JPH08506188A - 混合セラミック層を有する電荷ドナーローラ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 電子複写装置(20)用電荷ドナーローラ(10)は、円筒状ローラ芯体(14)と、印加電圧差に応答してセラミック層のＲＣ回路時定数を調節するために選出される割合で絶縁セラミック材料と半導体セラミック材料のブレンドを吹付けるプラズマによって形成されるセラミック層(16)から構成される。このセラミック層(16)は湿気汚濁からセラミック層(16)を保護するためカーノーバ社（Ｃａｒｎａｕｂａ）製ワツクスのような硬化性、低粘度性の密閉剤(17)で密閉される。

Description

【発明の詳細な説明】 混合セラミック層を有する電荷ドナーローラ ［技術分野］ 本発明は電子複写機において使用する電荷ドナーローラに関する。 ［発明の背景］ 電子複写機における電荷は感光ドラム（ＰＲＤ）に印加される。原稿画像は強 い光路により走査され、感光ドラムに投影される。この光は、投影画像のないと ころでは感光ドラムの電荷を散逸する。感光ドラムの電荷パターンの形のある投 影画像のところではトナー粒子を引く。このトナーは一般的には熱可塑性の接着 剤を含有したカーボンブラック顔料である。このトナー粒子は転写体（紙）に移 され完全な複写ができるように加熱、加圧されて転写紙に付着する。他の複写方 式においては電荷はまず転写体に印加され、その結果、トナーは感光ドラムより もむしろ転写体に引かれる。 複写方式技術により、電荷とトナーの双方を異なる手段で所定の位置に運ぶこ とも可能である。電荷はコロナチャージングワイヤ又は電荷移動ローラにより感 光ドラムに印加されてもよ い。 電荷がローラに印加する場合は、そのローラ面の帯電、除電及びキャパシタン ス特性は複写方式の操作上、重量な要素である。電荷移動ローラ面は通常電圧で 印加される。 電荷は感光ドラムに電荷移動される。この電荷移動ローラ面はその際次のサイ クルのため充電される。充電前に、次の荷電サイクルのため一様な面及び始点に するため除電してもよい。 電荷移動ローラは一般的には半導体材料をコーテイング又は被覆して形成され る。このコーテイング材料にはゴム、熱可塑性樹脂又はカーボンブラックなどの 低抵抗物質を含有する熱硬化性化合物及び通常の電気特性を与える特別なシーラ ーを有する陽極処理アルミニウムが含まれる。 電荷移送ローラの表面層は体積抵抗特性及びキャパシタンス特性の両方を具備 している。電荷移送ローラ面を荷電及び除電するために、この表面層はＲ−Ｃ（ 抵抗−キャパシタンス）直列回路、直列回路における抵抗及びキャパシタとして 電気的作用をする。したがって、この表面層は、抵抗−キャパシタンス（Ｒ−Ｃ ）プロダクトの機能を有する時定数を備えている。 ローラ表面層の時定数は単位面積当りの秒（たとえば平方ミリメートル当りの マイクロセカンド又は平方インチ当りの秒）で表されてもよい。 この時定数は表面層が印加電圧に依存しないで荷電又は除電される割合で決定 される（但し、抵抗又はキャパシタンスが電圧に依存しない場合）。直列ＲＣ回 路は周知の、時間の指数関係により荷電及び除電がなされる。時間ｔ＝ＲＣのと き、荷電量はその最終値の１／ｅ以内に増加した。この場合のｅの数値は２．７ １８である。 印加電圧が６３．２％になるまでにＲＣ回路のキャパシタンスを荷電するのに 要する時間は１時定数であり、９５％になるまでに要する時間は３時定数である 。表面層の時定数は電荷移送ローラがこの複写方式において充分に作動できる最 大率（分当りの複写割合）で決定される。 表面層の時定数に加えて、表面層は、（固定バイアス電圧で設置されるか又は 保持されている）電荷移送ローラの芯体の表面層より電気アークすることなく印 加電圧に抵抗できる充分な絶縁性をも備えている。 