JPS5819166B2 - 電荷転送形トランスバ−サルフイルタの直流電荷補償方式 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は入カフＪ［］重重代式電荷転送形ランスバー
サルフィルタに係り、電荷転送素子の各入力段の直流電
荷を常に一定にしておくための電荷転送形トランスバー
サルフィルタの直流電荷補償方式周知のように電荷結合
素子（以下ＣＣＤと略称する）やバケツリレー素子（以
下ＢＢＤと略称する）のような電荷転送素子（以下ＣＴ
Ｄと略称する）は、その遅延機能を利用してトランスバ
ーサルフィルタに応用することができる。

そして最近では複数に分岐された入力信号を予め定めら
れた係数で重み付けを行ない、この後ＣＴＤで加算、遅
延を順次操り返し行なうことにより集積度が高く周波数
特性の優れたトランスバーサルフィルタが開発されてい
る。

これは入力加重方式電荷転送形トランスバーサルフィル
タと称され、各段で入力信号を遅延、加算していくため
入力信号の直流分も加算され、出力段に近ずくにつれて
この加′算された直流分を収容するための転送電極の面
積の増大をもたらすといった欠点があり、さらには信号
に対する直流分が増大するためＣＴＤの出力段において
相対的な信号検出感度の低下をまねくといった欠点もあ
る。

この発明は上記点に鑑みなされたもので、入力加重方式
電荷転送形トランスバーサルフィルタにおいて、電荷転
送部の最前段から所定の直流電荷を注入し、最前段以外
の各段からは所定の直流電荷と信号電荷を注入する一方
所定の直流電荷を流出させることにより、集積度および
信号検出感度の向上を計ることができる電荷転送形トラ
ンスバーサルフィルタの直流電荷補償方式を提供するこ
とを目ｎ勺とする。

以下図面を参照してこの発明の一実施例を説明する。

第１図はこの発明の電荷転送形トランスバーサルフィル
タの直流電荷補償方式の一実施例の構成を示すブロック
図である。

図において１は電荷転送手段であり、この電荷転送手段
１の最前段には直流電荷を注入するための直流電荷注入
手段２が設けられている。

また電荷転送手段１の最前段以外の各段には、信号電荷
注入手段３ａ〜３ｄ各々が設けられている。

これら信号電荷注入手段３ａ〜１３ｄ各々は、端子４ａ
〜４ｄ各々を介して入力する信号電荷を、端子５ａ〜５
ｄを介して入力する制御電圧に応じて重み付けした後電
荷転送手段２に注入する。

さらに電荷転送手段１の最前段以外の各段には、上記信
号電荷注入手段３ａ〜３ｄ各々により注入された信号電
荷の直流成分に相当した電荷を流出するための電荷流出
手段６ａ〜６ｄが設けられていて、各段の電荷は端子７
ａ〜７ｄ各々を介して外部に流出されるようになってい
る。

また電荷転送手段１の出力段には各段で遅延、加算ある
いは減算された信号を検出するための出力手段８が設け
られていて、ここで検出された信号は端子９を介して外
部に出力されるようになっている。

第２図は上記のような構成の電荷転送形トランスバーサ
ルフィルタの直流電荷補償方式の動作原理を説明するた
めの模式図である。

以下第２図を用いてその動作を説明する。

図示するように直流電荷注入手段２からは直流電荷Ｑ１
が、信号電荷注入手段３ａ〜３ｄからは信号電荷 ｑｏ（４）＋ｑｓ（４））ｑｏ（３）＋ｑｓ（３）・ｑ
ｏ（２）＋ｑｓ（２）’ｑｏ（１）＋ｑ、（□）各々が
電荷転送手段１に注入され、さらに電荷流出手段６ａ〜
６ｄからは直流電荷ｑｏ（４）’ ｑｏ（３）” ｏ（
２）’ ”ｏ（１）各々力Ｓ流出されている。

