JPS5819904A - 可変特性信号を発生する装置及び方法 - Google Patents

可変特性信号を発生する装置及び方法

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JPS5819904A
JPS5819904A JP57088163A JP8816382A JPS5819904A JP S5819904 A JPS5819904 A JP S5819904A JP 57088163 A JP57088163 A JP 57088163A JP 8816382 A JP8816382 A JP 8816382A JP S5819904 A JPS5819904 A JP S5819904A
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JP57088163A
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ジエイムズ・フレデエリツク・ベダ−ド
スコツト・エリス・カツトラ−
チヤ−ルズ・ウイリアム・アイケルバ−ガ−
エドワ−ド・バリ−・ミラ−
サルベイトオワ・フランク・ナツテイ・ジユニア
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General Electric Co
Original Assignee
General Electric Co
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    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B47/00Circuit arrangements for operating light sources in general, i.e. where the type of light source is not relevant
    • H05B47/10Controlling the light source
    • H05B47/175Controlling the light source by remote control
    • H05B47/18Controlling the light source by remote control via data-bus transmission

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  • Circuit Arrangement For Electric Light Sources In General (AREA)
  • Selective Calling Equipment (AREA)
  • Control By Computers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、局部並びに′/又は遠隔の場所からのデー
タ入力に応答して、電力消費量が可変の少なくとも1つ
の負荷を制御する制御モジュールに関する。それに制約
されないが、この発明は特に建物の照明を制mするのに
適している。
多数の場所の内、種々の場所にある多数の負荷の各々を
遠隔制御する中央集中制御装置が例えば米国特許第4,
213.182号に記載されている。
灯の様な幾つかのエネルギ消費負荷の各々を、中央集中
制御装置又は「単独」方式(この場合、各々の灯が個別
に、或いは同時に制御される灯の小さな1群として、局
部的に制御される)で、複数個の離散的なレベルの内の
選ばれた1つに制御出来ることが望ましい。
従って、中央制御装置又は局部制御装置の情報2を受取
って、関連した負荷の出力を直接的に−1wするコスト
の安い汎用制御モジュールが非常に望ましい。周囲光の
強度の様な局部的なパラメータに応答して、負荷を自動
的に制御すると共に、個別の利用者が負荷の制御を越え
ることがない様に、特定の場所に於ける最高照明レベル
を設定することも非常に望ましい。
こ1明では、エネルギ管理システムに対する□制御モジ
ュールがマイクロコンピュータを含み、これが中央処理
装置(CPU)、同様な全ての制御モジュールに共通の
ファームウェア・プログラムを貯蔵する続出専用記憶装
置N (ROM) 、ランダム・アクセス記憶装置(R
AM)及び入出力(Ilo)部分を持っている。マイク
ロコンピュータの出力を利用して可変利得増幅器の利得
を定め、サイクル毎に又は長期的に設定される制御可能
な振幅を持つ周期的な波形を発信器から第1のデータ母
線に供給する。第1のデータ母線の信号が、制御モジュ
ールに付設した少なくとも1つの負荷の状態(例えばエ
ネルギ消費l/出力)を制御する。
局部制御インタフェイス回路が第2のデータ母線に接続
され、壁の埋込みスイッチ等の様な局部制御装置からの
局部制御情報を受取り、マイクロコンピュータに入力す
る為に局部制御インタフェイス情報の形式を定める。第
3のデータ母線が光電池、サーミスタ等の局部ア゛ナロ
グ出力感知装置をアナログ・ディジタル変換器に接続す
ることが出来る様にする。アナログ感知装置の出力のデ
ィジタル表示がマイクロコンピュータに供給され、周囲
状態に従うて負荷を制御するのを容易にする。
アドレス選定1路がマイクロコンピュータに接続され、
複数個の制御モジュール共通の両方向データ母線を介し
て遠隔の中央制御装置に接続される時、各々の制御モジ
ュールに対する独特のアドレスを設定する。こうしてア
ドレスされた制御モジュールだけが遠隔の中央制御装置
からのデータの伝送に応答する様にする。
好ましい実施例では、遠隔の中央制御装置との両方向の
共通のデータ母線が、両方向インタフェイス回路を介し
て、制御モジュールのマイクロコンピュータと接続され
る。多重化回路を利用して、アドレス選定回路、アナロ
グ・ディジタル変換器の出力又は局部制御インタフェイ
ス回路の出力をマイクロコンピュータの共通データ入力
に選択的に接続する。
第1図にエネルギ管理システム1を示す。このシステム
は、中央制御装置から遠隔の場所にある複数個の負荷を
制御する中央制御装置if2を含む。
中央制御装置自体は中央コンピュータ装置3を含む。こ
れはマイクロコンピュータ、ミニコンピユータ、メイン
フレーム・コンピュータ等であってよく、中央処理装置
(CPU)3aを持つ、これがランダム・アクセス記憶
装置(RAM)手段3b、読出専用記憶装置(ROM)
手段3C及び入出力伝送(Ilo)手段3dと共に利用
される。
周知の様に、プリンタ、グラフィック表示装置等の様な
1つ又は更に多くの入出力手段5が母線6を介して中央
制御装置のコンピュータ装−に接続それる。こめ為、n
個の入出力手段5a−5nを接続して、コンピュータ装
W3にデータ並びに命令を供給し、或いはそれから情報
を受取ることが出来る。
コンビ1−夕装置3は、110手段3dの所で、制御モ
ジュール10−1.10−2等にも両方向母線8を介し
て接続される。これらの制御モジュールは、種々の負荷
が配置されている遠隔の場所にある。母線8は同軸ケー
ブル、撚り線の対、光学繊維、無線通信回線等を含めた
任意の公知のデータ母線手段であってよい。
各々の遠隔の場所で、制御モジュールが制御データ母線
10aを介して少なくとも1つの負荷に接続される。各
々の負荷は、例えば可変光出力の安定器及び蛍光灯の粗
晶せであってよい。
各々の制御モジュール10が、局部制御情報のデータ母
線10bを介して局部制御情報11から負荷制御データ
を受取ると共に、中実装置の夏10母纏8の延長である
中央制御装置の両方向データ母線10Cを介して、−隅
の中央制御装置3バらも負荷制御データを受取る。制御
モジュール10は別のデー、夕母纏10dを介して局部
感知装瞳12からもデータを受取ることが出来る。
各々の制御モジュールはその一部分がこの制御モジュー
ルに対するアドレスを特定しており、この為複数個のモ
ジュールの内、個別のモジュールを遠隔の中央wIm装
置3から個別にアドレスし、それに付属する負荷を制御
することが出来る。即ち、第1の制御モジュール10−
1が自己アドレス選択部分10−18を−持つと共に、
複数個の関連した―萄、例えば安定器と灯の組合せに接
続された制御データ出力母船10a−1を持つている。
第1のIIIwJモジュールには関連した局部制御手段
11−1及び関連した局部感知装置12−1が接続され
ていて、関連した遠隔の場所からの局部情報を供給する
。更に第1の制御モジュールには、中実装置のデータ母
線の延長部10cm1が接続されている。
同様に、第2の制御モジュール10−2が自己アドレス
選択部分10−28を持ち、この中には第1の@御モジ
ュールのアドレス選択部分10−18に設定されたアド
レスとは異なるアドレスが設定されている。制御モジミ
ール10−2が、中央制御装置のデータ母線10cm2
を介して供給される中実装置の情報に応答して、制御デ
ータ母線10a−2を介して関連した負荷と連絡する。
第2の制御モジュール10−2は局部−一手段又は局部
感知装置に接続されておらず、図示例では、中央−一装
置3から遠隔−−作用だけを受ける様、に構成されてい
る。
この他のlll1lモジユール及びこの他の遠隔の場所
も、特定の用途向けに構成されたシステムの必要に応じ
て、中央から又は局部的に制御し、或いは中央だけから
制御することが出来る。
次に第1a図について説明すると、制御モジュール10
は少なくとも1つの出力データ母線10aを介して、少
なくとも1つの関連した負荷(この図には示してない)
に負荷出力又はエネルギ消費量の制御情報を供給する。
この構成では、負荷は可変光出力の安定器と灯の組合せ
である。制御モジュール10が、入力データ母線10b
を介して局部制御手段11から、又は中央制御装置のデ
ータ母線10’Cを介して中央制御装置3(第1図)か
ら制御情報を受取ることが出来る。データ母線10cは
、υjwJモジュール10から遠隔の中央制御ml装置
へ情報を伝送することも出来る様にする。
制御モジュール10が別の入力データ母線10dを介し
て、少なくとも1つd゛局部周囲状態感知手段12から
のアナログ情報を受取る。この感知手段は、光電池12
a (局部周囲光状態を感知する)、サーミスタ12b
(局部周囲温度状態を感知する)等を含むことが出来る
制御モジュール10がマイクロコンピュータの様な制御
論理手段14を含む。好ましい実施例では、マイクロコ
ンピュータ14はIN置8748等である。制御論理手
段14はこの為、中央処理装@(CPLI)14a、ラ
ンダム・アクセス記憶111(RAM)部分14b、及
び読出専用記憶装[、(ROM)部分14cを含むこと
が出来る。
読出専用記憶装置部分には、夫々データ母線10b、1
0C及び10dを介して、中央制御装置13゜局部w4
m手段11及び/又は局部感知装置12から受取った成
る指令並びに/又はデータに応答して、制御“モジュー
ルの動作を決定する為のプログラムが貯蔵されている。
制御論理手段14は入出力(T10)部分14dをも含
み、これが母線10Cを介して中央制御装置3との間で
両方向の通信が出来る様にすると共に、制御モジュール
10の他の部分及び′中央制御装置の間でも通信が出来
る様にする。
制御モジュール10がアナログ・ディジタル変換(AD
O)手段16を利用して、局部感知12のアナログ電圧
出力をディジタル・データに変換して、内部データ母1
118を介してマイクロコンピュータ14と通信が出来
る様にする。制御モジュール10は、母線10bを介し
て制御モジュール10に入力された局部制御手段のデー
タを適正な形式にし、その後制御モジュールの別の内部
データ母線22を介してマイクロコンピュータ14に送
り込むことが出来る様にする局部制御インタフェイス手
段20を含む。
マイクロコンビ1′−夕14は、中央制御装■、局部制
御手段及び局部感知装置からの負荷指令データに予定の
形で従う様にプログラムされており、こうしてマイクロ
コンピュータが最終的に負荷のエネルギ消費It/出力
を制御する為、制御モジュールの内部母線24にディジ
タル負荷制御データを供給する。
ディジタル負荷制御データ母線24がディジタル・アナ
ログ変換(DAC)手段26の入力26aに接続されて
いる。その出力26bには、DAC手段の入力26aに
受取ったディジタル・データの値に比例する大きさのア
ナログ信号が現われる。DAC手段26が第1の入力2
−88を持つ可変利得増幅器28を含む。発振器手段3
0がその出力30aに、略一定の振幅を持つ周期的な波
形を発生し、これが可変利得増幅器28の別の入力28
bに結合される。
可変利得増幅器28が、その1時増幅器の入力28aに
印加されたディジタル・データの値に従って、発振器の
出力波形の特性(例えば振幅又はデユーティ・サイクル
)を変調し、増幅器の出力26bに変調搬送波波形を発
生する。変調搬送波波形が制御モジュールの出力母線1
0aを介して伝送され、それに接続された負荷に制御デ
ータを供給する。好ましい実施例の制御モジュール10
では、制御データはパルス幅変調波形として伝送され、
この時発振器手段30゛は10KH2より若干低い周波
数で゛矩形派を発生する。この波形の振幅は、負荷制御
データを伝送する為に、長期的に又はサイクル毎に変え
ることが出来る。
中央集中制御形のエネルギ管理システムでは、制御モジ
ュール10がアドレス選択手段32を持ち、制御論理手
段14に結合されていて、複数個の制御モジュールの内
の特定の1つに対する独自のアドレスを割当てる。制御
モジュール10のアドレス選択手段32に独特のアドレ
スを割当てることにより、制御子ジュールは、この特定
の制御モジュールに割当てられた独特のアドレスを受取
った後の、中央制御装置からの指令及びデータにのみ応
答し、他の全ての制御モジュールのアドレスが前に来る
様な、中央制御装置から指令及びデータは無視する。
次に第1図及び第2図について説明すると、好ましい実
施例の制御モジュール10は、制御論理手段14として
、前述のIN置8748型のシングル・チップ・マイク
ロコンピュータを用いている。大きさ+Vの動作電圧が
マイクロコンピュータの給電ピン(Vcc)と大地の間
に接続される。動作電圧は、静電容―素子36と直列に
接続された抵抗素子35にも印加される。その間の接続
点がリセット(R8T)入力に接続され、この為1、動
作電圧が印加された時、マイクロコンピュータは動作状
態になる一0内部クロック信号がクロック水晶素子37
をマイクロコンピュータ集積回路の1対の内部発振器導
線の門に接続することによって供給される。この素子が
、別々の内部発振器導線と大地電位の間に接続された発
振器の1対の静電容138.39と共に動作する。
マイクロコンピュータ14が、いずれもアドレス選択手
段32に接続された複数個のデータ母線出力、例えば出
力DBo−DBsを持っている。
アドレス選択手段32は複数個(例えば12箇)のアド
レス選択素子、例えば素子Ao−Anで構成され、これ
らは可融リンク等を持つ又は持たないダイオードであっ
てよい。各々のデータ母線出力DBo−DBsが関連し
た1対のダイオード、例えばその特定のダイオードが存
在するとすれば、対の偶数−奇数番号の素子Ao−A1
.A2−A3、A4−As、As−A7.A11−A9
.Al6−Anの陽極に接続される。
各々のデータ母線出力に接続された1対のダイオードの
内の一方の陰極(例えば偶数番号のダイオードの陰極)
が第1のアドレス線32aに接続され、多対の他方のダ
イオード(例えば奇数番号のダイオード)の陰極が第2
のアドレス線32bに接続される。各々のアドレス線3
2a、32bが関連したトランジスタ41.42のベー
ス電極に夫々接続される。トランジスタ41.42のエ
ミッタ電極が大地電位に接続され、そのコレクタ電極は
夫々法に述べる様に接続される。
局部制御手段11が複数個のスイッチ手段45−1乃至
45−nを有する。各々のスイッチ手段は一時接触形の
単極双投スイッチ装置である。この為、各々のスイッチ
装置145−K (1≦に≦n)は周知の、壁に装着さ
れたスイッチ装置であってよく、第1及び第2の互いに
排他的なスイッチ45a−K及び45b−にで構成され
るとみなすことが出来る。この各々の一方の接点が大地
電位に接続され、他方の接点が関連した1つのffi線
端子46a、46bに夫々接続される。スイッチ45a
−Kを使ってオン/オフ機能を制御することが出来、ス
イッチ45b−Kを使って、マイクロコンピュータ14
の上/下フラグの状態によって定められた向きに(この
スイッチが閉じている時間の長さに関係する分だけ)出
力レベルを変えることが出来る。このフラグは、予め設
定した出力上限又は下限に達する度に(遅延時間の後)
反転する。
局部制御母線10bは1対のスイッチ入力端子46a 
