JPS58184285A - 赤外線放射装置 - Google Patents

赤外線放射装置

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JPS58184285A
JPS58184285A JP6624282A JP6624282A JPS58184285A JP S58184285 A JPS58184285 A JP S58184285A JP 6624282 A JP6624282 A JP 6624282A JP 6624282 A JP6624282 A JP 6624282A JP S58184285 A JPS58184285 A JP S58184285A
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JP
Japan
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envelope
infrared
ceramic layer
heating
far
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JP6624282A
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English (en)
Inventor
永井 雅雄
本田 清和
赤石 隆雄
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Toshiba Corp
Original Assignee
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は速熱性と遠赤外線放射効率を向上した赤外線放
射装置に関する。
〔発明の技術的背景とその問題点〕
従来、赤外線照射によって対象物を加熱する方法が知ら
れているが、近年に到り、赤外線の波長の長いほど加熱
効率がよいことが解り、注目されるようになった。
一般に遠赤外線放射装置には次の諸物件が要求される。
(1)  遠赤外線領域(波長が3〜50μ)において
放射率が1に近いこと。
(2)加熱時の速熱性に優れていること。
(3)放射に適した500〜700℃の温度において赤
外線放射物質が熱的、化学的に安定であること、。
(4)支持体と赤外線放射物質との密着性がよく冷熱衝
撃によって剥離やクラックを生じないこと1゜(5)機
械的な衝撃に対して強いこと。
従来の赤外−電球は速熱性は良いが遠赤外線の放射エネ
ルギ比が少表いため、加熱効果が小さい1゜また、遠赤
外線放射装置として、ジルコン(ZrO,・8 io、
 )を主成分とし、これに、酸化鉄(Fe、0. )。
酸化コバルト(C・0)、II化二ソ)yル(N1p)
 。
酸化クロム(Cr30s)、酸化マンガン(MnO)な
どの酸化物および粘土を加え成形し、焼結して外囲器を
構成し、この外囲器内にニクロム線などの発熱体を収容
したものや、周期律表の第2属や!I3輌に属する金属
の少なくとも1種の酸化物あるいは発熱体を収容した金
属製外囲器表面に上述のジルコンを溶射したものなどが
知られている。
しかしながら、上述のジルコンを主体とする外囲器はこ
れが一種の磁器であるため、機械的に弱く1通電したと
きの速熱性に劣り、かつ、長尺物の製作が困難であり、
さらK、500 ”0以上の冷熱サイクルでクランクを
生じゃすく、寿命の点で好ましくなく、しかも、10μ
以上の波長和おける放射率が小さい欠点がある。また1
周期率表の第2属や第3属と、第4属および第5属に属
する酸化物からなる混合物を金属製外囲器に@射してラ
イニングした溶射ヒータは500〜700 ’Oの温度
で波長7μ以上の放射±そ大きい利点があるが、その反
面、波長3〜7μ゛膚おける放射率が小さく、かつ混合
物の溶射であることからライニング層が不均一となり、
さらに、金属製外囲器との熱*!ff1L率差が大きい
ため冷熱サイクルによって剥離やクツツクが生じ中すく
、寿命の点から好ましくなかった。
さらに、金属外iImKジルコンを癖射し九溶射ヒータ
はライニング層の熱伝導率が大きく、冷熱サイクルなど
の熱衝撃に対して強く、かつ機械的に強い特徴があるが
、そ0反藺、波長3〜7μお!び15〜5μにおける放
射率が小さいので、強力表遠赤外線放射を行なうには不
