JP3769936B2 - ドライエッチング方法および装置内部の洗浄方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、Ti−W系高融点金属等のチタン(Ti)を含有する高融点金属を加工する際のドライエッチング方法、および装置内部の洗浄方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
例えば、特開平10−56007号公報のようにCrSi系薄膜を抵抗体として用い、その上にバリアメタルとしてTiWを用いた半導体装置が知られており、この半導体装置の製造の際には、半導体基板上にCrSi系薄膜とTiW薄膜を順に堆積した後にTiW薄膜およびCrSi系薄膜を所望の形状にパターニングする。このとき、微細化、高精度化の要求に伴い、TiWのドライエッチングの必要性が高まってきている。TiW系高融点金属をドライエッチングにてエッチングする場合、Tiは、一般に塩素(Cl)を含むガス(C12 等)で、Wはフッ素(F)を含むガス(CF4 等)で、エッチングできることが知られており、エッチングガスとして塩素系ガスとフッ素系ガスの混合ガスを用いることが考えられるが、塩素系ガスは、腐食性、毒性が強く、環境汚染や、取り扱い・管理面で使用が好ましくない。
【0003】
また、単純なフッ素系ガスのエッチング(一般にCF4 −O2 系が使われる)では、Tiが安定してエッチングされず、エッチング速度のばらつきが大きくなるという問題点が発生する。
【0004】
また、TiWのエッチングは、室温では、CF4 −O2 系ガスでは殆どエッチングが進まない。しかし、温度依存性が大きいため、基板を加熱して温度を上げてやるとエッチングが進むようになる。ところが、エッチングによって生じた生成物は、反応室内を移動中に温度が下がり、固化して反応室の壁面等に付着し、累積エッチング処理枚数の増加に伴いエッチングレートが低下するという問題が発生する。特に、CrSiのドライエッチングは極めて大きな影響を受ける(10分の1以下になる)ことが発明者らの調査から分かった。そのため、TiWとCrSiを同一の装置を用いて連続してドライエッチングする場合には、予め決められた枚数を処理する毎に、この付着物を取り除く必要がある。そのために、反応室を大気解放し、アルコールや過酸化水素を含む溶液にてウェットクリーニングしなければならず、設備の稼働率が著しく低下するという問題があった。なお、前述の反応室の壁面等への付着物は反応種の活性を弱める働きをして、累積エッチング処理枚数の増加に伴いエッチングレートが低下するものと思われる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
この発明はこのような事情に鑑みなされたものであり、その目的は、安定した処理を行うことができるドライエッチング方法および装置内部の洗浄方法を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】
請求項1に記載のドライエッチング方法は、チタンを含有する高融点金属をドライエッチングにて加工する際に、エッチングガスとして、CF4 −O2 −N2 系ガスを用いることとし、その組成比を「CF 4 :O 2 :N 2 =1:2:7」としたことを特徴としている。よって、CF4 −O2 −N2 系ガスを用いることにより、安定したエッチングが行われる。
【0008】
請求項2に記載の装置内部の洗浄方法は、チタンを含有する高融点金属を処理する装置における内部の洗浄の際に、洗浄ガスとしてCF4 −O2 −N2 系ガスを用いて装置内部に付着したチタン含有高融点金属を除去するようにしたことを特徴としている。よって、CF4 −O2 −N2 系ガスを用いることにより、安定した装置内部の洗浄が行われる。
【0009】
ここで、請求項3に記載のように前記処理装置を、半導体基板上のCrSi系薄膜及びその上のチタンを含有する高融点金属に対し連続してドライエッチングを行うものとすると、実用上好ましいものとなる。
【0010】
また、請求項4に記載のように、前記チタンを含有する高融点金属のエッチングを、半導体基板を加熱しながら行う装置に適用すると、実用上好ましいものとなる。
【0011】
請求項5に記載の装置内部の洗浄方法は、チタンおよびタングステンを含有する高融点金属を処理する装置における内部の洗浄の際に、洗浄ガスとしてCF4 −O2 −N2 系ガスを用いて装置内部に付着したチタン・タングステン含有高融点金属を除去するようにしたことを特徴としている。よって、CF4 −O2 −N2 系ガスを用いることにより、安定した装置内部の洗浄が行われる。
【0012】
ここで、請求項6に記載のように前記処理装置を、半導体基板上のCrSi系薄膜と、その上のチタンおよびタングステンを含有する高融点金属に対し連続してドライエッチングを行うものとすると、実用上好ましいものとなる。