このとき次式が成立する。向。

＝Ｑ１＋Σ〔（ｑｏ（ｋ）”５（ｋ）） ”’ｏ（ｋ
）〕・・・・・・（１）１（＝１ ここでＱ は出力手段８で検出される電荷、Ｑｌは電荷
転送手段１の最前段で入力される直流電荷、ｑｏ（ｋ）
はに段目の入力電荷の直流成分、ｑｓ（ｋ）はに段目の
入力電荷の交流成分、ｑ′ｏ（ｋ）はに段目で流出され
る直流電荷を各々表わし、ｑ８（ｋ）のみ正、負両極性
をもつ。

上記（１）式でｑ。（ｋ）−ｑｏ（ｋ）、うなわちに段
目において入力電荷の直流成分と流出される直流電荷と
が等しいとき、 Ｑ ＝Ｑ＋ Σ ｑｓ（ｋ）・・・・・・（２）０ １
ｋ−１ となるので、出力電荷Ｑ は最前段から注入される直流
電荷Ｑ１を中心に正負に振れる交流電荷が順次重量され
たものとなる。

したがって電荷転送手段１の出力手段に近ずくにつれて
、直流電荷が増加するという現象は発生せず、電荷転送
手段１の転送電極下の容量は各段とも同じ容量にするこ
とができる。

また電荷転送手段１の最前段から入力する直流電荷Ｑ１
を、転送電極下で収容できる最大電荷量の略籐となるよ
うに設定すれば、入力信号ｑｓ（ｋ）に対する出力電荷
Ｑ。

のダイナミックレンジを最も広くとることができる。

前記（１）式でｑ。

（１）＼ｑ’ｏ（ｋ）のときは４ 〜 Ｑｏ−Ｑｌゾ、ｑｓ（ｋ）＋ε °°°°°°（３）と
なり、ここでεは ε−Σ〔ｑｏ（ｋ） ”ｏ（ｋ） 〕”曲（４）４ であり、εは入力電荷の直流成分ｑ。

（１）と流出される直流電荷”ｏ（ｋ）との偏差の累積
を表わす。

したがってｑ。

（１）とｑ′ｏ（ｋ）が等しくない場合には等しい場合
に比較してダイナミックレンジは狭くなる。

第３図は前記第１図に示すブロック図を具体的に示す平
面図で、ここでは電荷注入手段として電・位平衡法、電
荷転送手段としては単相駆動形ＣＣＤ１出力手段として
はフローティング拡散増幅器を用いた場合を説明する。

第３図において１０は単相駆動形ＣＣＤ１１１はＣＣＤ
１０の最前段に設けられた直流電荷注入手段、１２ａ〜
１２ｄ各々はＣＣＤ１０の各段に設けられた信号電荷注
入手段、１３ａ〜１３ｄ各々はＣＣＤ１０の各段に設け
られた直流電荷流出手段、１４はＣＣＤｌ０の出力段に
設けられた出力手段である。

直流電荷注入手段１１はソース領域１５、このソース領
域１５に順次隣接して設けられる第１ゲート電極１６、
第２ゲート電極１７および第３ゲート電極１８から構成
されていて、上記第１ゲート電極１６、第２ゲート電極
１７には所定の直流バイアス電圧ｖ 、■ 各々が
与えられていＧ−Ｉ Ｇ−２ る。

そして上記両直流バイアス電圧Ｖ。−１゜Ｖｏ−２は各
々、ＣＣＤ１０の後述の転送電極下で収容できる最大電
荷量の約籐の電荷がこのＣＣＤ１０に注入されるように
設定されている。

またソース領域１５、第３ゲート電極１８にはパルスφ
８．φ。

−３各々が与えられている。ＣＣＤＩ Ｏの各段に設け
られた信号電荷注入手段１２ａ〜１２ｄ各々は前記電荷
注入手段１１と同様に、ソース領域１９ａ〜１９ｄ各々
と、このソース領域１９ａ〜１９ｄと隣接して設けられ
る第１ゲート電極２０ａ〜２０ｄ各々と、この第１シゲ
ート電極２０ａ〜２０ｄと隣接して設けられる第２ゲー
ト電極２１ａ〜２１ｄ各々と、この第２ゲート電極２１
ａ〜２１ｄと隣接して設けられる第３ゲート電極２２ａ
〜２２ｄ各々とから構成されている。

