JPS58187930A - 静電記録体 - Google Patents
静電記録体Info
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- JPS58187930A JPS58187930A JP7035782A JP7035782A JPS58187930A JP S58187930 A JPS58187930 A JP S58187930A JP 7035782 A JP7035782 A JP 7035782A JP 7035782 A JP7035782 A JP 7035782A JP S58187930 A JPS58187930 A JP S58187930A
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- electrostatic recording
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- recording medium
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- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/10—Bases for charge-receiving or other layers
- G03G5/102—Bases for charge-receiving or other layers consisting of or comprising metals
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- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/0202—Dielectric layers for electrography
- G03G5/0205—Macromolecular components
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
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- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/0202—Dielectric layers for electrography
- G03G5/0217—Inorganic components
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
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- G03G5/147—Cover layers
- G03G5/14704—Cover layers comprising inorganic material
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- Inorganic Chemistry (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は静電記録体に関し、特には表面凹凸を有する転
写型の静電記録体に関する。
写型の静電記録体に関する。
静電記録プロセスにおいて、導IIV膚を有する支持体
または導電性支持体上に凹凸状の表面を有する誘電体層
を殺性た転写型静電記録体が用いられており、各層間に
は必g!に応じて接着層が設けられている場合もある。
または導電性支持体上に凹凸状の表面を有する誘電体層
を殺性た転写型静電記録体が用いられており、各層間に
は必g!に応じて接着層が設けられている場合もある。
このような静電記録体を用いて画情を形成するには、マ
ルチスタイラスtr極の如き配録W極を用い、記録電極
と静電記録体の誘電体1との間に放電を起こすに十分な
画信号雪圧を印加し、これKよって放電を起こして誘電
体層上に画信号に対応する静wN荷、eターン、すなわ
ち靜電潜僧を形成する。このようにして形成された潜傷
は実情部で実情されてトナー債となり、紙などの転写シ
ートに転写、定着される。転写後の記録体はクリーニン
グ、除電、後、次の記録プロセスで上記のサイクルを繰
り返すことによって、多数回反復使用される。
ルチスタイラスtr極の如き配録W極を用い、記録電極
と静電記録体の誘電体1との間に放電を起こすに十分な
