JPS58188169A - 太陽電池 - Google Patents
太陽電池Info
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- JPS58188169A JPS58188169A JP57072053A JP7205382A JPS58188169A JP S58188169 A JPS58188169 A JP S58188169A JP 57072053 A JP57072053 A JP 57072053A JP 7205382 A JP7205382 A JP 7205382A JP S58188169 A JPS58188169 A JP S58188169A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
- H01L31/078—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers including different types of potential barriers provided for in two or more of groups H01L31/062 - H01L31/075
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本宅＋１１１ ？：ｉ １話外光（友陽尤）に対して高
い変換効率をイＪする中結品シリコン太陽電池（以下Ｃ
−８ｉＫ陽電池吉［乃、する）と屋内″＃：、（蛍光灯
）に対してＣ−Ｓ ｉυ陽電池よりも高い変換効率を有
する非晶質シリコン太陽電池（以下ａ−８ｉ太陽電池と
称する）とを１２列または直列に堆積設置することによ
り、屋内および室内において平均的に光を有効利用して
、光起電力を得ることか目的である。。
い変換効率をイＪする中結品シリコン太陽電池（以下Ｃ
−８ｉＫ陽電池吉［乃、する）と屋内″＃：、（蛍光灯
）に対してＣ−Ｓ ｉυ陽電池よりも高い変換効率を有
する非晶質シリコン太陽電池（以下ａ−８ｉ太陽電池と
称する）とを１２列または直列に堆積設置することによ
り、屋内および室内において平均的に光を有効利用して
、光起電力を得ることか目的である。。
従来、液結晶表示式電卓や腕時計の電源用としてＣ−Ｓ
ｉ太陽型ａ捷たはａ−３ｉ太陽電池か！−１１独て使
用されている。Ｃ−８ｌ太陽電池の場合には友陽尤ドに
おいて約１ｏ％の変換効率か得られるか蛍尤灯ド（１ｏ
○〜１０００ルクス照射）においては約２％の変換効率
しか得られない１．まって屋内蛍゛范灯ドて使１羽する
頻度か多い小型電ｒ機器（型中“、ラジオ、マイクロカ
セット、マイクロテレヒ等）においては０−８ ｉ Ｉ
（陽電池は光の利用効率か悪い欠点を有していた。−／
）、ａ −Ｓ １−３ｉよりも短波長側にあるために現
時点てはｌ（八 陽光ドにおいて７〜８％の効率しか得られないか蛍光灯
ド（１ｏｏ〜１０００ルクス照射）において ３．５％
以１−の変換効率かｊ（Ｌられる。このようにＧ−Ｓｉ
及陽電池およびａ−５ｉ太陽電池は屋外、屋内用として
使用する場合には変換効率においてそれぞれ長所、短所
を有している。
ｉ太陽型ａ捷たはａ−３ｉ太陽電池か！−１１独て使
用されている。Ｃ−８ｌ太陽電池の場合には友陽尤ドに
おいて約１ｏ％の変換効率か得られるか蛍尤灯ド（１ｏ
○〜１０００ルクス照射）においては約２％の変換効率
しか得られない１．まって屋内蛍゛范灯ドて使１羽する
頻度か多い小型電ｒ機器（型中“、ラジオ、マイクロカ
セット、マイクロテレヒ等）においては０−８ ｉ Ｉ
（陽電池は光の利用効率か悪い欠点を有していた。−／
）、ａ −Ｓ １−３ｉよりも短波長側にあるために現
時点てはｌ（八 陽光ドにおいて７〜８％の効率しか得られないか蛍光灯
ド（１ｏｏ〜１０００ルクス照射）において ３．５％
以１−の変換効率かｊ（Ｌられる。このようにＧ−Ｓｉ
及陽電池およびａ−５ｉ太陽電池は屋外、屋内用として
使用する場合には変換効率においてそれぞれ長所、短所
を有している。
第１図および第２図は従来例におけるＣ−８ｉ太陽電池
文びａ−Ｓｉ太陽電池の構成図である。
文びａ−Ｓｉ太陽電池の構成図である。
第１図は約３００〜４００μ厚のＰ形結晶５ｉ２１−に
Ｐ２Ｏ５やＰ ＯＣ１３等周期律表Ｖ族元素を含む雰囲
気中て拡散によりｎ型結晶ｓｉ３を約０．３〜０．５
ｔｒ ｍ形成してＰｎ接合とし、Ｎｉ等の裏面電極１と
ＡｌＸＴｉ、Ｏｒ等の棒状まだは櫛形電極４とから成る
Ｃ−８ｉ太陽電池である。そして第２図は透明な絶縁性
基板６−ヒのＩＴＯ基板（Ｉｎ２ｏ３−．４たは５ｎｏ
２等の透明電極）６上に５ＩＨ４、ＰＨ３、Ｂ２Ｈ６を