そして上記ソース領域１９ａ〜１９ｄ各々Ｓには並例的
にパルスφ８が与えられ、第１ゲート電極２０ａ〜２０
ｄ各々には入力信号ｗｉｎに直流電圧ｖＢがバイアスさ
れた信号か又は反転入力信号ｖｉｎに直流電圧ｖＢがバ
イアスされた信号のいずれか１方が切換スイッチ２３ａ
〜２３ｄ各々の切換選択操作に応３じて与えられるよう
になっている。

第２ゲート電極２１ａ〜２１ｄ各々はその面積比が所定
の重み係数比となるように定められていて各々には並列
的に直流電圧Ｖ。

−２が与えられる。また第３ゲート電極２２ａ〜２２ｄ
各々には並列的にパルス３φＧ−ａが与えられる。

ＣＣＤ １０の各段に設けられた直流電荷流出手段１３
ａ〜１３ｄ各々は、第４ゲート電極２４ａ〜２４ｄ各々
と、第５ゲート電極２５ａ〜２５ｄ各々と、第６ゲート
電極２６ａ〜２６ｄ各々と、４１ドレイン領域２７ａ〜
２７ｄ各々とから構成されている。

第５ゲート電極２５ａ〜２５ｄ各々はその面積が対応す
る前記信号電荷注入手段１２ａ〜１２ｄ各々の第２ゲー
ト電極２１ａ〜２１ｄ各々の面積に等しくなるように設
定されている。

そして第４ゲート電極２４ａ〜２４ｄには並列的に直流
電圧ＶＢが与えられ、第５ゲート電極２５ａ〜２５ｄに
は並列的に直流電圧■ が与えられ、第６ゲート電極
２６ａ〜２６ｄには並列的ニハルスφ。

−３が与えられ、さらにドレイン領域２７ａ〜２７ｄに
は並列的に直流電圧■ＤＤが与えられている。

ＣＣＤ１０は前記直流電荷注入手段１１および？信号電
荷注入手段１２ａ各々により注入される電荷を転送する
ための、順次隣接して設けられた転送電極（相電極）２
８ａ〜３１ａと、上記転送型Ｑ２８ａ〜３１ａのうち出
力段に近い側の転電極３１ａから転送される電荷および
信号電荷注入手段１２ｂにより注入される電荷を転送す
るための、順次隣接して設けられた転送電極２８ｂ〜３
１ｂと、上記転送電極２８ｂ〜３１ｂのうち出力段に近
い側の転送電極３１ｂから転送される電荷および信号電
荷注入手段１２ｃにより注入される電荷を転送するため
の、順次隣接して設けられた転送電極２８ｃ〜３１ｃと
、上記転送電極２８ｃ〜３１ｃのうち出力段に近い側の
転送電極３１ｃから転送される電荷および信号電荷注入
手段１２ｄにより注入される電荷を転送するための、順
次隣接して設けられた転送電極２８ｄ〜３１ｄとから構
成されている。

上記転速電極２８ａ〜３１ａ１２８ｂ〜３１ｂ１２８ｃ
〜３１ｃ１２８ｄ〜３１ｄのうち、転送電極２９ ａ〜
２９ ｄ、 ３１ ａ〜３１ ｄ（第３図において幅の
細い方の転送電極）各々に対応する基板には、予めイオ
ン注入等によって他の転送電極２８ａ〜２８ｄ１３１ａ
〜３１ｄ下に形成されるポテンシャルよりも低いポテン
シャルが形成されるようになっている。

また転送電極２８ａ〜２８ｄ１３１ａ〜３１ｃには並列
的にクロックパルスφ１が、転送電極２９ａ〜２９ｄ１
３０ａ〜３０ｄには並列的に直流電圧■２が、転送電極
３１ｄにはパルスφ。