、46bを持ち、その各々に少なくとも1つ、一般的に
は幾つかのスイッチ45を接続することが出来る。
局部制御インタフェイス・手段20が大きさVSWのス
イッチ枝路動作電圧を利用する。スイッチ枝路動作電圧
vswの大きさは、動作中に、スイッチの接点に酸化物
等が形成されない位に高くすることが好ましい。各々の
抵抗素子47a、47bがスイッチ動作電圧+Vswと
局部制御インタフェイス回路の関連した1つの入力端子
46a、46bとの藺に夫々接続される。
1対の抵抗素子48a、48bの各々は一方の端子が局
部制御インタフェイス手段の関連した入力端子46a、
46bに接続され、他方の端子が1対の抵抗素子49a
 、49bの1つに関連した一方の端子に接続される。
各々の抵抗素子49a。
49bは他方の端子が大地電位に接続されている。
抵抗素子48a 、49aの間の接続点又は抵抗素子4
8b 、49bの藺の接続点が、1対の2人力コレクタ
開放ナンド論理ゲート51,5.2の夫々の一方の入力
51a又は52aに接続されている。
論理ゲートの他方の入力51b、52は一緒にマイクロ
コンピュータ14のスイッチ出力P16に接続されてい
る。ナンド・ゲート51の出力51Cが別の2人カスン
ド・ゲート53の出力53cと並列に結合され、ナンド
・ゲート52の出力52Cが第4の2人カナンド、・ゲ
ート54の出力54Cと結合されている。各々のゲート
53.54の一方の入力53b、54bがマイクロコン
ピュータ14のADDR出力P出力転17に結合されて
いる。ゲート53の残りの入力53aがアドレス手段で
あるトランジスタ41のコレクタ電極に結合され、ゲー
ト54の残りのλカ54a″がアドレス手段であるトラ
ンジスタ42のコレクタ電極に接続されている。ゲート
の出力53c、54cはマイクロコンピュータのデータ
人力P20.P21にも夫々接続されている。
マイクロコンピュータの別の出力P15がADC手段1
6に対する何錠線(母l118の一部分を形成する)と
なる。アナログ・ディジタル変換手段16は、共通のス
イッチング・トランジスタ60を利用した2つのく又は
更に多くの)単一勾配アナログ・ディジタル変換器で構
成される。トランジスタ60はNPN形で、コレクタ電
極が大地電位に接続され、ベース電極がベース抵抗61
を介してマイクロコンピュータ14の何錠出力に接続さ
れ、エミッタ電極が抵抗63を介して動作電圧+Vに接
続される。積分静電容量素子65がスイッチング・トラ
ンジスタ60のエミッタ及びコレクタ電極の間に接続さ
れている。
所望のアナログ・ディジタル変換器の数と同じ数の複数
個の冑値スイッチング回路の入力が積分静電容量65の
両端に接続されている。図示の実施例では、1対の閾値
スイッチング回路16a。
16bを用いている。第1の抵抗素子67a又は67b
がトランジスタのエミッタ電極と積分静電容量、素子と
の接続点から、関連した演算増幅器70a又は70bの
夫々の非反転入力69a又は69bに接続されている。
1関連した帰還抵抗71a又は71bが関連した1つの
入b69a 、69bと関連した演算増幅器の夫々の化
カフ3a又は73bとの藺に接続されている。静電容量
素子75a又は75bが大地電位と、夫々の演算増幅器
70a又は70bの関連した反転入カフ7a又は77b
との間に接続されている。
第1の1対の直列接続抵抗素子79a 、80a又は7
9b、80bが動作電圧+Vと関連した演算増幅器の反
転入カフ7a又は77bとの閤に接続されている。別の
1対の直列接続抵抗素子82a、84a又は82b、8
4bが大地電位と夫々の抵抗素子79a、80a又は7
9b 、80bの接続点との間に接続されている。局部
感知装置の入力母線10dが夫々抵抗848.841)
の両端に形成され、出力抵抗値が可変の局部感知装置1
12b、12aが夫々接続される。
感知装置12aは光電池等の様な光感知装置であり、こ
れに対して感知装置12bはサーミスタ等の様な温度感
知装置である。夫々の演算増幅器の出カフ3a又は73
bが関連したベース抵抗86a又は86bを介して関連
したスイッチング・トランジスタ88a、88bのベー
ス電極に接続される。両方のトランジスタ88a 、8
8bのエミッタ電極が大地電位に接続され、そのコレク
タ電極が関連した1つの負萄抵抗90a 、90bを介
して動作電圧+Vに夫々接続される。トランジスタ88
aのコレクタ電極がアドレス手段であるトランジスタ4
1のコレクタ電極並びに論理ゲートの第3の入力538
に接続される。トランジスタ88bのコレクタ電極がア
ドレス手段でトランジスタ42のコレクタ電極に接続さ
れると共に、第4の論理ゲートの入力54aに接続され
る。
マイクロコンピュータのIloの内、母線10Cを介し
て中央IIIIll装置13との両方向通信に使われる
部分14dは、母線電流を感知する中央制御装置トラン
シーバと共に動作する様に、構成することが好ましい。
母線10cは撚り線の対であってよく、一方の線が大地
電位に接続される。動作線(接地されていない線)が可
融保護素子93を介して雑音う戸波コンデンサ94の第
1の端子に接続され、その他方の端子が大地電位に接続
される。
デ波コンデンサ94の両端の信号が、ベース抵抗95を
介して、スイッチングやトランジスタ96のベース電極
に印加される。トランジスタ96はエミッタ・ホロ9段
にあり、コレクタ電極が動作電圧+Vに接続され、エミ
ッタ電極がエミッタ抵抗97を介して大地電位に接続さ
れる。トランジスタ96のエミッタ電極がマイクロコン
ピュータ14の遠隔データ受信(R−RD )入hP2
2に接続される。
マイクロコンピュータ14のデータ遠隔送信(TRD)
出力P23が、ベース抵抗98・を介して別のスイッチ
ング・トランジスタ99のベース電極に接続され、この
トランジスタのエミッタ電極が大地電位に接続され、コ
レクタ電極が保護素子93を介して母線10(jの動作
線に接続されている。
DAC手段26を構成する発振器手段30及び可変利得
増幅1128は、この出願と同日に出願された係属中の
米国特許出願(出願人控え番号RD−12246)に記
載される様にすることが出来る。鐘単に云うと、発fi
l!手段30が非安定マルチバイブレータとして演算増
幅器101を利用し、10KHzより若干低い周波数で
矩形波出力を発生する。直列接続の1対の抵抗素子10
2.103が動作電圧+Vと大地電位の圀に接続される
。゛抵抗102.103の閣の接続点、が製飾増幅器1
01の非反転入力101aに接続されると共に、帰還抵
抗104を介して増幅器の出力101bに接続される。
別の帰還抵抗105が増幅器の出力101bと演算′増
幅11101の反転入力101Cとの間に接続され、タ
イミング・コンデンサ106が反転入力101Cと大地
電位の間に接続される。
発振出力波形が第1の抵抗110を介して別の演算増幅
器112の非反転入力112aに印加される。算段転入
#112aと大地電位の間に可変抵抗114が形成され
ていて、固定抵抗素子116と複数個の抵抗素子116
a乃至116nを含む。各々の抵抗素子116a乃至1
16nは第1の端子が大地電位に接続され、第2の端子
が同じ数のスイッチ手段118a乃至118nの内の関
連した1つの一方の接点に接続される。全てのスイッチ
手段118a乃至118nの他方の接点が非反転入力1
12aに接続される。スイッチ手段118a乃至118
nは制御モジュール10が設けられた場所で手動で作動
することが出来、発振出力波形に加えられる減衰量を手
動で選択することが出来る様にしている。スイッチ手段
118a乃至118nは、負荷に対する制御信号の最低
レベルを設定する為、従って最高負荷レベルを設定する
為に利用することが出来る。この最高負荷レベルを遠隔
制御、中央制御又は局部制御の時に越えてはならない。
可変利得増幅器28は5箇の抵抗素子120゜即ら12
0a乃至120eをも含む。各々の抵抗は第1の端子が
マイクロコンピュータのデータ出力P10乃至P14の
内の関連した1つに接続され、他方の端子が演算増幅器
の反転入力112bに共通に接続される。演算増幅器の
出力112Cが抵抗素子122を介して′相補対称形の
1対のトランジスタ124a 、124bのベース電極
に接続される。NPNトランジスタ124aのコレクタ
電極が大きさ+V+を持つ出力動作電圧源に接続され、
PNPトランジスタ124bのコレクタ電極が大地電位
に接続される。両方のトランジスタ124a 、124
bのエミッタ電極が結合コンデンサ126を介して負荷
制御データ出力母線10a  (図では撚り線の対で表
わす)に接続される。
母線10aは変圧器゛−整流器及び 波器又はその他の
適当なインタフェイス回路に結合することが出来る。帰
還回路128が複数個の抵抗素子130a乃至130n
を含み、その各々は一方の端子がトランジスタのエミッ
タ電極の閣の接続され、他方の端子が同じ数のスイッチ
手段132a乃至132nの関連した1つの第1の接点
に接続される。これらのスイッチ手段の他方の接点が演
算増幅器の反転入力112bに並列に接続される。並列
接続した抵抗とスイッチの枝路の両端に固定抵抗130
を接続して増幅器の最高出力レベルを固ス績 定することが出来る。スイッチ手段132a乃至132
nは手動で操作することが出来るし、或いはプログラム
制御(図に示してない)の為、マイクロコンピュータの
他の出力に結合することが出来る。
次に第1図、第2図、第3図及び第3a図乃至第3q図
について、制御モジュール10の動作を説明する。
制御モジュールに電力が印加されると、マイクロコンピ
ュータのビンR8Tには、抵抗135及び静電容136
の作用によって正の電圧が加えられ、マイクロコンビ1
−夕のリセット状態を解除する。リセット状態が解除さ
れると、マイクロコンピュータのプログラム計数器が、
そのROM部分14cに貯蔵されたファームウェア・プ
ログラムの暖初の位置に設定され、プログラムの開始工
程200(第3a図)に入る。開始工程に対して記憶装
置に貯蔵されている命令が、CPU14aに対し、RO
M14Cの内、パラメータ初期設定順序(工程205)
が貯蔵されている部分を指示する。ROMに貯蔵されて
いる定数を、マイ7’。
コンビュー夕の出力線P10−Pl 4に最初に利用出
来るディジタル・データのピット・パターンとして利用
する。
利得選択線P10−P14の内、論WOレベルを受取る
ものは大地電位に接続されている様に作用し、論理ルベ
ルを受取る線は略閤路インピーダンス・レベルを持つも
のとして作用する。増幅器部分28の利得がこうして大
地電位に接続された抵抗120a乃至120eによって
最初に設定され、制御データ波形出力10aの波形の大
きさを予定のレベルに設定する。出力波形の大きさが、
スイッチ118a乃至118n及び/又は132a−1
32nの手動−制御により設定された増幅器の最大利得
によって制限される。周期的な出力波形が母線10aを
介して可変光出力を発生する安定器と灯の種々の組合せ
に伝えられ、その入力制御部分は周期的な波形を隔離す
ると共に直流レベルに整流して、関連した灯を予定の初
期光出力レベルに定める。
■程205に於けるパラメータの初期設定の閤、マイク
ロコンピュータ1.4がROM14cの貯蔵位1から゛
最高光レベルの設定データの値MAXONをRAM14
b内の選ばれた貯蔵位置へ転送する。データMAXON
は、マイクロコンピュータの出力11P10−Pl 4
に加えられるデータ・ピット・パターンに制限値を加え
ることにより、可変利得増幅器の出力波形に定め得る最
低振幅を設定する。このデータ・ワードがRAM14b
内の予定の位置に貯蔵され、従って、そのレベルは、中
央制御111F3からの指令によって後で変更すること
が出来る。
制御モジュール10が後で説明する局部専用様式になっ
ている場合、ROMに永久的に貯蔵されている初期最高
光レベル設定データは、この制御モジュールによって制
御される制御回路と安定器と灯との全ての組合せに対し
て、不変の最高光レベルとなる。
パラメータ初期設定工程205の間、マイクロコンピュ
ータのフラグも初期状態に設定される。
オン/オフ・フラグは灯の状態を反映するように設定さ
れ、ファームウェア・プログラムROM14Cで予め設
定した初期レベルがオフ以外のレベルである場合、この
フラグがオンにセットされる。
オン/オフ・フラグは、灯を最初にオフにする場合にだ
けオフにセットされる。メツセージ継続中(MSOPE
ND)フラグを利用して、セットされている場合、RA
M14bに貯蔵されているメツセージを特定の制御モジ
ュール10が中央制御装置3へ転送する様にする為に、
制御モジュールがデータ母線10cが空くのを持ってい
ることを知らせる。
フラグMSG  PENDは初期設定の時にリセットさ
れ、この時メツセージを送る状態にないことを示す。灯
の明るさがスイッチ部分45b−にの閉路に応答して、
増加(上)又は減少(下)のいずれになるべきかを決定
する上/下フラグは最初は上位置に設定され、オン/オ
フ・フラグをオン状態にセット尊る場合、灯の給電を増
加することが出来る様にする。上/下フラグは最高光レ
ベル(MAXON)と、して設定された負荷レベルに達
するまで、上状態にとイまり、その後下状態に変わる。
このフラグは負荷出力レベルが最低許容レベル(MIN
ON)(使う場合)に達するまで、又は、上状態にリセ
ットされるまで、上状態に保たれる。
パラメータを初期設定した後、ファームウェア・プログ
ラムが工程210に進み、そこで局部アドレス読取(R
DADR)サブルーチン(第3b図に示す)を呼出す。
エネルギ管理システム内の全ての制御モジュールに対し
て同じファームウェア・プログラムを利用し゛ているか
ら、動作の初めに、そして制御モジュールが中央制御装
置3から母線10cを介して送られる指令情報に応答す
る為にはその前に、特定の制御モジュール10に割当て
られた独特の局部アドレスをアドレス手段32からその
マイクロコンピュータに読込まなければならない。
この為、RDADRサブルーチンの初めの工程210で
、マイクロコンピュータの出力P15が論理1し、ベル
にセットされ、スイッチング・トランジスタ60を飽和
状態に保つ。ADC手段の比較器の出カフ3a 、73
bがこうして論理0出力レベルに設定され、トランジス
タ88a 、88bをカットオフ状態にする。トランジ
スタ88a。
41及びトランジスタ88b、42によって夫々形成さ
れた多重化器は、この為夫々マイクロコンピュータの入
力P20及びP21に対する出力を決定するものとして
、アドレス手段であるトランジスタ41.42の入力を
選択する様に構成されている。この為、ADC出力及び
スイッチが実行的にマスクされる(第3b図の工程21
1)。
次の工程212で、データ母線の各々の線DBo−DB
sが個別に且つ逐次的に論理ルベルに付能される時、ア
ドレス・ピットがデータ線P20、P21に入力される
。最初のデータ母線のアドレス線DBoが論理ルベルに
付能されると、トランジスタ41.42は、関連した1
つのアドレス選択素子Ao、A+が存在する場合にだけ
飽和ダる。いずれかのトランジスタが飽和すると、マイ
クロコンピュータ14の関連したデータ入力は論理0レ
ベルになる。関連した1つのアドレス素子Ao又はA+
が(ダイオードを取去ったことにより、又は可融リンク
等を開いたことにより)存在しない場合、関連したトラ
ンジスタのベース電極には信号が入らず、従ってカット
オフ状態になり、マイクロコンピュータの関連した1つ
の入力P20.P21が、関連した1つの抵抗90a。
90bを介して動作電圧+Vが印加されることによって
、論J11レベルに引張られる様にする。
この為、出力D8oに論I!1ルベルを印加することに
より、局部アドレスの最初の2ビツトがニアドレス素子
Ao、Aiの有無によって決定される。この後、データ
母線の残りの各々のアドレス線DB+’−DBsが個別
に論理ルベルに上げられ、この為、11111モジユー
ルの独特の局部アドレスの後続の2ビツト部分がデータ
輪P20.P21に読込まれる。データ母線の6本の線
全部が逐事的に論理ルベルに上げられると、12ピツト
のアドレス・ワードがマイクロコンピュータのRAM部
分14bに読込まれる。
これによって、2I2=4096個の別異のアドレスを
持つ制御モジュール10を中央制御装置の1本のデータ
母線10cに接続し、個別にアドレスすることが出来る
制御モジュールが動作電圧を受取っている限り、特定の
アドレスがRAM14bに貯蔵されたま)になっている
。この後、このアドレスが中央制御装置3からの任意の
伝送アドレス部分と比較する為に使われると、共に、中
央制御装置によって制御モジュール10から開始される
様な、制御装置3への逆の任意のメツセージの伝送の前
文としても使われる。
この為、RAM16bにアドレス・ワードを貯蔵するに
は、12ビツト・ワードを適正なビット位置にシフトし
