　複合パターンを露光するために、２個の開口
   を互に結像する装置の代りに多重ビーム分割装置を設け
   たことを特徴とする特許請求の範囲前記各項のいずれか
   に記載の帯電粒子ビーム露光装置。 １７、特許請求の範囲前記各項のいずれかに記載の帯電
   粒子ビーム露光装置を用いるマイクロエレクトロニクス
   部品の製造方法。