が各々与えられる。出力手段１４は前記転送電極３１ｄ
と隣接して設けられたフローティング拡散領域３２と、
このフローティング拡散領域３２に接続されるＭＯＳＦ
ＥＴ ３３と抵抗３４とからなるソースフォロワアンプ
３５と、フローティング拡散領域３２と隣接して設けら
れるリセットゲート電極３６と、このリセットゲート電
極３６と隣接して設けられるドレイン領域３γとから構
成されている。

そしてリセットゲート電極３６にはパルスφ８が、ドレ
イン領域３７には直流電圧■ＤＤが与えられている。

上記のような構成において直流電荷注入手段１１では、
ソース領域１５から電荷が注入されている期間は第３ゲ
ート電極１８は閉じており、ソース領域１５から電荷の
注入が停止されている期間に第３ゲート電極１８が開い
て、第２ゲート電極１７下に蓄積されている電荷をＣＣ
Ｄ１０の最前段の転送電極２８ａに転送する。

また信号電荷注入手段１２ａ〜１２ｄ各々からＣＣＤｌ
０の転送電極２８ａ〜２８ｄ各々に信号電荷を転送する
際の動作は、上記直流電荷注入手段１１の場合と同様で
ある。

また直流電荷流出手段１３ａ〜１３ｄ各々では、転送電
極２８ａ〜２８ｄ各々から第４ゲート電極２４ａ〜２４
ｄ下を通って第５ゲート電極２５ａ〜２５ｄ下に一時蓄
積される電荷は、前記信号電荷注入手段１２ａ〜１２ｄ
各々の第２ゲート電極２１ａ〜２１ｄ下に一時蓄積され
る電荷の直流成分に等しくなる。

そして第５ゲート電極２５ａ〜２５ｄ下に蓄積された電
荷は、第６ゲート電極２６ａ〜２６ｄ各々に与えられる
パルスφ によってこの第６ゲート電極２６ａ〜２６
ｄ各々が開かれることにより、ドレイン領域２７ａ〜２
７ｄ各々に流出される。

以上説明した動作を第４図ないし第６図を用いて電荷の
流入、流出の機構を中心にさらに詳しく説明する。

第４図は上記第３図中で用いられるパルスφ８．φ８．
φ。

−３および直流電圧ｖ２の一例を示すタイミング図、第
５図は第３図中へ−Ａ′線に沿う断面図に各電極下に形
成されるポテンシャルの状態を合わせて示す図、第６図
は第３図中Ｂ−Ｂ’線に沿う断面図に各電極下に形成さ
れるポテンシャルの状態を合わせて示す図である。

第５図および第６図中時刻１＝１１でｌ′！／ウレスφ
８が第４図に示すように低レベルにあるため、信号電荷
注入手段１２ａのソース領域１９ａから第１ゲート電極
２０ａ下を通って第２ゲート電極２１ａ下へ電荷が注入
される。

時刻１＝１２ではパルスφ が高レベルにあるため、ソ
ース領域１９ａからの電荷の注入が停止され、第２ゲー
ト電極２１ａ下に蓄積された電荷のうち第１ゲート電極
２０ａ下の電位より低い電位にある電荷はソース領域１
９ａへ戻る。

一方前記したように転送電極２９ａ〜２９ｄ１３１ａ〜
３１ｄには予じめイオン注入等により他の転送電極２８
ａ〜２８ｄ１３１ａ〜３１ｄよりポテンシャルが低くな
る様に設定されているため、単相のクロックパルスφ１
と直流電圧Ｖ２によって電荷を一方向（図で左から右）
に転送することができる。

この時刻を二ｔ２ではクロックパルスφ１が高レベルに
あるため転送電極２８ａ下には前の転送電極（この場合
は電極１７から）から電荷が転送されてくる。

時刻を二ｔ３では、パルスφ が高レベルにあるた
め第３ゲート電極２２ａが開き、第２ゲート電極２１ａ
下に蓄積されていた電荷のうち第３ゲート電極２２ａ下
の電位より低い電位にある電荷が転送電極２８ａ下に転
送されて来る。