画信号雪圧を印加し、これKよって放電を起こして誘電
体層上に画信号に対応する静wN荷、eターン、すなわ
ち靜電潜僧を形成する。このようにして形成された潜傷
は実情部で実情されてトナー債となり、紙などの転写シ
ートに転写、定着される。転写後の記録体はクリーニン
グ、除電、後、次の記録プロセスで上記のサイクルを繰
り返すことによって、多数回反復使用される。
記録電極と記録体のi4+に放電、を起ヒさせるために
は、パッシェンの放電開始電圧曲線以上の電圧を記録電
極に印加しかければならない。記録体表面と記録電極と
の間隙が小さ過ぎると、放電開始電圧曲線のカーブが急
激であることかられずかな間隙変化でも放電開始電圧が
大きく変化し印加電圧の設定が困難となる。逆に、開場
が大き過ぎると放′W開始電圧が大きくなるだけでなく
、画1分解能も劣化する。このように放NK関しては空
隙間隔の管理が非常に重安であり、一般に数μmから士
数声慣の範囲の空隙間隔で最も好ましい放電が起き、画
1會信号に忠実な鮮明画1が記録される。
は、パッシェンの放電開始電圧曲線以上の電圧を記録電
極に印加しかければならない。記録体表面と記録電極と
の間隙が小さ過ぎると、放電開始電圧曲線のカーブが急
激であることかられずかな間隙変化でも放電開始電圧が
大きく変化し印加電圧の設定が困難となる。逆に、開場
が大き過ぎると放′W開始電圧が大きくなるだけでなく
、画1分解能も劣化する。このように放NK関しては空
隙間隔の管理が非常に重安であり、一般に数μmから士
数声慣の範囲の空隙間隔で最も好ましい放電が起き、画
1會信号に忠実な鮮明画1が記録される。
しかしながら、放電空隙を声倶オーダーで制御すること
は至難の技であった。表面平滑な誘電体層(表面rti
)を有する静電記録体を用い、空隙間隔の管理を機械
的に行々っていたのであるが、空隙IVI隔の保持機構
が高価で、かつ、信頼性が低く、未だ実用に至っていな
いのが現状であった。
は至難の技であった。表面平滑な誘電体層(表面rti
)を有する静電記録体を用い、空隙間隔の管理を機械
的に行々っていたのであるが、空隙IVI隔の保持機構
が高価で、かつ、信頼性が低く、未だ実用に至っていな
いのが現状であった。
そこで、静電記録体の訪常2体膚fl!面を凹凸として
、これに記録電極を接触させることKよ炒、記録型ff
l’Fに記録体との間隙が最も放電し、やすくなる部分
を確保して放電し、静電潜傷を形成する方式が注目され
ている。
、これに記録電極を接触させることKよ炒、記録型ff
l’Fに記録体との間隙が最も放電し、やすくなる部分
を確保して放電し、静電潜傷を形成する方式が注目され
ている。
以上のように、静電記録体の凹凸表面は極めて重要であ
って不可欠の本のであるが、一方、このような凹凸の存
在は記録プロセスにおける実情工程、クリーニング工程
において静電記録体表面形状の破壊、損傷、摩耗等、ま
たはそれらが原因となって発生するトナーフィルミング
等を起こし、記録体の特性を徐々に低丁させるという問
題があった。
って不可欠の本のであるが、一方、このような凹凸の存
在は記録プロセスにおける実情工程、クリーニング工程
において静電記録体表面形状の破壊、損傷、摩耗等、ま
たはそれらが原因となって発生するトナーフィルミング
等を起こし、記録体の特性を徐々に低丁させるという問
題があった。
このような欠点を解決する方法として、たとえば特開昭
54−43732号公報には誘電体Illの主成分とし
て熱硬化型のエポキシ基含有のシリコン樹脂を使用する
こと力■に示されており、また、特開昭54−1086
33号公報には、誘電体l#内に無機ガラスを含有せし
めたしして誘電体1−を硬質化し、耐摩耗性を向上せし
めたものが報告されている。しかしながら、この方法で
#i#s電体層表面全体を均一に高硬度とすることがで
きず、また、主成分が有機物などの場合には機械的強度
、耐摩耗性の向上には限界がある。、記録回数が進むに
つれてmm時またはクリーニング時の大きな物理力によ
って表面が摩耗破壊して特性が劣化する。このような物
理的破損は表面の凹凸形状は勿論のこと、表面の不均一
な強度分布によるところが大である。
54−43732号公報には誘電体Illの主成分とし
て熱硬化型のエポキシ基含有のシリコン樹脂を使用する
こと力■に示されており、また、特開昭54−1086
33号公報には、誘電体l#内に無機ガラスを含有せし
めたしして誘電体1−を硬質化し、耐摩耗性を向上せし
めたものが報告されている。しかしながら、この方法で
#i#s電体層表面全体を均一に高硬度とすることがで
きず、また、主成分が有機物などの場合には機械的強度
