JPS58176988A - 半導体レ−ザ温度制御装置 - Google Patents
半導体レ−ザ温度制御装置Info
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- JPS58176988A JPS58176988A JP57059019A JP5901982A JPS58176988A JP S58176988 A JPS58176988 A JP S58176988A JP 57059019 A JP57059019 A JP 57059019A JP 5901982 A JP5901982 A JP 5901982A JP S58176988 A JPS58176988 A JP S58176988A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/024—Arrangements for thermal management
- H01S5/02407—Active cooling, e.g. the laser temperature is controlled by a thermo-electric cooler or water cooling
- H01S5/02415—Active cooling, e.g. the laser temperature is controlled by a thermo-electric cooler or water cooling by using a thermo-electric cooler [TEC], e.g. Peltier element
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/06804—Stabilisation of laser output parameters by monitoring an external parameter, e.g. temperature
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体レーデをベルチェ素子により温度制御す
るようにした半導体レーザ／８１度ｔｔｌＩＪ価装置に
係り、特にベルチェ素子に対する４を源供給手段の改良
に関する。
るようにした半導体レーザ／８１度ｔｔｌＩＪ価装置に
係り、特にベルチェ素子に対する４を源供給手段の改良
に関する。
半導体レーデの出力は、４Ｉ蹄値が一定の場合、周囲ｍ
ｔの変化によって大幅に変動する。したがってレーザ出
力を一定化するためには半導体レーザの雰囲気温度を常
時高精度に制御する必要がある。そこで一般には半導体
レーザの温度をたとえば負温度特性抵抗素子（以下Ｔｈ
と略記する）等の温度検出素子によって検出し、その検
出値に応じた正負電力を加熱冷却系子としてのベルチェ
素子に加えることにより、半導体レーザのｍ度制御を行
なうようにしている。しかるに上記従来の温度制御装置
ｔにあっては、ベルチェ素子に対し正極性および負極性
の低電圧・大’Ｊｌｌ ｆｉの゛罐力給供源として、半
導体レーザ族［０アナログ系電＃Ｉ（土１２〜１５ｖ）
を利用している。このため電源効率が着しく悪い。す々
わち、ベルチェ素子に印加される゛電圧は約２ｖ程度で
あるため、±１２〜１５Ｖの電源を用いると、１０〜１
３Ｖ程度の電圧は熱損失として無駄に消費されてしまう
ことになる。なお、５ｖ程度のロジック系電源を利用す
ることが考えられるが、この場合には、供給しうる＊Ｓ
値、あるいは印加電圧の極性反転手段等において楓々間
勉が生じ、開側能力を低下させるおそれがあるため、こ
れまでは実現できなかった。
