JPH01214118A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPH01214118A JPH01214118A JP63040013A JP4001388A JPH01214118A JP H01214118 A JPH01214118 A JP H01214118A JP 63040013 A JP63040013 A JP 63040013A JP 4001388 A JP4001388 A JP 4001388A JP H01214118 A JPH01214118 A JP H01214118A
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- JP
- Japan
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- wafer
- pattern
- infrared
- reflected
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- Pending
Links
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 10
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 3
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- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
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Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明はウェハを裏返しにした状態で下側面のパター
ンと上側面のパターンを同時に観察しマスク合せの為の
アライメントを行う半導体装置に関するものでみる。
ンと上側面のパターンを同時に観察しマスク合せの為の
アライメントを行う半導体装置に関するものでみる。
従来、この種の半導体製造装置としては、第２に示すよ
うなものがあった。
うなものがあった。
図中、（１）はウェハ、（２−ｔ）は上面側の対物レン
ズ、（２−２’）は下面側の対物レンズ、（７）は接眼
レンズ、（８）は可視光線照明ランプである。
ズ、（２−２’）は下面側の対物レンズ、（７）は接眼
レンズ、（８）は可視光線照明ランプである。
次に動作について説明する。
ウェハ（１）を裏返しにした状態でのマスク合せの為の
アライメント方法はウェハの表面（実際には、裏返しに
なっている下側の面）のマークに対してウーエハの裏面
（上側面）にパターン焼き付けを行うが、その際ウェハ
（１３の上側面と下側面を可視光で同時に観察して、位
置合わせを行うのが一般的であった。
アライメント方法はウェハの表面（実際には、裏返しに
なっている下側の面）のマークに対してウーエハの裏面
（上側面）にパターン焼き付けを行うが、その際ウェハ
（１３の上側面と下側面を可視光で同時に観察して、位
置合わせを行うのが一般的であった。
しかし、このような従来の装置ではと下の対物レンズが
、必ず同一座標上を観察しＣいる事および両対物レンズ
間にウェハをセットする為、装置の構造が複雑化し、観
察用の光路が複雑になる、例えば大型化する等の点が課
題Ｉζなっていた。
、必ず同一座標上を観察しＣいる事および両対物レンズ
間にウェハをセットする為、装置の構造が複雑化し、観
察用の光路が複雑になる、例えば大型化する等の点が課
題Ｉζなっていた。
この発明は上記の様な課題を解消する為になされたもの
で、装置の構造を複雑にせずに従来装置と同様の成果を
得ることを目的とする。
で、装置の構造を複雑にせずに従来装置と同様の成果を
得ることを目的とする。
この発明に係る赤外線アライメント法は観察光線を可視
光線から赤外線に変え、両面を同時に観察するのではな
く、基板を透過させ反射してくる赤外線のコントラスト
の違いを赤外線カメラで検知し、ＣＲＴモニタ上に映し
出す構造にしたものである。
光線から赤外線に変え、両面を同時に観察するのではな
く、基板を透過させ反射してくる赤外線のコントラスト
の違いを赤外線カメラで検知し、ＣＲＴモニタ上に映し
出す構造にしたものである。
この発明における赤外線アライメント方法は赤外線が、
例えばＧａＡｓウェハを透過するという特徴を利用して
これにより、ＧａＡｓ中を透過し反射して来た赤外線の
コントラストの違いを検知する事にパターン形状を認識
する事ができる。
例えばＧａＡｓウェハを透過するという特徴を利用して
これにより、ＧａＡｓ中を透過し反射して来た赤外線の
コントラストの違いを検知する事にパターン形状を認識
する事ができる。
以下、この発明の一実施例を図に基づいて説明する。第
１図（ａ）はこの発明の半導体製造装置の７ライメント
方法の４成図を示したもので、図において、（１）はＧ
ａＡｓウェハ、（２）は対物レンズ、（３）は赤外線カ
メラ、（４）は信号線、（５）はＣＲＴモニタ、（６）
は赤外線ランプである。
１図（ａ）はこの発明の半導体製造装置の７ライメント
方法の４成図を示したもので、図において、（１）はＧ
ａＡｓウェハ、（２）は対物レンズ、（３）は赤外線カ
メラ、（４）は信号線、（５）はＣＲＴモニタ、（６）
は赤外線ランプである。
即ち、ウェハ（１）の裏側から赤外線を透過させ、第１
図（ｂ）のウェハ拡大断面図に示すように、反射してく
る赤外線のコントラストの違いにｍｌｄを対物レンズ（
２）を介して赤外線カメラ（３）で検知し、ＣＲＴモニ
タ（５）上へ映し出す方法を取っている。ここで特筆す
べき事はＧａＡｓ基板は赤外線を透過するという事で、
基板を透過した赤外線は表面のパターンの材質（ＧａＡ
ｓ 、 ＳｉＮ等の無機膜または金属膜等）によりその
反射率が異なる為、反射してくる赤外線のコントラスト
が異なるという事の２点である。この２点を利用して赤
外線の反射光をカメラで検知させる様にした。
図（ｂ）のウェハ拡大断面図に示すように、反射してく
る赤外線のコントラストの違いにｍｌｄを対物レンズ（
２）を介して赤外線カメラ（３）で検知し、ＣＲＴモニ
タ（５）上へ映し出す方法を取っている。ここで特筆す
べき事はＧａＡｓ基板は赤外線を透過するという事で、
基板を透過した赤外線は表面のパターンの材質（ＧａＡ
ｓ 、 ＳｉＮ等の無機膜または金属膜等）によりその
反射率が異なる為、反射してくる赤外線のコントラスト
が異なるという事の２点である。この２点を利用して赤
外線の反射光をカメラで検知させる様にした。
なお上記実施例においては半導体基板はＧａＡｓウェハ
と説明したが赤外線を透過する物質、例えばＳｉ Ｉｎ