く工程213)、その後指定された位置の内容と論理オ
アをとり(工程214)、最近に入力されたアドレス・
データ・ビットを指定された位置に入れることが必要で
ある。次に、RAMに対するアドレス・ビットの読込み
が完了したかどうかを確認する為の検査(判定工程21
5)が行われる。1゛2箇のビット全部が適正な位置に
ない場合、サブルーチンは(1216で示す様に)RD
ADRサブルーチンの初め(工程210)へ戻る。アド
レス・ビットの読込み及び貯蔵が完了すると、サブルー
チンは工程217へ進み、第3a図の主順序に復帰する
次に主プログラムは工程220へ進み、そこで制御モジ
ュールが中央制御装置のデータ母線100に接続されて
いるかどうかを判定する為に、BLSCON・サブルー
チンを呼出す。BLSCONサブルーチン(第3C図)
は゛、制御モジュールが2つの別々の様式、即ち(I)
局部様式及び(It)プログラム可能な一般(PR,O
G)様式で動作することがある為に必要である。局部様
式では、データ母線10cが中央制御装置に接続されず
、負荷出力レベルが局部iIIJwJ手段11及び局部
感知装置112によって制御される。PROGII式で
は、データ母線10cが中央制御装置i3に接続され、
最^(並びに/又は最低)出力レベル(MAXON及び
MINON)並びにその中間の出り値は、局部制御手段
11の取消しがあってもなくても、また局部感知装置1
2からのデータを参照してもしなくても、中央制御装置
3によって設定することが出来る。
PROG様式では、制御モジュール10は、中央制御装
置からの指令に応答して、中央制御装置のデータ母線1
0Cを介して情報を伝送することも出来る。8し・5C
ONサブルーチン220は制御モジュール10を両方向
通信形エネルギ管理システムに使う場合に用いられ、デ
ータ母110cには、データ母線10cが制御モジュー
ル10に接続されている場合、成る時限(典型的には2
00ミリ秒)以内で正の電圧が存在する。
従って、初期工程221が200ミリ秒のカウントで、
マイクロコンピュータ14の内部計数器−タイマ・レジ
スタの初期設定をする。計数器−タイマ出力が200ミ
リ秒のカウントの遅延W8rmが過ぎた後に発生される
。計数器−タイマを設定すると、サブルーチンはBLS
CON2の節222を通って工程223に入り、そこで
データ母線100の論理レベルを読取る。工程223で
読取ったデータ母線10cの論理レベルを判定工程22
4で利用する。データ母線が高であって、論理ルベルが
出ている場合、リブルーチンは工程225へ進み、遠隔
の中央制御lvi置との接続が出来ているPROG状態
を表わすフラグ<BLSFLG)をセットし、第2のフ
ラグ(LSFLG)の状態は何等変更しない。
フラグBLSFLGをセットし、フラグLSFLGをぞ
のま)にした後、サブルーチンは復帰工程22dに入り
、ループの節230より手前で主プログラムに復帰する
。データ母11100の論理レベルが低であると、決定
工程224はNo出力を発生し、サブルーチンは判定工
程227に入り、この時計数器−タイマのカウントをゼ
ロと比較する。カウントが0に達していなければ、工程
227はNo出力を発生し、工程228に入る。こ1で
」1数器−タ、イマを減数し、BLSCON2の節22
2に再び入る。計数器−タイマが一杯に減数されて、そ
のカウントがゼロ、、になった時、判定工程227がY
ESの答えを発生し、工程229に入る。■稈229で
は、フラグBLSFLGを破算し、200ミリ秒の検査
期間の間のどの時も、遠隔の中央制御装置との母線10
cに正の論理ルベルが存在しなかつたこと、並びに中央
制御装置が制御モジュール10に接続されていないこと
を表わす。この為、フラグLSFLGを局部状態にセッ
トする。これは特定の制御モジュール10が局部様式又
は単独様式にあることを表わす。
工程229が完了した後、サブルーチンが工程226に
入り、ループの節230より手前の所で主プログラムに
復帰する。局部制御手段11の母線11bに接続された
スイッチの状態を表わすフラグLSFLGは、中央制御
装置が接続され且つモジュールがPROG様式にある場
合にあっても、付能されることがある。中央制御装置3
は、遠隔制御のシステム10の動作過程の間、フラグし
5FLGの状態をプログラムに従って変えることが出来
る。
こ)で初期設定段階が完了し、モジュールはスイッチ手
段11の閉路による、又は遠隔の中央制御装置13から
の指令を処理する用意が出来る。
主ループ局部様式 初tul設定したら、前に述べた様に、200ミリ秒以
内のどんな時も母線10cに論1!ルベルが現われない
ことをBLSCONサブルーチンの工&220で確認し
た場合、−制御モジュール10は局部様式にある。局部
様式では(又はPROG様式で7ラグLSFLGが付能
されている場合)、局部スイッチ45−1乃至45−〇
を利用して、上/トノラグの状態に応じて負荷出力レベ
ルを増減することが出来る。このフラグの状態は、スイ
ッチ部分45a−1乃至45a−nの内の1つを閉じて
、母線10bの入力46aを大地電位にすることによっ
てNilさせる。
一日変化の向きが定められると、負荷出力レベルの変化
の大きさは、母線10bの入力46bに大地電位を加え
る為に、スイッチ部分45b−1乃〒゛45b−nの内
の1つを閉じている持続*m−に関係する。特定の用途
では、制御モジュールが局部様式又は遠隔制御様式のい
ずれにあっても、局部感知装置12は使っても使わなく
てもよい。
主ループは、ループの節230から工程240(第3d
図)でスイッチ読取サブルーチン(RDSWCH)を呼
出すことによって開始される。工程241で、出力P1
5の何錠翰及び出力P17のADDR線が論理0レベル
に切換えられ、コレクタ開放ナンド・ゲート53.54
を実効的に入力P20.P21との接続から切離す。入
力P20、P21の論理レベルはこの時間遅した論理ゲ
ートの出力51c、52cによって夫々直接的に定めら
れる。マイクロコンビ1−4夕のスイッチ出力P16が
付能され、7論理・ルベルを発生してゲート51.52
を付能する。両方のスイッチ部分45a−K及び45.
b−にの全ての部材が開いていれば、両方の入力P20
.P21が論理0人力を受取る。
いずれかのスイッチ部分45a−K又は45b−にの任
意の1つの部材が閉じていれば、関連した入力46a又
は46bが大地電位に接続される。
関連したゲート人力51a又は52aが論]l!O入力
を夫々受取り、関連したゲート出力がマイクロコンピュ
ータの関連した入tJP20.P21に対して論理1信
号を夫々供給し、スイッチが閉じていることを知らせる
。従って、マイクロコンピュータ14は、出力P16を
何部した直後に、その人力P20.P21を検査し、ス
イッチを押したという判定(工程242)を表わす論理
Oレベルがいずれかの入力に存在するかどうかを判断す
る。
スイッチが閉じていなければ、Noの判定が出て、サブ
ルーチンは復帰工程243に入り、主ループの順序内の
工程310に復帰する。入力P20、P21の内のいず
れかが論理Oであると、スイッチを押したというYES
の判定が出て、サブルーチンを次の判定工程244に移
す。CPUがフラグ・レジスタを検査し、フラグLSF
LGが局部状態にセットされているかどうかを判断する
フラグL S F L Gが局部状態にあれば、別の判
定工程245が行われ、こ)でオン/オフ・スイッチ部
分45a−にの状態を検査して、オフが存在する(PR
3)かどうかを調べる。
スイッチ部分が連続的に押されてオフ・レベルを発生し
ている場合、ファームウェア・プログラムは灯即時オフ
(WLOFF)サブルーチンの工程246に入る。cp
uが(工程247で)オン・オフ・フラグをオフ状態に
セットし、負荷がオフに転じたことを表わし、且つ上/
下フラグを上状態にして、負荷が最低値であり、この優
のレベルの変化は上向きに行わなければならないことを
表わす。現在の負荷レベル舎データがRAM14b内の
予定の位置に貯蔵され後で灯負荷をオンに転する時に使
われる。
工程248で、灯をオフに転する為、出力P10−P1
4を制御して、10aにその値の周期的な波形信号を発
生し、これが入力l1II11部と安定器と灯負荷の組
合せをオフ状態に転する。WLOFFサブルーチンが完
了したら、プログラムは工程249で、主ループの工程
240の後の所に復帰する。
工程245に戻って、OFFスイッチを押していなけれ
ば、判定工程250で上/下フラグの状態を検査するこ
とにより、いずれかのスイッチが閉じているかどうかが
検査される。フラグが上位置にあれば、サブルーチンは
出力レベル増加(LM P U P )サブルーチンの
工程251に続く。フラグが下位置にあれば、プログラ
ムは出力レベル減少(L M P D N )サブルー
チンの工程252に続く。
LMPUPMPU−チンの工程251(第3e図)は、
工程252で、スイッチのオン/オフ状態を再び検査す
ることによって開始される。オフのフラグは、灯がオフ
状態から再びオンに転じたことを示しており、従って、
プログラムは即時オンWBLON順序に向い、工程25
3から開始される。工程254で、負荷は予定の特定の
レベル、例えばR高出力の38%に70グラムされ、工
程255でオン/オフ・フラグがオン状態にセットされ
る。局部スイッチ信号の言う通りにし、減少した入力で
灯をオンにしたのでプログラムは工程256に入り、主
ループで工程240の終りに復帰する。
■稈252の検査の間に、オフ状態が存在せず、灯が前
にオンであったことを示す場合、プログラムは工程25
7に向う。こ)で7ラグLSFLGが局部状態にあるか
どうかを検査する。局部フラグがセットされていなけれ
ば、プログラムは工程259(後で説明する)に飛越す
。局部フラグが局部状態にセットされていれば、プログ
ラムは判定工程258に入る。工程258で、前に述べ
た様に、初期設定の時にROMからRAMに転送された
現在設定した最高許容レベルMAXONに対してレベル
を検査する。このレベルは、プログラム可能な様式をこ
の後で利用する場合、遠隔の中央制御装置3からのデー
タによって改めることが出来る。 負荷出力レベルがM
AXONレベルより低いか或いはフラグLSFLGが局
部状態にセットされていない場合(工程257) 、プ
ログラムは工程259に入り、負荷出力レベルを増数す
る。実際のレベル変化はWLAMPサブルーチンの工程
260で行われ、この出願と同時に出願された係属中の
米国特許出願通し番号(出願入校え番号RD−1224
6)に記載された出力緩変化回路及び方法を利用して、
滑らかにレベル変更を行う。この方法は、振幅変調型で
も、パルス幅変調型でも、又はその他の可変信号特性変
調形式であっても、マイクロコンピュータの少なくとも
1つの計数器−タイマを利用するから、工程261では
プログラムの実行の継続が、レベル変化が実行されるま
で遅延する。
特に、中央制御装置からの[光レベルゆっくりと設定]
指令(後で第3に図について説明する)に応答して、或
いは特定の長さの時間の間、「変更Jスイッチ部分45
bが閉じていることに応答してのいずれであっても、光
レベルのゆっくりした変化が要求される場合、次の手順
をふむ。
(1)マイクロコンピュータ14がそのRAM部分14
b内の3つの位置を計数器−レジスタとして指定する。
第1の計数器−レジスタは、ROM部分14cから転送
されて来た基本的なシステム時定数データを保持する為
に利用する。ROMの値は、出力の変化を行う為に、負
荷、例えば安定器と灯の組合せに対して必要な時定数に
応じて、相異なるシステムでは異なっている。第2及び
第3の計数器−レジスタは基本システム時定数乗数を持
も、その値はシステム全体の時定数に従って変化し、好
ましい実施例では(8ビツト・レジスタに対し)1と2
55の間で変わり得る。
(2)レベルをゆっくりと変化させる為、マイクロコン
ピュータ14が全ての計数器−レジスタの初期設定をし
、次にその出力PIO−P14に新しいレベル・データ
を発生し、回路26の可変利得を、基本システム時定数
の値に等しい期間の間、新しい値に設定する、この′後
、古い又は前の出力レベル・データがマイクロコンピュ
ータの出力P10−P14に、基本システム時定数の値
よりずっと長い期間の間、例えば、基本システム時定数
の値の約100倍の期間の間、発生される。
(3)その後、第2の計数器−レジスタのカウントを1
だけ(例えば2のカウントに)増数し、これに対して第
3の□計数器−レジスタのカウントは1だけ減数する(
例えば99のカウントに)。
次に第1及び第2の計数器−レジスタにあるカウントの
積に等しい期間の閣、例えば基本システム時定数の2倍
の時間の間、出力P10−P14に新しいレベル・デー
タを発生し、その後筒1及び第3の轟l数器−レジスタ
にあるカウントの積に等しい期間の間、例えば基本シス
テム時定数の99倍のv1間の間、古いレベル・データ
を出力する。
(,4)第2の計数器−レジスタの増数並びに第3の計
数・器−レジスタの減数を続ける、新しい出力レベルに
ある時間の長さが着実に増加し、その閣古い出力レベル
にある時間の長さが着実に減少する。第2の計数器−レ
ジスタが一杯に、例えば100のカウントに増数され、
且つ第3の計数混−レジスタがOのカウントまで一杯に
減数されるまで、この過程を続ける。そうなった時、マ
イクロコンピュータが新しいレベルに対するデータを連
続的に出力する。
従って、負荷出力レベルは離散的に変化しているが、観
る者にとっては、その変化が徐々に行われる為、ゆっく
りと且つ連続的に変化した様に見える。この徐々のレベ
ル変化が完了した後、プログラムの工程262に入り、
プログラムは主ループの工程240の終りに復帰する。
工程258で、出力レベルが値MAXONより小さくも
等しくもないことが比較によって判ると、工程263に
入り、変化が起ら、ないことをスイッチの操作員に知ら
せる為に、長い遅延が開始される。この遅延の終りに、
出力レベルは現在設定した鏝高レベルを越えて増加する
ことは出来ないので、上/下フラグが工程264で上状
態にセットされ、負荷出力レベルのこれ以降の変化は減
少である必要があることを示す。上/下フラグをセット
すると、プログラムは工程265へ進み、主ループの初
めにあるループの節230に復帰し、別のスイッチ命令
を検査する。こういうスイッチ命令は、(現在ではこれ
以上負荷出力を増加することは出来ないので)、負荷出
力の減少を要請するものであることがある。
出力レベルの減少を指令された場合、RDSWCHサブ
ルーチンが前に述べた様に最終的に[MPONの工程2
52に入り、第3r図の順序が開始される。工程266
で、現在指令された負荷出力レベルを選択し得る最低出
力レベルNlN0Nに較べて検査する。選択し得る最低
出力レベルが現在使われていて、負荷出力がこのレベル
に等しい場合、プログラムは長い遅延工程267を通り
、その後1程286で、上/下フラグを上状態にリセッ
トし、上/下スイッチ部分245を次に閉じた時は、そ
れを上指台と解釈する必要があることを表わす。フラグ
をセットした後、工程269に入り、プログラムはルー
プの工程230に復帰し、R1’)SWCHサブルーチ
ン(工程240)に再び入り、上/下スイッチが引続い
て閉じていれば、それを光レベルを増加する様にという
要請と解釈する。
レベル比較工程266で、現在の負荷レベルがMINO
Nレベルでないと判ると、工程270に入り、現在のレ
ベルを減少する。工程270で指令された負荷レベルを
減少すると、工程271でWLAMPを呼出すことによ
り、滑らかなレベルの変更が実行される。WLAMPサ
ブルーチンは前に工程260について説明した。WLA
MPサブルーチンによる滑らかなレベル変更手順が行わ
れている問、プログラムは、マイクロコンピュータがそ
の内部計数器−タイマの利用を終るまで、遅延工程27
2を進む。終った時、工程273になり、プログラムは
主ループの工程240の終りに復帰する。
主ループPROG 工程220で、遠隔の中央制御装置のデータ母線10C
が制御モジュール10に接続されていると判定されると
、ループの節230の後RDSWCHサブルーチンの工
程240が続く。前に説明した工程241乃至244が
行われるが、比較工程244の結果は、フラグLSFL
GSPROG状態にセットされている為、Noの結果に
なる。
この時プログラムは工程280(第3d図)からRDL
SWLサブルーチンに入る。マイクロコンピュータが工
程281でスイッチの状態を検査し、そのRAM14b
の予定の位置に、各々のスイッチの接触状態を含むメツ
セージを形成し、後で中央制m装置へ伝送が出来る様に
する(工程282)。−■メツセージがRAMの貯蔵場
所にF組込」まれると、プログラムは工程283のメツ
セージ伝送(T R)サブルーチンを呼出す。TRサブ
