JPS58195103A - 歪センサ - Google Patents

歪センサ

Info

Publication number
JPS58195103A
JPS58195103A JP7799582A JP7799582A JPS58195103A JP S58195103 A JPS58195103 A JP S58195103A JP 7799582 A JP7799582 A JP 7799582A JP 7799582 A JP7799582 A JP 7799582A JP S58195103 A JPS58195103 A JP S58195103A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
strain
generating
bridge circuit
span
strain inducing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP7799582A
Other languages
English (en)
Inventor
Koichiro Sakamoto
孝一郎 坂本
Shinichi Mizushima
水島 真一
Shozo Takeno
武野 尚三
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Sanyo Electric Co Ltd
Toshiba Corp
Toshiba TEC Corp
Original Assignee
Tokyo Sanyo Electric Co Ltd
Toshiba Corp
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
Tokyo Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Sanyo Electric Co Ltd, Toshiba Corp, Tokyo Shibaura Electric Co Ltd, Tokyo Electric Co Ltd filed Critical Tokyo Sanyo Electric Co Ltd
Priority to JP7799582A priority Critical patent/JPS58195103A/ja
Publication of JPS58195103A publication Critical patent/JPS58195103A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L1/00Measuring force or stress, in general
    • G01L1/20Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress
    • G01L1/22Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress using resistance strain gauges
    • G01L1/2268Arrangements for correcting or for compensating unwanted effects
    • G01L1/2281Arrangements for correcting or for compensating unwanted effects for temperature variations