ＧａＡｓ等のウェハであっても同一の効果を得ることは
論をまたない。
と説明したが赤外線を透過する物質、例えばＳｉ Ｉｎ
ＧａＡｓ等のウェハであっても同一の効果を得ることは
論をまたない。
以上のようにこの発明によれば、マーク検知用の光線を
可視光線から赤外線に変え、さらに基板を透過させ、反
射してくる赤外線を検知する様にしたので、ウェハの下
側に対物レンズを設置する必要がなく、装置を小型化お
よび簡略化する事が可能になる。
可視光線から赤外線に変え、さらに基板を透過させ、反
射してくる赤外線を検知する様にしたので、ウェハの下
側に対物レンズを設置する必要がなく、装置を小型化お
よび簡略化する事が可能になる。
第１図（ａ）はこの発明の一実施例による半導体製造装
置のアライメント方法の構成図、第１図（ｂ）はウェハ
の拡大断面図、第２図は従来の半導体製造装置のアライ
メント方法の構成図である。 図中、（１）はウェハ、（２）は対物レンズ、（３）は
赤外線カメラ、（４）は信号線、（５）はＣＲＴモニタ
、（６）赤外線ランプ、（１−１） ＧａＡｓ部分、（
１−２） ＳｉＮ膜、（１−３）は金属膜、Ａ−Ｃおよ
びに〜σはそれぞれウェハ上への入射及び反射の赤外線
である。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
置のアライメント方法の構成図、第１図（ｂ）はウェハ
の拡大断面図、第２図は従来の半導体製造装置のアライ
メント方法の構成図である。 図中、（１）はウェハ、（２）は対物レンズ、（３）は
赤外線カメラ、（４）は信号線、（５）はＣＲＴモニタ
、（６）赤外線ランプ、（１−１） ＧａＡｓ部分、（
１−２） ＳｉＮ膜、（１−３）は金属膜、Ａ−Ｃおよ
びに〜σはそれぞれウェハ上への入射及び反射の赤外線
である。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 半導体基板主面のパターンを位置合わせマークとして
用いて半導体裏面に所望のパターンを形成する半導体製
造装置において、両面を同時に可視光で観察するのでは
なく、半導体基板裏面側から赤外線を透過させ、反射し
てくる赤外線を検知し、半導体基板主面側のパターンを
認識する事を特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63040013A JPH01214118A (ja) | 1988-02-23 | 1988-02-23 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63040013A JPH01214118A (ja) | 1988-02-23 | 1988-02-23 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01214118A true JPH01214118A (ja) | 1989-08-28 |
Family
ID=12569024
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63040013A Pending JPH01214118A (ja) | 1988-02-23 | 1988-02-23 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01214118A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04174307A (ja) * | 1990-11-07 | 1992-06-22 | Mitsubishi Electric Corp | 回路基板および回路基板の位置認識方式 |
| JP2004531062A (ja) * | 2001-05-14 | 2004-10-07 | ウルトラテック インク | 裏側アライメントシステム及び方法 |
| JP2009147317A (ja) * | 2007-11-20 | 2009-07-02 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置および方法 |
| GB2458463A (en) * | 2008-03-17 | 2009-09-23 | Dek Int Gmbh | Infra-red imaging system for aligning a printed circuit board to a printing screen |
| JP2011040549A (ja) * | 2009-08-10 | 2011-02-24 | Canon Inc | 検出装置、露光装置及びデバイスの製造方法 |
| JP2016136589A (ja) * | 2015-01-23 | 2016-07-28 | 三菱電機株式会社 | 基板、基板の製造方法 |
-
1988
- 1988-02-23 JP JP63040013A patent/JPH01214118A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04174307A (ja) * | 1990-11-07 | 1992-06-22 | Mitsubishi Electric Corp | 回路基板および回路基板の位置認識方式 |
| JP2004531062A (ja) * | 2001-05-14 | 2004-10-07 | ウルトラテック インク | 裏側アライメントシステム及び方法 |
| JP2009147317A (ja) * | 2007-11-20 | 2009-07-02 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置および方法 |
| GB2458463A (en) * | 2008-03-17 | 2009-09-23 | Dek Int Gmbh | Infra-red imaging system for aligning a printed circuit board to a printing screen |
| GB2458463B (en) * | 2008-03-17 | 2013-02-20 | Dek Int Gmbh | Imaging system and method |
| JP2011040549A (ja) * | 2009-08-10 | 2011-02-24 | Canon Inc | 検出装置、露光装置及びデバイスの製造方法 |
| JP2016136589A (ja) * | 2015-01-23 | 2016-07-28 | 三菱電機株式会社 | 基板、基板の製造方法 |
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