JPS58199779A - セラミツクス焼結体の製造方法 - Google Patents
セラミツクス焼結体の製造方法Info
- Publication number
- JPS58199779A JPS58199779A JP57082802A JP8280282A JPS58199779A JP S58199779 A JPS58199779 A JP S58199779A JP 57082802 A JP57082802 A JP 57082802A JP 8280282 A JP8280282 A JP 8280282A JP S58199779 A JPS58199779 A JP S58199779A
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- sintered body
- sintering
- ceramic sintered
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、炭化珪素の焼結方法に関するものである。
炭化珪素(sle )は、低膨張で耐摩性)・耐酸化性
に優れ、また、導電性をも併わせ持つ物質である為に、
耐火物1発熱体、電気接点、切削用バイト等の各種の用
途がある。しかしながら、化学的に安定である為に緻密
な焼結体を得ることが困難とされてきた。
に優れ、また、導電性をも併わせ持つ物質である為に、
耐火物1発熱体、電気接点、切削用バイト等の各種の用
途がある。しかしながら、化学的に安定である為に緻密
な焼結体を得ることが困難とされてきた。
従来の炭化珪素の焼結方法としては9例えば。
炭化珪素粉末に、アルミニウム系添加物、硼素系添加物
または次素系添加物等の焼結促進剤を微量添加して、ア
ルゴンガヌ雰囲気中にて2000°C以上で加熱しつつ
加圧する方法がある。しかし。
または次素系添加物等の焼結促進剤を微量添加して、ア
ルゴンガヌ雰囲気中にて2000°C以上で加熱しつつ
加圧する方法がある。しかし。
この方法では、焼成温度が2000℃以上と非常に高<
、tた。加熱しつつ加圧する所謂ホットプレス法に依る
為に、炭化珪素が分解し易く、焼結体の形状も簡単な形
状に限られる。また、焼結促進剤の添加量が炭化珪素の
総量に対して轍かな量である為に1脚化珪素中に均一に
混合することは難しく、得られた焼結体内に不均一状態
で残留し。
、tた。加熱しつつ加圧する所謂ホットプレス法に依る
為に、炭化珪素が分解し易く、焼結体の形状も簡単な形
状に限られる。また、焼結促進剤の添加量が炭化珪素の
総量に対して轍かな量である為に1脚化珪素中に均一に
混合することは難しく、得られた焼結体内に不均一状態
で残留し。
焼結体の特性に欠陥を生じさせ、満足した戻化珪素質焼
結体が得られない。
結体が得られない。
本尤明は、これらの点に鑑み、無加圧で低温焼結をする
ことにより、炭化珪素の優れた性質を損なわず、高密度
で導′IIL録を有する焼結体を製造することができる
方法を提供しようとするものである。
ことにより、炭化珪素の優れた性質を損なわず、高密度
で導′IIL録を有する焼結体を製造することができる
方法を提供しようとするものである。
即ち9本発明は1脚化珪素粉末に、アルミナ・マグネシ
ア・スピネル粉末と酸化イツトリウム粉末とからなる焼
結助剤を添加・混合して原料粉末 □と成し、該
粉末を所望形状に成形し、然る後に不 □活性ガス
雰囲気中で加熱し無加圧焼結することを特徴とする炭化
珪素質焼結体の製造方法である。
ア・スピネル粉末と酸化イツトリウム粉末とからなる焼
結助剤を添加・混合して原料粉末 □と成し、該
粉末を所望形状に成形し、然る後に不 □活性ガス
雰囲気中で加熱し無加圧焼結することを特徴とする炭化
珪素質焼結体の製造方法である。
本発明に依れば、高密度で導電性を有し、かつ圧で焼結
することができる。また、無加圧焼結法によるので、複
雑な形状の焼結体をも容易に製造することができる。更
に9本発明の製造方法により得られた炭化珪素質焼結体
は、導電性を有するので、材料加工が容易である。例え
ば、放電加工等の電気利用による加工法が通用できる。
することができる。また、無加圧焼結法によるので、複
雑な形状の焼結体をも容易に製造することができる。更
に9本発明の製造方法により得られた炭化珪素質焼結体
は、導電性を有するので、材料加工が容易である。例え
ば、放電加工等の電気利用による加工法が通用できる。
この様に、低温焼結によυ高密度の焼結体を得ることか
できるのは、充分明らかではないが、アルミナ・マグネ
シア・スピネル粉末と酸化イツトリウム粉末の両者が固
溶して、その固溶の過程で液相生成があり、これよシ焼
結が進行するためと考えられる。
できるのは、充分明らかではないが、アルミナ・マグネ
シア・スピネル粉末と酸化イツトリウム粉末の両者が固
溶して、その固溶の過程で液相生成があり、これよシ焼
結が進行するためと考えられる。
また、この焼結体は、高密度で導電性を有し。
かつ耐火性および耐摩耗性に優れているので、耐火物、
軸受、電気接点9発熱体等に広く用いられる。
軸受、電気接点9発熱体等に広く用いられる。