主成分とする雰囲気中でプラズマグロー放電法やＣＶＤ
法そしてスパッタ法により順次２層７．１層８、ｎ層９
を形成し、さらに裏面電極としてＡ１、Ｔｉ、Ｏｒ、Ｎ
ｉ、Ｆ１５．ステンレス等を形成した構成からなるａ−
３ｉ太陽電１屯である。このように従来においては同一
基板−Ｅにａ−８ｉ太陽電池とＣ−Ｓ ｉ太陽電池を形
成してＩｉ、いにその長所、短所を補完した太陽電線の
例は脅→存在しなかった。
Ｐ２Ｏ５やＰ ＯＣ１３等周期律表Ｖ族元素を含む雰囲
気中て拡散によりｎ型結晶ｓｉ３を約０．３〜０．５
ｔｒ ｍ形成してＰｎ接合とし、Ｎｉ等の裏面電極１と
ＡｌＸＴｉ、Ｏｒ等の棒状まだは櫛形電極４とから成る
Ｃ−８ｉ太陽電池である。そして第２図は透明な絶縁性
基板６−ヒのＩＴＯ基板（Ｉｎ２ｏ３−．４たは５ｎｏ
２等の透明電極）６上に５ＩＨ４、ＰＨ３、Ｂ２Ｈ６を
主成分とする雰囲気中でプラズマグロー放電法やＣＶＤ
法そしてスパッタ法により順次２層７．１層８、ｎ層９
を形成し、さらに裏面電極としてＡ１、Ｔｉ、Ｏｒ、Ｎ
ｉ、Ｆ１５．ステンレス等を形成した構成からなるａ−
３ｉ太陽電１屯である。このように従来においては同一
基板−Ｅにａ−８ｉ太陽電池とＣ−Ｓ ｉ太陽電池を形
成してＩｉ、いにその長所、短所を補完した太陽電線の
例は脅→存在しなかった。
本発明は小型電子機器にＧ−Ｓｉ、ａ−３ｉ太陽電也を
１【１測寸たは直列に堆積設置することにより、従来の
欠点を相補的に改善し、屋外、屋内両用として有用な電
源を提供しようとするものである。
１【１測寸たは直列に堆積設置することにより、従来の
欠点を相補的に改善し、屋外、屋内両用として有用な電
源を提供しようとするものである。
以Ｆ本発明の一実施例を図面とともに説り」する。
第３図および第４図は本発すＪの構成図を示す。
第３図はＣ−８ｉ太陽電池とａ−８ｉ太陽電池を積層し
たものである。約３００〜４００μ厚のｐ ｇ：４１ｉ
結晶基板１２ｈＫＰ２０５やＰＯＣｌ３等周期率表Ｖ族
尼素を含む雰囲気中で拡散によりｎ型結晶５１１３を約
０．３〜０，５ｔｔｍ形成してＰｎ接合と１、、Ｎｉ等
の裏面電極１１とから成るＧ−８ｉ太陽電池を形成する
。次にこのＧ−８ｉ太陽電池のｎ３ｒ７４層１３１−に
Ｓ ｉ Ｈ４、ＰＨ３、Ｂ２Ｈ６を」シ成分とする雰囲
気中でプラズマグロー放電法やＣＶＤ法そしてスパッタ
法により順次２層１４．１層１６．１層１６ａ−８ｉを
それぞれ形成し、さらにｎ層１６１−に透１１１’ｌ電
極（工ｎ２０５まだは５ｎ０２等の透明電極）１７を形
成し、そしてさらに棒状捷たけ櫛形電極１８を形成して
ａ−８ｉ、、Ｃ−８工からなるノ〈陽電池か作成される
。このときのａ−８ｉＰ層１４．１層１６、ｎ１畜１６
の膜厚はそれぞれ、例えＱま８０〜１ｏＯＡ１５ｏＯ〜
、１０００人１３００〜６ｏｏｉである。捷だ透明電極
１７の膜厚Ｖま約１００ＯＡである。
たものである。約３００〜４００μ厚のｐ ｇ：４１ｉ
結晶基板１２ｈＫＰ２０５やＰＯＣｌ３等周期率表Ｖ族
尼素を含む雰囲気中で拡散によりｎ型結晶５１１３を約
０．３〜０，５ｔｔｍ形成してＰｎ接合と１、、Ｎｉ等
の裏面電極１１とから成るＧ−８ｉ太陽電池を形成する
。次にこのＧ−８ｉ太陽電池のｎ３ｒ７４層１３１−に
Ｓ ｉ Ｈ４、ＰＨ３、Ｂ２Ｈ６を」シ成分とする雰囲
気中でプラズマグロー放電法やＣＶＤ法そしてスパッタ
法により順次２層１４．１層１６．１層１６ａ−８ｉを
それぞれ形成し、さらにｎ層１６１−に透１１１’ｌ電
極（工ｎ２０５まだは５ｎ０２等の透明電極）１７を形
成し、そしてさらに棒状捷たけ櫛形電極１８を形成して
ａ−８ｉ、、Ｃ−８工からなるノ〈陽電池か作成される
。このときのａ−８ｉＰ層１４．１層１６、ｎ１畜１６
の膜厚はそれぞれ、例えＱま８０〜１ｏＯＡ１５ｏＯ〜
、１０００人１３００〜６ｏｏｉである。捷だ透明電極
１７の膜厚Ｖま約１００ＯＡである。
第４図は＋発明の異なる実施例であす、Ｃ−８ｉ、ｌ陽
電池とａ−３ｉ太陽電池を同一基板−にに並置して電気
的に直列接続したものである。まず、透１月な絶縁性基
板１９ ｈに形成した透明電極２４１１に第３図におい
て説明した作成法により順次２層２５．１層２６．１層
２７ａ−８ｉをそれぞれ形成し、さらにｎ層２７上にＡ
１、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｏｒ等の電極２８を設けろ。次に同じ
透明な絶縁・ｔ’ｌ）＋ｕ板１・、に第３図で誤用した
Ｃ−３ｉ太陽電池（棒状捷たは櫛望電極２０．ｎ型結晶
２１、Ｐ望結晶２２、たとえばＮ１からなる電極２３か
ら成る）を設ける。そしてＧ−８ｉ太陽電池とａ−５１
１（陽電池は棒状捷たは櫛望電ｔ８ｉ２０と透明電極２