、耐摩耗性の向上には限界がある。、記録回数が進むに
つれてmm時またはクリーニング時の大きな物理力によ
って表面が摩耗破壊して特性が劣化する。このような物
理的破損は表面の凹凸形状は勿論のこと、表面の不均一
な強度分布によるところが大である。
摩耗、破壊原理として、少1.で本弱い部分があるとそ
こへ応力が集中し、大きな破壊力が弱部に@き、摩耗、
破壊されることが多い。そこで、表面を全体に強度大と
し、極端な@度の弱い部分をなくすことが必要となる。
こへ応力が集中し、大きな破壊力が弱部に@き、摩耗、
破壊されることが多い。そこで、表面を全体に強度大と
し、極端な@度の弱い部分をなくすことが必要となる。
本発明は以上の如き従来の欠点を解決することを目的と
した本のであり、特K u 1鎌体表面全体の強度を大
とし耐摩耗性を向上することによって、数10万枚、さ
らには百数十万枚もの記録にも十分耐えうる耐久性を有
した転写型静電記録体を提供することを目的としたもの
である。
した本のであり、特K u 1鎌体表面全体の強度を大
とし耐摩耗性を向上することによって、数10万枚、さ
らには百数十万枚もの記録にも十分耐えうる耐久性を有
した転写型静電記録体を提供することを目的としたもの
である。
上記目的に鑑み種々検討を重ねた結果、前述の如く表面
が凹凸状の転写型静電記録体において、記録体表面を抵
抗値の高い硬質セラミック1−で被覆すると萌述の欠点
が一挙に解決し、上記の目的が達成されることを見出し
た。
が凹凸状の転写型静電記録体において、記録体表面を抵
抗値の高い硬質セラミック1−で被覆すると萌述の欠点
が一挙に解決し、上記の目的が達成されることを見出し
た。
すなわち、本発明の静電記録体は、導電性支持体上に、
体積電気抵抗@】o2Ω・閏以上、かつ1、T T S
鉛娘ひつかき試験硬度2H以上の値をもち、その表面に
換算直径1〜100P%、深さ01〜40pmの凹部を
表面面積のlO〜80チの範囲で有する1厚0.1〜5
0 pmの誘電体層を有し、また、骸誘電体+*が体積
抵抗値10’Ω・傭以上、かつ、そ−ス硬度25以上で
厚さ0.001〜30μ鶴のセラミック材1i1で被覆
されたことを特徴とする、 第1図は本発明の静電記録体の構成例を示す概略断面図
であり、導電性支持体l】上に誘電体層13およびセラ
ミック材+415を有する。
体積電気抵抗@】o2Ω・閏以上、かつ1、T T S
鉛娘ひつかき試験硬度2H以上の値をもち、その表面に
換算直径1〜100P%、深さ01〜40pmの凹部を
表面面積のlO〜80チの範囲で有する1厚0.1〜5
0 pmの誘電体層を有し、また、骸誘電体+*が体積
抵抗値10’Ω・傭以上、かつ、そ−ス硬度25以上で
厚さ0.001〜30μ鶴のセラミック材1i1で被覆
されたことを特徴とする、 第1図は本発明の静電記録体の構成例を示す概略断面図
であり、導電性支持体l】上に誘電体層13およびセラ
ミック材+415を有する。
導電性支持体は特に問わないが、たとえば、アルミニウ
ム、ステンレス、銅、ニッケルナトの導電材料からなる
本の、あるいはプラスチックなどの基体上にアルミニウ
ム等の金属材料、酸化インジウムなどの金属化合物、カ
ーゼンなどの導電、拐分散樹脂などの導電層を設けたも
のなどが用いられる。また、その形状も、板体、ドラム
状、ベルト状など用途に応じて適宜の形状をとることが
できる。
ム、ステンレス、銅、ニッケルナトの導電材料からなる
本の、あるいはプラスチックなどの基体上にアルミニウ
ム等の金属材料、酸化インジウムなどの金属化合物、カ
ーゼンなどの導電、拐分散樹脂などの導電層を設けたも
のなどが用いられる。また、その形状も、板体、ドラム
状、ベルト状など用途に応じて適宜の形状をとることが
できる。
誘電体層13は、体積電気抵抗値10”Ω・儒以上 好
ましくけ101Ω・国風上を有し、また、鉛醸ひつかき
試験(JIs−に−54oo)でzH以上、好ましくけ
5H以上の硬度を有する。1*電体鳴を形成する材料と
しては、例えばセラミック材、硬質合成樹脂などが挙げ
られ、セラミック材の具体例としては、’rho、 、
Bed、 A l!O3、Zr01 。
ましくけ101Ω・国風上を有し、また、鉛醸ひつかき
試験(JIs−に−54oo)でzH以上、好ましくけ
5H以上の硬度を有する。1*電体鳴を形成する材料と
しては、例えばセラミック材、硬質合成樹脂などが挙げ
られ、セラミック材の具体例としては、’rho、 、
Bed、 A l!O3、Zr01 。
8i0@ 、 TIO! 、 5rZrO1、0aZr
01 、5iZr04 、 BN。
01 、5iZr04 、 BN。