トナーが電荷移送ローラに供給されるか、または、該ローラに付着すると、電 荷移送ローラ表面層の削れや磨耗を惹き起こし、該ローラの性能を低下させるの に備えてドクターブレードや他のクリーニング装置により清掃するようにしても よい。このように耐磨耗性を備えた電荷移送ローラ表面層のコーテイングは電荷 移送ローラの商品寿命を延すのに極めて有効である。 電荷移送ローラは均一な表面電荷を移送しなければならないので、所定の均一 な表粗面と同様、ローラ表面の直径、ランアウト及びテーパの精密な寸法を有し ていなければならない。 このローラ表面層に用いられる一般的な材料の一つは特別に密閉された陽極処 理アルミニウムである。この材料には次の欠点がある。 １）高品質の電気陽極処理アルミの表面層の厚さは最終作動まで約５０から７０ ミクロンであり、その絶縁耐力が制限されている。 ２）陽極処理層は極端にポーラスであり、この材料のピンホールにより絶縁耐力 が低下する課題がある。たとえ該層がアルミニウム酸化物だとしてもその多孔質 性がコーテイング及び磨耗抵抗の圧縮耐力を制限している。 ３）高品質の陽極処理表面層を形成するため、高品質のアルミ合金が電極移送ロ ーラの芯体に用いられる。芯体は一様な寸法と電気特性の層を形成するため陽極 処理工程の前にダイアモンド工具などにより正確な寸法に仕上げる必要がある。 陽極処理コーティングの厚さと特性は陽極処理槽及び処理方法における非一様性 に起因して変わる。 ４）前記表面層の時定数は１オーダの大きさのプラスマイナスにより変化する。 （１／１０から１０×）。ゴムと可塑性の表 面層は次の欠点を有する。 １）添加剤の使用による電気特性の調整は非常に難しい。該層の電気抵抗は１ ００まで容易に変化する。単一ローラ内での大きな変化もまたおこりやすい。 ２）磨耗抵抗は陽極処理アルミニウムに較べて（特にゴムは）低い。 ３）有機ポリマーは加熱、薬品や酸素にさらすことにより熟成する。このこと は該ポリマーの物理的、電気的特性を時がたつにつれ変化させ品質を低下させる 。 ４）電気的添加剤は自ら蒸発し、溶解し、もれ出すか又は（カーボンブラック の絶縁破壊のような）変化を招く可能性がある。 ５）鉄芯に材料を付着する方法（例えば成形、押出し等）は材料を付着させる ためのコーテイングの際に、多孔質となり不均一な状態を生み出すことになる。 米国特許第３，７７８，６９０号のロートハツカー氏は変動域における電圧及 び電流の急速な変化をもたらすために低キャパシタンス変動移送ローラがその鉄 芯の周囲に配設される絶縁ラバースリーブを備えた電子複写装置を開示している 。 米国特許第３、５２１、１２６号のグランゾウ氏はセラミック層半導体を作る ために酸化金属の粒子が絶縁セラミック中に 散らされたサーメット層を有する電荷移送ローラを開示している。 しかしながら、このような粒子は不均一で、しかも、無調節の方法で散らされ ている。 ［発明の開示］ 本発明は、高性能で且つ調節可能な電気特性を有するプラズマ溶射されたセラ ミック層を形成した電荷移送ローラに関する。 その表面層は少なくとも二物質の混合物からなり、一は電気絶縁材、そして他 は半導体である。 具体的な実施例において、電荷ドナーローラはシリンダローラ芯体と、このシ リンダローラ芯体に接着されるセラミック層からなる。このセラミック層は、絶 縁セラミック材と半導体材料の混合物として成形され、その混合比は、印加され る電圧差動に対するセラミック層の電気的応答に関するＲＣ（抵抗キャパシタン ス）回路時定数を調節するために選定される。 多くの実施例は、水分汚染からセラミック層を保護する塗膜と、印加された電 圧差動に対し、防水されたセラミック層の電気的応答に関するＲＣ回路時定数を 調節するために選出される 塗膜を含む。この塗膜は通常１００％硬質有機材料からなる。 絶縁及び半導体セラミック材料は目標ＲＣ回路時定数を形成するために選定さ れた割合で混合される。