４とか接触するように配置することにより直列接続か１
拝能である。
電池とａ−３ｉ太陽電池を同一基板−にに並置して電気
的に直列接続したものである。まず、透１月な絶縁性基
板１９ ｈに形成した透明電極２４１１に第３図におい
て説明した作成法により順次２層２５．１層２６．１層
２７ａ−８ｉをそれぞれ形成し、さらにｎ層２７上にＡ
１、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｏｒ等の電極２８を設けろ。次に同じ
透明な絶縁・ｔ’ｌ）＋ｕ板１・、に第３図で誤用した
Ｃ−３ｉ太陽電池（棒状捷たは櫛望電極２０．ｎ型結晶
２１、Ｐ望結晶２２、たとえばＮ１からなる電極２３か
ら成る）を設ける。そしてＧ−８ｉ太陽電池とａ−５１
１（陽電池は棒状捷たは櫛望電ｔ８ｉ２０と透明電極２
４とか接触するように配置することにより直列接続か１
拝能である。
この場、／７． ｉｌｉ結晶シリコンは３００ ｔｒ
ｍ程度であり、光が透過しないので光入射側へアモルフ
ァスノ（陽電池を配置する必盟がある。
ｍ程度であり、光が透過しないので光入射側へアモルフ
ァスノ（陽電池を配置する必盟がある。
なお、１−記実旋例においては単結晶シリコン太陽電池
とアモルファス太陽電池を同一基板１−に形成しん場合
を開示したが、別個のものとして構成したものを電気的
に直列接続してもよい。
とアモルファス太陽電池を同一基板１−に形成しん場合
を開示したが、別個のものとして構成したものを電気的
に直列接続してもよい。
以Ｉのように木発ＷＪはＣ−３ｉ太陽電池とａ −８ｉ
）り陽電也を電気的に的列接続するものであり、ｆ＃
東のり（１，“、（であるところのＣ−８ｉ太陽電也
の屋内蓋（蛍輩灯ド）における変換効率の低１−′とａ
−８ｌ札陽電池の屋外光（太陽光ド）における変換’
ｔリ−４’−のＩｌｕ ｌ・を幻陽電池として使用する
際に防雨てき、かつそれぞれを相補的に使用てき、ｉ（
陽光や蛍尤灯霞等の自然光を有効利用できる。
）り陽電也を電気的に的列接続するものであり、ｆ＃
東のり（１，“、（であるところのＣ−８ｉ太陽電也
の屋内蓋（蛍輩灯ド）における変換効率の低１−′とａ
−８ｌ札陽電池の屋外光（太陽光ド）における変換’
ｔリ−４’−のＩｌｕ ｌ・を幻陽電池として使用する
際に防雨てき、かつそれぞれを相補的に使用てき、ｉ（
陽光や蛍尤灯霞等の自然光を有効利用できる。
第１図および第２図は従来の異なる実施例の太陽電池の
構成図、第３図は本発明の一実施例の太陽電池の構成図
、第４図は本発明の異なる実施例の太陽電池の構成図で
ある。 １１・・・・・刈面電極、１２・・・・・・Ｐ型０−Ｓ
ｉ、１３＝−・・・ｎ Ｉ＋’、４ Ｃ−Ｓ ｉ、１４
−−−−−−ＰｆＪｊｈ−８ｉ、１６、、、 、、、１
＞ｒ、ｑ４． ａ−８ｉ、１ｅ−＝−ｎｔＨ４ｈ−ｓ
ｉ、 １７・・・・・・透明電極、１８・・・・・・金
属電極。 代理ノ（の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第
１図 先 第２図 第３図 九 ？
構成図、第３図は本発明の一実施例の太陽電池の構成図
、第４図は本発明の異なる実施例の太陽電池の構成図で
ある。 １１・・・・・刈面電極、１２・・・・・・Ｐ型０−Ｓ
ｉ、１３＝−・・・ｎ Ｉ＋’、４ Ｃ−Ｓ ｉ、１４
−−−−−−ＰｆＪｊｈ−８ｉ、１６、、、 、、、１
＞ｒ、ｑ４． ａ−８ｉ、１ｅ−＝−ｎｔＨ４ｈ−ｓ
ｉ、 １７・・・・・・透明電極、１８・・・・・・金
属電極。 代理ノ（の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第
１図 先 第２図 第３図 九 ？
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１） ｒｌｊ結晶シリコン太陽電池と非晶質シリコ
ン及陽電池を相補的に用いた太陽電池。 Ｅ） １ｊｉｊ記中結晶シリコン太陽電池と非晶質シ
リコン及陽電池を同一基板１−に並置捷たは積層設置し
た特許請求の範囲第１項に記載の太陽電池、。 （３） ＋）Ｑ記中結晶シリコン太陽電池の光入射側
に前記アモルファス太陽電池を積層し、前記中結品シリ
コン表陽電池とアモルファス太陽電池を直列接続した特
Ｔｆ’Ｆ請求の範囲第１項記載の太陽電池１．
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57072053A JPS58188169A (ja) | 1982-04-27 | 1982-04-27 | 太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57072053A JPS58188169A (ja) | 1982-04-27 | 1982-04-27 | 太陽電池 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58188169A true JPS58188169A (ja) | 1983-11-02 |