AIN、 81.N、 、 TiN、 ThN、 Hf
N、 SiN、 ThN、 VN。
N、 SiN、 ThN、 VN。
OrN、あるいはこれら材料の合金系類が例示でき、合
成樹脂としてはIリエステルなどの熱可塑性樹脂あるい
はアクリル変性などの変性ウレタン樹脂、シリコーン雪
脂、アクリルあるいはアルキド変性などの変性シリコー
ン樹脂、変性エポキシ樹脂および尿素メラミン樹脂など
の熱硬化性樹脂が例示できる。
成樹脂としてはIリエステルなどの熱可塑性樹脂あるい
はアクリル変性などの変性ウレタン樹脂、シリコーン雪
脂、アクリルあるいはアルキド変性などの変性シリコー
ン樹脂、変性エポキシ樹脂および尿素メラミン樹脂など
の熱硬化性樹脂が例示できる。
誘電体1−13の膜厚は0.1〜100P嘱が好ましく
、さらに好オしくは1〜20pmである。
、さらに好オしくは1〜20pmである。
膜厚が01声惰以下では誘W層の嘆の信頼性が得にくく
、また、t o o pm を=*るとpm層の静電
容量の関係により、電荷実情するのに十分な雷荷をとり
にくい7 また、誘電体層13は換算直径1〜100μ八深さ01
〜40μ倶好まi〈は1〜25μ惰の凹部を有し、との
凹部は誘電体層表面面積の10〜80%好壕しくけ30
〜50%を占有する。
、また、t o o pm を=*るとpm層の静電
容量の関係により、電荷実情するのに十分な雷荷をとり
にくい7 また、誘電体層13は換算直径1〜100μ八深さ01
〜40μ倶好まi〈は1〜25μ惰の凹部を有し、との
凹部は誘電体層表面面積の10〜80%好壕しくけ30
〜50%を占有する。
換算直径とは、凹部の形状(開口形状)を真円に補正し
た場合の直径であり、以下のように定義ahx・
1 したがって、凹部が円形の場合はその直径が即ち換算直
径であ)、3.14 pf?ILIの四角形の凹部の場
合は、換算直径は約354μ鴨である。なお、凹部の形
状は一般的には円形あるいは四角形などの正多角形ない
しはそれらの近似形である。
た場合の直径であり、以下のように定義ahx・
1 したがって、凹部が円形の場合はその直径が即ち換算直
径であ)、3.14 pf?ILIの四角形の凹部の場
合は、換算直径は約354μ鴨である。なお、凹部の形
状は一般的には円形あるいは四角形などの正多角形ない
しはそれらの近似形である。
凹部の深さが0,1μへ未満では放電が生じにくく、異
常放電、を生じやすく、また、40声惰を華えると、放
電が生じにくいばかりか、放電雷荷が広がり、ドツトが
しぼれなくなる。
常放電、を生じやすく、また、40声惰を華えると、放
電が生じにくいばかりか、放電雷荷が広がり、ドツトが
しぼれなくなる。
また、凹部の占める面積が誘1体層表面の10悌未満で
は、放雷!荷の偏りを生じた秒、極部的<XW荷を保持
させられるため、電気的劣化も生じやすい。また、SO
4を越えるき、N極の接触部分が少ないので電極圧接力
が接触点に集中し、誘電体/#衣表面機械的ストレスを
与える。
は、放雷!荷の偏りを生じた秒、極部的<XW荷を保持
させられるため、電気的劣化も生じやすい。また、SO
4を越えるき、N極の接触部分が少ないので電極圧接力
が接触点に集中し、誘電体/#衣表面機械的ストレスを
与える。
セラミック材層15は体積抵抗値104ΩecIn以上
、好ましくは10’Ω・国風上で、モース硬度2.5以
上、好ましくは4以上の値を有する。セラミック材層を
構成するセラミック材の具体例としては、Th01 、
Bed、 A1103 、 ZrO2、8i02 。
、好ましくは10’Ω・国風上で、モース硬度2.5以
上、好ましくは4以上の値を有する。セラミック材層を
構成するセラミック材の具体例としては、Th01 、
Bed、 A1103 、 ZrO2、8i02 。
TiO2、8rZr02 、0aZrO1、8iZr0
4 、 BN、 AIN。
4 、 BN、 AIN。
81、N4 、 TIN、 Ta1N、 HfN、 8
iN、 ThN、 VN、 OrN、 ibるいはこれ
ら材料の合金系類が例示できる。
iN、 ThN、 VN、 OrN、 ibるいはこれ
ら材料の合金系類が例示できる。
セラミック材If4の膜厚i;jO,001〜30 p
m、好ましくは0.01〜1である。O,0OIPfi
未満では記録体表面の強度を十分に付与しえず、また、
30声惰を越えると、静愕容景が小さくなりすぎ、潜傷
電荷の条件が悪くなる。
m、好ましくは0.01〜1である。O,0OIPfi
未満では記録体表面の強度を十分に付与しえず、また、
30声惰を越えると、静愕容景が小さくなりすぎ、潜傷
電荷の条件が悪くなる。