絶縁材料はプラズマ溶射又は加熱吹付により形成される アルミナ又はジルコニアであり、また、半導体材料はプラズマ溶射又は加熱吹付 により形成される二酸化チタン又は酸化クロムである。 本発明のより詳細な実施例においては、セラミック層が、第１の割合でアルミ ナとチタンを混合した第１のセラミック材料と、第２の割合でアルミナとチタン を混合した第２のセラミック材料の混合物をプラズマ溶射により形成されること である。 本発明は、ＲＣ選出回路時定数を有するセラミック層を形成するため絶縁セラ ミック材料と半導体セラミック材料の混合物を吹付けるプラズマ・溶射工程と、 セラミック・シール層のＲＣ回路時定数を調節するために選出されるシールコー トを有するセラミック層をシールするシール工程から構成される荷負ドナーロー ラの製法にも関している。 前述した以外の他の課題及び効果は、以下の実施例の説明から当業者であれば 明らかである。この説明中の実施例の一部は添付図面に表されている。しかし、 本発明の多くの実施例はこれらに限られるものではなく、本発明の範囲は詳細な 説明に基くクレームによって定められる。 ［図面の簡単な説明］ 図１は本発明のローラの一部破断斜視図である。 図２は図１のローラ部分の長手方向の断面図である。 図３は図２のローラ部の破断詳細（拡大）図である。 図４は図３のシールコート後ローラの破断詳細（拡大）図である。 図５は複写装置における本発明のローラの説明図である。 ［実施例］ 図１及び図２は、本発明の電荷ドナーローラ10とその製法に関している。図５ は電荷が光受容体ドラム（ＰＲＤ）11に印加される複写装置20のローラ10を示し ている。直流バイアス電圧（＋ＶＤＣ）はローラ10の芯体に印加され、交流電圧 （±ＡＣＶ）は電荷ドナーローラ10と光受容体ドラム（ＰＲＤ）11間のギャップ 13に印加される。トナーが供給され複写画像により光受容体ドラム11の部分に引 きつけられるのはこのギャップ13内である。前記交流電圧は６０ヘルツ以上の比 較的高い周波数であり、図２で示すように電圧差（Ｖ）が二層15，16に生じる。 図１から図４で示すように、好ましい実施例では電荷ドナーローラ10は芯体14 と、この芯体14の全外周面を囲う厚さが１ミル（１ミル＝０．００１インチ）か ら３ミルの接着層15を有し ている。好ましい実施例での前記芯体の材料は、アルミニウムであるがステンレ ス鋼，黄銅．鋼鉄，ガラス又はＦＲＰ材料も使用できる。 ６ミルから１０ミルの厚さのセラミック層16は接着層15の全外周面に形成され る。シールコート17は図４で示すセラミック層の表面に浸透するように形成され る。 電荷ローラ10は次の工程により製作される： 第１工程 前記芯体14のグリットブラスト面18をクリーンにし、約２００から ３００ミクロインチレイリー（Ｒａ）面にまで該グリットブラスト面を粗面形成 する。 第２工程 前記接着層15を、プラズマ又は加熱スプレーによりニッケルアルミ 材料を１ミルから５ミルの厚さで、かつ、３００から４００ミクロインチレイリ ー（Ｒａ）面最終仕上げではＭｅｔｃｏ４５０から４８０に形成する。この工程 は所望に応じて行われるが、芯体14とセラミック層16との固着力を向上させる。 第３工程 前記セラミック層16をアルミナとチタンの合金とプラズマ溶射技法 ，装置を用いて１０ミルから１５ミルの厚さに形成する。この工程ではさらに、 セラミック層16を所望の厚さにまで達するように均一な薄膜層を溶射する。高い 完全性と均一性を具備した電導吹付のためのプラズマ溶射セラミックの 最も薄い実用性ある層は約５ミルである。この薄膜層において、前記接着塗膜層 15の先端は前記セラミック層16よりはみ出てもよい。プラズマ溶射セラミックは １００ミル程度のより厚い層で形成されてもよい。 セラミック層16は実質的に均一で絶縁耐力を有する。