【0013】
また、請求項7に記載のように、前記チタンおよびタングステンを含有する高融点金属のエッチングを、半導体基板を加熱しながら行う装置に適用すると、実用上好ましいものとなる。
また、請求項8に記載では、前記ドライエッチングを、反応種としてラジカルを用いたケミカルドライエッチングとする。
【0014】
【発明の実施の形態】
以下、この発明を具体化した実施の形態を図面に従って説明する。
図1には、本実施の形態における半導体装置の断面図を示す。この半導体装置は、バイポーラトランジスタおよびCrSi系薄膜からなる薄膜抵抗体3を具備している。
【0015】
すなわち、半導体基板(シリコン基板)1上に絶縁膜2が形成され、絶縁膜2の上に薄膜抵抗体としてのCr−Si−N薄膜3が配置されている。さらに、Cr−Si−N薄膜3における図中の左右両端部にはバリアメタルとしてのTiW薄膜4a,4bを介してアルミ配線7a,7bが接続されている。つまり、Cr−Si−N薄膜3の上に、Tiを含有する高融点金属であるTiW薄膜4a,4bが配設され、その上にアルミ配線7a,7bが配設されている。
【0016】
次に、このように構成した半導体装置の製造方法を、図2〜図8を用いて説明する。
まず、図2に示すように、半導体基板(シリコン基板)1に通常の方法によって半導体素子(バイポーラトランジスタ)を形成する。その後、半導体基板1の表面に絶縁膜としての酸化膜(BPSG等)2を形成する。
【0017】
さらに、図3に示すように、酸化膜2の上に、Cr−Siからなるターゲットを用いて、N2 ガスを含む雰囲気中(Ar−N2 等)でスパッタリング法により、厚さ約15nmのCr−Si−N薄膜3を形成する。
【0018】
その後、図4に示すように、Cr−Si−N薄膜3上に、Ti−W(10wt%Ti)ターゲットを用いて、Arガス中でスパッタリング法により、厚さ約150nmのTiW薄膜4を形成する。
【0019】
さらに、図5に示すように、ホトリソグラフィー技術を用いて、TiW薄膜4上に所望のホトレジストパターン5を形成する。そして、CDE(ケミカルドライエッチャー)を用いて、CF4 −O2 −N2 系ガスをエッチングガスとし、CF4 −O2 −N2 ガス流量をそれぞれ40−80−280sccm、マイクロ波パワー600W、基板加熱なし、の条件でTiW薄膜4をドライエッチングする。
【0020】
引き続き、同一のCDE(ケミカルドライエッチャー)を使用し、図6に示すように、CF4 −O2 系のガスを用いて、Cr−Si−N薄膜3をドライエッチングする。そして、O2 プラズマアッシング及び有機洗浄によりホトレジスト5を除去する。
【0021】
次に、図7に示すように、半導体基板1上の絶縁膜2にコンタクトホール6をパターニングする。さらにその上にアルミ配線7a,7bを含むアルミ配線7を、レジスト8を用いてパターニングする。
【0022】
さらに、図8に示すように、レジスト8を用いて、パターン化したCr−Si−N薄膜3上のTiW薄膜4の不要部分をウェットエッチングにより除去し、Cr−Si−N薄膜3の抵抗パターンを完成する。ここで、エッチング液には、過酸化水素を含むエッチング液(典型的には、容量比で31%過酸化水素:29%アンモニア水溶液=100:5)が用いられる。
【0023】
そして、以降、通常の工程により、図1に示すように、層間絶縁膜9、ビアホール10、2層目のアルミ配線パターン11、保護膜12を順次形成する。
以下、TiW薄膜4のドライエッチングの際にエッチングガスとしてCF4 −O2 −N2 系ガスを使用した場合(ガス流量CF4 −O2 −N2 =40−80−280sccmとした場合)の効果に関し、各種の実験を行ったので説明する。
【0024】
CDE(ケミカルドライエッチング)は、ラジカルによる化学反応を主体として、エッチングが進行するものであるから、被エッチング物が、TiWのように、複数の不揮発性元素からなる場合、それぞれの元素をエッチングするようなガス系と、組成比にあったガス流量比を設定することが望ましい。Wは、CF4 ガスのみ、または、CF4 −O2 系ガスで十分なエッチング速度が得られるが、Tiは、CF4 ガスのみでもCF4 −O2 系ガスでも十分なエッチング速度が得られない。これは、反応生成物と思われるTiF4 やTiOの蒸気圧が低すぎるためと考えられる。
【0025】
つまり、表1,2に示すように、CF4 −O2 系およびCF4 −N2 系ガスにおける混合比を変えた場合での、エッチング開始から120秒後のTiW薄膜のシート抵抗ρs の変化量(%)およびエッチングの進行状態を測定すると、CF4 −O2 系、CF4 −N2 系ではガス混合比を変えてもエッチングは進行しないことが分かった。
【0026】
【表1】
【0027】
【表2】