次に本発明の静電記録体の製造方法について討明する。
たとえば、第2図に示すように、基体17上に導19j
#x9を設けてなる導電性支持体11′上に、flJ1
’1.体4113’ t ol 〜50 pm tDi
g体#】3′を形成する。
#x9を設けてなる導電性支持体11′上に、flJ1
’1.体4113’ t ol 〜50 pm tDi
g体#】3′を形成する。
誘電体1413’を形成する方法は(表面凹凸の形成に
先立って)、誘電材料によって適宜選択される。たとえ
ば、セラミック材からなる層を形成する場合は、真空蒸
着、ス・9ツタリング、イオンシレーティングなどのP
VD法、CVD法、メッキ法などによればよいし、プラ
スチック膜を形成するには溶剤塗布法、ラミネート法な
どによればよい。
先立って)、誘電材料によって適宜選択される。たとえ
ば、セラミック材からなる層を形成する場合は、真空蒸
着、ス・9ツタリング、イオンシレーティングなどのP
VD法、CVD法、メッキ法などによればよいし、プラ
スチック膜を形成するには溶剤塗布法、ラミネート法な
どによればよい。
ついで、誘電体QHj13′[表面加工を施し、上記し
たよりな凹部を形成する(第3図)。
たよりな凹部を形成する(第3図)。
表面凹部の形成は、レーザー加工、フォートエツチング
加工など適宜の表面加工法を用いることができる。
加工など適宜の表面加工法を用いることができる。
ついで、誘雷体層13上KO,001〜30声惰厚でセ
ラミック材1−15を設けて破覆する(第4図)。セラ
ミック材1#の形成は真空蒸着、ス、eツタニング、イ
オンシレーティングなどのPVI’)法、OVD法など
の薄膜形成法によればよい。
ラミック材1−15を設けて破覆する(第4図)。セラ
ミック材1#の形成は真空蒸着、ス、eツタニング、イ
オンシレーティングなどのPVI’)法、OVD法など
の薄膜形成法によればよい。
本発明の静電記録体を用いて実際に記録画懺を得るには
、静電潜潰を形成したf麦、従来の電子写真方式と同様
にして現像、転写すればよく、たとえば第5図のような
プロセスによればよい。
、静電潜潰を形成したf麦、従来の電子写真方式と同様
にして現像、転写すればよく、たとえば第5図のような
プロセスによればよい。
エンドレスベルト状の静電記録体2】にスタイラス23
によ抄画1象信号電圧を印加し、静電層(争25を形成
する。この潜1象25を現1象部剃27によりトナー現
像してトナーイ蒙29を得、ついで転写コロナチャージ
ャー31により転写紙33に転写して記録画澹35を得
る。転写工程後も静電記録体21上に付着するトナーは
クリーニングローラー37により除去され、ついで除電
ローラー39および除重コロナチャージャー41によ妙
除雪されて静Wliffi録体21は反復使用される。
によ抄画1象信号電圧を印加し、静電層(争25を形成
する。この潜1象25を現1象部剃27によりトナー現
像してトナーイ蒙29を得、ついで転写コロナチャージ
ャー31により転写紙33に転写して記録画澹35を得
る。転写工程後も静電記録体21上に付着するトナーは
クリーニングローラー37により除去され、ついで除電
ローラー39および除重コロナチャージャー41によ妙
除雪されて静Wliffi録体21は反復使用される。
図中、43.43’は弾性ローラーを表わす、
本発明の静電記録体によれば、記録体の誘電、層自体を
ある程度硬く[2、しかも表面に硬質セラミック薄膜を
設けて均一に機械的強度を向上せしめることにより、記
録体の耐久性が従来の10〜101倍もよくかす、数十
方杖から数百方杖の耐久性が得られた。また、表面全体
を薄層で覆うことによ部表面凹凸の角部が鋭角から鈍角
へ移行(2、トナーフィルミンクの問題も解消された。
ある程度硬く[2、しかも表面に硬質セラミック薄膜を
設けて均一に機械的強度を向上せしめることにより、記
録体の耐久性が従来の10〜101倍もよくかす、数十
方杖から数百方杖の耐久性が得られた。また、表面全体
を薄層で覆うことによ部表面凹凸の角部が鋭角から鈍角
へ移行(2、トナーフィルミンクの問題も解消された。
実施例
径80−で肉厚02噸のニッケルベルト上に、真空蒸着
法を用いて、真空度(’+ X 10−LITorrの
条件で酸化珪素を均一に全周に蒸着し、9pfn厚のシ
ームレス膜を形成し、た。
法を用いて、真空度(’+ X 10−LITorrの
条件で酸化珪素を均一に全周に蒸着し、9pfn厚のシ
ームレス膜を形成し、た。
次に、YAGレーザー加工機を用いて20Pfi径の円
形で深さ5 pflLの穴を100pmX100100
p個の密度で全面に開けた。
形で深さ5 pflLの穴を100pmX100100
