JPS58179303A - 表面微小観察装置 - Google Patents

表面微小観察装置

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JPS58179303A
JPS58179303A JP6272982A JP6272982A JPS58179303A JP S58179303 A JPS58179303 A JP S58179303A JP 6272982 A JP6272982 A JP 6272982A JP 6272982 A JP6272982 A JP 6272982A JP S58179303 A JPS58179303 A JP S58179303A
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optical system
light
focused
observed
focusing optical
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JP6272982A
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JPH044526B2 (ja
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Minoru Katsuyama
実 勝山
Koichi Kugimiya
公一 釘宮
Taketoshi Yonezawa
米澤 武敏
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Panasonic Holdings Corp
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01BMEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/30Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring roughness or irregularity of surfaces

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、はぼ鏡面状であり、凹凸の非常に小さい精度
の高い表面の微小凹凸を精度高く検出出来る表面微小観
察装置に関する。
従来よシ、例えば半導体装置に使用するシリコンウェハ
の鏡面状態を検査する装置は種々提案され、又、市販さ
れている。それらの一つは、例えば、細く(数十ミクロ
ン)絞ったレーザ光を鏡面状態である被検査物の上に投
射し、反射してくるレーザー光の位置をイメージセンサ
−で受光し、その位置ずれによシ反射面の角度を算出し
、この操作を次々に横に繰シ返してゆくことで被検査物
の表面の状態を知る方法である。この方法では、現在、
緩やかな約0.6μmまでの凹凸を検出することができ
るが、それ以下の凹凸の検出は難しく。
又、−直線上の凹凸の検出は容易であるが、面としての
凹凸の検出や汚れの検出は難かしく、又、価格も高く操
作も非常に難しいといった欠点を有する。
他の方法としては、細いレーザー光を拡大し拡大した平
行光線として被検査物の上に照射し、その反射光を前記
の平行光線と重ねて受光面に投影することによって、干
渉を生じせしめ、生じた縞模様から表面の凹凸を知る方
法である。この方法によれば、面として全体の凹凸状態
全一度に容易に観察でき傷などの検出には有力であるが
高低差0.6μm程度の中3〜10rMnの緩かな凹凸
や汚れの検出欠非常に難しく、装置の調整や保守が非常
に難しく且つ高価である欠点を有する。
こ 又、簡単な方法として提案でれているのは、古来よシ魔
鏡として知られている現象を利用するものである。この
方法では、第1図に示すように、点光源11よりの光束
12は、絞シ13を通過し、鏡面14上で反射し、受光
面16に投影される。
この時、鏡面14上が完全な平面であれば、受光面16
には、投影像の明暗(照度)には変化が生じない。しか
し、鏡面14上に凹部(凹)16があれば、この凹部1
6が凹面鏡として作用し1反射光は集光してゆく光束1
7になり、受光面16に投影される。従って、受光面1
6上には、受光面16右部に示す照度変化のように、両
脇りが暗く、中央Bが非常に明るくなる照度変化が生じ
る。
鏡面14上に凸部がある場合は、受光面16には、明暗
が反転するが同様に照度変化が生じる。この方法は簡単
であるとともに、0.5μm以下の緩かな凹凸や傷、反
射係数の異なる汚れなどを感度よく検出できるといった
特長を有している。尚、同図で18は平行光束を示す。
ところが、第1図からも判るように、単に鏡面14の反
射光を投影しているため、例えば反射光17及び18の
分離が容易でなく、解像度が非常に悪いという欠点があ
る。この欠点を改善するためには、非常に絞った点光源
(例えば1馴径以下)を使い、しかも、点光源11と鏡
面14及び、鏡面14と受光面15の距離をできるだけ
離す必要がある。例えば、各々6mに取れは、0.1〜
0.3μm程度の微小な凹凸を検出することができる。
しかし、距離を取るために装置が大きくなり、受光面1
6上での照度が不足したり2点光源11.鏡面14、受
光面16の空間でのゆらぎによって解像度が低下すると
いった欠点がある。又、現実的でない強力な光源を使用
するか、暗室中でも5o〜1 oowの光源全必要とす
るなど、現象としては知られているが、実際には、あま
シ使用されていない。
本発明は、上記欠点にかんがみなさ1またもので第1図
の魔鏡による方法を取υ入れかつ、これに大巾な改善を
施し、被観察試料表面の微小な凹凸を検出し、しかも、
被観察試料表面の全面を一度に観察可能にし、装置の光
学調整が簡単で、調整不用の簡便な表面微小観察装置を
提供するものである。
の光束22は、拡散光学系23で拡散され、投光兼集光
光学系24を通って集束され、例えばシリコンウェハ表
面等の鏡面25に投光される。その反射光を前記投光兼
集光光学系24に受光集束し、さらに、集束光学系26
によって、集束縮小せしめて、受光面27上に投影する
。この装置では。
