JPS58178531A - 半導体封止樹脂評価用チツプ - Google Patents
半導体封止樹脂評価用チツプInfo
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- JPS58178531A JPS58178531A JP6163882A JP6163882A JPS58178531A JP S58178531 A JPS58178531 A JP S58178531A JP 6163882 A JP6163882 A JP 6163882A JP 6163882 A JP6163882 A JP 6163882A JP S58178531 A JPS58178531 A JP S58178531A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip
- wirings
- parallel
- sealing resin
- test chip
- Prior art date
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Examining Or Testing Airtightness (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、半導体封止用樹脂の性能試験に適したチッ
プに関するものである。
プに関するものである。
樹脂封止Ｉ Ｃの市場不良の大半は、配線に用いられる
アルミニウム＜ｈｅ、以下単にアルミと略す）の腐蝕に
よる、ものである。このようなアルミの腐蝕事故は封止
樹脂の性能に大きく影響されるので、従来第１図（ａ）
＃ （ｂ）に示すような試験用チップｌを用いて封止
樹脂の評価を行なってきた。すなわち、シリコンチップ
２の上に５ｉ（ｈ絶縁膜３を載せ、その上に２組のフォ
ーク状アルミ配＠ ４ 、４’を互いに人に組ませて設
ける仁とによシ構成された試験用チップｌが用いられて
いたのである。この試 □験用チップ１を第２図
に示す如く、封止樹脂５で對止し、＾温＾湿の雰囲気（
例えば８０℃、９５−ＲＨ）下で要時間（例えば１Ｇ”
〜１０３時間）放置した後、両端子６，６′間のリーク
電流を測定することによ）、封止樹脂の吸湿性を評価す
ることができる０例えば、第３図に示すように放置時間
に対するリーク電流の変化の程度を比較することによシ
、２種類の封止樹１１Ａ、Ｂの吸湿性を比較することが
できるのである。
アルミニウム＜ｈｅ、以下単にアルミと略す）の腐蝕に
よる、ものである。このようなアルミの腐蝕事故は封止
樹脂の性能に大きく影響されるので、従来第１図（ａ）
＃ （ｂ）に示すような試験用チップｌを用いて封止
樹脂の評価を行なってきた。すなわち、シリコンチップ
２の上に５ｉ（ｈ絶縁膜３を載せ、その上に２組のフォ
ーク状アルミ配＠ ４ 、４’を互いに人に組ませて設
ける仁とによシ構成された試験用チップｌが用いられて
いたのである。この試 □験用チップ１を第２図
に示す如く、封止樹脂５で對止し、＾温＾湿の雰囲気（
例えば８０℃、９５−ＲＨ）下で要時間（例えば１Ｇ”
〜１０３時間）放置した後、両端子６，６′間のリーク
電流を測定することによ）、封止樹脂の吸湿性を評価す
ることができる０例えば、第３図に示すように放置時間
に対するリーク電流の変化の程度を比較することによシ
、２種類の封止樹１１Ａ、Ｂの吸湿性を比較することが
できるのである。
ところで、封止樹脂の吸湿が進行すると、アルミ配線間
のリーク電流が増加し、やがて断線事故が発生するよう
Ｋなる。アルミ配線は、リーク電流の検出感度を向上さ
せるため、二つの配線間の平行部分、すなわちリーク領
域をできるだけ艮くとっており、しかも微少［ｆｉ（ｐ
Ａ、ピコアンペア単位）の測定の丸めに、電気抵抗が大
きくなるよう細長く形成されている（例えば、巾Ｗ約５
μｍ。
のリーク電流が増加し、やがて断線事故が発生するよう
Ｋなる。アルミ配線は、リーク電流の検出感度を向上さ
せるため、二つの配線間の平行部分、すなわちリーク領
域をできるだけ艮くとっており、しかも微少［ｆｉ（ｐ
Ａ、ピコアンペア単位）の測定の丸めに、電気抵抗が大
きくなるよう細長く形成されている（例えば、巾Ｗ約５
μｍ。