ルーチンを行った後、プログラムは工程284に入り、
主プログラムのRDSWCHの工程240の終りに復帰
する。
メツセージ伝送(TR)サブル−チン並びに中央−11
111装置から制御モジュール10に伝送されるメツセ
ージは、第3図に示す40ピツトのメツセージ形式を用
いる。この5バイトのメツセージは3つの真フラグ・ビ
ットF2.  Fo3つの相補フラグ・ビットF2−F
o及びそれに続くアドレス・ビットA9及びA8を持つ
フラグ・ワードから始まる。アドレス・ワードが制御モ
ジュールのアドレスの最下位の8ビツトAy −Aoを
伝達する。
機能ワードは1lJIIIIモジユールのアドレスの最
上位の2ビツトA u及びAu+を持ち、それに固定3
ビツト順序(011)及び3つの機能ビット f2−t
oが続き、制御モジュールの機能情報を遠隔の中央制御
装置へ伝°送する様になっている。
8個のデータ・ビットDo −Dy  (中央制御装置
から受取る)を持つデータ・ワードは、とり得る16I
!の指令数の内の1つを伝送する為、データ・ビットD
<−Dyの上位ニブルを利用する。
データ・ビットDo−Daの下位ニブルは、上位ニブル
で伝送された関連する指令数に対する指令データの4ビ
ツト(存在する場合)を持っている。
最後に、8個のパリティ・ビットPo−P7を持つパリ
ティ・ワードが伝送される。相補7ラグ及び真フラグ・
ビットはCPUのフラグ・レジスタにあるオン/オフ、
上719局部/PROG、l−8FLG、BLSFLG
、感知装置付能等のフラグの状態情報又はその設定状態
を伝送する為に利用される。
第3Q図のメツセージ伝送(TR)サブルーチンで、メ
ツセージ・データが、(I)第3図のフラグ、アドレス
、機能及びデータの各々ワード形式に従ってRAM14
bで組立てられ、(II)検査され、(1)それからパ
リティ・ビットを発1しく1稈290)、パリティ・ワ
ードを形成する(第3図参照)。データ情報及びパリテ
ィ情報からこ)で完全なメツセージが組立てられると、
次にプログラムは判定工程291に入り、遠隔の制御l
装■のデータ母線10cが使用中であるかどうかを判断
する。母線が使用中であると、メツセージ処理中フラグ
が工程292でセットされ、TRサブルーチンは工程2
93を介してRDSWCHサブルーチンの工程240の
終りに復帰する。母線10cが使用中でない場合、工程
294でマイクロコンピュータ14が母線を「捕捉コし
てそのアクセスを得る。母線を捕捉するには、制御装置
のマイク【]コンピュータTRD出力P23に論理ルベ
ルを発生し、トランジスタQ7を飽和させ、母線10c
の動作線を略大地電位に接続する。好ましい実施例では
、データがパルス幅変調によって送られ、各データ・ビ
ット・パルスの長さは論理1状態も論理0状蝶も予め定
められている。マイクロコンピュータ14は種々の速度
でデータを受取ることが出来るが、伝送は予定のパルス
幅技術を使わなければならない。
工程294で母線10cを捕捉すると、マイクロコンピ
ュータ14は母線を論理0レベルに保ち、工程295で
、最初の比較的長いブロック間ギャップ(LIBG)を
送る。この時マイクロコンピュータの出力P23は、ト
ランジスタ99を飽和させて線にインピーダンスを接続
し且つ線を不作動状態にする論理ルベルと、トランジス
タ99をカットオフにして母線10cを解放し、母線1
0Cを動作状態にする論理0レベルとの間で変化する。
従って、母線に接続されたトランジスタ99のコレクタ
・エトツク間出力インピーダンスによって、動作状態及
び不作動状態の各々が伝送される時間の長さを変えるこ
とにより、メツセージがモジュール10から中央制御装
置3へ伝送される。
50%のデユーティ・サイクルを持つパルスを利用して
、工程296で前文が送られ、その後■稈297でメツ
セージが続く。2つの制御モジュールが同時に伝送する
と、その内の1つのモジュールから既に送られているメ
ツセージの完全さが損われるので、それを避ける為、ピ
ット調停技術が利用される。データ母線が遠隔の中央制
御装置によって動作状態に設定されている場合、母線の
動作状態が直らに受信され、RRD入力P22の論理ル
ベルとして、マイクロコンピュータに読込まれる。別の
モジュールの作用によって状態が不作動状態に変化する
と、現在メツセージを送っているモジュールはデータ母
線を放棄し、内部RAM14b内の選ばれた位置にメツ
セージ処理中フラグをセットする。
この為、工程298でデータ母線10Cの放棄が検査さ
れ、メツセージ全体が送られていないと、メツセージ処
理中フラグ・セット工程292が続く。メツセージ処理
中フラグがセットされた後、サブルーチンはRDSWC
Hサブルーチンの工程240に復帰しくT程293) 
、この後、メツセージをもう一度送ろうとする。メツセ
ージ全体が送られている場合、工程298の後に工程2
99が続き、こ)でメツセージ処理中フラグが破算され
、RAMの単一メツセージのバッフ?に処理中のメツセ
ージが貯蔵されていないことを表わす。
メツセージ処理中フラグを破算すると、工程300がプ
ログラムをRDSWCHサブ−チンの工程240に復帰
させる。
局部又は遠隔様式のいずれであっても、スイッチ・デー
タを読取ると、RDSWCHサブルーチン240が完了
し、主ループのプログラムは次に工程310でメセージ
処理中フラグを検査する。
メツセージ処理中フラグがセットされていると、(工程
298又はその他で)メツセージ全体が送られていない
から、プログラムは前に述べた工程283の様に、メツ
セージ伝送(TR)サブルーチンを呼出す。TRサブル
ーチンが完了するが、或いはメツセージ処理中フラグが
セットされていないと、主プログラムがループ1の節3
15につながり、RDBLSサブルーチン呼出し工程3
20(第3h図)へ進む。
RDBLSサブルーチンは判定工程321に於けるフラ
グBLSFLGの判断から開始される。
このフラグの状態は、BLSCONサブルーチンの1程
220で既に設定されている。フラグBLSFI Gが
論理0状態にセットされていて、遠隔の中央制御装置の
データ母線100がIII御モジュール10に接続され
ていないことを表わす時、プログラムは工程322へ移
り、ループの節230に復帰する。フラグBLSFLG
が論理1状態にセットされていて、遠隔の中央III御
装習の母線10Cがmi制御モジュール10に接続され
ていることを表ね寸時、次にプログラムは、判定工程3
23で、データ母線10cが低の論理レベルであって、
マイクロコンピュータの入力P22に低の論理レベルを
供給しているかどうかを判断する。
低の論理レベルが存在すると、データ母線10Cは、動
作状態にはなく、プログラムは工程322からループの
節230へ出て行く。データ母線に論理ルベルがあると
、線は動作状態にあり、マイクロコンピュータは判定工
程324で、長いブロック間ギャップ(LIBG)を探
す。各々のメツセージは、弗型的には2乃至6ミリ秒程
度の持続時間を持つLIBG信号から始まるから、母線
10cに入って来るどのデータも、こういう長さのLI
BGがあるかどうか検査される。この為、マイクロコン
ビ1−夕14はデータ母線10cが動作状態である時間
を計数し、持続時間がLIBG信号にとって十分な長さ
でなければ、母線10Cの信号を無視し、マイクロコン
ピユー′夕は工程322を介して、ループの節230に
復帰し、再び局部スイッチを監視する。
然し、十分な長さを持つLIBG信号を受取ると、マイ
クロコンピュータ14は工程325に続き、到来メツセ
ージの前文部分が50%の速度(即ち50%のデユーテ
ィ・サイクル)で受信される。マイクロコンピュータ1
4は、予定数、例えば4個の前文パルスの各々に対し、
データ母線10cが不作動状態にある時間を計数する。
工程325の一部分として、マイクロコンピュータが受
取るべき予め′選ばれた数のパルスに対する合計時間が
決められ、次にこの合計時間をパルスの総数で除し、5
0%の速度に対する平均値を出す。この速度を使って、
この後に続くパルス幅変調された論理O及び論理1のデ
ータ・ビットに対するll値を計算する。
ROM14bは、メツセージの前文並びに始めの50%
のデユーティ・サイクルを持つパルスを受取る合間の正
規のブロック間ギャップ時閣内に、こういう閾値を計算
し、計算した閾値を後で検出に使う為、RAM14cの
予定の位置に貯蔵するファームウェア・サブルーチンを
持っている。マイクロコンピュータはデータ母線が動作
状態に復帰するのを持ち、線が動作状態にと寸まる時間
を計数する。
データ線が不作動状態になったことをマイクロコンピュ
ータが検出すると、計数が終了し、カウントの値が■程
325で決定された種々の閾値と比較される。このカウ
ントを使って、受取った情報ビットが論理1であるか論
理0であるかが工程326で判断され、受取った論理ビ
ットがRAM14c内の予定のバッファ位置に貯蔵され
る。
カウントの持続時間が前に決定した閾値以内でない場合
、メツセージを無視し、モジュールのプログラミングを
変える措置は何もしない。サブルーチンは工程322か
ら出て行ってループの節230に復帰する。
メツセージ全体、例えば40個のデータ・ビットが復号
され、工程326でマイクロコンピュータのRAMに貯
蔵された後、マイクロコンピュータはこのメツセージの
解釈に准む。この為最初に、工程327で、受取ったフ
ラグ・ビットFo−F2及びFo−Fzを検査する。受
取ったフラグ・ビットが成る制御モジュールに対する伝
送として、伝送を確認する様に予定の形で選択されたフ
ラグ・ビット順序に等しい場合、復号を続番プる。然し
、復号されたフラグ・ビットが制御モジュールに対する
伝送を確認しない場合、プログラムは工程322を介し
てループの節230に復帰する。
受取ったフラグ・ビットが成る制御モジュールに対して
適正なものであると判断されると、受取ったメツセージ
の最初の32個のビット(フラグ・アドレス、機能及び
データの各ワードにある)がパリティ検査を受ける。こ
れらの32i1のビットに対するパリティ・ワードを発
生して、受取った最後の8個のビットPo −P7  
(パリティ拳ワード)と比較する。パリティ検査がよく
なければ、プログラムは工程322から出てループの節
230に復帰する。受取ったパリティ・ビットが正しけ
れば、工程328に入り、受取ったデータ内に特定され
ている制御モジールのアドレス・ビットAo−Auを特
定の制御モジュール10に対し、アドレス素子Ao−A
nによって予め設定されている局部アドレスに対して調
べる。
この為、受取ったメツセージのアドレス部分が、RDA
DRの間、設定されて貯蔵されているアドレス部分に対
して検査される。この制御モジュールの独特のアドレス
を受取らなかった場合、伝送を無視し、70グラムは■
程322から出て行き、ループの節230に復帰する。
特定の制御モジュールのアドレスを受取った場合、RD
BLSサブルーチンは指令復号(CMDDEC)■程3
29に続く。
■程329で、データ・ワードの4つの指令数ビットD
4−Dyが検査され、16個の指令数の内のどれかが要
求されているかを判断する。データ・ワードの下位の4
ビットDo−03は、幾つかの指令を遂行するのに必要
なデータを持っている。
指令数は裏構造によって復号される(第31図)。指令
数データ・ビットがDy 、 Ds 、 Ds 、 D
4の順に配置され、ROM14cに貯蔵された予定の表
に対する指標として利用される4ピツト・ニブルになる
。この為、工程330で、ファームウェア・プ0−ダラ
ムは指令表の初めを指示し、■程331で指令データ・
ワードを入手すると、■程332でみつけた指令数を利
用して、工程333で指令表内の指令された位置へ進む
。表の指令された位置には、■程334で、受取った1
つの指令数に対してファームウェアで予め設定されてい
る特定のサブルーチン・プログラムの初めのアドレスが
ある。指令されたサブルーチン・アドレスを■程335
で呼出す。好ましい実施例では、16個の指令の内、8
11L、か現在割当てない。これは、)記の指令表に示
す様に、指令数と、関連した2進指令数表示(D7 、
 Da 、 Ds 、 D4 )、指令り1ルーチン・
ラベル及び指令機能を定めている。
一直−jLJL 指令数  2進去丞  サブルーチン・ラベル  −一
一組令機龍一一一1   0001     ESTS
ET     光レベルを早く設定2   0010 
   5LO8ET     光レベルをゆっくりと設
定 5   0101    5ETLSW     局部
スイッチの設定6   0110     SETMX
L     M高1//’:、)It(1)設定8  
 1000     RDPHCL     光電池の
読取*9   1001     RDMXLV   
  最高レベル(D読取声10   1010    
 RDBALZ     現在レベルの読取11   
1011     RDLSWL     スイッチ接
点状態の読取声 本母線10cを介して、制御モジュールから遠隔の中央
制御装置へ送られる逆の伝送。
指令数に0001データ・ピットを利用した場合、■稈
335(第31図)が、工程340で第3j図のF、5
TSETサブルーチンを呼出す。
[光レベルを甲く設定]指令に関連したレベルに対する
指令データDI 、D2 、D+ 、Doは、■834
1で記憶装置から得られ、判定工程342で、ゼロ・レ
ベル又は負荷オフ・レベルと比較される。指令されたレ
ベルがゼロ・レベルであれば、■程343でオン/オフ
・フラグがオフにセットされ、この14ピツト・データ
順序Da + D2 *D+ 、Doによって定められ
る指令されたレベルは0000であって、これが灯しベ
ル設定工程344で設定される。
指令されたレベルがゼロ・レベルでなければ、■程34
2の後に■程345が続き、そこでオン/オフ・フラグ
をオン状態にセットする。次に工程344に入り、デー
タ伝送のピットDo−03によって特定されたゼロ以外
のレベルに灯レベルが設定される。灯レベルが設定され
、新しいレベル・データが貯蔵された後、サブルーチン
は工程346から出て、主プログラムのループの節23
0に復帰する。
指令数が0010であれば、工程335が5LO8ET
サブルーチン(第3に図の工程350)を呼出す。この
[光レベルをゆっくりと設定]指令は、制御モジュール
が関連した負萄灯のレベルを、4ビット順序D3.D2
 、D+ 、Doの指令データ・ニブルによって定めら
れた値に設定する。
この為、■程351で受取って貯蔵した伝送から、レベ
ル・データが得られる。
判定工程352で、レベル・データが現在の灯レベルと
比較される。現在の灯レベルが新しく指令されたレベル
であれば、それ以上の措置は必要ではなく、プログラム
は工程353へ出て行き、ループの節230に復帰する
。現在の灯レベルが新しい受取った指令レベルのデータ
と等しくない場合、■程352から判定工程354へ出
て行き、そこで新しいレベル・データが現在のレベルよ
り大きいかどうかの判断を下す。
新しいレベルが現在のレベルより轟ければ、判定工程3
55に入り、現在のレベルを最高負荷限界MAXONと
比較する。現在のレベルが既に最高の限界にあれば、そ
れ以上のレベル上昇をプログラムすることは出来ず、プ
ログラムは工程353からループの節230へ行く。現
在のレベルが設定された最高レベル(MAXON)に等
しくなければ、プログラムは工程356に続き、そこで
前に説明したプログラムの工程259,260゜261
を利用して、「ゆっくり」様式で灯レベルを上昇する(
明るくする)。灯を明るくした後、新しいレベル・デー
タが、更新現在レベルとしてRAM14cに貯蔵される
(工程357)。
然し、■程354で、新しく指令されたレベルが現在の
レベルより高くないと判ると、判定工程358に入り、
現在のレベルを設定された最低レベルMINONと比較
する。MINONと特定の値がプログラムされていない
場合、これはゼロ・レベルにすることが出来る。現在の
レベルが設定された最低レベルであれば、それ以上の負
荷レベルの低下を10グラムすることは出来ず、プログ
ラムは工程353からループの節230へ行く。
現在のレベルが設定された最低レベルMINONにまだ
等しくなければ、プログラムは工程359に続き、そこ
で前に説明した工程271.272を利用して、ゆっく
り様式で出力灯レベルを低下する(暗くする)。■程3
59で灯レベルを暗くした後、現在のレベルを再び工程
357で新しいデータを利用して更新し、プログラムは
工程360からループの節230に復帰する。
特定された指令数が0100であれば、サブルーチン呼
出し工程355で、工程370の5ETSWサブルーチ
ンが選択され゛る。このサブルーチンは第3It図に示
されているが、フラグLSFLGをセットする。これは
何部された時、局部制御手段11のスイッチ45が負荷