本発明に於いて用いる原料粉末は1脚化珪素粉末、アル
きす・マグネシア(MgAl* o、 )スピネル粉末
および酸化イツトリウム粉末から成る。ここで、炭化珪
素粉末、アルミナ・マグネシア・スピネル粉末および酸
化イツ) IJウム粉末の粒度は。
きす・マグネシア(MgAl* o、 )スピネル粉末
および酸化イツトリウム粉末から成る。ここで、炭化珪
素粉末、アルミナ・マグネシア・スピネル粉末および酸
化イツ) IJウム粉末の粒度は。
2μ以下のものを用いるのが好ましいが、Q、1μない
し1.0μ程度のものがより好ましい。
し1.0μ程度のものがより好ましい。
ここで、アルミナ・マグネシア・スピネル粉末および酸
化イツトリウム粉末の混合割合は、原料粉末のa直置に
対して、1%(東量比、以下同じ)以上10%以下とす
ることが好ましい。アルミナ・マグネシア・スピネル粉
末の配合量を10%以下としたのは、10%を越えると
焼成時の重量減少が大きく成り、要求する形状を得るこ
とが困難となるからである。また、1%以上とし九のは
、1%未満とした場合、成る程度は半導体化するが。
化イツトリウム粉末の混合割合は、原料粉末のa直置に
対して、1%(東量比、以下同じ)以上10%以下とす
ることが好ましい。アルミナ・マグネシア・スピネル粉
末の配合量を10%以下としたのは、10%を越えると
焼成時の重量減少が大きく成り、要求する形状を得るこ
とが困難となるからである。また、1%以上とし九のは
、1%未満とした場合、成る程度は半導体化するが。
液相が余り生成されず1表面張力が小さく焼結が困難と
なるからである。次に、酸化イツトリウム粉末の配合量
を10%以下としたのは、10%を越えると酸化イツ)
IJウムの一部が残って、高温強度が低下するからで
ある。また、1%以上としたのは、1%未満とした場合
、焼結不足となり気孔率が高くなり多孔質となるからで
ある。
なるからである。次に、酸化イツトリウム粉末の配合量
を10%以下としたのは、10%を越えると酸化イツ)
IJウムの一部が残って、高温強度が低下するからで
ある。また、1%以上としたのは、1%未満とした場合
、焼結不足となり気孔率が高くなり多孔質となるからで
ある。
また、アルミナ・マグネシア・スピネル粉末と酸化イツ
) IJウム粉末との置針の配合割合は、原料粉末の総
重量に対して、2%以上15%以下と分解が顕著となり
、要求する形状を得ることが困難となるほか、得られる
焼結体の機械的・電気的特性が低下するからである。ま
た、2%以上としたのは、2%未満とした場合、焼成不
足の為多孔質化がすすみ、成形温度が上昇してしまうか
らである。
) IJウム粉末との置針の配合割合は、原料粉末の総
重量に対して、2%以上15%以下と分解が顕著となり
、要求する形状を得ることが困難となるほか、得られる
焼結体の機械的・電気的特性が低下するからである。ま
た、2%以上としたのは、2%未満とした場合、焼成不
足の為多孔質化がすすみ、成形温度が上昇してしまうか
らである。
次に、原料粉末は、これを良く混合して、プレス金型等
の成形機にて1例えば、30口ないし1000 Kq/
dの高圧下で加圧成形し圧粉体とする。
の成形機にて1例えば、30口ないし1000 Kq/
dの高圧下で加圧成形し圧粉体とする。
次に、得られた圧粉体は、アルゴンガス等の不活性ガス
雰囲気中にて、無加圧にて加熱し、焼結することにより
、le化珪素質焼結体を得る。
雰囲気中にて、無加圧にて加熱し、焼結することにより
、le化珪素質焼結体を得る。
ここで、加熱焼結を、不活性ガス雰囲気中にて行なうの
は、成形体即ち圧粉体の組成物質が他の化合物に変化し
ない様にするためである。
は、成形体即ち圧粉体の組成物質が他の化合物に変化し
ない様にするためである。
ま九、成形体の焼結は、1820°C以上1870’C
LJ下で行なうことが好ましい。これは、1820°C
未満の場合、焼成過程で成形体の多孔質化が起こり、焼
結できなくなる恐れがあるからである。
LJ下で行なうことが好ましい。これは、1820°C
未満の場合、焼成過程で成形体の多孔質化が起こり、焼
結できなくなる恐れがあるからである。
また、1870℃を越えると、焼成過程で成形体の熱分
解が多くな夛、多孔質になる恐れがあるからである。
解が多くな夛、多孔質になる恐れがあるからである。
実施例
本発明の製造方法により鹸化珪素質焼結体を製造し、該
焼結体について、その気孔率と表面電気抵抗値を測足し
念。
焼結体について、その気孔率と表面電気抵抗値を測足し
念。
本実施例に於ける製造法は9次の様である。
即ち9膨化珪素原料としてのβ型脚化珪素(β−810
)の微粉末(平均粒径α5μ)に、アルミナ・マグネシ
ア(Mg11* 04)スピネルのボールミル粉砕粉(
平均粒径CL5μ)と酸化イツ) IJウム(Ys O
,)のボールミル粉砕粉(平均粒径α9μ)との混合物
粉末を1表に示す如き割合にて配合して原料粉末とした
。次いで、該原料粉末をポリエチレン容器中にてエタノ
ールを分散媒として、ボールミル架台上で15時間士分
に混合した。
)の微粉末(平均粒径α5μ)に、アルミナ・マグネシ
ア(Mg11* 04)スピネルのボールミル粉砕粉(
平均粒径CL5μ)と酸化イツ) IJウム(Ys O