長さｌ約５ｍｍ）ので、上記断線事故が発生した場合に
その断線個所の検知がきわめて困難であった。
その断線個所の検知がきわめて困難であった。
この発明は上記事情に鑑みなされたもので、試験中に断
線事故が発生した場合に、断線個所を容易に見付けるこ
とのできるような試験用チップを提供する本のである。
線事故が発生した場合に、断線個所を容易に見付けるこ
とのできるような試験用チップを提供する本のである。
これについて以下に説明する。
この発明にかかる半導体封止樹脂＃ｆ価川用ップ（試験
用チップ）は、リーク電流を測定するための平行導線を
蛇行状に繰り返し屈曲させて設けるとともに、各導線中
間部の所要個所に端子用中間パッドを設けたことを特徴
としている。以下、図面にあられされた実施例に基いて
説明する。
用チップ）は、リーク電流を測定するための平行導線を
蛇行状に繰り返し屈曲させて設けるとともに、各導線中
間部の所要個所に端子用中間パッドを設けたことを特徴
としている。以下、図面にあられされた実施例に基いて
説明する。
第４図はこの発明にかかる試験用チップ１１の平面図で
あり、第１図の場合と同様に、シリコンチップ（巾３ｍ
ｍ、長さ３．２ｍｍ ） １２の上に５ｉＱｚ絶縁膜１
３が載せられ、その上に２本のアルミ配置ｌｌ ４ 、
１４’が設けられている。２本のアルミ配線１４．１４
’は互いに平行に設けられ、ともに蛇行状に繰シ返し屈
曲して試験用チップ１１のｌ端縁中央から他端縁中央に
達している。これら両アルミ配−〇両端部には端部パッ
ド１７ 、１７’が設けられ、中間の各層―端部には、
それぞれの屈曲端部におｉて外側に位置する方のアルミ
配線＜ ｉ ４ｔｆＣは１４′）から、外側に央出する
端子用中間パッド１８１ ｇ’が設けられている。アル
ミ配線はアルミニウムの蒸着膜（厚み０．５〜２μｍ
）で形成され、線巾は約５μｍである。
あり、第１図の場合と同様に、シリコンチップ（巾３ｍ
ｍ、長さ３．２ｍｍ ） １２の上に５ｉＱｚ絶縁膜１
３が載せられ、その上に２本のアルミ配置ｌｌ ４ 、
１４’が設けられている。２本のアルミ配線１４．１４
’は互いに平行に設けられ、ともに蛇行状に繰シ返し屈
曲して試験用チップ１１のｌ端縁中央から他端縁中央に
達している。これら両アルミ配−〇両端部には端部パッ
ド１７ 、１７’が設けられ、中間の各層―端部には、
それぞれの屈曲端部におｉて外側に位置する方のアルミ
配線＜ ｉ ４ｔｆＣは１４′）から、外側に央出する
端子用中間パッド１８１ ｇ’が設けられている。アル
ミ配線はアルミニウムの蒸着膜（厚み０．５〜２μｍ
）で形成され、線巾は約５μｍである。
この試験用チップ１１は、第５図に示すように、リード
フレーム１９上にダイスボンディングにょシ圏定し、各
パッド１７．１７’、１８．１８’とこれらに対応させ
友端子１６・・・、１６′・・・ に金線等の導線２０
でワイヤリングを施しに後、被検用の両正樹脂Ｉｓで封
止し、耐久試験（高温高湿下でのリーク電１５１＃Ｉ１
１定、アルミ配線腐蝕テスト等）Ｋ供する。
フレーム１９上にダイスボンディングにょシ圏定し、各
パッド１７．１７’、１８．１８’とこれらに対応させ
友端子１６・・・、１６′・・・ に金線等の導線２０
でワイヤリングを施しに後、被検用の両正樹脂Ｉｓで封
止し、耐久試験（高温高湿下でのリーク電１５１＃Ｉ１
１定、アルミ配線腐蝕テスト等）Ｋ供する。
断線事故が発生した場合は、封止樹脂を剥がし、金属顕
微鏡（倍率２００〜４００倍）で断線個所を観察する。
微鏡（倍率２００〜４００倍）で断線個所を観察する。
この発明にかかる試験用チップは、アルミ配線等の平行
導線を屈曲蛇行させることによりリーク領域を長くさぜ
、しかも屈曲蛇行する各導線の中間部に端子用中間パッ
ドが設けられているので、顕微鏡による断線個所の捜査
に先がけて、これら各端子用中間パッド間の導通を調べ
ることにより、あらかじめ断線個所がどの範囲にあるか
を知ることができる。したがって、視野の狭い顕微鏡で
配線全体を調査する場合に較べてはるかに能率的であり
、か、つ観察者の目の負担を著しく軽減することができ
るのである。
導線を屈曲蛇行させることによりリーク領域を長くさぜ
、しかも屈曲蛇行する各導線の中間部に端子用中間パッ
ドが設けられているので、顕微鏡による断線個所の捜査
に先がけて、これら各端子用中間パッド間の導通を調べ