ところが、CF4 −O2 系ガスにN2 を導入したCF4 −O2 −N2 系ガスを使用すると、エッチング反応が進むようになる。これは、反応生成物はNを含む化合物になり、そのため、蒸気圧が比較的高くなり、エッチング反応が進むようになるものと推測される。
【0028】
そのことを確認すべく行った実験結果を図9に示す。この測定は、ケミカルドライエッチング装置を用いて、CF4 の流量を40sccm、パワーを600Wとし、基板を加熱することなく、CF4 ガス流量を固定し、O2 とN2 の流量比を変えた場合におけるエッチング開始から3分後のTiW薄膜のシート抵抗ρs の変化量、発光色、エッチングの進行状態を調べたものである。具体的には、O2 とN2 の流量の比は、O2 /N2 =360sccm/0sccm、220sccm/140sccm、180sccm/180sccm、140sccm/220sccm、80sccm/280sccm、40sccm/320sccm、0sccm/360sccmの7種類である。
【0029】
なお、使用設備として芝浦製作所製CDE−7(ケミカルドライエッチング装置)を用い、この装置は加熱なしでエッチングが行われるものである。
図9から、CF4 ガス流量を固定し、O2 とN2 の流量比を変えていくと、エッチングが途中で停止することなく継続して行えるのはO2 /N2 =80sccm/280sccmであった。つまり、O2 /N2 =360sccm/0sccm〜140sccm/220sccmではエッチングが停止し、O2 /N2 =40sccm/320sccmではエッチングが途中で停止し、O2 /N2 =0sccm/360sccmではエッチングが進行しなかった。さらに、O2 /N2 =80sccm/280sccmのシート抵抗ρs の変化率は大きく、安定したエッチングが可能となる。よって、上述した製造工程では、この条件(CF4 −O2 −N2 ガス流量をそれぞれ40−80−280sccm、マイクロ波パワー600W、基板加熱なし)でTiW薄膜をドライエッチングしている。
【0030】
また、ドライエッチング時の発光色の観察を行うと、O2 リッチ側でWのエッチングに起因すると思われる黄色の発光が、N2 リッチ側でTiのエッチングに起因すると思われる紫色の発光が現れ、前述の最適混合比(O2 /N2 =80sccm/280sccm)付近で、両方の中間色(青〜緑)の発光が観察された。
【0031】
このようにN2 を導入するとエッチング反応が進むことが、金属元素に由来するエッチング時の発光色を観察した結果からも推定できる(W元素の反応色は黄色、Ti元素の反応色は紫)。
【0032】
このことから、TiWのエッチングメカニズムおよびO2 、N2 の働きとして、次のように推定することができる。O2 がWのエッチングを助け、N2 がTiのエッチングを助けており、WとTiのエッチレートが均衡するガス比となった時に、全体としてのエッチレートが最大となり、安定したエッチングが可能となる。
【0033】
なお、各構成元素のエッチング速度の温度依存性は同一とは限らないため、温度によって、N2 /O2 のガス流量比の最適値は変わる。
このように本実施の形態は、下記の特徴を有する。
【0034】
TiW薄膜4(チタンを含有する高融点金属)をドライエッチングにて加工する際に、エッチングガスとして、CF4 −O2 −N2 系ガスを用いたので、安定したエッチングが可能となる。
【0035】
つまり、CF4 系ガスを用いたTiWのドライエッチングでは、エッチングされた物質が再デポしやすいとか、途中でエッチングがストップしてしまうという問題が発生しやすいが、これが回避できる。また、エッチングガスとして、腐食性ガスである塩素系ガスを用いておらず、毒性もなく扱いやすものとなっている。
(第2の実施の形態)
次に、第2の実施の形態を、第1の実施の形態との相違点を中心に説明する。
【0036】
本実施の形態では、第1の実施の形態における図5でのTiW薄膜4のドライエッチングとして以下の方法を用いており、他は同じである。
CDE(ケミカルドライエッチャー、芝浦製作所製CDE−7−4)を用いて、CF4 −O2 −N2 ガス流量をそれぞれ40−80−280sccm、マイクロ波パワー600W、基板温度100℃、の条件でTiW薄膜4をドライエッチングしている。
(第3の実施の形態)
次に、第3の実施の形態を、第1の実施の形態との相違点を中心に説明する。
【0037】
本実施の形態では、第1の実施の形態における図5でのTiW薄膜4のドライエッチングとして以下の方法を用いており、他は同じである。
CDE((株)キャノン製MAS−1800)を用いて、CF4 −O2 ガス流量をそれぞれ33−17sccm、圧力0.3Torr、マイクロ波パワー1000W、基板温度100℃、の条件でTiW薄膜4をドライエッチングする。
【0038】
エッチング終了後、CF4 −O2 −N2 系ガスを用いてCF4 −O2 −N2 系ガス流量をそれぞれ10−20−70sccm、マイクロ波パワー1000W、の条件で装置内部に付着したTiWを除去する。この反応室内のドライクリーニングにより、装置の内部が洗浄される。