レベルを制御することが出来る様にする。スイッチの2
つの設定状II(スイッチの何部及びスイッチの不作動
)しかないので、1番目の指令データ・ピットDoだけ
を利用する。この為、■程371では、局部スイッチ設
定ビットDoデータを記憶装置から求め、それを判定■
稈372で2進1と比較する。データ・ピットDoが2
進0の値を持っていれば、局部スイッチ・フラグLSF
LGを工程373で局部様式に設定する。■程372で
データ・ピットDoが1に等しいことが判ると、次の工
程373が7ラグLSFGをPROG状態にセットする
いずれかの■程373又は374の後、プログラムは■
程375に移り、主プログラムはループの節230に復
帰する。この後、局部スイッチ監視サブルーチンRDS
WCH240に入る。
指令数が0110であれば、■程335が「最高レベル
設定」サブルーチンを実施する為にSETMx1サブル
ーチン380(第31図)を呼出す。■程381で、新
しい最高レベル(MAXON)データ・ピットDo−O
sが記憶装置の受取メツセージ・バッファ部分から再生
され、工程382で、現在の最高レベル(MAXON)
データが貯蔵されている記憶位置に転送される。この後
プログラムは工程383でループの節に復帰する。
第3e図のIMPUPMPU−チンの工程258の様に
、レベル上昇を行う時には、何時でも新しいMAXON
データを検査する。この為、このサブルーチンは、遠隔
の中央制御装■により、周囲輝度レベルを動的に制御す
ることが出来る。
■程335で呼出されたサブルーチン指令アドレスが現
在使われている成る指令のアドレスに対応しない場合、
第31図のCMODECプログラムが工程385からル
ープの節230に復帰する。
指令数が論理ルベルに設定されたD7ピツトを持つ場合
、遠隔の中央制御装置へ返答の伝送をする必要がある。
例えば、関連した1000のピット・パターンによって
指令数8(「光電池読取」指令)が呼出された場合、工
程335で呼出されたサブルーチンは工程390のRD
PHCI−サブルーチンへ進む。制御上ジュールは、光
電池感知装置12bの両端の電圧を求めることによって
、周囲照明レベルを決定すると共に、ディジタル値を中
央制御装置へ伝送する前に、この光電池の電圧をディジ
タル値に変換することが要求される。
この為、サブルーチンの最初の工程は、■程391で、
光電池読取順序R[)PHCLを呼出すことにより、光
電池を読取ることである。この順序の始めにマイクロコ
ンビ1−夕の出力P15(第2図)に論理1の何部信号
を設定して、スイッチング・トランジスタ60をオンに
転じ、積分コンデンサ65を放電する。コンデンサ65
が確実に放電するには1ミリ秒より幾分長くか)るのが
桑型的であり、これによって関連した比較器16a。
16i1の状態が変化して、出力トランジスタ88a、
88bがカットオフ状態になる。マイクロコンピュータ
のWA達したデータ人力P20.P21は、トランジス
タ41.42及びゲート51.52が論理1出力状態に
あるので、論理1の入力レベルである。この後、制御順
序により、何部出力P15を論理0レベルにし、トラン
ジスタ60をオフに転じ、」ンデンサ65を正の給電電
圧+Vに向って充電させる。
マイクロコンピュータ14の計数器−タイマ・レジスタ
に於けるカウントの増数は、トランジスタ60がカット
オフになった直後に開始され、この為、比較器の出力が
状態を変えるのに必要な時間のカウントが得られる。こ
の比較器の出力変化は、積分コンデンサ65の両端の電
圧が、アナログ・ディジタル変換器部分の内、特定の1
つに関連した感知装置112の両端の電圧と同じ大きさ
に達した時に起る。
特に光電池12bの両端の電圧を読取る為、抵抗84a
の両端の電圧が成る乗数を掛けて、積分コンデンサ65
の両端の電圧に比例する時、トランジスタ88aをカッ
トオフから飽和状態に切換える。トランジスタ88aを
カットオフから飽和状態に切換えることにより、マイク
ロコンピュータ14の関連したデータ人力P20に論理
0レベルが発生し、その計数器−タイマを停止する。
ファームウェア・プログラムが伝送すべきメツセージ・
ワードを保持する5バイト・バッファに貯蔵する為、3
つの機能ピットf2.f+、t。
を001(光電池読取動作を表わす)に設定する(■程
393)。計数器−タイマ・レジスタから8ビツトのデ
ータ・ワードを求め、5バイト・バソファの内、伝送す
べきメツセージのデータ・ビットDo−D7に当てられ
ている部分に貯蔵する(■程394)。■程395で(
第3g図の)メツセージ伝送(TR)サブルーチンが呼
出され、特定のυ1wJモジュールに対する12箇のア
ドレス・ビットを追加し且つパリティ・ワードを発生し
た後、光電池データ・メツセージが遠隔の中央側m@@
3へ伝送される。メツセージ伝送が完了すると、RDP
HCLサブルーチンは工程396から出て行き、ループ
の節230に復帰する。
指令9であれば、「最高レベル読取J指令−を受取る。
その指令数のデータ・パターン1001により、■程4
00のRDMXLVサブルーチンが呼出される。このサ
ブルーチン(第30図)が、中央制御装置からの要請に
応答して、マイクロコンピュータのRAM部分14bに
貯蔵された許容!^レベルMAXONの値を中央制御装
置へ伝送する。
最初の工程は、■程401でRAM貯蔵装−から餉に限
定されたMAXONの値を求めることである。機能ビッ
トfz、f+及びtoを010に設定して最高読取デー
タ・ワードが伝送されることを表示した後(工程402
> 、貯蔵されているMAXONデータを伝送するデー
タ・ワードのデータ・ビットDo−Dsに入れる(工程
403)。
特定の制御モジュールのアドレスを追加し、■程404
でTRサブルーチンを呼出す。TRサブルーチンが完了
した後、RDMXLVサブルーチンは工程404を出て
ループの節230に復帰する。
指令9は単にマイクロコンピュータのRAMの内、MA
XONに割当てられているバッファに貯蔵された現在の
最高レベルを読取るだけであり、指令数6、即ち、「最
高レベル設定」指令を利用して、RAMに貯蔵されるM
AXONデータを変える。
「現在レベル読取」指令10が伝送された場合、■程3
55は、23!値1010の指令数に応答して、RDB
ALVサブルーチンの工程410を呼出す。第3p図に
見られる様に、RDBALVサブルーチンは、RAM1
4bの貯蔵バッファから現在レベル・データを求め(■
程411)、伝送すべ゛きメツセージ・ワードの機能ビ
ットfz、f+、roを011に設定しく工程412)
、次に現在レベル・データの4ビツトを伝送すべきデー
タ・ワードのデータ・ビットDo−Dsに貯蔵(工程4
13)してから、■程414でTRサブルーチンを呼出
す。メツセージが伝送された後、TR9ブルーチンは工
程415から出て、ループの節230に復帰する。
指令11、即ち[スイッチ接点状態読取」指令が■程3
55で受取られると、■程420のRDLSWLサブル
ーチンが、指令数の2道データ・パターン1011に応
答して呼出される。RDLSWLサブルーチン(第3g
図)は、それに割当てられたRAMの貯蔵バッファから
スイッチ状態の情報を検索することによってスイッチ接
点の電圧レベルを求め(工程421)、次に工程422
でメツセージ・ワードの機能ビット’2ofl*1、を
100(スイッチ接点読取動作を表わす)に設定し、■
程423で、スイッチ45a及び45bの2つの情報ビ
ットを伝送すべきメツセージに対する5バイト・データ
・バッファのデータ・ビットDo及びD+に貯蔵する、
工程424でTRサブルーチンを呼出し、メツセージが
伝送された後、RDLSWNサブルーチンは工程425
を出て、ループの節230に復帰する。
第1図及び第4図について説明すると、別の好ましい制
御モジュール10′は、制御論理手段14′として、テ
キサス・インスッルメンツ社の1MS1100型4ビツ
トφシングル・チップ・マイクロコンピュータを利用す
る。初期設定ダイオード450及びコンデンサ451が
マイクロコンピュータ14′の初期設定入力INITに
接続される。動作電圧が印加されると、マイクロコンピ
ュータがダイオード450及びコンデンサ451によっ
てリセットされる。O8c入力に結合されたポテンショ
メータ452の値によって選択し得る周波数で、内部ク
ロック信号がマイクロコンピュータ14′内で発生され
る。
マイクロコンピュータ14′は128箇の4ピツト・ワ
ードを持つRAM、2キロバイトの記憶容−を持つRO
M、及び1個の4ビツト入カボート(入力K1.に2.
に4.に8)及び1対の出力ボートを持つ110部分を
含んでおり、出力ボートは並列の8ビツト出力ボート0
を含み、この内の線00−05が使われる。更に、11
0部分は個別にラッチされる11ピツトのボートR(線
Ro−Rs)を有する。
アドレス選択手段32′は、各々直列のダイオードと可
融リンクの組合せを含む複数個のアドレス選択素子Aで
構成される。個別にセット及びリセット可能な各々の出
力R3−R6が、直列のダイオードとリンクから成る組
合せの1つの選ばれたダイオードの陽極に接続される。
各々の組合せのリンク側の他方の端子が1つの入力に1
−に8に接続される。
中央υItlD装置の母線10′Cが制御モジュールの
110手段14′に接続される。到来データは受信デー
タ・バッファ回路462のバッファ作用を受ける。この
回路は作動入力増幅器465を含む。バッファ462の
出力473がトランジスタ457に接続される。
伝送データ・バッファ回路475がマイクロコンピュー
タ14′からのデータを母線10′Cを介して中央制御
装置へ伝送する。伝送すべきデータが出力線R1から、
光電子回路隔離器477の光放出ダイオード477aに
直列に読出される。
フォトトランジスタ477dがダイオード477aから
放出された光束に応答する。1対の雑音jり波静電容齢
素子486a 、486bが大地電池と入力母線の夫々
一方の端子461a 、461bとの間に接続される。
局部制御インタフェイス手段20’ a 、20’bを
持ち、これらが母線10′bにより、少なくとも1、つ
の単極双投スイッチ手段11′の各々の反対の選択可能
な端子に接続される。各々のスイッチ手段は共通端子が
母線の大地電位に接続されている。通常逆バイアスされ
たダイオード4918.491bが母線の入力電圧が動
作電圧の大きさを越えない様にし、ダイオード4928
.492bが母線の入力電圧が正の極性にならない様に
する。NB 波静電容1494a 、494bが設けら
れている。
アナログ・ディジタル変換手段16′が個別に何部され
る出力線R2をその何部線として利用するが、詳しく説
明する必要はない。
DAC手段26′が発振器手段30′及び可変利得増幅
器手段28′を用いる。発振器30′は、動作電圧が正
から負に変わった為に必要な変更を別にすると、第2図
の発振器30の略同−である。
発振器手段30′は、普通は照明制御の為に、10KH
zより低い周波数で、可変振幅を持つ矩形波を出力する
が、これを使って、出力00−05がセットされた時、
「オフ」信号が発生する為、約15%のデユーティ・サ
イクルの(略同じ周波数の)パルス状波形を発生するこ
とが出来る。この実施例では、これが出力線05の唯一
の使い途である。
可変利得増幅器28′は5ヒツトの乗算形ディジタル・
アナログ変換器で、その乗数(利得)が、制御マイクロ
コンピュータ14′の出力線O〇=04(母1124’
 )に出る2進データ・パターンによって設定される。
演算増幅器530はカット形比較器−増幅器集積回路(
例えばナショナル・セミコンダクタ・コーポレーション
の1M339型)の1/4にするのが有利であり、残り
の3つの装置が増幅器101,465.510に使われ
る。
この実施例の制御モジュール10′の動作を第1図乃至
第4図の回路図と共に第5a図乃至第5×図のフローチ
ャードを用いて説明する。制御モジュール10′に電力
が印加されると、入力INITに接続された回路がマイ
クロコンピュータ14′にROMにある予め選ばれたア
ドレスを指示する。このアドレスは記憶装置のチャプタ
OのベージFの位iioにある(第5a図の工程570
)。
開始工程570から、マイクロコンピュータは■程57
5で、ZMEMサブルーチンを通じてRAM記憶装置を
破梼することにより、第1の動作順序を開始する。一旦
RAMが初期設定されると、プログラムはチャプタOの
ベージ0ヘブランチし、■程580から始まって工程5
85まで続く初期設定(INIT)ルーチンを開始する
。工程585で、入力に1又はに2の一方が付能されて
いて、スイッチ手段11′の内の1つが閉じていること
を表わす時、工程585は、少なくとも1つの入力が作
用していることを表示し、順序はINIT工程580へ
戻る。′工程585が作用している入力がないことを知
らせるまで、このループが続けられ、「入出力の初期設
定」順序が完了する。
次にプログラムは、工程587に入ることにより、特定
の1IlIIIIモジユールに割当てられた「物理的な
アドレスの読取及び貯蔵」を行い、この工程で、12個
のダイオードとリンクの組合せAo −A uによって
プログラムされたアドレスを読取る。
物理的なアドレスの読取は、最初に出力線R4を付能す
ることによって行われる。こうすると、完全なリンクを
持つダイオードとリンクの組合せ、即ちビットAoに対
するダイオードと完全なリンクの直+11回路が、最初
の4個のアドレス・ビットAo−A3の内の関連した1
つに対し、入力に1−に8の内の関連した1つに論理1
を発生する。
関連したリンクを遮断又は開路すること等によって(ビ
ットA1に対して示す様に)ダイオードとリンクの組合
せが予めプログラムされている場合、関連した入力線に
は論理0が存在する。最初の4個のアドレス・ビットを
読取った後、出力線R4が不作動にされ、出力線R5が
付能され、次の4個1群のアドレス・ビットA4−Aア
をマイクロコンピュータの4ピツト入カボートに読込む
。この後、出力線R5が不作動にされ、出力線R3が付
能されて、アドレス中データの211のビットA8及び
A9をマイクロコンピュータの入力に1及びに2に読込
む。この後、線R3を不作動にし、線R6を付能して、
アドレス・データの最後の2個のビットAlG及びA 
uを読込む。こうして直列に現われる1群の並列アドレ
ス・ビットが12ピツト・ワードに組立てられる。次に
マイクロコンピュータは工程588に入り、再び作用し
ている入力があるかどうか検査する。入力が作用してい
れば、前に得られたアドレス・ワードは誤ったビットを
持っている慣れがあり、従って、プログラムはlNlT
l程580に戻る。作用している入力がなIすれば、ア
ドレス・ワードが正しく読取られており、工程589に
入り、そこで12ピツト・ワードをRAMの予め選ばれ
た位置に貯蔵する。
この物理的なアドレスは、特定の!11111モジュー
ルが中央v制御装置によってアドレスされた時を確認す
る為、後でυ+mモジュールから受取るすべての伝送の
アドレス部分に対する比較の為に、予め選ばれた位置か
ら呼出される。物理的なアドレスは、特定の制御モジュ
ールから中央制御装置への全ての伝送にも、この特定の
$1111モジュールがその時データを伝送しているこ
とを確認する為に利用される。■程589が完了すると
、物理的なアドレスの読取及び貯蔵が完了する。
次に初期設定ルーチンは、[マイクロコンピュータのフ
ラグを初期設定し配憶装置に論理アドレスを設定する1
一連の工程に入る。論理アドレスは、限定されたブロッ
ク、限定されたマツプ又は限定されt、、:部門にある
全ての制御モジュールに同じ論理アドレスを割当てるこ
とにより、いずれも少なくとも1つの制御モジュールを
含むブロック。
マツプ及びセクタのアドレスすることが出来る様にする
。ブロック、マツプ及びセクタのアドレスに関して詳し
いことは米国特許第4,213.182号を参照された
い。例として云うと、12ピツトの物理的なアドレス(
相異なる4096個の組合せの1つ)を割当てることが
出来るので、個別の制御モジュールは(論理1に設定さ
れた上位4ビツトと、下位の8個のアドレス・ビットと
の相異なる1つの組合せに対応する)とり得る256個
の論理アドレスの内の1つを割当てることが出来る。例
として云うと、論理アドレスは、全てのアドレス・ビッ
トが2進1である16進アドレスrFFFFJに対応す
る4095(10進法)の省略時状態に設定することが
出来るし、或いは下位の8ピツト・アドレスを任意に割
当て、上位の4ピツトは論理1にすることが出来る。更
に、万能アドレスをも割当てることが出来る。こうする
と、特定の12ピツトの万能アドレスを受取った時、全
ての111制御モジユールが応答する。この実施例では
、この万能アドレスがFFFF+省略時状省略子状態ロ
グラムされている。この為、特定のアドレス、ブロック