ｔの変化によって大幅に変動する。したがってレーザ出
力を一定化するためには半導体レーザの雰囲気温度を常
時高精度に制御する必要がある。そこで一般には半導体
レーザの温度をたとえば負温度特性抵抗素子（以下Ｔｈ
と略記する）等の温度検出素子によって検出し、その検
出値に応じた正負電力を加熱冷却系子としてのベルチェ
素子に加えることにより、半導体レーザのｍ度制御を行
なうようにしている。しかるに上記従来の温度制御装置
ｔにあっては、ベルチェ素子に対し正極性および負極性
の低電圧・大’Ｊｌｌ ｆｉの゛罐力給供源として、半
導体レーザ族［０アナログ系電＃Ｉ（土１２〜１５ｖ）
を利用している。このため電源効率が着しく悪い。す々
わち、ベルチェ素子に印加される゛電圧は約２ｖ程度で
あるため、±１２〜１５Ｖの電源を用いると、１０〜１
３Ｖ程度の電圧は熱損失として無駄に消費されてしまう
ことになる。なお、５ｖ程度のロジック系電源を利用す
ることが考えられるが、この場合には、供給しうる＊Ｓ
値、あるいは印加電圧の極性反転手段等において楓々間
勉が生じ、開側能力を低下させるおそれがあるため、こ
れまでは実現できなかった。
本発明はこのよう表事情を考慮してなされたものであり
、その目的はベルチェ素子を加熱・冷却素子として用い
た温度制御装置において、電源効率が従来のものに比べ
上着しく高く、しかもＩＩ！′１ＪＩ１１能力低下等の
おそれがなく、ｌ１６′ｎ１度で安定な温度制御が可能
な半導体レーザ温度制御装置を提供することである。
、その目的はベルチェ素子を加熱・冷却素子として用い
た温度制御装置において、電源効率が従来のものに比べ
上着しく高く、しかもＩＩ！′１ＪＩ１１能力低下等の
おそれがなく、ｌ１６′ｎ１度で安定な温度制御が可能
な半導体レーザ温度制御装置を提供することである。
以下、図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明の一実施例の概要を示す図で、１は半導
体レーザ、２は上ル−プを保持する保持台である。上記
保持台２には温度検出素子としてのＴｂＪが埋設されて
おり、その検出信号を後述する温度制御回路４に与える
ものとなっている。また上記保持台２には加熱・冷却素
子としてのベルチェ素子５が装着されており、温度？ｆ
ｆＩ制御回絡４から所定の制御電力を供給されるものと
なっている。
体レーザ、２は上ル−プを保持する保持台である。上記
保持台２には温度検出素子としてのＴｂＪが埋設されて
おり、その検出信号を後述する温度制御回路４に与える
ものとなっている。また上記保持台２には加熱・冷却素
子としてのベルチェ素子５が装着されており、温度？ｆ
ｆＩ制御回絡４から所定の制御電力を供給されるものと
なっている。
第２図は第１図に示されている温度制御装置４の具体的
構成をＴｈＪおよびベルチェ素子５と共に示した回路園
である。８２図においてＩＱは＋１５Ｖ程度のアナログ
系ｉｌｌ源を与えられる第１の端子であり、２０は＋５
ｖｓＦｆＬのロジック系電源を与えられる＠２の端子で
ある。
構成をＴｈＪおよびベルチェ素子５と共に示した回路園
である。８２図においてＩＱは＋１５Ｖ程度のアナログ
系ｉｌｌ源を与えられる第１の端子であり、２０は＋５
ｖｓＦｆＬのロジック系電源を与えられる＠２の端子で
ある。
上記第１の端子ＩＱと警地鑞位点との間には、前記Ｔｈ
Ｊを一辺とし、抵抗１１．１２および可変抵抗器１１を
他の三辺とする平衡ブリッジ回路１４が接ａ″：１れて
いる。１５は温度検出用の差動増幅器であり、Ｔｈ３の
抵抗偽変化に伴い前記ブリッジ回路１４の平衡点Ｐ、Ｑ
間に曳われる不平衡電圧を増幅し、これを制御信号形成
回路１６に供給する。ｍＪ卿倍信号形成回路１６前記増