,)のボールミル粉砕粉(平均粒径α9μ)との混合物
粉末を1表に示す如き割合にて配合して原料粉末とした
。次いで、該原料粉末をポリエチレン容器中にてエタノ
ールを分散媒として、ボールミル架台上で15時間士分
に混合した。
次いで、乾燥話中にて60°Cで20時間乾燥させ溶媒
を揮散せしめた後、10メツシユの篩を通過させ、f4
られた粉末を、プレス金型にて600Kq / cdで
加圧・成形し、圧粉体(6X10X50fi)を得た。
を揮散せしめた後、10メツシユの篩を通過させ、f4
られた粉末を、プレス金型にて600Kq / cdで
加圧・成形し、圧粉体(6X10X50fi)を得た。
得られた圧粉体を膨化珪素質さや内の炭化珪素研摩粉(
−さζ(3,1180)の間に埋設し、更にさやを黒鉛
容器中に入れた。次に、黒鉛容器を表に示す温度にて、
アルゴンガス雰囲気中にて2時間高周波加熱し、上記圧
粉体の焼結を行なった。
−さζ(3,1180)の間に埋設し、更にさやを黒鉛
容器中に入れた。次に、黒鉛容器を表に示す温度にて、
アルゴンガス雰囲気中にて2時間高周波加熱し、上記圧
粉体の焼結を行なった。
冷却後、得られ良度化珪素質焼結体の気孔率お配合し九
場合(試料−01〜05)Kは、気孔率が6%以上とな
ってしまい実用に適した焼結体が得られない。更に、抵
抗値41 X 10’Ω以上と大変大きく、導電性が低
い。
場合(試料−01〜05)Kは、気孔率が6%以上とな
ってしまい実用に適した焼結体が得られない。更に、抵
抗値41 X 10’Ω以上と大変大きく、導電性が低
い。
更に、従来の5iO−1B−C系焼結体の場合で社。
本発明と同様の加熱条件では、気孔率が大きく。
導電性の低い焼結体しか得られず(試料Naa6)。
また、焼結温度t−2050°Cと高くしても導電性の
低いものしか得ることができない(試料H&a7)。
低いものしか得ることができない(試料H&a7)。
特許出願人
株式会社 豊田中央研究所
−7
Claims (5)
- (1) 膨化珪素粉末に、アルミナ・マグネシア・ス
ピネル粉末と酸化イツトリウム粉末とからなる焼結助剤
t−添加・混合して成る原料粉末を、所望形状に成形し
、然る後不活性雰囲気中で加熱し、焼結せしめることを
特徴とするセラミックス焼結体の製造方法。 - (2)アルミナ・マグネシア・スピネル粉末の混合割合
は、原料粉末の総重量に対して、1ないし10富食%で
あることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のセラ
ミックス焼結体の製造方法。 - (3) 酸化イツ) +7ウム粉末の混合割合は、原
料粉末の総重量に対して、1ないし10]l[量%であ
ることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のセラミ
ックス焼結体の製造方法。 - (4)アルミナ・マグネシア・スピネル粉末と酸化イツ
トリウム粉末の両者合計の混合割合は。 原料粉末のalに量に対して、2ないし15菖量%であ
ることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のセラミ
ックス焼結体の製造方法。 - (5)成形体の加熱は、1820℃ないし1870℃に
於いて行なうことを特徴とする特許請求の範囲第1項記
載のセラミックス焼結体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57082802A JPS58199779A (ja) | 1982-05-17 | 1982-05-17 | セラミツクス焼結体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57082802A JPS58199779A (ja) | 1982-05-17 | 1982-05-17 | セラミツクス焼結体の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58199779A true JPS58199779A (ja) | 1983-11-21 |
JPH0142910B2 JPH0142910B2 (ja) | 1989-09-18 |
Family
ID=13784533
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57082802A Granted JPS58199779A (ja) | 1982-05-17 | 1982-05-17 | セラミツクス焼結体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58199779A (ja) |
-
1982
- 1982-05-17 JP JP57082802A patent/JPS58199779A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0142910B2 (ja) | 1989-09-18 |
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