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Measurement Of Force In General (AREA)
  • Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、たとえば電子秤に便用畜れる歪センサに関
するものである。
従来、複数の起歪部が形成されたビームを設け、これら
の起歪部にブリッジ回路を形成するストレンゲージを設
け、ビームの一端を固定し他端に荷重を加えて起歪部を
変形させ、ブリッジ回路の出力により荷重を測定する歪
センサが存する。ビームの温度が上昇するとビームのヤ
ング率が減少し歪層が増大しその結果ブリッジ回路の出
力電圧が増大する。すなわち、温度変化により荷重測定
値に誤差が生ずる。O’CKおける出力電圧に対し40
℃のそれは、ビームがステンレスの場合に約0,7s増
加しビームが高力フル(ニウムの場合に約1jIlb増
加する結果がでている。この九め、ブリッジ回路の入力
側に正の温度係数を有する金JI4抵抗体によるスパン
温度補償抵抗を接続し、周囲の温度が上昇するとスパン
温度補償抵抗が増大し、これにより、ブリッジ回路に印
加線れる入力電圧が下がり、その結果出力電圧の増加を
防止する手段が−じられている。
しかし、ビームは熱伝導体であり、九とえは電子秤であ
れば、と−ムとともにベースに取付けられた電源トラン
ス轡の回路部品の上昇温度がビームの固定部から起歪l
Iを経て受圧部に伝わ9、さらに載せ皿に伝わる。この
ようなことから、ストレンゲージが位置する起歪部とス
パン温度補償抵抗が位置する部分(一般には固定部側)
との温度が異なる場合が多く、出力誤差を正確に補正す
ることかで鐘ない、ちなみに、8U8680の材質によ
るビームを用い、スパン温度補償抵抗として+3000
9pm / ℃O抵抗温度係数を有するチタンを用い九
場合、スパン温度補償抵抗が位置する部分が起歪部より
OJC高いと龜に出力電圧がQ、04−減少した。これ
は精度が173000の歪センサにおいて五目盛の誤差
に相幽する。
この発明はこのような点に鑑みなされ九もので。
ビームに温度勾配が生じても誤差の小さい歪′竜ンサを
うることt目的とするものである。
この発明は、複数の起歪部が形成され九ビームを設け、
ブリッジ回路を形成する複数のストレンゲージを起歪部
に位置させ、これらの起歪部の間にスパン温度補償抵抗
を位置させてストレンゲージが位置する起歪部の温度平
均とスパン温度補償抵抗7.0置す6.7゜1度と”′
!を一欽、?、、えゆ、・′1″j1 って、ビームに温度勾配が生じても正確に出力電□ 圧を検出しうるように構成り1のである。
・1′1”。
この発明の一夾施例を図□面に基いて形成する。
(1)はビームである。このビーム(1)はステンレス
や高力アルミニウム材等を機械加工することによp製作
されたもので、中央側面に二つの孔<2)(3)を連通
#1(4) Kよりて連通しつつ形成することによp薄
肉の起歪11(5) (6バ7バ8)が形成されている
。また、一端の固ff1部(9)にはネジ04によυベ
ース(11に取付けられる取付孔(至)が形成され、他
端0受圧部t)3には載せ皿α◆が取付けられる取付孔
(至)が形成されている。
ついで、前記ビーム(1)の上面には前記起歪部(5)
の真上に位置するストレンゲージ(R+ )(& )と
、前記起歪11(6)の真上に位置するストレンゲージ
(Rs )(R4)と、前記起歪部(5)(句の間に位
置するスパン温度補償抵抗(Rs)と、リード電極(V
o+バVo−)(Ve”)(Ve−)と、ブリッジ回路
(至)が形成されるようにストレンゲージ(R1)(R
s )(Rs )(R4ンを接続するとともにブリッジ
回路OaO入力1lilKスパン温度補償抵抗゛、;1 (Ra)t!続する。−電部赴がパターンをもって形成
されているo”tなわち、第3図に示すようK1、−、
(□)0表面を″:1研廟加工し、洗浄した後絶縁樹工
、。9□、っ、え、工、。。。。、。1  ′たポリイ
ミドフェスをビーム<1) K #下し、スピンナを1
50or、p、mの回転数をもって回転させてこのポリ
イミドフェスを均一に散布し溶剤が乾燥した後さらK 
350℃の熱をもって1時間加熱し、これにより厚さ約
4μのポリイミド膜を形成する。ついで、その上にスト
レンゲージ(& )(& )(Rs )(R4)を形成
するためのニッケルクローム膜(至)ヲ1oooA。
の厚さでスパッタリングによp積層する。さらに、スパ
ン温度補償抵抗(Ra)を形成するためのチタン膜(ホ
)を300OA’の厚さで積層する。さらに七0上にリ
ード電極(Ve”)(Ve−)(Vo”)(Vo−)及
び導電部(ロ)を形成するための金(Au)膜(ハ)を
約1.5μの厚さで積層する。ついで、第4図に示すパ
ターンをもってニッケルクローム膜(2)とチタン膜■
と金J11(2)とを選択エツチングしてリード電極(
ve+)(■・−)(Vo”)(Vo−)と導電部C1
ηとを残す。さらK、金膜(ハ)の一部をエツチングし
て#!6図にハツチングで示したよう(金膜(2)下の
チタン膜(ホ)によるスパン補償抵抗(Rs )を形成
し、さらに、チタン膜■の一部をエツチングして第6図
にクロスしたハツチングで示し良ようVCflン膜四下
のニッケルクローム膜(至)Kよルxトレンゲージ(R
1)(Rs )(Rs )(R4)を形成する。コレニ
より、ブリッジ回路(至)が形成される。
このような構成において、リード電極(Ve”)(Ve
−)を外□部回路に接続しブリッジ回路cL時の入力側
に電圧を印加する。そして、載せ皿α◆に被測量物を載
せると起歪部(5)が伸び起歪部(6)が縮む、起歪部
(5)上のストレンゲージ(Rs)(Rs) Id抵抗
値が増大し、起歪部(6)上のストレンゲージ(R1)
(R4)は抵抗値が減少する。こ□れにより、荷重に対
応した出方電圧が出力される。そして、周囲の温度が上
昇しビーム(1)K温度勾配が生ずるが、起歪部(5)
(6)の温度が異っても起歪部(5)(6)の温度゛平
均とスパン温度補償抵抗(Rm)が位置する部分の温度
とは等しく、したがって、荷重に対応する正確な出方電
圧を検出することが可能である。
この発明は上述のように、それぞれストレンゲージが位
置する起歪部間にブリッジ回路の入力側に接続され九ス
パン温度補償抵抗を位置させたことにより、起歪部間に
温度勾配が生じても、起歪部の温度平均とスパン温度補
償抵抗を位置させた部分の温度とを等しくシ、シたがっ
て、常に荷重に応じえ出力電圧を正確に検出することが
できる効果を有するものである。
【図面の簡単な説明】
図面はこの発明の一実施例を示すもので、纂1図は斜視
図、第2図は正面図、第3図はビームにブリッジ(ロ)
路を形成する九めに各iaO導[膜を積層した状態を示
す拡大した断面図、第4図ないし第6図はその導電膜を
エツチングする過程を示す平面図、第7図は回路図であ
る。 l・・・ビー!、5〜6・・・起歪部、9・・・固定部
、13・・・受圧部、16・・・ブリッジ回路、R1−
R4・・・ストレンゲージ、R3・・・スパン温度補償
抵抗1