ることにより、あらかじめ断線個所がどの範囲にあるか
を知ることができる。したがって、視野の狭い顕微鏡で
配線全体を調査する場合に較べてはるかに能率的であり
、か、つ観察者の目の負担を著しく軽減することができ
るのである。
つぎに、上記顕微鏡による断線個所のチェックをさらに
能率的に行なうためには、以下に述べるように平行導線
を設けておくのが好ましい。すなわち、チップ上におい
て平行導線はそのリーク領域を極力長くとるために、実
際に＃ｉ第４図の状態よりもはるかに密な状態で屈曲配
線されているので、隣接平行する導線間の間隔につき、
例えば第６図に示すごとく、第１のアルミ配！１１４と
第２のアルミ配！１１４’の間隔（ａ）、蛇行により隣
接平行状態となった部分における第１のアルミ配線１４
同士の間隔（ｂ）、および同様に隣接平行状態となう九
嬉２のアルミ配線１４′同士の間隔（Ｃ）が互いに異な
るように（ａ〜ｂ〜Ｃ，Ｃ〜ａ）形成するのである。
能率的に行なうためには、以下に述べるように平行導線
を設けておくのが好ましい。すなわち、チップ上におい
て平行導線はそのリーク領域を極力長くとるために、実
際に＃ｉ第４図の状態よりもはるかに密な状態で屈曲配
線されているので、隣接平行する導線間の間隔につき、
例えば第６図に示すごとく、第１のアルミ配！１１４と
第２のアルミ配！１１４’の間隔（ａ）、蛇行により隣
接平行状態となった部分における第１のアルミ配線１４
同士の間隔（ｂ）、および同様に隣接平行状態となう九
嬉２のアルミ配線１４′同士の間隔（Ｃ）が互いに異な
るように（ａ〜ｂ〜Ｃ，Ｃ〜ａ）形成するのである。
このようにしておくと、狭い視野（一点鎖線Ｘで示され
ている）内においても、隣接平行する導線間の間隔ｉ、
ｂ、ｃの相違を基にすれば、断線事故が導線のどの部分
に起きているかを容易に識別することができるようにな
り、断線個所の発見が容易になる。アルｉ配線間隔にこ
のようなピッチの差を設けておかない場合は、腐蝕個所
が見付かったときに顕微鏡の視野を移動させて配線を屈
一部までたどってゆき、屈曲部における位置が内側か外
側かを見きわめることにょシ、いずれの配線に起った事
故かを判定しなければならないので非能率的であるが、
第６図のような配線としておくことにより、このような
非能率さが解消され、目の負担もより軽減されるのであ
る。
ている）内においても、隣接平行する導線間の間隔ｉ、
ｂ、ｃの相違を基にすれば、断線事故が導線のどの部分
に起きているかを容易に識別することができるようにな
り、断線個所の発見が容易になる。アルｉ配線間隔にこ
のようなピッチの差を設けておかない場合は、腐蝕個所
が見付かったときに顕微鏡の視野を移動させて配線を屈
一部までたどってゆき、屈曲部における位置が内側か外
側かを見きわめることにょシ、いずれの配線に起った事
故かを判定しなければならないので非能率的であるが、
第６図のような配線としておくことにより、このような
非能率さが解消され、目の負担もより軽減されるのであ
る。
以上に説明したように、この発明にかかる半導体封止樹
脂杆価用チップは、半導体封止樹脂の性能試験を能率的
に行なうことのできる実用性の＾いものである。
脂杆価用チップは、半導体封止樹脂の性能試験を能率的
に行なうことのできる実用性の＾いものである。
第１図は従来の試験用チップの（ａ）平面図、（ｂ）＠
断面図、第２図は試験用チップの樹脂封止状態をあられ
す斜視図、第３図は試験結果をあられすグラフ、第４図
はこの発明、にかかる試験用チップの一部切欠き平面図
、第５図はこの試験用チップの樹脂封止状態をあられす
一部切欠き斜視図、第６図は平行導線の好適な配線状態
を一部ｆｔ破断してあられす説明図である。 １１・・・試験用（半導体封止樹脂ＩｉＦ価用）チップ
１２・・・シリコンチップ １３・・・５ｉＯｚ 絶縁
膜１４．１４・・・アルミ配線（導線） １５・・・
封止樹脂 １６．１６’・・・端子 １７ 、１７’・
・・端部バッド１８ 、１８’・・・端子用中間パッド
第１図 第２図 放置時間（ｈ） 第３図 第４図
断面図、第２図は試験用チップの樹脂封止状態をあられ
す斜視図、第３図は試験結果をあられすグラフ、第４図
はこの発明、にかかる試験用チップの一部切欠き平面図
、第５図はこの試験用チップの樹脂封止状態をあられす