、マツプ又はセクタのアドレス指定に利用される1つ又
は更に多くの論理アドレス、又は中実装置に接続された
全ての制御モジュールを制御する為の万能アドレスを使
うことが出来る。
フラグ及び論理アドレス初期設定順序は工程591から
開始される。こ)でマイクロコンピュータの種々のフラ
グが予め設定された初期状態に設定される。■程592
で、出力線R2が付能されて、ADC16’ が感知装
@12を読−取ることが出来る様にする。例として云う
と、制御モジュール10’ を蛍光灯システムに利用し
、感知12が光電池であって、負荷母線10′aに接続
された安定器と灯から成る負荷の照明出力状態に関する
データを発生する為に使われる。この後、■程593で
、前記スイッチ・オン・レベルが決定される。最高レベ
ルMAXONが100%に設定されてRAMに貯蔵され
、制御マイクロコンビ1−タは出力線R6を付能し、夫
々人力に1及びに2に、%0及び%1と記したダイオー
ドとリンクの組合せの状態を読取る。この為、ダイオー
ドとリンク各々の組合せに対し、特定のスイッチ・オン
・レベルを指定することにより、これから更に詳しく説
明する様に、局部制御スイッチ手段11′を利用する時
、急速オンの特徴を持たせることが出来る。簡単に云う
と、%O及び%1多φ化入カブランチに関連したリンク
が両方共無きずであれば、第1のレベル、例えば最高負
荷の50%を、スイッチ手段「オン」側が閉じた(例え
ば入力22′a)ことを確認した時、直らに使うことが
出来る。
%0ブランチのリンクが開いていれば、入力に1の2進
Oレベル及び入力に2の2進ルベル(%1ブランチの閏
じたリンクによって発生される)が初期スイッチ・オン
・レベルを別の値、例えば70%に設定することが出来
る。同様に、%1リンクに関連したリンクが開いており
、これに対して%0ブランチに関連したリンクが閉じて
いれば、第3のスイッチ・オン初期レベル、例えば65
%を設定することが出来る。最後に、両方のリンクが開
いていれば、第4の初期スイッチ・オン・レベル、例え
ば60%を予め選ぶことが出来る。この為、出力R6を
付能して入力に1及びに2の状態を読取ることにより、
■程593で初期スイッチ・オン・レベルを決定するこ
とが出来る。■程594で、負荷(灯)を成る初期の制
御された値、例えば最高出力の25%までオンに転する
。論理アドレスは工程595で予め選ばれた値、例えば
103!数の4095に設定され、初期設定順序が完了
する。次にプログラムはループの節600に入る。
主ループ又は実行ループ順序は、第5a図に示すループ
の節600から始まる。灯(負荷)が「オフ」状態にあ
れば、ルーチンは工程602に進み、そこで線R2を不
作動にすることにより、光電池感知装W12を不作動に
する。灯がオフであれば工程602、灯がオンであれば
工程601が完了した後、■程603で線ROを付能す
ることにより、データ入力線を付能する。これによって
制御モジュールがデータを受取り、データ発信器475
がそれまで母線を捕捉していれば、データ母線10′C
を解放することが出来る。■程602が完了した時、■
程604に入り、制御マイクロコンピュータ14′に設
けられた監視タイマをトグル作動して、外部回路(図に
示してない)が制御モジュールが主ループを適正に実行
しているかどうかを判断することが出来る。この後、第
5a図のフローチャートの後続の工程に入る。
入力試験ルーチンは判定工程623aがら始まる。こ)
で、局部制御インタフェイス手段の出力22′aの23
1゛状態を検査することにより、全ての局部−制御スイ
ッチ手段11′の「オフ」状態を試験する。局部スイッ
チが[オフ]状態になっていれば、プログラムは(第5
c図の)オフ/下スイッチング・サブルーチン0FDS
Wを呼出す。
オフのスイッチがサービスを必要としなければ、■程6
31で暗フラグDMFLGをリセットし、比較工程63
2に入る。■程632で、全ての局部制御mDr4ン」
スイッチの状態を試験する。論理レベルが存在すれば、
少なくとも1つの局部「オン」スイッチが作用しており
、プログラムは工程635(第5d図)のオン/上スイ
ッチングφルーチン0NUSWを呼出す。局部「オン」
スイッチが工程632で作用していなければ、工程63
6で明フラグBRFLGをリセットし、この後判定工程
637に続く。■程637で、感知装置(光電池)の母
a活動を検査する。
光電池の読取を希望する時、何時でも光感知装置1Pc
ELLサブルーチン645(第5b図)を利用する。最
初の工程646は感知装置の出力が安定になる様に、約
1秒の遅延時間を作用させる。
次にサブルーチンはPCELLOの節647を通過して
工程648に入り、そこで(内部計数器の)カウントを
初期設定する。アナログ・ディジタル変換は■稈649
から始まる。最初、入hKが工程650で試験される。
第5b図に示した動作は、特に第3a図乃至第3q図の
説明から自ずと明らかであろう。
PCEL14順序では、工程658でフラグBLPCF
を試験する。フラグが論理1にセットされていれば、第
5S図の光電池読取RDPCLサブルーチンの工程66
0に入る。中央制御装■が光電池の検査を要求していな
い場合、フラグBLPCFが論理0状態にセットされ、
工程661に入る。工程662で、光電池の読取が検査
される。
周囲光レベルが許容光レベルより低ければ、システムは
工程662から工程665(第5f図)の負荷増加又は
明るさ増加サブルーチンBRITEにブランチする。周
囲光レベルが許容レベルより低ぐないと、周囲光レベル
感知装置の存在が検査される(工程666)。感知装置
が存在しなければ、この順序はループの節600へ出て
行く。感知装置が存在すれば、工程667に入る。周囲
光レベル(工程667)が許容光レベルより高ければ、
IIJI11作用は工程670(第5e図)の負荷減少
01Mサブルーチンに移り、光をルベルだけ下げる。■
程666で、周囲光レベルが許容レベルより高くないと
(そして工程662で周囲光レベルが許容レベルより小
さくないことが既に判っていると)1、負荷出力光レベ
ルは調節を必要とせず、ルーチンはループの節600(
第5a図)へ復帰する。
「オフ・スイッチ」が閉じたことが検査されると、節6
30(第5C図)のオフー薄明スイッチング・サブルー
チン0FDSWが呼出される。■程672で、スイッチ
接点が閉じた時のはね返り防止にマイクロコンピュータ
14″が利用される。
中央Milli装置の母線が工程673で検査される。
母線が作用していれば、プログラムはループの節600
に復帰する。母線が作用していないと、工程674に入
り、入力Kを再び検査して、「オフ」スイッチが閉じて
いるかどうかを調べる。「オフ」スイッチが押されてい
なければ、プログラムはループの節600へ出て行く。
「オフ」スイッチが押されていると、■程675でリセ
ット・フラグを破粋し、工程676に入って、負荷(灯
)がオフ状態にあるかどうかを判断する。灯がオフ状態
にあれば・、局部「オフ」スイッチが閉じた時、それ以
上の作用は必要ではなく、工程676からループの節6
00へ出て行く。負荷がオンであると、明フラグBRF
LGがリセットされ(工程677)、工程678で薄明
フラグDMFLGが試験される。DMFLGがセットさ
れていると、制御作用は工程670(第5e図)の薄明
ルーチンDIMへブランチする。DMFLGがセットさ
れていなければ、■程678から工程679へ進み、そ
こで1/2秒の遅延が発生する。中央制御装置の母線が
作用していれば(工程622’ )、INPT2サブル
ーチン(工l?624)を呼出す。母線が作用していな
ければ、工程680で7ラグCLFLGを破算し、「オ
フ」スイッチを検査する(工程681)。オフ・スイッ
チがもはや押されておらず、利用者が灯を消すことを求
めている場合、工程682に入り、灯がオフに転じ、プ
ログラムはループの節600に復帰する。この実施例で
は、1/2秒の遅延の後、スイッチを「オフ]状鍜に引
続いて押すことは、利用者が灯を消さず薄明にすること
を表わす。従って、■程670(第5e図)のDIMi
l明サブルーすンが呼出される。制御モジュール10′
は、照明制御システムに用いる時、スイッチの「オフj
側の短時間の作動で直りに灯をオフに転すると共に、ス
イッチを「オフ」側に引続いて作動する時、灯を薄明に
する様に作用する。同様に、スイッチの反対側即ち「オ
ン」側を引続いて押すことにより、灯レベルを上昇(明
るく)することが出来る。短時間の「オン」作動は即時
オン信号と解釈される。第5d図の工゛程635から始
まるオン−1スイッチング・サブルーチン0NLJSW
を参照されたい。
感知装M(光電池)の要請、中央制御装置の要請、又は
局部111mスイッチが閉じたことによる要請の内の1
つに応答して、2つのレベルの間でゆっくりしたレベル
変化を行う為、灯出力LMPOLITサブルーチン(第
5g図)を使う。ゆっくりしたレベル変化は、継続中の
米国特許出願(出願人控え番号RD−12246)の方
法に従って行うことが出来る。
負荷のレベル1胃が指令された場合、負荷レベル上屏B
RITEルーチンの節665(第5f図)が呼出される
。このルーチンは、工程737で指令フラグCMDEL
を試験することによって開始され、その残りの部分は自
明であろう。
節625から始まるBLSLサブルーチン(第5b図)
は、母線10′Cが低の論唾状態に引張られたことを検
出した時、制御モジュールの關御作用を中央制御装置に
移す為に利用される。この為、このルーチンは、工程7
60で中央制御装置の母線の活動が検査されることから
始まるが、残りの部分は自明であろう。
節775(第51図)から始まるメツセージ読取ROM
5Gサブルーチンでは、中央1lIll装隨からの40
ビツトのメツセージが1ljlDモジユールに読込まれ
る。メツセージ読取ルーチンが、工程777でカウント
を初期設定し、その後母線活動を検査して、中央制御装
置のデータ母1110’Cが解放された時を判断するこ
とによって開始される。
次にメツセージ伝送サブルーチンTMSG (第5j図
)を説明する。サブルーチンの節610では、工程80
2の所で、制御モジュールがそれにのせてメツセージを
伝送し得る様に、中央制御装置の母線10′Cが空いて
いるかどうかを確認する検査を行う。中央制御装置の母
線が空いていなければ、メツセージ処理中7ラグMPF
LGがセットされ(1程803)、ルーチンは(工程8
05で)主ループのINPT節620である入力試験箇
所TSTINへブランチする。母線が空いていれば、プ
ログラムはTSMGIの節810を通過し、工程811
で中央制御装置の母線を捕捉し、この母線を低状態に保
ち、こうして別の制御モジュールがメツセージの伝送を
試みることが出来ない様にする。
成るυ1Illモジュールから衝突なしに全てのメツセ
ージ・ビットが伝送されると、工程819で最後の短い
ブロック閣ギャップ(IBG>が伝送され、他のむ1@
モジユールが使える様に線路を解放しく工程820)、
中央制御装置又は他のw4Ilモジュールがこのデータ
母線で伝送し、プログラム制御は主ループの節600に
戻る。
中央制御装置の母線の指令を11号するCMDD  −
ECサブルーチンが第5に図に示されている。CNDD
ECの節800に入るのは、特定の制御モジュールを受
取り、遂行すべきリストされた制御機能を必要とする時
である。受取ったメツセージの機能ワードがRAMにあ
る読取バッファBRLJFに貯蔵されており、工程82
2等でそこから検索される。
中央制御装置がゆっくりしたレベル変化を指令した場合
、5LOLVL様式835(第5n図)に入り、負荷(
灯)のオン/オフ状態を最初に工程891で検査する。
負荷(灯)がオフであれば、レベル変化は行うことが出
来ず、制御作用はループの節600にブランチする。灯
がオン状態にあれば、新しいレベルNLVLのデータが
到来データ・バッファから得られる(工程892)。指
令された新しいレベルNLVLのデータが0に等しけれ
ば(工程893)、工程894で自動的にO以外の第1
のレベルに自動的に増数される。新しいレベルが最高許
容レベルより低ければ(工程895)、光電池感知装置
を工程896で不作動にする。新しいレベル拳データが
最高許容レベルより低(ないと、新しいレベル・データ
を工程897で最高許容レベルMXLVLに等しくなる
様に修正し、その後光電池感知装置を何部する(工程8
98)。■稈896又は898の光電池感知動作の後、
SI 0LVOの節900に入る。BRIT FEす1
ルーチンの節665を呼出すことにより、ゆつ(すした
レベル変化サブルーチンが終る。中央υII!l装冒が
許装置高レベルの変化を指令する時、SETMAXサブ
ルーチンの節840(第5ρ図)が呼出される。この指
令を受取ると、マイクロコンピュータは到来メツセージ
・バッファから新しい!高レベルNLVLデータを求め
、このレベルを最高レベルMXLVLに等しく設定する
(工程923)。新しいレベルが0に等しければ(工程
924)、プログラムは第5−図の速いレベル変化FS
TLVLルーチンの節830へ出て行く。
新しいレベルが0でなければ、プログラムは判定工程9
26へ進む。現在の負荷レベルが新しい許容最高レベル
より低ければ(■程926)、何等の動作も必要とせず
、プログラムはループの節600に復帰する。現在のレ
ベルが新しい許容R高レベルより高ければ、フラグSE
TMXをセットしく工程928)、ゆっくりしたレベル
変化順序の様式900を呼出し、現在の負荷出力レベル
を新しい許容最高レベルより轟くならない様にゆっくり
と低下させる。
中央制御装置が光電池の読取を要請する場合、RDPC
Lの節845(第5Q図)を呼出す。中央制御装置のデ
ータ母線10′cが不作動にされ、この為、中央制御装
置からのこれ以上の割込みなしに、光電池感知装置を読
取ることが出来る(工程931)。中央制御装置のデー
タ母線が不作動にされた後、アナログ・ディジタル変換
器16′を初期設定しく工程932) 、フラグBLP
CFを論理ルベルにセットする(工程933)。光電池
感知装置読取サブルーチンP CE L L Oの節6
47(第5a図)を呼出して、実際に光電池を読取り、
次に一旦光電池感知装置の読取が行われたら、プログラ
ムを第5r図のRDPC1サブルーチンへブランチされ
る。
中央υ1mH8が、1lJIIlマイクロコンピユータ
14′のRAMの予め選ばれた場所に設定されている許
容M高レベルの読取を要求する場合、RDMAXの節8
50(第5s図)に入る。許容最高レベル・データMX
LVLがその貯蔵位置から得られ(工程941)、機能
2に対する伝送バッファ情報符号データが設定され(工
程942)、■程943でMXLVL及びフラグ・ワー
ド情報が伝送バッファに貯蔵され(最高レベル・データ
だけでなく、4つの別々のフラグの状態も最終的に中央
υIll装置へ伝送することが出来る様にし)、■程9
44で新しいメツセージに対するパリティ・ワードを発
生する。この後、1MSG11程810を呼出して、中
央制御装置に対し、返送メツセージを伝送ケる。
中央υj御装置が実際の負荷出力レベルの読取を要請す
る時、レベル読取RDLVLサブルーチンの[1855
に入る(第5を図)。現在レベルCLVLデータが制御
マイクロコンピュータ14′のRAMの適正位置から得
られ(■程946) 、伝送バッファTBUFにある機
能符号データが3にセットされる(工程947)。現在
レベル・データが伝送バッファに貯蔵され(工程948
) 、新しいメツセージを発生する。このメツセージに
対するパリティ・ワードが発生される(工程949)。
この後TMSGIの節810を呼出して、実際の出hレ
ベル・メツセージを中央制御装置へ送る。
中央制御装置が、制御モジュールが負荷低下動作を行っ
て、全ての出力を新しいレベルに下げることを要請した
場合、5HLOADサブルーチンの節865(第5u図
)に入る。新しいレベルNLVLのデータは到来メツセ
ージから得られる(工程951)。現在レベルCLVL
が新しいレベルより低いか又はそれに等しい場合(工程
952)、変更は必要なく、プログラムは節600へ出
て行く。現在レベルが新しく指令されたレベルより高い
時、■&953に入り、現在レベルは新しいレベルに等
しくなる様に設定される。この後、9萄出力レベルを速
いレベル変化(工程954)によって、実際に新しいレ
ベルに設定し、光電池感知装置は速いレベル変化の間の
誤った読取を防止する為に不作動にする(工程955)
。負荷動作が完了した後、サブルーチンが主ループ60
0に復帰し、実行プログラムを続ける。
リセット指令を受取ると、節870(第5v図)に入り
、これが内部リセットを発動して、強制的に省略時の値
を利用させる。即ち、■程957で、最^レベルが許容
1i高レベル、例えば100%の負r4(灯)出力に対