幅器１５から出力される正または負の温度信号を微分補
正する微分補正回路１１と、この回路１１の出力信号を
積分補正しかつ増幅して出力する積分補正回路１８とで
構成されており、前記温度信号を矩形波の制御信号すな
わち高レベルまたは低レベルの二値信号に変換して出力
する。上記制御信号は抵抗１９゛を介してブリッジアン
プ２ノへ供給される。ブリッジアンプ２１は前記第２の
端子２０と接地電位点との間に、第１の極性反転回路２
２シよび凧１の電流バッファ２３と、第２の極性反転回
路２４およびｆｓ２の電流バッファｊ５とを並舛的に接
続し、抵抗１９を介して入力する前記創１１１僅号に応
じて単一低圧電源から供給される＋１ｉＩＩｔ人力を互
しに向きの異なる低電圧・制御１１５ｆｔとして出力す
るものである。すなわち、前記側ｍｔｉｑを第１の極性
反転回路ｘＨｃて極性反転しこれを箒１の電源バッファ
２Ｊ（与えると共に、上記第１０極性反転圏路２２で惚
性反転した信号を第２の極性反転回路２４で再度極性反
転して＠２のｌ１ｆｌＩｔバツフア２５に４えるものと
なっている。かくして第１の電源バッファ２３および第
２の電流バッファ２５は与えられた制御信号に応じた方
向の制御電流を′＠流制限回路２６を介してベルチェ素
子５に供給する。
Ｊを一辺とし、抵抗１１．１２および可変抵抗器１１を
他の三辺とする平衡ブリッジ回路１４が接ａ″：１れて
いる。１５は温度検出用の差動増幅器であり、Ｔｈ３の
抵抗偽変化に伴い前記ブリッジ回路１４の平衡点Ｐ、Ｑ
間に曳われる不平衡電圧を増幅し、これを制御信号形成
回路１６に供給する。ｍＪ卿倍信号形成回路１６前記増
幅器１５から出力される正または負の温度信号を微分補
正する微分補正回路１１と、この回路１１の出力信号を
積分補正しかつ増幅して出力する積分補正回路１８とで
構成されており、前記温度信号を矩形波の制御信号すな
わち高レベルまたは低レベルの二値信号に変換して出力
する。上記制御信号は抵抗１９゛を介してブリッジアン
プ２ノへ供給される。ブリッジアンプ２１は前記第２の
端子２０と接地電位点との間に、第１の極性反転回路２
２シよび凧１の電流バッファ２３と、第２の極性反転回
路２４およびｆｓ２の電流バッファｊ５とを並舛的に接
続し、抵抗１９を介して入力する前記創１１１僅号に応
じて単一低圧電源から供給される＋１ｉＩＩｔ人力を互
しに向きの異なる低電圧・制御１１５ｆｔとして出力す
るものである。すなわち、前記側ｍｔｉｑを第１の極性
反転回路ｘＨｃて極性反転しこれを箒１の電源バッファ
２Ｊ（与えると共に、上記第１０極性反転圏路２２で惚
性反転した信号を第２の極性反転回路２４で再度極性反
転して＠２のｌ１ｆｌＩｔバツフア２５に４えるものと
なっている。かくして第１の電源バッファ２３および第
２の電流バッファ２５は与えられた制御信号に応じた方
向の制御電流を′＠流制限回路２６を介してベルチェ素
子５に供給する。
次に上記の如く構成された本装置の動作を説明する。今
、半導体レーザ１の温度が規定の温度レベルより小さく
なると、ＴｈＪの抵抗値が大きくなり、Ｐ、Ｑ点の電位
はＰｉ）Ｑｉ＋となる。
、半導体レーザ１の温度が規定の温度レベルより小さく
なると、ＴｈＪの抵抗値が大きくなり、Ｐ、Ｑ点の電位
はＰｉ）Ｑｉ＋となる。
したがって増幅器１５の出力端には不平衡電位差Ｐｍ−
ＱＩＫ相当する電圧を極性反転した負の温度信号が現わ
れる。この温度信号は制御信号工 形成回路によって低レベルなＩｔｌＪ御信号に変換され
抵抗１９を介してブリッジアンプ２１へ供給される。そ
うすると、上記低レベルな制御信号は一方において、Ｊ
Ｉｌｌの極性反転回路２２にてて５１２の極性反転回路
２４により再ｆ極性及転された低レベルな制ｄ［ｉｌｌ