同時に直流電荷流出手段１３ａの第６ゲート電極２６ａ
が開き、第５ゲート電極２５ａ下に蓄積されていた電荷
のうち第６ゲート電極２６ａ下の電位より低い電位にあ
る電荷がドレイン領域２７ａに流出される。

時刻１＝１４ではパルスφ。

−３が低レベルニナり第３ゲート電極２２ａおよび第６
ゲート電極２６ａはともに閉じる。

時刻１＝１．ではクロックパルスφ１が低レベルになる
ため、転送電極２８ａ下に蓄積された電荷は最初第４ゲ
ート電極２４ａを経て第５ゲート電極２５ａへ転送され
、第４ゲート電極２４ａ下の電位より低い電位にある電
荷は第４ゲート電極２４ａを経て転送電極３０ａへ転送
されて一連の動作を終る。

第３図は重み係数が第２ゲート電極２１ａ〜２１ｄの面
積比で決まる。

即ち重み係数が固定のトランスバーサルフィルタに本発
明の直流電荷補償方式を適用した例であるが、次に重み
係数が可変な、即ち任意の重み係数が設定可能なプログ
ラマブルトランスバーサルフィルタに本発明の直流電荷
補償方式を適用した例を述べる。

第７図は入力電荷を一時蓄積する第２ゲート電極２１ａ
〜２１ｄ下の容量を第２ゲート電極２１ａ〜２１ｄ各々
に与える制御電圧■ｈ４．■ｈ３゜Ｖ 、■ で変
化させて重み係数を設定する）１２ １１１ ものである。

すなわちこの場合の第２ゲート電極２１ａ〜２１ｄ下に
形成される容量Ｃ〔■ｈｋ〕は制御電圧■ｈｋのある範
囲において Ｃ（Ｖ ）＝に−Ｖ ・・・・・・（５）ｈ
ｋ ｈｋ なる関係を満足する。

ここでＫは定数である。従って第２ゲート電極２１ａ〜
２１ｄ各々に蓄積される電荷Ｑ 、 （＋）、Ｑ
（＝）は、ｓｔｇ ｓｔｇ Ｑ 、 （＋）−Ｃ（Ｖｈｋ）−（Ｖｏ−（Ｖｉｎ−
ＶＢ））１ｇ ＝ＫＶｈｋ（Ｖ、 ＶＢ） ＫＶｈｋｖｔ’ｎ・”・”
（６）Ｑ 、（）−Ｃ（Ｖｈｋ）（Ｖｏ（ｖｉｎ−ＶＢ
））ｓｔｇ 二ＫＶｈｋ（ｖｏ−ＶＢ）十ＫＶｈｋｖｉｎ・・・・・
・（７）となる。

ここで■ は第３ゲート電極２２ａ〜２２ｄに並列的に
与えられるパルスφ の高−３ レベルの直できまるリセット電圧、ＶＢは第１ゲート電
極１９ａ−１９ｄ各々に与えられる信号電圧の直流バイ
アス、ｖｉｎ ＋ ｖｉｎは各々入力信号および反転入
力信号であり、（６）式は入力信号ｖｉｎに対するもの
、（７）式は反転入力信号に対するものである。

いずれの場合も入力される電荷は直流電荷ＫＶｈｋ（Ｖ
ｏ−ＶＢ）にＶｈｋで利得制御された信号電荷−Ｋｖｈ
ｋｖｉｎ又はＫＶｈｙｖｉｎのみが重畳されたものとな
る。

一方、流出する電荷を一時蓄積する第５ゲーム電極２５
ａ〜２５ｄ各々はその面積が第２ゲーム電極２１ａ〜２
１ｄ各々に等しく、かつこのゲート電極に与えられてい
る制御電圧に等しい制御電圧が与えられている。

さらに第４ゲート電極２４ａ〜２４ｄには第１ゲート電
極２０ａ〜２０ｄ各々に与えられている信号電圧の直流
バイアスに等しい電圧ＶＢが与えられており、第６ゲー
ト電極 ・２６ａ〜２６ｄ各々には第３ゲート電極２２
ａ〜２２ｄ各々に与えられているパルスと同じパルスφ
が与えられている。

