JPS5818926A - エツチング方法 - Google Patents

エツチング方法

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Publication number
JPS5818926A
JPS5818926A JP11735881A JP11735881A JPS5818926A JP S5818926 A JPS5818926 A JP S5818926A JP 11735881 A JP11735881 A JP 11735881A JP 11735881 A JP11735881 A JP 11735881A JP S5818926 A JPS5818926 A JP S5818926A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
constitution
thin film
etching
corrosion
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP11735881A
Other languages
English (en)
Inventor
Toshiyuki Abumizuka
鐙塚　敏之
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp, Nippon Electric Co Ltd filed Critical NEC Corp
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Publication of JPS5818926A publication Critical patent/JPS5818926A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321—After treatment
    • H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
    • H01L21/32133—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
    • H01L21/32135—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only
    • H01L21/32136—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only using plasmas

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発１ｊｌはエツチング方法にかが夛、と（に半導体装
置ｏｇ造等における金属薄膜の反応性スパッタエツチン
グ方法ＫＩ１１する。
反応性スバッＩエツチングはクエ、トエ、チングに比し
てサイドエツチングが少く、均一性が良いという特徴が
あるため、給年の高集積度化し九早導体素子の製造に広
く用いられている。金属薄膜の反応性スバ、タエ、チン
ダにおいては塩素系ガスを用いるために被エツチングウ
ェーハー上に塩素系の反応生成物が付着し、適当な後処
理を施さないと金属薄膜の腐食がおこることが知られて
いる。仁の腐食を防ぐには従来ｌｌ１Ｈｘ、　ＣＦ４．
　Ｏ富ガス等によるプラズマ処理や水洗などを行う、こ
のような余分な工１！を追加するの扛工数の費やすこと
である。
本発明はかかる従来の欠点を除去し友有効なエツチング
方法全提供することである。
本発１ｉＦｉ金属薄膜を反応性スバツタエ、チングする
＠に試料台を加熱することによ）被工、チン！つ、−バ
ーの温度を上昇させ、ウェーハー上への反応生成物の付
着をなくすことによ）後処理なしで金属薄膜の腐食を防
止する方法である。
以下、本発＃４０５Ｊ：施例を第１図を用ｉながら説明
する６円筒形チャンバー５円に設けられた試料台１の加
熱は試料台内部に温水コントローラー２によって温水を
供給することにより行−１水温２５〜８０℃の各温度で
工、チングした場合のＡＩ薄膜の大気中での腐食状ＩＩ
ｔ−観察した。試料３としては、半導体基板上にケミカ
ル・ペーパー・デボジシ、ン（ＣＶＤ）法で酸化膜ｔ　
５０００Ａの厚さで成長させ１次いでＥ−ｇｕｎによる
アルミ蒸着によってｔ２μｍのアル５ｔｉｉｔ−形成し
、これらのウェーハーにフォトレジス）ｔ−用いてアル
電配線のパターニングしたものを用いた。エツチング条
件はＣＣＩ　ａ流量５００ｃｃ／ｍｉｎ、圧力３２０ｍ
ｍＴｏｒｒ。
Ｒ，Ｆ、電＊Ｌ２５ムであった。実験の結果、水温が３
０〜７０℃の範囲でｐ工、チングでは、ウェーハーを大
気中に２４時間放置して４Ａｊの腐食は観察されなかっ
た。
本実施例は、ムｊ膜に適用した例であるが、本発明が他
の金属物質全般に適用できることは言うまでもない。
以上、詳細に説明し友ように本発明の方法によれば、従
来の後処理を施すことなしにエツチング後の金属薄膜の
腐食を防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の実施例の装置を示す断面図で同図にお
いて、 １・・・・・・円形基板、２・・・・・・温水コントロ
ーラー、３・・・・・・試料、４・・・・・・円形電極
、５・・・・・・円筒状チャンバー、６・・・・・・ウ
ェーノー−ホルダー。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 金属薄膜を選択的にイオンエツチングする際、試料台を
    加熱することにより被エッチングウェーバーの温度管上
    昇させることｔ特徴とするエツチング方法。
JP11735881A 1981-07-27 1981-07-27 エツチング方法 Pending JPS5818926A (ja)

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JPS5818926A true JPS5818926A (ja) 1983-02-03

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JP (1) JPS5818926A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01245064A (ja) * 1988-03-28 1989-09-29 Nippon Steel Chem Co Ltd 被覆用組成物及びその使用法
JPH0611293U (ja) * 1992-02-20 1994-02-10 秩父セメント株式会社 正特性サーミスタ発熱体

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01245064A (ja) * 1988-03-28 1989-09-29 Nippon Steel Chem Co Ltd 被覆用組成物及びその使用法
JPH0611293U (ja) * 1992-02-20 1994-02-10 秩父セメント株式会社 正特性サーミスタ発熱体

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