充分であった。
一方、赤外線放射装置の応用爾では短時間で加熱効果を
得られることが装置の利用効率を亮めることになるので
、速熱性に対する要求が高くなって来ており、従来の金
属表面に遠赤外線放射物質を溶射したいわゆる溶射ヒー
タでは、従来の赤外線電球の立ち上が)41性に比較し
て劣っていた。
〔発明の目的〕
本発明は遠赤外線を効率的に放射し、速熱性に1 優れ、熱的、化学的に@定で衝撃にも強い赤外線放射装
置を提供することを目的とする。
〔発明の概要〕
発熱体を収容した近赤外線透過性外囲器の表面に/スポ
ンジ二メン系セシミタス層を被着したこと和より、発熱
体から放射された近赤外線や可視光をセラミクス層によ
って遠赤外IIK変換して放射させるものである。
〔発明の実施例」 本発明の詳細を図示の実施例によって説明する。
図は本発明を適用してなる電球形赤外線放射装置の一例
を示す0図中、(1)は石英ガラス製管形外囲器、(2
)、(2)はこの外囲器(1)の外表面に形成された赤
外線放射性セラミクス層、(3)はこのセラミクス層(
2)を設けないために外囲器(1)の一部が菖出した露
出面、(41、(41は外囲器(1)の両端を圧潰封止
してなる封止部、+5+ 、 +51はとの封止部(4
) 、 (4)内に極膜されたモリブデン導入箔、(6
) 、 (6)は導入1115) 、 +5)KII絖
して外囲器(1)内に導入された内導線、(7)はml これら内導線(6) 、 (6)fi和装架されたタン
グステンコイル発熱体、 (8) 、 18)・四・は
発熱体(7)を支持するアンカ、(9)、(9)は導入
箔(5) 、 (5) K *続して側止部外に延在す
る外導線である。そして、外114!l11)内にはア
ルゴン・窒素混合ガスなどの不活性ガスが両人しである
上記石英ガラスは耐熱性に優れ、熱衝撃に強くしかも可
視光から遠赤外1stでの広い波長域の光をよく透過す
る。上記セラミクス層(2)はβ−スボ/シュメン(L
iO2−Al*O,−8i0. )、またはその金属元
素の一部を他の金属で置換えた他のセラミクスたとえば
Li01−AlzOl @ Fe103−sto、を主
体とするもので3〜5Gpmの遠赤外線の放射率が大き
く、熱膨張率が低く、吸湿性に富み^密度で化学的に安
定である。そのセラミクス層(2)は外囲器+1)表面
に50〜500μの厚さで被着してあり、その被着面積
は外囲器(1)表面の50〜80チが適当である。
この赤外線放射装置を製造するには、たとえばアルコキ
シド方法で形成できる。このためにはリチウム、アルミ
ニウムおよびシリコンの各°rルコキシドを上述の化学
式になるように一合したものに無機結着剤たとえば粘土
を適量配合する。そして、上述のように組立てた電球の
外囲器に調合アルコキシドを塗布して焼付ければよい。
この赤外線放射装置の使用状mを説明する0発熱体(7
)に通電すると発熱し、近赤外*(波長0.8〜3μm
)t−主とし少量ながら可視光および遠赤外11m(波
長3μ以上)を含む光を放射する。これらの放射が外囲
器fl)を透過し、一部は露出面(3)からそのまま放
射され、大部分はセラミクス層(2)に吸収されてこれ
を高温に熱する。しかしてセラミクス層(2)は遠赤外
線をよく放射するので、この装置からの放射はセラミク
ス層(2)から放射された遠赤外線と露出面(3)を透
過した近赤外線の混ったものになる。このとき、*出面
(3)から可視光本放射されるので温い感じを与える。
さらに、外囲器(1)は各種波長の光をよく透過するの
で、光の伝達、換言すればエネルギ伝達が急速でかつ高
効率であるので、セラミクス層−2)の温度上昇が急速
で、短時間で定格出力に達する。
つぎに、実験によってこれらの”効)果、を測定した。
試作装置は外H器(1)の径径を10.8m、管長を1
72mとL、定格出力t1o oV< o OW+!:
L。
外囲器tl)表面の80%′をセラミクス層(2)で覆
うこと和しえ、そして、実施例ムはセラミクス層(2)
を1i01 @Aj、o、 @sto、  30重量%
と粘土70重−1−とからなるセラミクスとし、実施例
Bはセラミクス層(2)を8i0. @ムl@0@ *
Fe10g @8i0.30重量−と粘土70重量−と
からなるセラミクスとした。また、比較のため、従来例
Cとして金属製外囲器にジルコン(ZrOs・8i0.