一部切欠き斜視図、第６図は平行導線の好適な配線状態
を一部ｆｔ破断してあられす説明図である。 １１・・・試験用（半導体封止樹脂ＩｉＦ価用）チップ
１２・・・シリコンチップ １３・・・５ｉＯｚ 絶縁
膜１４．１４・・・アルミ配線（導線） １５・・・
封止樹脂 １６．１６’・・・端子 １７ 、１７’・
・・端部バッド１８ 、１８’・・・端子用中間パッド
第１図 第２図 放置時間（ｈ） 第３図 第４図
Claims (2)
- （１） 半導体封止用樹脂の性能を評価するためのチ
ップであって、リーク電流を測定するための平行導線を
蛇行状に繰り返し屈−させて設けるとともに、各導線中
間部の所要個所に端子用中間ノ（ラドを設けたことを特
徴とする半導体封止樹脂評価用チップ。 - （２）２本の平行導線の間隔、蛇行により隣接平行状態
となった第１の導線同士の間隔、および同様に隣接平行
状態となった第２の導線同士の間隔が互いに異なるよう
に形成されている％ｔＦ鎮求の範囲第１項記載の半導体
封止樹脂評価用チップ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6163882A JPS58178531A (ja) | 1982-04-12 | 1982-04-12 | 半導体封止樹脂評価用チツプ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6163882A JPS58178531A (ja) | 1982-04-12 | 1982-04-12 | 半導体封止樹脂評価用チツプ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58178531A true JPS58178531A (ja) | 1983-10-19 |
| JPS6219058B2 JPS6219058B2 (ja) | 1987-04-25 |
Family
ID=13176944
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6163882A Granted JPS58178531A (ja) | 1982-04-12 | 1982-04-12 | 半導体封止樹脂評価用チツプ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58178531A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0251245A (ja) * | 1988-08-12 | 1990-02-21 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体集積回路の欠陥検出方法及び欠陥検出用回路 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5438772A (en) * | 1977-09-01 | 1979-03-23 | Nec Corp | Semiconductor element for testing |
-
1982
- 1982-04-12 JP JP6163882A patent/JPS58178531A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5438772A (en) * | 1977-09-01 | 1979-03-23 | Nec Corp | Semiconductor element for testing |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0251245A (ja) * | 1988-08-12 | 1990-02-21 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体集積回路の欠陥検出方法及び欠陥検出用回路 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6219058B2 (ja) | 1987-04-25 |
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