点光源21からの光束22を拡散光学系23で拡散せし
めるので、投光兼集光光学系24との距離を短くでき、
又、集束光学系26により、反射光を集束縮小せしめる
ことができるので、受光面27と投光兼集光光学系24
との距離を短くでき、又、光の往復部分が共通に使える
ため、第1図のものに比べて大きさが約%になった。又
、拡散光学系23と、集束光学系26の各々所有する焦
点距離の比を一定にすることにより、拡散光学系23と
、集束光学系26を同一平面上28に設置した。
このため、光学系の軸合わせが簡単、確実であり、機械
加工時に設定した平行基準面を使用するため、長期にわ
たって、狂いが生じない特徴がある。さらに、像の明る
さは、投光兼集光光学系24及び、集束光学系26によ
って、受光面27の像の大きさを例えば鏡面260凭に
することによって、第1図のものに比べて、約36倍に
なシ、暗室でなくとも、通常の明るさの部屋内でも観察
できるようになった。前記受光面27を、テレビカメラ
におきかえても良く、テレビカメラにした場合にはo、
1W程度の非常に暗い点光源を使用しても明白に鏡面2
6を観察できる。
本発明の別の実施例の装置を第3図に示す。第3図にお
いて、31は点光源、32は光束、33は拡散光学系、
34は投光兼集光光学系、36は鏡面、36は集束光学
系、37は受光面(テレビカメラ)、38は同一平面で
ある。第3図の拡散光学系33と集束光学系36とは、
第2図の拡散光学系23と集束光学系26に対して設置
方法に違い5hi)、ウヨ3.よ投ヵ兼よヵヵ7工。4
よ対して、平行に設置されているため、厳密にいうと、
受光面37(テレビカメラ)には変形した投影像が現わ
れるが、現実的には、ごく微小な変形であって、第2図
と第3図の装置で観察したところ、受光面37(テレビ
カメラ)の投影像には変形を確認できなかった。本実施
例に係る装置では同一平面であり、しかも拡散光学系3
3、投光兼集光光学系34、集束光学系36の組立時に
設定した平行基準面を使用し、なお且つ、この平行基準
面に対しても光学系を平行に設置できるので、平行度を
微調整なしで、精度よく、しかも、長期にわたって、振
動などの外的な影響に左右されない、狂いの生じない優
れた機構となっている。
次に本発明の装置で実現された凹凸による明暗の拡大機
能を第4図の原理図によって簡単に説明する。簡単のた
め鏡面41から完全な平行光線がレンズ42に反射され
てくると考えれば、これらの平行光線43は当然、レン
ズの焦点44に集まる。ところが、鏡面41上に凹凸が
あり、平行からずれた光45が発生したとすれば焦点4
3を通らない。焦点かられずか離れた黒人に受光面46
を置いたとすれば、わずかにずれた光46の受光面46
上の点は鏡面41の投影像の外側にまで拡大されてしま
う。実際には、このような極端なことはせず、B点に受
光面46を置くので上述のように極端に大きな拡大は行
われないが、短かい焦点距離内で大きく像が拡大する。
尚、第4図では凸レンズ1枚で画いたが、複数のレンス
系ヤ凹レンズでも同様なことが成り立ち、又、平行光線
でなくとも成り立っている。
次に、本発明の場合と従来の場合との比較実験例を示す
〔本発明による具体例〕
0.1Wの点光源を有す冬第3図に示すような装置を用
いて、3インチシリコン単結晶ウエノ1の表面を観察し
た。このウエノ・表面は鏝面状であり、レーザ干渉装置
でみると、表面の欠陥や、凹凸は全く認められなかった
。しかるに、このウエノ・全本発明に係る第2図の装置
で観察すると、第6図に示すように0.2〜0.3μm
に相当する微小な凹凸62が縞状に観察されており、又
、スポット状の凹み53(0,3〜0.6.4+m の
凹部径約2闘)が白点として現われている。黒い直線6
4は20胴長の傷を示している。なお、ウニ/・51表
面の下部に見られる黒い「かたまり」66は試料番号で
ある。写真撮影に際しては、受光面にテレビカメラを設
け、テレビモニター上に写し出し、テレビモニター上の
像を写真機で撮影した。写真機のシャッタースピードは
署 、絞シは4である。
〔従来法を用いた例〕
前述した同一のウニ/・61を第1図に示すような方法
で観、察した。すなわち、0.1Wの点光源で。
ウェハ51を照射したが、受光面(スクリーン)上には
、完全な暗室内にも拘らず、像は認めることができなか
った。
以上の様に本発明を用いた装置では、従来検出できなか
った0、2〜0.3μmの凹凸が縞状、同心円状に数厘
毎にある様子全観察することができ、半導体基板表面等
の鏡面の状態観察、良否の判定等にすぐ扛だ効果を発揮
することができる。
以上の様に1本発明は、従来の魔鏡を用いた方法に比べ
、約%の小さな装置であり、かつ、受光面の像の大きさ
を鏡面の死にすることができ、像の明るさは約36倍に
することができ、鏡面の表面状態(巾3〜10市の高低
差0.2〜0.3μmに至る緩かな微小凹凸、傷、汚れ
など)を感度よく、しかも、従来法では出来なかった明
るい部屋で簡便に観察し得る視感度を向上させた装置を
得ることができる。又、拡散光学系と集束光学系を同一
平面上に設置することができるので、拡散光学系、集束
光学系、投光兼集光光学系の光学部を一つの装置内にま
とめ上げることができ、装置の簡素化が可能になり、又
、機械加工などで精密に決定された平行平面上に強固に
結合され狂うことがなく。
長期の安定性がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来より伝わる魔鏡の原理を示す図、第2図及
び第3図は本発明の実施例の観察装置を示す概略図、第
4図は本発明の装置による凹凸を拡大する機能を説明す
る図、第6図は本発明の装置で得られたウェハの表面状
態1図である。 21.31・・・・・・点光源、22.32・・・・・
・光束、23.33・・・・・・拡散光学系、24.3
4・・・・・・投光兼集光光学系、25.35・・・・
・・鏡面、26 、36・・・・・・集束光学系、27
.37・・・・・・受光面(テレビカメラ)、28.3
8・・・・・・拡散光学系と集束光学系が有する同一平
面、61・・・・・・シリコン単結晶ウェハ。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図 第2図 [ ?V 第3図