たとえば、前述した方法 で作られた厚さ１０ミルの混合セラミック被膜は少なくとも３０００ボルト（ミ ル当り少なくとも３００ボルト）の絶縁力を有している。この絶縁力は電荷ドナ ーローラとして使用するのに必要で充分な絶縁性を有する。前記セラミック層16 は必要な絶縁力又は他の物理的，機構的な要請に対応できる厚さに製作される。 抵抗は、セラミック層16の厚さに比例して増加するが、前記セラミック層のキ ャパシタンスはセラミック層16の厚さに比例して減少する。 このように、時定数，抵抗（Ｒ）とキャパシタンス（Ｃ）は均一な材料のため セラミック層の厚さにより変わらないかほとんど変化がない。 前記混合セラミック層16の半導体セラミックに対する絶縁セラミックスの割合 を変えることにより、セラミック層16の時定数は低高圧の３オーダー及び少なく とも高電圧の１オーダー（１０００Ｖ以上）をカバーする範囲を調節することが できる。 その割合は、時定数の選定値に合わせて最終的に調節することもできる。 前記セラミックの抵抗は、印加電圧が増加すると若干減少するので印加電圧と 助変数は目標助定数に達するようにセラミックの混合前に定められる。 前記セラミック混合物は少なくとも１絶縁セラミックと１半導体セラミックと からなる。２以上の材料のブレンドも可能である。 アルミナとジルコニアは絶縁材料である酸化セラミックスの一種である。これ らの絶縁材料は１０¹¹オームセンチメータ（電気抵抗値）以上の抵抗値を有して いる。ここで使用されている「絶縁」材料という技術用語は１０¹⁰オームセンチ メータ以上の電気抵抗値を有する材料を意味する。また、ここで使用されている 「半導体」材料という用語は、１０³オームセンチメータと１０¹⁰オームセンチ メータの間の抵抗値を有する材料を意味する。二酸化チタン（ＴiＯ₂）と酸化ク ロムは半導体又は低抵抗セラミックスの例である。これらのセラミックスは１０⁸ オームセンチメータ以下の抵抗値を通常有している。商業ベース（コスト）上 可能で二つの物性を備えた材料例は他にも多くある。これらの比較的高抵抗及び 低抵抗の材料は電荷移送ローラの電気特性の通常のバランスに達するように混合 され る。 プラズマ溶射セラミック粉末は純度の高い材料でないことが知られている。最 も純度の高い商業的に可能なアルミナですら９９．０％から９９．５％の純度で ある。多くのアルミナは他の金属酸化物を数パーセント含んでいる。例えば、白 色又は灰色のアルミナは５％から少なくとも４０％以下の量でチタニア（二酸化 チタン，ＴｉＯ₂）を含んでいる。混合におけるチタニアの比率の増加は材料抵 抗を下げ材料の時定数を減少させるキャパシスタンスを増加する。これらの材料 はたとえ単一材料としては有効であっても多種のセラミックスの混合物でしかな い。最終的のセラミック層の電気特性は、抵抗、キャパシタンス及び絶縁耐力な どに対する個々の対応の合わさったものである。単一の粉末は電荷移送ローラの 応用の要請にはっきりと応えるならば有効である。それは純度の高い材料でない ことは疑いない。 好ましいセラミックは商品名Ｍｅｔｃｏ１３０（アルミナ８７％対チタニア１ ３％）と商品名Ｍｅｔｃｏ１３１（アルミナ６０％対チタニア４０％）であり、 混合比４０／６０から８０／２０である。Ｍｅｔｃｏ商品はニューヨーク州ウエ ストバリにあるメトコ コーポレーションで購入できる。吹付けの電気特性は最 終コーティングにおけるアルミナからチタニアの割合 により大きく決定される。これら二材料は同じ粒径で購入され、かつ、殆ど同じ 密度を有しているので混合が容易である。マサチュセッツ州ウォートセスターの ノートンカンパニー（Ｎｏｒｔｏｎ Ｃｏｍｐａｎｙ）から出ている同等の粉末 は１０６と１０８である。これらは、化学的にはＭｅｔｃｏ１３０，１３１と同 一であるが、同じ電気特性を有しているわけではない。