匍号が第２の＊ｆｆ＃バッファ２５に与えられる。その
結果、第２図中矢印人で示す如く第１０′ａ１流バツフ
ア２３〜１［ｆｉ制限回路２６〜ペルチェ素子５〜第２
の１［ｆｉｆｒバッファ２５、なる経路に制御″４ｉｆ
ｆが流れ、ベルチェ素子５は発熱状態を呈し半導体レー
ザ１を加熱する。
ＱＩＫ相当する電圧を極性反転した負の温度信号が現わ
れる。この温度信号は制御信号工 形成回路によって低レベルなＩｔｌＪ御信号に変換され
抵抗１９を介してブリッジアンプ２１へ供給される。そ
うすると、上記低レベルな制御信号は一方において、Ｊ
Ｉｌｌの極性反転回路２２にてて５１２の極性反転回路
２４により再ｆ極性及転された低レベルな制ｄ［ｉｌｌ
匍号が第２の＊ｆｆ＃バッファ２５に与えられる。その
結果、第２図中矢印人で示す如く第１０′ａ１流バツフ
ア２３〜１［ｆｉ制限回路２６〜ペルチェ素子５〜第２
の１［ｆｉｆｒバッファ２５、なる経路に制御″４ｉｆ
ｆが流れ、ベルチェ素子５は発熱状態を呈し半導体レー
ザ１を加熱する。
半導体レーザ１の温度が規定の温度レベルより大きくな
ると、ＴｈＪの抵抗値は着しく小さくなり、Ｐ、Ｑ点の
電位はｐｍ（ＱＮとなる。したがって増幅器１５の出力
端には不平衡電位差Ｑｍ−ｐｍに相当する電圧を極性反
転した正の温度信号が現われる。この温度信号は制御信
号形成回路１６によって高レベルな制御信号に変換され
抵抗１９を介してブリッジアンプ２１へ供給される。そ
うすると上記高レベルな制御信号は、一方において第１
の極性反転回路２２により極性を反転され低レベルな制
御信号として第１の電流バッファ２１に与えられ、他方
において菖２の極性反転回路２４により再［極性反転さ
れ低レベルな制御信号として第２の重加バッファ２Ｊに
与えられる。その結果、今度は第２図中矢印Ｂで示す如
く第２の４諦バツフア２５〜ペルチ工素子５〜電流制限
回路２６〜第１の４ｍバッファ２３、なる経路に？！ｌ
ｌ４ｍ電流が流れベルチェ素子５は吸熱状態を呈し、半
導体レーザ１を冷却する。
ると、ＴｈＪの抵抗値は着しく小さくなり、Ｐ、Ｑ点の
電位はｐｍ（ＱＮとなる。したがって増幅器１５の出力
端には不平衡電位差Ｑｍ−ｐｍに相当する電圧を極性反
転した正の温度信号が現われる。この温度信号は制御信
号形成回路１６によって高レベルな制御信号に変換され
抵抗１９を介してブリッジアンプ２１へ供給される。そ
うすると上記高レベルな制御信号は、一方において第１
の極性反転回路２２により極性を反転され低レベルな制
御信号として第１の電流バッファ２１に与えられ、他方
において菖２の極性反転回路２４により再［極性反転さ
れ低レベルな制御信号として第２の重加バッファ２Ｊに
与えられる。その結果、今度は第２図中矢印Ｂで示す如
く第２の４諦バツフア２５〜ペルチ工素子５〜電流制限
回路２６〜第１の４ｍバッファ２３、なる経路に？！ｌ
ｌ４ｍ電流が流れベルチェ素子５は吸熱状態を呈し、半
導体レーザ１を冷却する。
このように本装置においては半導体レーザ１のｉｊＡ度
が規定温度から外れると、ベルチェ素子５に対し、ブリ
ッジアンプ２１を介して入方向またはＢ方向の制御電流
が供給され、半導体レーザ１の温度を規定レベルに保つ
。かくして本装置においてはベルチェ素子５に対する低
電圧・Ｉｌｌ ＩＩ ’Ｊ［ｆｉ供給源としてロジック
糸用の単一低電圧電源をそのｔｔ用いることができる。
が規定温度から外れると、ベルチェ素子５に対し、ブリ
ッジアンプ２１を介して入方向またはＢ方向の制御電流
が供給され、半導体レーザ１の温度を規定レベルに保つ
。かくして本装置においてはベルチェ素子５に対する低
電圧・Ｉｌｌ ＩＩ ’Ｊ［ｆｉ供給源としてロジック
糸用の単一低電圧電源をそのｔｔ用いることができる。