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)光を発生する点光源と、前記点光源からの光束の
    光路を微少偏角させ、微少拡大光束にする拡散光学系と
    、この微少拡大された光束を集束し被観察試料表面に投
    射し且つ被観察試料表面よシの反射光を集光する投光兼
    集光光学系と、前記投光兼集光光学系で集光した光束を
    さらに集束し受光面に投射する集束光学系とを有するこ
    とを特徴とする表面微小観察装置。
  2. (2)拡散光学系と、投光兼集光光学系と、集束光学系
    が、被観察試料表面に対し、平行に形成さfL。 且つ、前記拡散光学系と前記集束光学系の主平面が、は
    ぼ同一平面を形成することを特徴とする特許請求の範囲
    第1項に記載の表面微小観察装置。
JP6272982A 1982-04-14 1982-04-14 表面微小観察装置 Granted JPS58179303A (ja)

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JP6272982A JPS58179303A (ja) 1982-04-14 1982-04-14 表面微小観察装置

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JP6272982A JPS58179303A (ja) 1982-04-14 1982-04-14 表面微小観察装置

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JPS58179303A true JPS58179303A (ja) 1983-10-20
JPH044526B2 JPH044526B2 (ja) 1992-01-28

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JP6272982A Granted JPS58179303A (ja) 1982-04-14 1982-04-14 表面微小観察装置

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6148751A (ja) * 1984-08-17 1986-03-10 Sumitomo Metal Ind Ltd 表面欠陥検出方法
US7508522B2 (en) 2004-02-16 2009-03-24 Konica Minolta Sensing, Inc. Reflected light measuring apparatus and reflected light measuring method

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JPH044526B2 (ja) 1992-01-28

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