応するレベル15に設定され、この時制御モジュールが
リセット様式で動作していることを表わす為にリセット
・フラグをセットしく■稈958)、光電池感知装置を
付随して(■程959)、ff1l110’ aの波形
の振幅に対する感知装4の帰還作用により、負荷(灯)
レベルをリセット・レベル15に保つことが出来る様に
する。この後プログラムは主ループの節600に復帰し
、実行プログラムを続ける。
i後に、υ制御マイクロコンピュータは、指令TSTM
Dを受取った時、試験様式に入る様に命令して、ベンチ
試験又はその他の診断作業ルーチンを駆動することが出
来る。節860(第5W図)に入り、全ての出力線Rを
論理0レベルにセットする(工程961)。次に入力線
Kを読取り、その合計を確認する(工程962)。(K
8=8)+(K4=4)+(K2−2)+(K1=1)
の合計が15に等しくなければ、合計の15からの差が
入力Kを決定する。特定の入力に関連した翰Rがトグル
動作をする(工程963)。プログラムは工程962に
進み、再び入力線Kを試験する。
入力線にの和が15に等しくなるまで、このループを続
ける。一旦にの和が15に等しくなると、工程964に
入る。■程964は、4木の入力線Kが15に等しくな
い和に設定され、少なくとも1つの入力Kが作用してい
ることを表わすのを持つ。入力にの和が15である限り
、工程964はそれ自体を循環する。一旦入力Kが15
に等しくない様になると、全ての出力11Rを破算しく
工程965) 、線Kを検査して、K=8であるかどう
か、即ら作用しているが入力に8であるかどうがを講べ
る(工程966)。入力に8が作用していれば、状態ラ
ッチを破算するが(工程967)、入ノ]K8が作用し
ていなければ、状態ラッチをセットする〈工程968)
。状態ラッチが適正な状態にある時、累算器レジスタを
破算しく工程965)、この時状態ラッチと累算器によ
ってアドレスされた特定の0出力が利用出来るようにな
る(工程971)。この後、累算器レジスタを増数する
(■稈972)。累算器の内容がゼロに等しければ(工
程973)、プログラムは工程965にブランチする。
累算器の内容がゼロに等しくなければ、プログラムは工
程671ヘブランチする。
TSTM[)順序は土日がなく、故障診断のみに使われ
ることが理解されよう。―+mマイクロコンピュータは
、(試験する時、作業者がスイッチを設定すると言う様
な)特別の状況の時の外は、この8令を無視するように
、ハードウェア、ソフトウrア又はその両方によって設
定することが出来る。
【図面の簡単な説明】
第1図は、何れも局部負荷制御情報を受取ると共に遠隔
の中央制御装置からの負荷制御情報を受取る複数個の1
111mモジュールによって、複数個の負荷が個別に制
御されるエネルギ管理システムの簡略ブロック図、第1
a図はこの発明に従って、関連した少なくとも1つの負
荷の□出力レベルを制御する為に、局部の並びに遠隔の
中央部からの両方の負荷制御情報を受取る制御モジュー
ル簡略ブロック図、第2図は第1図にブロック図で示し
た制御モジュールの好ましい実施例の回路図、第3図は
好ましい実施例の中央管理システムで制御モジュールに
送られる逐事的な5つの8ビツト・ワードから成る40
ピツト・メツセージの構成図、第3a図乃至第3q図は
好ましし゛)実施例で第2図の制御モジュール回路が多
数の負荷制御機能を夫々遂行するm11を説明する為の
互いに関連するフローチャート、第4図は第1図に10
ツク図で示した制−モジュールの現在好ましいと考えら
れる別の実施例の回路図、第58図り至第5w図は第4
図のυll1ll’Lジュール回路が多数の負荷!1J
御機能を人々遂?Tする態様を説明する為の互いに関連
したノ【l−ブ11−トである。 主な符月の説明 10  : vlllllt−シュー)Li10b:入
力母線 10C:データful1 11 :局部II)wスイッチ手段 12 :局部感知装置 14 :マイクロコンピュータ 14a:中央処理装置 14b:RAM部分 14c:ROM部分 14d:110部分 20 :局部&1IIII]インタフェイス手段26 
:デイジタル・7すDグ変換器 45 :切換え素子 特許出願人 Uネラル・■レフトリック・カンパニイ代理人 (7’
630)  /I  沼 徳 二図面ノ)浄、1:(内
容に変更なし) F/(3,5g         FI6.5hFIG
、 5o          F165゜FIG、 5
s         FIG 51FIG Jσ F/に、3d FI6.37 F/に、  3n 第1頁の続き 0発 明 者 ニドワード・バリー・ミラーアメリカ合
衆国ロウドアイラン ド州ウェスト・ワーヴイック・ エイコーン・レイン18番 0発 明 者 サルベイトオワ・フランク・ナラティ・
ジュニア アメリカ合衆国ニューヨーク州 シイラキュース・ウスドブルッ ク・ヒルズ・ドライブ7−7(番 地なし) 特許庁長官 若杉和夫 殿 2.RaJ]°6−−ケ。+R’16−え。ヵよ(2)
図面

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1)関連した少なくとも1つの負荷の状態を制御する可
    変特性信号を発生する装置に於て、接点開閉位置を持つ
    少なくとも1つの切換え素子を含んでいて、負荷制御入
    力データ信号を発生する少な“くとも1′つの局部制御
    手段と、中央処理装置、装置の゛動作パラメータを定゛
    めるプログラム・データを略永久的に貯蔵すると共・に
    前記中央処理装置の制゛御の下に前記プログラム・デー
    タを供給するR’OM手段、前記中央処理装置の制御の
    下にディ゛ジダル゛・データを略一時的に貯蔵するRA
    M手段、及び当該制御論理手段との間′でディジタル・
    データのやり取りする為の少なくとも1つのボートを持
    つ入出力手段を含んでいて、前記中央処理装置が前記R
    OM手段のプログラム・データに含まれる命令に従って
    、前記入出力手段からの′データ信号を前記局部l1l
    J11手段に周期的に鯵請する様になっている制御論理
    手段と、前記少”なくとも1つの局部制御手段の切換え
    素□子が接続された入力母線を含んでいて、−前記゛中
    央処理装置からの指令に応答′シ゛て、前記局部制御手
    段のデータ信号を入出力手段の少なくとも1つのボート
    にディジタル・データと□して”インタフェイス接続す
    る手段とを有し、前記RAM手段は、そめデータが中央
    処理装置によってWlされるまで、前記局部制御手段の
    データを前記インタフ薔イス手段から受取って貯蔵し、
    更に、前記RAM手段から得られるディジタル・データ
    に応答して設定される様な可変特性の大きさを持つ可変
    特゛−性信号を発生して、前記入出力手段の別のボート
    に送る手段を有し、該ディジタル・データは少なぐとも
    一部分が前記局部制御手段 ′の入力データ信号の内容
    に関係している装置。 2、特許請求の範囲1)に記載した装置に於て、前記可
    変特性信iが可変振幅信号であり、前記負荷が可゛変出
    力灯である装置。 3)特許請求の範囲1)又は2)一記載した装置に於て
    、前記局部制御手段がスイッチ動作電圧−と、該スイッ
    チ動作電圧源及び前記母線の間に接続されていて、前記
    局部制御手段の切換え素子が接点開放及び閉鎖状態にあ
    ることに夫々応答してw41及び第2の大きさを持つ電
    圧を前記母線が持つ様にする第1の抵抗素子とを有し、
    前記入出力手段の少なくとも1つの入力ボートは前記イ
    ンタフェイス手段から局部制御手段のデータを受取る少
    なくとも1本の入力線を持っている装置。 4)特許請求の範囲1)、2)又は3)のいずれか−項
    に記載した装置に於て、前記入出力手段の少なくとも1
    つのボートが、前記局部制御手段のデータを前記11i
    111論理手段に入力すべき時に信号を発生する少なく
    とも1本の出力線を持ち、更に、前記局部制御手段の少
    なくとも1つの切換え素子の両端の電圧を受取って、制
    御論理手段の出力線に信号を受取ったことに応答して、
    前記スイッチ母線の電圧の第1及び第2の大きさに応答
    する大きざを持つディジタル信号を前記制御論理手段の
    入力に供給する論理ゲート手段を有する装置。 5)特許請求の範囲1)乃至4)いずれか−項に記載し
    た装置に於て、前記局部制御手段が複数個の単極双投切
    換え素子を有し、各々の切換え素子は互いに排他的に閉
    鎖状態に作動し得る第1及び第2の切換え部分を持ち、
    前記入出力手段の前記少なくとも1つのボートは一対の
    データ入力を持ち、その各々が前記第1及び第2の切換
    え部分の内の一方と関連しており、全ての第1の切換え
    部分は前記局部制御手段のデータ母線の内の第1の線に
    並列に接続され、全ての第2の切換え部分は前記局部制
    御手段のデータ母線の第2の輪に並列に接続され、前記
    スイッチ動作電圧源及び前記データ母線の第1及び第2
    の輪の夫々の間に接続された抵抗素子を有する装置。 6)特許請求の範囲5)に記載した装置に於て、各々デ
    ータ母線の前記第1及び−第2の線の内の関連した一方
    に出る信号並びに前記出力線の付能に応答して、データ
    母線の関連した線に接続された任意の並列接続されたス
    イッチ部分の開閉状態を表わす信号を、データ母線の第
    1及び第2の入力の内の関連した一方に供給する第1及
    び第2の論理ゲート手段を有する装置。 7)特許請求の範囲1)乃至6)のいずれか−項に記載
    した装置に於て、装置が遠隔の制御装置からの指令デー
    タにも応答し、遠隔の制御装置のデータ母線手段を持っ
    ていて、前記入力手段の別、 の1つのボートに遠隔の
    制御装置からの指令データを受取ることが出来る様にし
    た装置。 8)特許請求の範囲1)乃至7)のいずれか−項に記載
    した装置に於て、遠隔の制御装置から受、 取った指令
    データを、前記入出力手段の前記別の1つのボートと合
    うレベルを持つデータ信号にバッファ作用をする手段を
    有する装置。 9)特許請求の範囲8)に記載した装置に於て、前記バ
    ッファ作用手′段がエミッタ・ホロリ回路を含み、該エ
    ミッタ・ホロ9回路の入力が前記母線に接続され、出力
    が前記入出力手段の前記別の1つのボートに接続されて
    いる装置。 10)特許請求の範囲7)に記載した装置に於て、前記
    遠隔の制御装置の母線が両方向母線であって、装置が遠
    隔の制御装置とディジタル・データのやり取りをするこ
    とが出来る様にした装置。 11)特許請求の範囲1)乃至10)のいずれか−項に
    記゛載した装置に於て、装置に対する独特の局部アドレ
    スを選定する手段を有する′@置。 12、特許請求の範囲11)に記載した装置に於て、前
    記入出力手段の更に別の1つのボートが、中央処理@瞳
    からの指令に応答して、前記アドレス選定手段を照会す
    る少なくとも1つの信号を発生し、前記RAM手段の一
    部分はその照会に応答して、前記アドレス選定手段から
    得られる独特のアドレス・データを貯蔵する様に予め定
    められており、前記中央処理装置は前記RAM手段の前
    記部分に貯蔵されたアドレス・データを、遠隔の制御D
    iIi置からの指令データの一部分として受取るアドレ
    ス・データと比較して、アドレス・データの比較結果が
    良である時にだけ、装置が遠隔の制御装置の指令データ
    に応答することが出来る様にした装置。 13)特許請求の範囲12)に記載した装置に於て、前
    記制御論理手段が万能アドレス及び/又は論理アドレス
    を選定するデータをも貯蔵する様になっていると共に、
    前記遠隔の制御装置から受取ったアドレス・データと前
    記万能アドレス又は論理アドレスのいずれか′一方との
    比較が良1あるかどうか、その応答を決める為に該アド
    レス・データを比較する様になっている装置。 14)特許請求の範囲13)に記載した装置に於て、前
    記負荷状態が前記負荷のエネルギ消費量又は出力であり
    、前記アドレス選定手段が、前記局部制御手一段の負荷
    オンの閉鎖状態に応答して前記負荷を設定すべき最高負
    荷消費l/出力の百分率を選定する手段をも含んでいる
    装置。 15)特許請求の範囲11)に記載した装置に於て、前
    記アドレス選定手段並びに前記局部制御インタフェイス
    手段の出力を入出力手段の同じボートに対して多重化す
    る手段を含む装置。 16)特許請求の範囲1)乃至15)いずれか−項に記
    載したamに於て、装置が該装置の外部の少なくとも1
    つのアナログ出力感知素子にも応答し、前記中央処理装
    置からの指令に応答して、前記入出力手段の更に別の1
    つのボートに♀示する為に、感知素子のアナログ出力情
    報をディジタルφデータに変換するアナログ・ディジタ
    ル変換手段を有する装置。 17)特許請求の範囲16)に記載した装置に於て、少
    なくとも1つの感知素子が周囲光感知装置又は周囲m痩
    感知装置である@置。、18)特許請求の範囲16)に
    記載した装置に於て、前記アナログ・ディジタル変換手
    段が、積分素子、動作電圧源、該動作電圧源の両端に積
    分素子と直列に接続された抵抗素子、前記中央処理装置
    から前記入出力手段を介して何錠指令を受取らなければ
    、前記積分素子を動作させない様にする手段、及び前記
    積分素子の両端の電圧を受取る第1の入力、関連した1
    つの感知素子の出力を受取る第2の入力及び、前記積分
    素子の両端の電圧が感知素子のアナログの大きさに等し
    い時に何錠される出力を持つ少なくとも1つの比較回路
    で構成されており、各々の感知素子の出力が1つの比較
    回路に:関係している装置。 19)特許請求の範囲18)に記載した装置に於て、各
    々の比較回路が、反転入力、非反転入力及び出力を持つ
    演算増幅器と、前記積分素子及び前記演算増幅器の第1
    の入力の間に接続された入力抵抗素子と、前記演算増幅
    器の出力及び前記入力抵抗素子並びに関連した演算増幅
    器の入力の閤の接続点の間に接続された帰還抵抗素子と
    、前記動作電圧源及び前記演算増幅器の残りの1つの入
    力の間に直列に接続された第1及び第2の抵抗素子と、
    大地電位及び前記第1並びに第2の抵抗素子の閣の接続
    点の簡に直列に接続された第3−及び第4の紙弊素子と
    、入力が前記演算増幅器の出力に接続され且つ出り回路
    に流れる電流が当該スイッチング装置の入力に入る信号
    の大きさによって制御される様なスイッチング装置と、
    前記動作電圧源及び前記スイッチング装置の出力回路の
    闇に結合された負荷抵抗素子とを含み、前記感知装置は
    大地電位及び前記第3並びに第4の抵抗素子の閣の接続
    点の間に接続され、前記比較回路の出力が前記スイッチ
    ング装置及び負荷抵抗素子の閤の接続点に得られる様に
    なっている装置。 20、)特許請求の範囲1)乃至19)いずれか−項に
    記載した装置に於て、前記少なくとも1つの負荷又は各
    々の負荷が、蛍光灯及びそれを作動する安定器の組合せ
    であり、制御し得る負荷状態が該蛍光灯の光エネルギ出
    力である装置。 21)少なくとも・1つの負荷の状態を制御する方法に
    於て、入力制御信号の大きさに応答する状態を持つ少な
    くとも1つの負荷を用意し、選択可能な第1及び第2の
    閉路位置及び常開位置を持つ少なくとも1つの局部制御
    スイッチを設け、任意の局部制御スイッチが第1の閉路
    位置にあることに応答して負荷入力制御信号の大きさを
    第1の向きに変え、任意の局部制御スイッチが第2の閉
    路位置にあることに応答して、負荷入力制御信号の大き
    さを前記第1の^きとは反対の第2の向きに変え、こと
    ごとくの局部制御スイッチが開放位置にあることに応答
    して負荷入力wJIll信号の大きさを予じめ設定した
    大きさに保ち、負萄消費−/出力レベルを感知し、前記
    少なくとも1つの局部制−スイッチが常開位胃にある時
    、前記負荷レベルを略一定に保つ様に前記負荷人力f/
    I4w信号の大きさを講節する工程から成る方法。 2、特許請求の範囲21)に記載した方法に於て、少な