したがって第５ゲー−３ ト電極２５ａ〜２５ｄ下に蓄積された後流出される電荷
は Ｑ −Ｃ〔■ｈｋ〕（■ｏ−■Ｂ） ｕｔ −Ｋｖｈｋ（Ｖｏ−ＶＢ）・・・・・・（８）となり、
この流出電荷は前記（６Ｘ７）式で表わされる入力電荷
Ｑ 、 （＋）、Ｑ 、 （−）のうちの直・
ｓｔｇ ｓｔｇ 流電荷分に等しい。

従って各転送電極下を転送されて出力手段１４に到達す
る電荷は、制御電圧■ｈｋの値によらず、ＣＣＤ１０の
最前段から入力される一定の直流電荷Ｑ□と各段から入
力される制御電圧■ｈｋで重み付けされた信号電荷ＫＶ
ｖｉｎ又はＫＶｈｋｖＩｎが重畳されたもｈｋ ののみとなる。

第７図において、−電荷の注入、流出の機構は前記第４
図ないし第６図で説明したものと同じであるので省略す
る。

以上、第７図に示した構成により制御電圧■ｈｋによっ
て任意の重み係数が設定可能なプログラマブルトランス
バーサルフィルタを得ることができる。

第８図はプログラマブルトランスバーサルの他；の例で
、入力信号を予じめ可変インピーダンス回路によって利
得制御し、この利得制御された信号を入力するものであ
る。

即ち第８図に於て各段の第１ゲート電極２０ａ〜２０ｄ
各々には予じめ可変インピーダンス回路Ａ４ ｔ Ａ
３ 、Ａ２ ＋ Ａｌ によって入力信号ｖｉｎか
又は反転入力信号６１が任意の重み係数で重み付けされ
て入力される。

また第２ゲート電極２１ａ〜２１ｄ各々および第５ゲー
ト電極２５ａ〜２５ｄ各々には一定の直流電圧■。

−２が並列的に与えられる。第８図において電荷の注入
、流出の機構は前記第４図ないし第６図で説明したもの
と全く同じであるので省略する。

第８図に示した構成によっても任意の重み係数が設定可
Ｍ’Ｑなプログラマブルトランスバーサルフィルタを得
ることができる。

なおこの発明は上記の実施例に限定されるものではなく
、例えば電荷転送手段として単相駆動形ＣＣＤ、出力手
段としてはフローティング拡散増幅器を用いた場合につ
いて説明したが、これは電荷転送手段として２相および
４相駆動形ＣＣＤでもよく、さらにはＢＢＤでもよい。