 )を溶射してなる同定格の溶射ヒータをとり、従来例
りは実施例A。
Bと同様な構造と寸法定格を有しセラミクス層を設けて
ない赤外線電球をとった。
まず、これら各実施例および従来例に通電して熱的に平
衡に達した状態で放射スペクトルを測定し、この結果を
第2図に示した。7図は横軸に波長を神の単位でとり、
縦軸に比放射率を優の単位でとったもので、曲線(A1
)は実施例人の放射スペクトル、曲線(B1)は実施例
Bの放射スペクトル曲線(C・)は従来例c4・放射ス
ークトー、曲線(DI)は従来例りの放射スペクトルを
それぞれ示す、この図から実施例A、Bとも波長0.8
〜5,02mおよび波長20〜50μmと2個の山を有
しており、従来例CK比較してこの2個の山がいずれも
高く、を九従来例DK比較して波長3μm以上において
放射率が高い。
つぎに、これら赤外線放射装置に通電してセラミクス層
(2)の表面温度の立上りを比較した。また従来例Cは
コーテング層表面温度とし、従来例りは外囲器表面温度
とした。これらの測定結果を第3図に示す。図は横軸に
通電開始からの経過時間を分の本位でとり、縦軸に表面
温度を℃の単位でとったもので、曲線(人、)は実施例
Aの立上り一線、曲線(B2)は実施例Bの立上)曲線
、曲線(C鵞)は従来例Cの立上り曲線、−ml(Dg
)は従来例0の立上り曲線をそれぞれ示す。この図から
従来例りの立上りが最も速く、実施例A、Bがこれより
わずかに劣ることが解る。その理由はセラミクス層(2
)の熱容量が小さいため立上りの遅れがわずかであるた
めと思われる。そして、従来の病射ヒータに比較して立
上りが格段に速くなったことが理解できる1゜ つぎに、これら各実施例および従来例の装置を用いて塗
装体の焼付は時間を比較した。試験は1ooXIMX1
■の軟鋼板にチタン顔料人やメラミン系塗料を塗布し、
上記試験ヒータを用いて200■の距離から照射して完
全乾燥するまでの時間を測定した。この結果を次の表に
示す。
丁 この表から実施例A、Bがいずれも乾燥時間が短いこと
が解る。この理由は上述の通り、実施例のものがいずれ
も温度立上りが速く、しかも遠赤外線の放射率が高いた
めと考えられる。
つぎに、使用条件を考慮して、使用時の表面温度である
6 00 ’Oと室温との冷熱試験を行なった結果、1
0000サイクル以上の試験を行なっても剥離やクラン
クの発生は見られず、寿命的にも間藺のないことが判明
した。
また、セラミクス層(2)の形成に際し、無機結着剤と
して粘土などを添加した理由は被着強度を向上して剥離
などのおそれをなくすためで、その混人事は90%未満
にすることが必要で、若しもセラミクス層(2)中の無
機結着剤の割合いが90−を越すと遠赤外線の放射率が
着しく低くなり、本発明の目的に反する結果になる。
さらに、前述の実施例においてセラミクス層(2)の形
成手段としてアルコキシド法を採用したが、その理由は
比較的低温でセラミクス化できること、さらに形成され
たセラミクス層が薄くかつその被着強度が高いためであ
る。そして、セラミクス層の形成方法はこれに限られる
ことなく、たとえば溶射法でもよく、あるいはβスポン
ジ二メノ粉末を粘度て混線したものを外囲器表面に塗布
して焼付けてもよい。
さらに、前述の実施例においてセラミクス層(2)の被
着面積を外囲器全表面積の50〜80*[したのは放射
光中の遠赤外線と近赤外線との比率を調整するためで、
また暖房Ff4Kmつては可視光による心理的効果も期
待できる。しかし、本発明においてはセラミクス層は外
囲器の全表面を被覆してもさしつかえない。
さらに1重置I!jIKおける外囲器の構成材料は前述
の石英ガラス0はかアルミナセフィクス、結晶化ガラス
、コランダムなどでもよく、要は近赤外ml(波長0.