したがって無駄な電力消費が少なく電源効率が島い。
またブリッジアンプ２１を、微分補正回路１７および積
分補正回路１８からなる制御信号形成回路１＃からの高
レベル制御信号または低レベル制御信号によって制御す
るようにしたので。
分補正回路１８からなる制御信号形成回路１＃からの高
レベル制御信号または低レベル制御信号によって制御す
るようにしたので。
制卸動作が適確で安定なものとなる。なおベルチェ素子
５に対する制御電流のレベルは型締制限回路２６によっ
て制限されるので、過大ａｍによるベルチェ素子５の破
損等は確実に防止される。さらにブリッジアンプ２１の
極性反転作用によりベルチェ素子５に対する印加電圧の
レベルは制御電源電圧の２倍までとることができるので
、同じ電源で制御範囲を倍加できる利点がある。
５に対する制御電流のレベルは型締制限回路２６によっ
て制限されるので、過大ａｍによるベルチェ素子５の破
損等は確実に防止される。さらにブリッジアンプ２１の
極性反転作用によりベルチェ素子５に対する印加電圧の
レベルは制御電源電圧の２倍までとることができるので
、同じ電源で制御範囲を倍加できる利点がある。
々お本発明は上述した一実施例に限定されるものではな
い。たとえば温度検出素子はＴｈでなくともよく、正温
度特性の抵抗素子等であつ 。
い。たとえば温度検出素子はＴｈでなくともよく、正温
度特性の抵抗素子等であつ 。
てもよい。また温度検出手段による慣性の異なる温度信
号と、制御信号形成回路による高・低レベル制御信号と
、ブリッジアンプによる異なる向きの低電圧・制御電流
の相互関係は、ペルチェ索子５の温度が一定に保持され
る如くフィードバッタ開側系が対応づけられるならば必
らずしも実施例の如き対応でなくともよい。
号と、制御信号形成回路による高・低レベル制御信号と
、ブリッジアンプによる異なる向きの低電圧・制御電流
の相互関係は、ペルチェ索子５の温度が一定に保持され
る如くフィードバッタ開側系が対応づけられるならば必
らずしも実施例の如き対応でなくともよい。
以上説明したように本発明によればブリッジアンプを用
いて制御信号に応じた互いに異なる向きの低電圧・制御
電流をベルチェ素子に供給するようにしたので、＄ＪＨ
１ｊｌ源として単一低圧Ｉｌ＃をそのまま用いることが
可能で、電源効率が従来のものに比べ着しく高く、しか
も微積分補正回路からなる制御信号形成回路による高レ
ベル１ｅｕａ信号と低レベル制御□□信号によってブリ
ッジアンプを制御するようにしたので、制御能力の低下
等のおそれがなく、高轄度で安定な温度制御が可能な半
導体レーザ温度制御装置を提供できる。
いて制御信号に応じた互いに異なる向きの低電圧・制御
電流をベルチェ素子に供給するようにしたので、＄ＪＨ
１ｊｌ源として単一低圧Ｉｌ＃をそのまま用いることが
可能で、電源効率が従来のものに比べ着しく高く、しか
も微積分補正回路からなる制御信号形成回路による高レ
ベル１ｅｕａ信号と低レベル制御□□信号によってブリ
ッジアンプを制御するようにしたので、制御能力の低下
等のおそれがなく、高轄度で安定な温度制御が可能な半
導体レーザ温度制御装置を提供できる。
絡１図および第２図は本発明の一実施例を示す図で、第
１図は全体の概略的構成を示す図、第２図は温度制御回
路の具体的構成をＴｈおよヒヘルチェ素子と共に示した
図である。 １・・・半導体レーデ、２・・・保持台、３・・・Ｔｈ
（ｇＬ湿度特性抵抗素子）、４・・・温度制御回路。 ５・・・ペルチェ素子，１０・・・アナログ系ｍ源印加
端子、２０・・・ロジック系′＃［＃印加端子、１５・
・・差動増幅器、１６・・・制御信号形成回路、２１・