また電荷注入手段としてダイオードカットオフ形、出力
手段としてフローティングゲート増幅器を各々用いても
よい。

以上詳述したようにこの発明によれば集積度および信号
検出感度の向上を計ることができる電荷転送形トランス
バーＹルフィルタの直流電荷補償方式を提供することが
できる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の電荷転送形トランスバーサルフィル
タの直流電荷補償方式の一実施例の構成を示すブロック
図、第２図は上記実施例の動作原理を説明するための模
式図、第３図は第１図に示すブロック図を具体的に示す
平面図、第４図は第３図中で用いられるパルスのタイミ
ング図、第５図は第３図中Ａ−Ａ’線に沿う断面図にポ
テンシャルの状態を合わせて示す図、第６図は第３図中
Ｂ−Ｂ’線に沿う断面図にポテンシャルの状態を合わせ
て示す図、第７図はこの発明の他の実施例を示す平面図
、第８図はこの発明のさらに他の実施例を示す平面図で
ある。 １・・・・・・電荷転送手段、２・・・・・・直流電荷
注入手段、３ａ〜３ｄ・・・・・・信号電荷注入手段、
６ａ〜６′ｄ・・・・・・電荷流出手段、８・・・・・
・出力手段、１０・・・・・・単相駆動形ＣＣＤ１１１
・・・・・・直流電荷注入手段、１２ａ〜１２ｄ・・・
・・・信号電荷注入手段、１３ａ〜１３ｄ・・・・・・
直流電荷流出手段、１４・・・・・・出力手段、１５゜
１９ ａｌ ９ ｃｌ−・ソース領域、１６，２０ａ〜
２０ｄ・・・・・・第１ゲート電極、１７ 、２１ ａ
〜２１ｄ・・・・・・第２ゲート電極、１８．２２ａ〜
２２ｄ・・・・・・第３ゲート電極、２３ａ〜２３ｄ・
・・・・・切換スイッチ、２４ａ〜２４ｄ・・・・・・
第４ゲート電極、２５ａ〜２５ｄ・・・・・・第５ゲー
ト電極、２６ａ〜２６ｄ・・・・・・第６ゲート電極、
２７ａ〜２７ｄ・・・・・・ドレイン領域、２８ａ〜２
８ｄ、２９ａ〜２９ｄ、３０ａ〜３０ｄ。 ３１ａ〜３１ｄ・・・・・・転送電極、３２・・・・・
・フローティング拡散領域、３３・・・・・・ＭＯＳＦ
ＥＴ、３４・・・・・・抵抗、３５・・・・・・ソース
フォロワアンプ、３６・・・・・・リセットゲート電極
、３７・・・・・・ドレイン領域。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 信号を遅延および加算する電荷転送手段、この電荷
   転送手段の各段に対応して入力信号を所定の係数で重み
   付けして入力する入力手段、前記電荷転送手段により遅
   延および加算され−た信号を検知する手段を具備してな
   る入力加重方式電荷転送形トランスバーサルフィルタに
   おいて、前記電荷転送手段の最前段からは所定の直流電
   荷を注入し、電荷転送手段の最前段以外の各段からは所
   定の直流電荷を流出せしめることを特徴とする電荷転送
   形トランスバーサルフィルタの直流電荷補償方式。 ２ 前記電荷転送手段の最前段から注入される直流電荷
   は電荷転送手段の各段で収容可能な最大電荷量の略４で
   ある特許請求の範囲第１項記載の電荷転送形トランスバ
   ーサルフィルタの直流電荷補償方式。 ３ 前記電荷転送手段の最前段以外の各段から流出せし
   める直流電荷は、対応する各段で入力された信号電荷の
   直流部分に略等しくなるようにした特許請求の範囲第１
   項記載の電荷転送形トランスバーサルフィルタの直流電
   荷補償方式。 ４ 前記電荷転送手段の最前段から所定の直流電荷を注
   入する手段は、電荷転送手段の各段に設けられた前記入
   力手段と同一の構成であり、この手段に設けられた入力
   信号電極には入力信号の代りに所定の直流電圧を印加す
   るようにした特許請求の範囲第１項記載の電荷転送形ト
   ランスバーサルフィルタの直流電荷補償方式。 ５ 前記電荷転送手段の最前段以外の各段から所定の直
   流電荷を流出せしめる手段は、電荷転送手段の各段に対
   応して設けられた入力手段と類似の構成であり、入力手
   段のうちの少なくとも入力信号が印加される電極と入力
   信号に比例した電荷を一時蓄積する電極とに相当した電
   極を含むもので、入力信号が印加される電極に相当する
   電極には入力信号の直流バイアスに等しい直流電圧を印
   加するようにした特許請求の範囲第１項記載の電荷転送