8〜3声m)を喪〈透過するものなら何んでもよく、近
赤外線のはか可視光や遠赤外線も透過すればさらに好ま
しいことはもちろんであるさらに、本発明は外囲器を密
閉しない構造にしてもよく、九とえば、両端開口したア
ルミナセラミクス製管形外囲器内にアルミニウム含有鉄
絵クロム合金製コイル発熱体を収容し、外囲器の両端を
・虫気性f閉塞したものの表面にβ−スポンジュメン系
セラミクス層を形成してもよい。
さらに、本発明においては外囲器の形状r(限定はない
I性外囲器の表面に、β−スポンジュメン系セラミクス
層を被着したので、発熱体から発する熱エネルギを近赤
外線の形でセラミクス層に伝達し7、したがって立上シ
が速く遠赤外線の放射率が高い利点がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の赤外線放射装置の一実施例の断面図、
第2図は同じ〈実施例の放射スペクトルを従来のそれと
比較して本発明の優位を示すグラフ、83図は同じ〈実
施例の立上り特性を従来のそれと比較して本発明の優位
を示すグラフである。 (1)・・・外囲器      (2)・・・セラミク
ス層(3)・・・外囲器の篇出面  (カ°°・発熱体
代理人 弁理士  井 上 −男 第  1  図 第  2  図 □−躬一 第  3  図 MM ’11’Hjj   (*)

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)発熱体を収容した近赤外線透過性外囲器の表面に
    βスギ/シュメン系セラミクス層を被着したことを特徴
    とする赤外線放射装置。
  2. (2)  セラミクス層はβスポンジュメン系徽化吻を
    10−以上含有していること′t4I微とする特許請求
    の範囲第1項記載の赤外線放射装置。
  3. (3)外囲器表面の一部がセラミクス層の間に旙出して
    いることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の赤外
    線放射装置。
JP6624282A 1982-04-22 1982-04-22 赤外線放射装置 Pending JPS58184285A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01260779A (ja) * 1988-04-08 1989-10-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 加熱機器
JP2001291575A (ja) * 2000-04-06 2001-10-19 Ushio Inc ヒータ
JP2010119342A (ja) * 2008-11-20 2010-06-03 Hakko Electric Mach Works Co Ltd 焙煎装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS50144944A (ja) * 1974-05-13 1975-11-21
JPS5338909U (ja) * 1976-09-09 1978-04-05
JPS5671288A (en) * 1979-11-16 1981-06-13 Asahi Glass Co Ltd Far infrared ray irradiator
JPS6212200A (ja) * 1985-07-10 1987-01-21 株式会社日立製作所 チツプ部品搭載機のバツドマ−ク検出装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS50144944A (ja) * 1974-05-13 1975-11-21
JPS5338909U (ja) * 1976-09-09 1978-04-05
JPS5671288A (en) * 1979-11-16 1981-06-13 Asahi Glass Co Ltd Far infrared ray irradiator
JPS6212200A (ja) * 1985-07-10 1987-01-21 株式会社日立製作所 チツプ部品搭載機のバツドマ−ク検出装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01260779A (ja) * 1988-04-08 1989-10-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 加熱機器
JP2001291575A (ja) * 2000-04-06 2001-10-19 Ushio Inc ヒータ
JP2010119342A (ja) * 2008-11-20 2010-06-03 Hakko Electric Mach Works Co Ltd 焙煎装置

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