ノートン社の粉末と同じ 混合物は低抵抗と高キャパシタンスコーティングと低い時定数を与える。 おそらくその理由はノートン社の粉末中のアルミナとチタニアがメトコ社（Ｍ ｅｔｏｃｏ）の粉末では溶けないからと思われる。メトコ社の粉末はいくらか異 なるコーティング材と等質性の異なるレベルのものを与えるプラズマフレーム中 で溶ける。 チタニウム（酸化チタン）を含むセラミック層の抵抗は溶射条件にも影響を与 えられる。酸化チタンはプラズマフレーム中で水素又は他の還元剤の存在によっ て一酸化物に部分的に還元される。セラミック層16の半導体は一酸化物である（ おそらく二酸化チタンでなくむしろ一酸化チタンである）。二酸化チタンは通常 は絶縁材料である。二酸化チタンの通常の化学組成はプラズマ溶射コーティング においては１分子につき酸素２．０であるよりむしろ酸素１．８である。このレ ベル（そしてこのようなコーティング特性）はプラズマフレームにおける水素の 割合を高めたり低めたりすることによりいくつから範囲を調節されることが可能 である。通常の最初のガスは窒素又はアルゴンであり、第二のガスは水素又はヘ リウムである。第二のガスは電極電流の出力レベルを増加しながら混合物のイオ ン化 ポテンシャルを上げる。通常のメトロ社（Ｍｅｔｒｏ）製のプラズマ銃の 場合、水素のレベルはこのプラズマ銃の電極電圧を７４ボルトから８０ボルトの 間に持続するよう調整される。 セラミックスのもう１つの好ましい混合は、例えばメトコ（Ｍｅｔｏｃｏ）社 製１０１又はノートン社（Ｎｏｒｔｏｎ）製１１０のような９５％純度のアルミ ナとメトコ社（Ｍｅｔｏｃｏ）製１０６又は１３６のような酸化クロムの混合物 から製作される。２つの粉末の割合は通常では５０／５０から８０／２０の混合 比である。さらに、酸化クロムは高密度で粉末供給機内で分離しがちであるので これらの粉末を一緒に取り扱う必要がある。 使用される粉末混合物とは別に、プラズマ溶射パラメータが適当に調節される 。それは仕上げられたセラミック層16の材料混合が予定どおりであることを担保 するに調節される。前述した全粉末は同じ粉末レベル、スプレー距離および他の パラメータを必要としない。たとえばスプレー距離の調節は粉末の被覆効率を増 加し、仕上コーティングにおける材料混合を変えるこ とである。 セラミック層16の時定数値及び抵抗値はセラミックスの混合比に関して線形で はない。Ｍｅｔｏｃｏ（メトコ社製）１３０及び１３１の粉末の場合、抵抗は約 ５０／５０の混合比で１本のスロープに沿って線形に増加する。それから、他の スロープに沿ってシャープに増加する。 プラズマ溶射セラミックコーティングはプラズマ銃で１層又は多層に形成され る。コーティング作業の通常多く行われている方法はセラミックの薄いコーティ ングを複層に形成し、所望の厚さに形成することである。前述したセラミック層 は均一なセラミック組成を形成しているけれども、セラミック本層中にあるセラ ミックの副次層は同一の組成を有する必要はない。コーティングは平均した大き さの材料であるよりも表面に異なる抵抗を有するように形成することができる。 これは１）嵩ばり特性を変えることなしにローラ面で電荷を保持する方法をかえ るためであり、２）局部コーティング部に増加した抵抗を補整するためになされ る。 第４工程 ローラはセラミック層16のプラズマ溶射又は加熱スプレーにより熱 いときは、シールコート17はカーノーバ ワックス（Ｃａｒｎａｕｂａ ｗａｘ ，商品名）又はロクタイト２９０（Ｌｏｃｔｉｔｅ２９０，商品名）溶着密閉剤 のような 絶縁有機材料をセラミック層16に形成する。この密閉剤（Ｌｏｃｔｉｔｅ２９０ ）は、もし必要ならば、熱、紫外線放射又はスプレイ−オン粒子加速器により矯 正される。セラミック多孔度は一般には目方で５％以下である（通常は２％が基 準）。密閉されるとこの多孔度はコーティング特性においてわずかではあるが効 果をもつ。 