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 固定部と受圧部との間に複数OjI!1歪部が形成1れ
    たビームを設け、前記起歪ilK複黴のストレンゲージ
    をブリッジ回路として接続しつつ設け、前記固定部側の
    前記起歪部と前記受圧部側の前記起歪部との間に前記ブ
    リッジ回路の入力側Km!Iされたスパン温度補償抵抗
    を設けたことを4I黴とする歪センサ。
JP7799582A 1982-05-10 1982-05-10 歪センサ Pending JPS58195103A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7799582A JPS58195103A (ja) 1982-05-10 1982-05-10 歪センサ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7799582A JPS58195103A (ja) 1982-05-10 1982-05-10 歪センサ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS58195103A true JPS58195103A (ja) 1983-11-14

Family

ID=13649388

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7799582A Pending JPS58195103A (ja) 1982-05-10 1982-05-10 歪センサ

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS58195103A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6218633U (ja) * 1985-07-17 1987-02-04

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6218633U (ja) * 1985-07-17 1987-02-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0702220B1 (en) Load cell and weighing apparatus using the same
US3665756A (en) Strain gauge temperature compensation system
US20120247220A1 (en) Strain gage and manufacturing method thereof
KR960013675B1 (ko) 변형센서 및 그 제조방법과 그 변형센서를 사용한 로드셀 저울
WO2006006677A1 (ja) 荷重センサ及びその製造方法
JP2011504589A (ja) 内部応力を測定するためのロゼット歪ゲージ
US3290928A (en) Temperature compensated strain gage and circuit
US5184520A (en) Load sensor
KR910001842B1 (ko) 반도체압력센서의 브리지회로 조정방법
US4217785A (en) Erasable-foil-resistance compensation of strain gage transducers
JPS58195103A (ja) 歪センサ
JPH08136363A (ja) ロードセルとこれを用いた計量装置
JPH0739975B2 (ja) 分布型触覚センサ
RU2807002C1 (ru) Тензорезисторный датчик силы
JPH10274572A (ja) 計量装置
US3621435A (en) Transducer beam with back-to-back related deposited film type strain gages
JPS5942401A (ja) 歪センサ
JPH0125425B2 (ja)
KR860000047B1 (ko) 로오드셀 및 그 제조방법
RU2244970C1 (ru) Способ изготовления термокомпенсированного тензорезистора
JPS60147616A (ja) ロ−ドセル
JPH0886696A (ja) 荷重測定装置用シート状歪みゲージ
JPH0558675B2 (ja)
RU2166741C2 (ru) Датчик давления
JPH0542610B2 (ja)