   形トランスバーサルフィルタの直流電荷補償方式。 ６ 前記電荷転送手段の各段の入力手段はソース領域と
   これに引続く第１ゲート電極、第２ゲート電極、第３ゲ
   ート電極を含み、各第１ゲート電極には直流電圧により
   バイアスされた入力信号を印加し、各第２ゲート電極に
   は所定の直流電圧を印加して所定の重み付けがされた入
   力信号に比例した電荷を一時蓄積するようにし、各ソー
   ス領域から各第１ゲート電極下を通って各第２ゲート電
   極下に電荷が注入されている間は各第３ゲート電極を閉
   じ、各ソース領域から電荷の注入が停止されている期間
   に各第３ゲート電極を開いて転送電極下へ電荷を転送す
   るものであり、最前段から直流電荷を注入する手段はソ
   ース領域とこれに引続く第１ゲート電極、第２ゲート電
   極、第３ゲート電極を含み、第１ゲート電極と第２ゲー
   ト電極には所定の直流電圧を印加して第２ゲート電極下
   に所定の直流電荷を一時蓄積させ、ソース領域から第１
   ゲート電極下を通って第２ゲート電極下に電荷が注入さ
   れている間は第３ゲート電極を閉じ、ソース領域から電
   荷の注入が停止されている期間に第３ゲート電極を開い
   て転送電極下へ電荷を転送するものであり、各段から直
   流電荷を流出せしめる手段は電荷転送手段の各遅延手段
   の少なくとも２つの相電極に隣接して設けられた第４ゲ
   ート電極、これに引続く第５ゲート電極、第６ゲート電
   極、ドレイン領域を含み、各第４ゲート電極には前記各
   第１ゲート電極に印加される入力信号の直流バイアスに
   等しい直流電圧を印加し、各第５ゲート電極は前記対応
   する各第２ゲート電極と同じ面積を有してかつ各第２ゲ
   ート電極に与えられた各直流電圧と等しい直流電圧を印
   加し、各第４ゲート電極に隣接する電荷転送手段の各２
   つの電極のうちの前の電極下から各第４ゲート電極下を
   通って各第５ゲート電極下へその段で注入された信号電
   荷の直流分に相当した電荷が転送されてこの電極下に一
   時蓄積され余った電荷が後の相電極下に転送されてしま
   うまで各第６ゲートを閉じ、その後各第６ゲートを開い
   て前記各第５ゲート電極下に一時蓄積されていた電荷を
   各ドレインに流出せしめるものである特許請求の範囲第
   １項記載の電荷転送形トランスバーサルフィルタの直流
   電荷補償方式。 ７ 前記各段の入力手段に含まれる各第２ゲート電極は
   各々の面積比が所定の重み係数比に等しくなる様に定め
   られたものであり、各第２ゲート電極とも等しい直流電
   圧が与えられ、直流電荷を流出する手段に含まれる各第
   ５ゲート電極は各々の面積が対応する前記第２ゲート電
   極の面積に等しく定められたものであり、各第５ゲート
   電極には前記第２ゲート電極に印加される直流電圧に等
   しい直流電圧を印加するようにした特許請求の範囲第６
   項記載の電荷転送形トランスバーサルフィルタの直流電
   荷補償方式。 ８ 前記各段の入力手段に含まれる各第２ゲート電極は
   面積が各々等しくかつ各第２ゲート電極下に形成される
   ポテンシャル井戸の容量比が所定の重み係数比に等しく
   なる様に所定の直流電圧を印加し、前記直流電荷を流出
   する手段に含まれる各第５ゲート電極は前記第２ゲート
   電極の面積に等しくかつ対応する各第２ゲート電極に印
   加された前記所定の直流電圧に等しい直流電圧を印加す
   るようにした特許請求の範囲第６項記載の電荷転送形ト
   ランスバーサルフィルタの直流電荷補償方式９ 前記各
   段の入力手段に含まれる各第１ゲート電極には予じめ定
   められた重み係数比で重み付けされた入力信号を直流電
   圧でバイアスして入力し、前記直流電荷を流出する手段
   に含まれる各第４ゲート電極には前記第１ゲート電極に
   印加される信号の直流バイアスに等しい直流電圧を印加
   するようにした特許請求の範囲第６項記載の電荷転送形
   トランスバーサルフィルタの直流電荷補償方式。 １０前記電荷転送手段は単相駆動形の電荷転送素子であ
   り、各段の入力段に近い側の電極にはクロックパルスを
   印加し出力段に近い側の相電極には直流電圧を印加する
   ようにした特許請求の範囲第１項記載の電荷転送形トラ
   ンスバーサルフィルタの直流電荷補償方式。