    くとも1つの負荷を用意する工程が、負荷入力制御信号
    の増減に応答して、負荷の′エネルギ消費I/出力レベ
    ルを増減する様に負荷を構成する工程を含む方法。 2、特許請求の範囲22)に記載した方法に於て、最高
    許容負荷消費量/出力レベルを特定し、負荷入カーll
    1l信号の大きさを、前記最高許容負荷出力レベルに対
    応する負荷入力制御信号の大きさより大きくなることが
    決してない様に刺−する工程を含む方・法。 2、特許請求の範囲22)又は23)に記載した方法に
    於て、最低許容負荷出力レベルを特定し、負荷入力制御
    信号の大きさを、前記最低許容負荷出力レベルに対応す
    ′る負荷入力制御信号の大きさより低くなることが決し
    てない様に馴限する工程を含む方法。 2、特許請求の範囲21)乃至24)のいずれか−項に
    記載した方法に於て、少なくとも1つの局部制御スイッ
    チを、制御しようとする少なくとも1つの負荷の近辺に
    配置し、前記少なくとも1つの負荷及び少なくとも1つ
    の局部制御スイッチから離れた中央部から負荷出力レベ
    ルの増減を制御する工程を含む方法。 2、特許請求の範囲25)に記載した方法に於て、前記
    少なくとも1つの負荷がそれまでに付勢されていない場
    合、中央部からの制御作用を禁止する工程を含む方法。 2、特許請求の範囲21)乃至26)のいずれか−項に
    記載した方法に於て、最高負荷出力レベルを定める為に
    中央部から制御情報を受取り、負荷出力レベルを、中央
    部から定められた最高レベルを越えない様に制御する工
    程を含む方法。 2、特許請求の範囲27)に記載した方法に於て、各々
    の負荷制御スイッチが中央部から設定された最高レベル
    を取消す様に動作することを認める工程を含む方法。 2、特許請求の範囲25)に記載した方法に於て、独特
    のアドレスを持つ制御モジュールを用意し、該制御モジ
    ュールが中央部から発せられた情報に応答すべき時には
    、何時でも中央部からの独特のアドレスを伝送し、予め
    制御モジュールに割当てられた独特のアドレスと共に情
    報が伝送されなければ、峡部モジュールが中央部から発
    せられた情報に応答するのを禁止する。工程を含む方法
    。 30)特許請求の1111129)に記載した方法に於
    て、制御モジュールに論理アドレス及び/又は万能アド
    レスをも用意し、中央部から制御情報並びに論理アドレ
    ス又は万能アドレス・データを伝送し、指令データが制
    御モジュールに割当てられた論理アドレス又は万能アド
    レスを含む場合にだけ、制御モジュールが中央部から送
    信された指令データに応答することが出来る様にする工
    程を含む7j法□。 31)特許請求の範囲29)又は30)に記載した方法
    に於て、中央部からの指令を介して制御モジュールから
    の情報を要請し、制御モジュールに要請されたデータを
    中央部へ伝送させる工程を含む方法。 32、特許請求の範囲21)乃至31)のいずれか−項
    に記載した方法に於て、各々の局部制御スイッチを作動
    した後、対応する指令された変更が完了するの′を持っ
    てから、新しい負荷@御情報を受理する工程を含む方法
    。 33)特許請求の範囲21)乃至32)′のい”ずれか
    −項に記載した方法に於て、前記少なくとも1つの負荷
    制御スイッチの内の任意の1つを閉じる闇、並びに閉じ
    る方向に向う閤、前記負荷入力制御信号の大きさを徐々
    に変えて負荷出力レベルをそれに対応して様々に変化さ
    せる工程を含む方法。 34)特許請求の範囲29)乃至31)のいずれか−項
    に記載゛Cた方法に於て、動作電力d印加される度毎に
    、制御モジュールを予め選択された初期状態にリセット
    する工程を含む方法。 35)特許請求の範囲2゛1)乃至′34)のいずれか
    −項゛に記載した方法に於て、負荷入力制−信号の大き
    さを第1の向きに変える工程が、負荷がそれまでオフで
    あって、その後少なくとも1つの局部制御スイッチの内
    の任意の1つが第1の閉路位置になるや否や、負荷入力
    制御信号の大きさを予め設定したレベルに直ちに変える
    工程を含む方法。 36)特許請求の範囲35)に記載した方法に於て、負
    荷入力制御信号の大きさを第1の向きに変える工程が、
    任意の局部制御スイッチが第1の閉路位置に引続いであ
    ることに応答して、負荷入力制御信号の大きさを前記予
    め設定したレベルより^い値に増加することを含む方法
    。 37)プログラム可能な中央制御装置を分布した複数個
    のプログラム可能な制御モジュールに結合し、該制御モ
    ジュールの出力手段を夫々中なくとも一組の負荷に結合
    することによって、電気的に付勢される複数個の負荷の
    エネルギ出力を複数・個の離散的なレベルの内の成るレ
    ベルに制御するプログラム可能な装置に於て、電気的に
    付勢される一組の負荷が、制御信号の値を表わす離散的
    なレベルのエネルギ出力を発生する様になっており、中
    央制御装置は、制御しようとするプログラム可能な制御
    モジュールによって確認し得る指令されたアドレス・デ
    ータ、並びにターンオフ・レベルを含めて、少なくとも
    3つの離散的な付勢レベルを持つ複数個のレベルの内の
    選ばれた1つを表わす遠隔指令のレベル・データで構成
    された指令ディジタル・データを供給する様になってお
    り、プログラム可能な制御モジュールはアドレス・デー
    タを内部に貯蔵していると共に、指令されたアドレス・
    データ及び内部に貯蔵されたアドレス・データを比較す
    るアドレス確認手段、及びその相関性に応答して前記、
    遠隔指令のレベル・データを復号する手段を有し、前記
    プログラム可能な制御モジュールの内の少な(とも1つ
    に接続される局部制御スイッチング手段を設け、該局部
    制御スイッチング手段は、前記モジュールの内の少なく
    とも1つに結合された一組の負荷のエネルギ出力レベル
    を、ターンオフ・レベルを含む少なくとも3つの離散的
    な付勢レベルを含めた複数個のレベルのうちの選ばれた
    1つに局部的に指令する手動で作動し得るスイッチング
    手段で構成されており、前記プログラム可能な制御モジ
    ュールの内の前記少なくとも1つは、前記局部制御スイ
    ッチング手段の作動に応答して、少なくとも3つの離散
    的な負荷付勢レベルの内の選ばれた1つを表わす局部的
    に指令されたレベル・データを発生し且つ貯蔵する手段
    を有し、前記少なくとも1つのプログラム可能な制御モ
    ジュールは、遠隔指令のレベル・データ並びに局部指令
    のレベル・データの内の最後に指令された1つを表わす
    値を持つ可変特性(例えば振幅)を持つ一■御信号°を
    その出力手段に発生すると共に、局部指令又は遠隔指令
    のレベル・データのいずれかの後の麦化に応答して、制
    御信号の値を修正する手段を有する装置。 38)特許請求の範囲37)に記載した装置に於て、発
    光負荷の光強度を制御する為、プログラム可能な制御手
    段が最初に電力を投入した時に作動されて、消灯並びに
    利用し得る最高の発光レベルの闇の予斎のレベルの光の
    励振を表わすターンオン値を持つ制御信号を前記出力手
    段に発生する開始手段を有する装置。 39)特許請求の範囲38)に記載した装置に於て、前
    記開始手段が、ターンオン値の大きさを予定のレベルの
    範囲内で予め設定する手段i有する装置。 40)特許請求の範囲37)乃至39)のいずれか−項
    に記載した装置に一於て、負荷の実際の付勢レベルを表
    わす状態信号を発生する状態感知手段を゛有し、前記プ
    ログラム可能な制御モジュールが、指令されたレベル・
    データと状態信号の間の違いに応答して、前記出力手段
    の制御信号の値を修正して、負荷のエネルギ出力の指令
    されたレベルと実際のレベルを一致させる様にする比較
    手段を有する装置。 41)特許請求の範囲40)に記載した@置に於て、前
    記出力信号の値が指令されたレベル・データの修正に応
    答して変更される期間の間、“前記比較手段を不作動に
    する手段を有する装置。 42、特許請求の範囲40)又は41)に記載した装置
    に於て1、前記状態感知手段がプログラム可能な制御モ
    ジュールに着脱自在に結合される様になっていて、プロ
    グラム可能な@−モジュールが、前記状II感知手段の
    取り外しに自動的に応答して、前記比較手段を不作動に
    する手段を有する装置。 43)特許請求の範囲40)乃至42)のいずれか−項
    に記載した装ぼに於て、前記プログラム可能な制−モジ
    ュールが、該モジュールに結合された一組の負荷をオフ
    に転じた期間の閣、そのモジュールの比較手段を不作動
    にする手段を有する装置l!。 44)特許請求の範囲40)乃至43)のいずれか−墳
    に記載した装置に於て、状態感知手段がアナログ信号を
    発生し、前記プログラム可能な制御モジュールが、アナ
    ログ信号の値に対応する値を持つディジタル状態信号を
    発生する手段を有する装置。 45)特許請求の範囲44)に記載した装置に於て、デ
    ィジタル状態信号を最後に指令されたレベル・データと
    比較する手段と、状態信号の値が指令されたレベル以外
    のレベルを表わすことに応答して、負荷エネルギ出力レ
    ベルが指令されたレベルに対応するまで、制御信号の値
    を徐々に修正する手段とを有する装置。 46)特許請求の範囲40)乃至45)のいずれか−項
    に記載した装置に於て、中央制御vRIIが、状態感知
    手段によって感知された負荷エネルギ出力の値に対する
    要請を表わす感知装置読取機能符号を含む指令ディジタ
    ル・データを発生する様になっており、プログラム可能
    な@御モジスールが、1つのプログラム可能な制御モジ
    ュールのアドレスに結合された状態感知手段によって感
    知された値に対応する値を持つディジタル感知信号を伝
    送゛する手段を有する装置。 47)特許請求の範囲40)乃至46)のいずれか−項
    に記載した装置に於て、発光負荷のエネルギ出力を制御
    する為、状態感知手段が、周囲光強度レベルを表わす状
    態信号を発生する光感知手段を有する@1゜ 48)特許請求の範囲40)乃至47)のいずれか−項
    に記載した装置に於て、中央1iIIIIl装置がディ
    ジタル指令データの?ド?ス部分によって特定されたプ
    ログラム可能な制御モジュールによって行うべき指令を
    表わす機能符号を含む指令ディジタル・データを発生す
    る様になっており、前記プログラム可能な制御モジュー
    ルが、アドレスされたプログラム可能な制御モジュール
    がこの指令を実行する為の手段を持っている装置。 49)特許請求の範囲37)乃至48)のいずれか二項
    に記載した装置に於て、前記プログラム可能な制御モジ
    ュールが、関連した一組の負荷によって達成し得る選ば
    れた最高レベルの負荷の励振を表わす最高レベル・デー
    タを貯蔵する手段と、指令された負荷付勢レベルを前記
    最高レベル・データと比較する手段と、制御信号の値が
    、前記選ばれた最高値より高い負荷励振レベルを表わす
    値に達しない様にする手段とを一有する装置。 50)特許請求の範囲45)に記載した装置に於て、発
    光負荷の光強度を制御して光強度レベルを徐々に修正す
    る為、前記プログラム可能な制御モジュールが、指令さ
    れたレベル・データに応答して、光強度の変化が目につ
    くのを最小限に抑える様に選ばれた割合で、光強度レベ
    ルを新しく指令された値へゆっくりと修正する手段を有
    する装置。 51)特許請求の範囲37)乃至50)のいずれか−項
    に記載した装置に於て、前記プログラム可能な制御モジ
    ュールが、選ばれた最低レベルの光強度を表わすデータ
    を貯蔵する手段と、制御される負荷のエネルギ出力が、
    レベルを徐々に修正する園、この最低レベル専り低くな
    らない様に保証する為に、制御信号の値を制限する手段
    とを有する装置。 52、特許請求の範囲37)h至51)のいずれか−項
    に記載した装置に於て、中央−制御装置がアドレスされ
    たプロゲラ云可能な制御モジュールによって伝送しよう
    とする特定のパラメータの値を表pす照会機能符号を含
    む指令ディジタル・データを発生する様になっており、
    前記プログラム可能な1ilIIIaモジユールが、ア
    ドレスされたプログラム可能な制御モジュールが、パラ
    メータの特定の種類を同定する予定のモジュール機能符
    号と共に、特定されたパラメータの値を伝送する為の手
    段を有する装置。 53)特許請求の範囲52)に記載した装置に於て、照
    会機能符号が、アドレスされたプログラム可能な1iI
    IIIIlモジユールに貯蔵された最高レベル・データ
    の値に対する要請を表わす装置。 54)特許請求の範囲52)に記載した装置に於て、照
    会機能符号が、アドレスされたプログラム可能な制御モ
    ジュールに貯蔵された現在指令されたレベルの値に対す
    る!!請を表わす装置。 55)特[求の範囲37)乃至54)のいずれか−項に
    記載した装置に於て、プログラム可能な制御モジュール
    が、各々のプログラム可能な制御モジュールを一意的に
    同定して、中央制御装置が選ばれた個別のプログラム可
    能な制御モジュールを7ドレスすることが出来る様にし
    た第1の予定のアドレスを貯蔵する手段を有する装置。 56)特許請求の範囲55)に記載した装置に於て、前
    記プログラム可能な制御モジュールが、前記第1の予定
    のアドレスを所望の値に設定する調節自在の手段を有す
    る装置。 57)特許請求の範囲55)又は56)に記載した装置
    に於て、前記プログラム可能な制御モジュールが、各々
    のモジュールに共通の第2の予定のアドレスを貯蔵する
    手段を持っていて、中央III御装置が全てのモジュー
    ルを同時にアドレスすることが出来る様にした装置。 58)特許請求の範囲37)乃至57)のいずれか−項
    に記載した装置に於て、前記プログラム可能な制御モジ
    ュールが、中央制御装置によって指令された別の値のア
    ドレスを貯蔵する手段を持ち、こうして中央制御装置が
    プログラム可能な制御モジュールの選定された群に共通
    の値を持つ別のアドレスを貯蔵すると−とが出来る様に
    し、こうしてこの様に選定された1群のモジュールに同
    時に指令することが出来る様にした装置。 59)特許請求の範囲58)に記載した装置に於て、中
    央制御装置が、中央制御装置によって同時にアドレスさ
    れる複数個のプログラム可能な制御モジュールに結合さ
    れた何組かの負荷のエネルギ出力レベルを同時に減少す
    る為に負荷低下指令を発生し得る様にした装置。 60)特許請求の範囲59)に記載した装置に於て、前
    記負荷低下指令は1、アドレスされた制御モジュールが
    、中央制御装置から供給された遠隔指令のレベル・デー
    タによって特定された負荷低下レベルまで負荷の励振を
    減少することを要求し、プログラム可能な一1mモジュ
    ールは、この負荷低下レベルが現在指令されたレベルよ
    り低いことに応答して、ilJ御信号を負荷低下レベル
    を表わす値まで修正する手段を含んでいる装置。 61つ特許請求の範囲37)乃至60)のいずれか−項
    に記載した装−に於て、前記局部制御スイッチング手段
    が、前記少なくとも1つの制御可能なモジュールに結合
    仝れた電気回路を制御自在に閉じる様になっている少な
    くとも1つのオン/オフ電気スイッチを持つ、局部指令
    のレベルφデータは電気スイッチが作動される持続時間
    に応答する値を持っている装置。
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