好ましい材料は１００％の硬度をもち低い粘度を有することである。これらの 材料には多種のワックス、低粘度凝結シリコンエラストマ、低粘度エポキシとメ タクリル酸エステルその他熱硬化性樹脂が含まれる。 シリコンオイルのような防水剤が単独又はシリコンエラストマ中のシリコンオ イルのような固−液（ｌｉｑｕｉｄ−ｉｎ−ｓｏｌｉｄ）が防水剤として使用さ れる。これらのことはこの電荷移送ローラのさらなる利点、たとえばトナーの離 型手段を設けた利点をもたらす。 密閉剤の電気特性は、密閉されたセラミック層16，17の結合特性に影響を及ぼ すけれども、密閉剤は一般的に高抵抗材料である。たとえば、カーノーバ社（Ｃ ａｒｎａｕｂａ）製ワックスからなる密閉剤はロクタイト社（Ｌｏｃｔｉｔｅ） ２９０溶着密閉剤よりもより優れた絶縁材料であるので密閉セラミック層16，17 を高抵抗に形成できる。また、所望の電気特性を達成 できるように絶縁性セラミック（半導体セラミック以外の）による半導体密閉剤 を使用することも可能である。 低抵抗密閉剤たとえば固−液又はろう仕上げタイプの静電防止剤が、前記セラ ミック仕上層16に通常の電気特性を付与するセラミックス密閉剤の結合である限 り使用されてもよい。 所定の電気特性が保持される限り、付加的な特性及び機能を付与するために表 面塗装がローラ10になされてもよい。例えば、テフロン（Ｔｅｆｌｏｎ 登録商 標）ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）材の薄層（好ましくは１ミル以下 ）が、ローラ10表面に離型性を与えるか、その摩擦係数を変えるために仕上ロー ラ10に形成されてもよい。 但し、前記ＰＴＦＥが非常に薄かったり、前記セラミック層のピークがはみ出 したりした場合には、このローラにおける前述した効果は低減する。 ５）最終行程は、所定寸法及び表面仕上げのため密閉されたセラミック層16． 17を研削，研磨する。（ダイアモンド．シリコンカーバイド，研磨材等を用いて ）。研磨終了後、セラミック層16，17は標準的には、表面仕上が20から70ミクロ インチレイリー（Ｒａ）で、６から１０ミルの厚さに仕上げられる。他の実施例 においては、１０ミル以上の厚さで１０から２５ミクロインチレイリー（Ｒａ） の表面粗さに仕上げられる。 前記セラミック層の物理的，電気的特性は、製品の長期間に亘る使用において もたらされるオーバータイムや酸素にさらすこと、湿気又は化学薬品により低下 することはない。改良された温度抵抗は電解被膜面においても期待される。セラ ミック面は電気特性を幾分発揮しながら、終始６００°Ｆの温度で保持される。 このことは、本発明が実施される上での例を述べたにすぎない。この技術分野 の当業者であれば、他の詳細な実施例に達して、多くの詳細な実施例を変形する ことができるを知っているが、それら変形例も本発明の範囲内にすぎない。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．電荷ドナーローラ（10）の芯体と電荷ドナーローラ（10）の外周面に隣接し た電荷域（13）との間に印加電圧差が形成される複写装置（20）用電荷ドナーロ ーラ（10）において、円筒状ローラ芯体（14）を有する前記電荷ドナーローラ（ 10）と、この円筒状ローラ芯体（14）に固着されるセラミック層（15）と、この セラミック層（16）が絶縁セラミック材料と半導体材料との混合物として形成さ れるものであること、この絶縁セラミック材料と半導体材料とが形成された印加 電圧差に対するセラミック層（16）の電気応答に関係するＲＣ回路定時数を調節 できる割合で混合されるものであること、を特徴とする複写装置用ドナーローラ 。 ２．前記絶縁セラミック材料がアルミナまたはジルコニアであり、前記半導体材 料が二酸化チタン又は酸化クロムであることを特徴とする請求項１記載の電荷ド ナーローラ。 ３．前記セラミック層（16）を湿気汚濁から保護するシールコート（17）を有し 、このシールコート（17）は印加電圧差に対する密閉セラミック層の電気応答に 関しＲＣ回路時定数を調節するために選出されるものであることを特徴とす る請求項１の電荷ドナーローラ。 ４．絶縁セラミック材料がアルミナまたはジルコニアであり、半導体材料が二酸 化チタンまたは酸化クロムであることを特徴とする請求項３記載の電荷ドナーロ ーラ。 ５．前記シールコート（17）が硬化材からなることを特徴とする請求項３記載の 電荷ドナーローラ。 ６．前記シールコート（17）がカーノーバ社製ワックスからなることを特徴とす る請求項３記載の電荷ドナーローラ。 ７．前記セラミック層（16）が０．００６インチから０．０１０インチまでの厚 さを有することを特徴とする請求項１記載の電荷ドナーローラ。 ８．前記セラミック層と前記ローラ芯体との間に形成される合金接合層（15）が ０．００１から０．００５インチまでの厚さを有し、３００から４００までのマ イクロンレイリー（Ｒａ）の表面あらさを形成したものであることを特徴とする 請求項１記載の電荷ドナーローラ。 ９．前記ローラ芯体（14）がアルミニウム，ステンレス，鋼，鉄鋼又は真ちゅう から作られることを特徴とする請求項１記載の電荷ドナーローラ。 10．前記ローラ芯体（14）がガラスから作られることを特徴とする請求項１記載 の電荷ドナーローラ。 11．電荷ローラ（10）の芯体（14）と電荷ドナーローラ（13）の外周面に隣接す る電荷域（13）との間に印加される電圧差と、前記ドナーローラ（10）が円筒状 のローラ芯体を有する複写装置（20）用電荷ドナーローラ（10）において、前記 円筒状ローラ芯体に接合されるセラミック層（16）が、第１の割合でアルミナ及 びチタニアを混合した第１のセラミック材料の混合物をプラズマ溶射に形成され るものであること、前記第１及び第２のセラミック材料が印加電圧差に対しセラ ミック層（16）の電気応答に関するＲＣ回路時定数を調節できる割合で混合され るものであること、湿気汚濁からセラミック層を保護するシートコート（17）が 印加電圧差に応答して密閉セラミック層の電気特性に係るＲＣ回路時定数を調節 するために選出されるものであること、を特徴とする電荷ドナーローラ。 12．前記第１及び第２の材料中のアルミナ及びチタニアがプラズマ溶射前に溶着 されるものであることを特徴とする請求項11記載の電荷ドナーローラ。 13．前記シールコートが硬化材からなるものであることをことを特徴とする請求 項11記載の電荷ドナーローラ。 14．前記シールコートがカーノーバ社（Ｃａｒｎａｕｂａ）製 ワックスであることをことを特徴とする請求項11記載の電荷ドナーローラ。 15．前記セラミック層は０．００６から０．０１０インチまでの厚さを有するこ とを特徴とする請求項11記載の電荷ドナーローラ。 16．前記ドナーローラ（10）の芯体間と前記電荷ドナーローラの外周面に隣接し た電荷域（13）との間に電圧差が付与される複写装置（20）用電荷ドナーローラ （10）の製造方法において、ローラ芯体上のセラミック層を形成する絶縁材料と 半導体材料のブレンドをプラズマ溶射すること、このセラミック層（16）に対し て前記印加電圧差への前記セラミック層（16）の電気応答に係る選出されたＲＣ 回路時定数を有すること、印加電圧差への前記密閉セラミック層（16）の電気応 答に係るＲＣ回路時定数を調節するために選定されるシールコート（17）により セラミック層（16）を密閉すること、を特徴とする複写装置用電荷ドナーローラ の製造方法。 17．前記プラズマ溶射工程がセラミック層を構成する連続副次層を形成するため 多数回反復して吹付けされることを特徴とする請求項16記載の複写装置用電荷ド ナーローラの製造方法。