Family
ID=13478250
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57072053A Pending JPS58188169A (ja) | 1982-04-27 | 1982-04-27 | 太陽電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58188169A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01289173A (ja) * | 1988-05-16 | 1989-11-21 | Sharp Corp | 太陽電池 |
| JPH01293254A (ja) * | 1988-05-18 | 1989-11-27 | Suzuki Motor Co Ltd | 車載用太陽電池装置 |
| FR2648624A1 (fr) * | 1989-06-16 | 1990-12-21 | Canon Kk | Dispositif photovoltaique et son procede de fabrication |
| US6677516B2 (en) | 2001-01-29 | 2004-01-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Photovoltaic cell and process for producing the same |
| WO2006025260A1 (ja) * | 2004-08-31 | 2006-03-09 | Kyoto University | 積層型有機無機複合高効率太陽電池 |
| US20110168244A1 (en) * | 2009-06-10 | 2011-07-14 | Vaeaenaenen Mikko | Method and means for a high power solar cell |
-
1982
- 1982-04-27 JP JP57072053A patent/JPS58188169A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01289173A (ja) * | 1988-05-16 | 1989-11-21 | Sharp Corp | 太陽電池 |
| JPH01293254A (ja) * | 1988-05-18 | 1989-11-27 | Suzuki Motor Co Ltd | 車載用太陽電池装置 |
| FR2648624A1 (fr) * | 1989-06-16 | 1990-12-21 | Canon Kk | Dispositif photovoltaique et son procede de fabrication |
| US5094697A (en) * | 1989-06-16 | 1992-03-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Photovoltaic device and method for producing the same |
| US6677516B2 (en) | 2001-01-29 | 2004-01-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Photovoltaic cell and process for producing the same |
| WO2006025260A1 (ja) * | 2004-08-31 | 2006-03-09 | Kyoto University | 積層型有機無機複合高効率太陽電池 |
| JPWO2006025260A1 (ja) * | 2004-08-31 | 2008-05-08 | 国立大学法人京都大学 | 積層型有機無機複合高効率太陽電池 |
| US20110168244A1 (en) * | 2009-06-10 | 2011-07-14 | Vaeaenaenen Mikko | Method and means for a high power solar cell |
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