p個の密度で全面に開けた。
次に、この表面加工が終了した4ルトを2×10″5T
orr の真空系の中へ入れ、0.圧力2×10−”
Torr で高周波13.56 MH,を)IFコ
イルにかけ、にかけ、ベルトを200℃に加熱し慶から
アルミを35分間加熱蒸発させ、イオンブレーティング
法により300スの鳩0.111[(モース硬度7〜8
)を形成して本発明の静電記録体を得た。
orr の真空系の中へ入れ、0.圧力2×10−”
Torr で高周波13.56 MH,を)IFコ
イルにかけ、にかけ、ベルトを200℃に加熱し慶から
アルミを35分間加熱蒸発させ、イオンブレーティング
法により300スの鳩0.111[(モース硬度7〜8
)を形成して本発明の静電記録体を得た。
この記録体ベルトを用い第5図に示したように、スタイ
ラス賞圧−600V、 50 pm の印加パルス
でA4巾のラインヘッドを用いて入力し、現1書はリコ
ー社製FT−4700用トナーを用いて静電記録を行な
い、これを操り返して耐久テストを行なった。その結果
を第6図に示す。
ラス賞圧−600V、 50 pm の印加パルス
でA4巾のラインヘッドを用いて入力し、現1書はリコ
ー社製FT−4700用トナーを用いて静電記録を行な
い、これを操り返して耐久テストを行なった。その結果
を第6図に示す。
511図は本発明の静電記録体についての構成例を示す
概略拡大断面図である。 第2図〜第4図は本発明の静電記録体の製造方法につい
て説明する図である1、 纂5図は本発明の静電記録体に適用されるプロセスにつ
いて示す概略図である。 第6図は静電記録体の耐久性についてのグラフである。 11、II’・・・導電性支持体 13.13’・・・
誘電体珊15・・・セラミック材層 21・・・静
電記録体23・・・スタイラス電極 27・・・現
像部材33・・・転写紙 41・・・除電コロナチャージャー ff1l 閃 雨2区 う3区 燈4閃 懲5閃 門6回 ランニレグ枢(焚
概略拡大断面図である。 第2図〜第4図は本発明の静電記録体の製造方法につい
て説明する図である1、 纂5図は本発明の静電記録体に適用されるプロセスにつ
いて示す概略図である。 第6図は静電記録体の耐久性についてのグラフである。 11、II’・・・導電性支持体 13.13’・・・
誘電体珊15・・・セラミック材層 21・・・静
電記録体23・・・スタイラス電極 27・・・現
像部材33・・・転写紙 41・・・除電コロナチャージャー ff1l 閃 雨2区 う3区 燈4閃 懲5閃 門6回 ランニレグ枢(焚
Claims (1)
- 1 4111性支持体上K、体積市り抵抗値10!Ω・
備以上、かつ、JIS 船端ひつかき試験硬度2H以
上の値をもち、その台面に換算直径1〜I OOpm、
深さ0.1〜40 ptphの凹部を表面面積の30〜
80チの範囲で*する層暉01〜5 (l penの誘
電体層を有し、また、#n市体層が体積抵抗値10’Ω
・1以上、かつ、モース硬度25以上で厚さ0001〜
30p情のセラミック材層で被覆されたことを特徴とす
る靜電真己鍮体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7035782A JPS58187930A (ja) | 1982-04-28 | 1982-04-28 | 静電記録体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7035782A JPS58187930A (ja) | 1982-04-28 | 1982-04-28 | 静電記録体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58187930A true JPS58187930A (ja) | 1983-11-02 |
Family
ID=13429093
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7035782A Pending JPS58187930A (ja) | 1982-04-28 | 1982-04-28 | 静電記録体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58187930A (ja) |
-
1982
- 1982-04-28 JP JP7035782A patent/JPS58187930A/ja active Pending
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