【0039】
引き続き、同一のCDE(ケミカルドライエッチャー)を使用し、図6に示すように、CF4 −O2 系のガスを用いて、Cr−Si−N薄膜3がドライエッチングされる。
【0040】
このようにケミカルドライエッチャーの反応室を大気解放することなくドライクリーニングによって安定して付着生成物が除去でき、設備の稼働率を上げることができる。
【0041】
つまり、CF4 −O2 系ガスを用いたTiWのエッチングの際に室温では殆どエッチングが進まないが半導体基板1を加熱して温度を上げることによりエッチングが進む。このとき、エッチングによって生じた生成物は、反応室内を移動中に温度が下がり、固化して反応室の壁面等に付着しCr−Si−N薄膜3のエッチングレートを低下させるが、基板1を1〜25枚程度処理する毎に、CF4 −O2 −N2 系ガスを用いたドライクリーニングにて、この付着生成物が除去される。よって、反応室を大気解放しアルコールや過酸化水素を含む溶液にてウェットクリーニングする場合には設備の稼働率が著しく低下するが、これに比べて本例では、反応室を大気解放することなくドライクリーニングによって付着生成物が除去でき設備の稼働率を上げることができる。
【0042】
このように本実施の形態は、下記の特徴を有する。
(イ)TiW薄膜4(チタンを含有する高融点金属)のドライエッチング装置における内部を洗浄する際に、洗浄ガスとしてCF4 −O2 −N2 系ガスを用いて装置内部に付着したTiWを除去するようにしたので、安定したドライエッチング装置の内部の洗浄を行うことができる。
(ロ)より詳しくは、ドライエッチング装置は、半導体基板1上のCr−Si−N薄膜3(CrSi系薄膜)及びその上のTiW薄膜4に対し連続してドライエッチングを行うものであり、このTiW薄膜4のエッチングは、半導体基板1を加熱しながら行うものであり、この場合においては付着物のTiWがCr−Si−N薄膜3のエッチングレートを低下させるが、このTiWを安定して除去することができ、実用上好ましいものとなる。
【0043】
なお、本方式によるドライクリーニングはドライエッチング装置の他にもCVDデポ装置にも適用できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 実施の形態における半導体装置の断面図。
【図2】 半導体装置の製造プロセスを示す断面図。
【図3】 半導体装置の製造プロセスを示す断面図。
【図4】 半導体装置の製造プロセスを示す断面図。
【図5】 半導体装置の製造プロセスを示す断面図。
【図6】 半導体装置の製造プロセスを示す断面図。
【図7】 半導体装置の製造プロセスを示す断面図。
【図8】 半導体装置の製造プロセスを示す断面図。
【図9】 O2 とN2 の流量比を変えた場合における各種の測定結果を示す図。
【符号の説明】
1…半導体基板、3…Cr−Si−N薄膜、4…TiW薄膜。
Claims (8)
- チタンを含有する高融点金属をドライエッチングにて加工する方法であって、 エッチングガスとして、CF4 −O2 −N2 系ガスを用いることとし、その組成比を「CF4 :O2 :N2 =1:2:7」としたことを特徴とするドライエッチング方法。
- チタンを含有する高融点金属を処理する装置における内部の洗浄方法であって、
洗浄ガスとしてCF 4 −O 2 −N 2 系ガスを用いて装置内部に付着したチタン含有高融点金属を除去するようにしたことを特徴とする装置内部の洗浄方法。 - 前記処理装置は、半導体基板上のCrSi系薄膜及びその上のチタンを含有する高融点金属に対し連続してドライエッチングを行うものである請求項2に記載の装置内部の洗浄方法。
- 前記チタンを含有する高融点金属のエッチングは、半導体基板を加熱しながら行うものである請求項3に記載の装置内部の洗浄方法。
- チタンおよびタングステンを含有する高融点金属を処理する装置における内部の洗浄方法であって、
洗浄ガスとしてCF 4 −O 2 −N 2 系ガスを用いて装置内部に付着したチタン・タングステン含有高融点金属を除去するようにしたことを特徴とする装置内部の洗浄方法。 - 前記処理装置は、半導体基板上のCrSi系薄膜と、その上のチタンおよびタングステンを含有する高融点金属に対し連続してドライエッチングを行うものである請求項5に記載の装置内部の洗浄方法。
- 前記チタンおよびタングステンを含有する高融点金属のエッチングは、半導体基板を加熱しながら行うものである請求項6に記載の装置内部の洗浄方法。
- 前記ドライエッチングは、反応種としてラジカルを用いたケミカルドライエッチングである請求項1に記載のドライエッチング方法。
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