・・ブリッジアンプ（ブリッジ増幅器）。 出−人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦■、事件の表示 ％願昭５７−５９０１９号 ２、発明の名称 半導体レーデ温度制御装置 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 （０３７） オリン・母ス光学工業株式会社４、代理
人 住所 東京都港区虎ノ門１丁目２６番５号 第１７森ピ
ル６ 補正の対象 （１）Ｉ￥ｉ許請求の範囲を別紙のとおり補正する。 （２） 図面第１図および第２図を別紙のとおり補正
する。 （３）明細書第４頁第１行の「上記保持台２」を「上記
レーザ１」と訂正する０ （４） 同書第４頁第４行の「上記保持台２には」を
「上記レーデ１と保持台２との間には」と訂正する。 （５）同書第４頁第２０行〜第５頁第２行の「これを〜
回路１６は」を「これを制御信号補正回路１６に供給す
る。制御信号補正回路１６は」と訂正する０ （６）同書第５頁第６行〜第８行の「前記温＆信号を〜
出力する。」を［前記温度信号を系の遅れ、定常偏差を
補正変換して出力する。」と訂正する。 （７） 同書第６頁第１４行〜第１５行の「形成回路
１６〜変換され」を「補正回路１６によって微積分補正
が行なわれ」と訂正する。 （８） 同書＠７７頁第１３〜第１５行の「この温度
信号〜変換され」を［この温度信号は制御信号補正回路
１６によって微積分補正が行なわれ」と訂正する０ （９） 同書第８頁第１８行〜第２０行の「制御信号
形成〜したので」を「制御信号補正回路１６によって系
の遅れ、定常偏差を補正したので」と訂正する０ ＣＬ（Ｉ 同書ｔＪｃ９頁第１４行の「制御信号形成
回路」を「制御信号補正回路」と訂正する。 αρ 同書第１０頁第６行〜第７行の「制御信号形成回
路〜制御信号によって」を「制御信号補正回路により」
と訂正する。 （６） 同書第１１頁第１行の「制御信号形成回路」を
「制御信号補正回路」と訂正する０ ２、特許請求の範囲 半導体レーデの温度を検出し上記温度が規定レベルを越
えたときと規定レベルを越えないときとでは異なる極性
の温度信号を得る温度検出手段と、この温度検出手段で
得た温度信号につ力される制御信号に応じて単一低圧電
源から供給される直流入力を互いに異なる向きの低電圧
制御電流として出力するブリッジ増幅器と、このブリッ
ジ増幅器から出力される所定の向きの制御電流によシ発
熱または吸熱し前記半導体レーザの加熱または冷却を行
なって前記レーデの温度を規定レベルに保持するペルチ
ェ素子とを具備したことを特徴とする半導体レーデ温度
制御装置。
１図は全体の概略的構成を示す図、第２図は温度制御回
路の具体的構成をＴｈおよヒヘルチェ素子と共に示した
図である。 １・・・半導体レーデ、２・・・保持台、３・・・Ｔｈ
（ｇＬ湿度特性抵抗素子）、４・・・温度制御回路。 ５・・・ペルチェ素子，１０・・・アナログ系ｍ源印加
端子、２０・・・ロジック系′＃［＃印加端子、１５・
・・差動増幅器、１６・・・制御信号形成回路、２１・
・・ブリッジアンプ（ブリッジ増幅器）。 出−人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦■、事件の表示 ％願昭５７−５９０１９号 ２、発明の名称 半導体レーデ温度制御装置 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 （０３７） オリン・母ス光学工業株式会社４、代理
人 住所 東京都港区虎ノ門１丁目２６番５号 第１７森ピ
ル６ 補正の対象 （１）Ｉ￥ｉ許請求の範囲を別紙のとおり補正する。 （２） 図面第１図および第２図を別紙のとおり補正
する。 （３）明細書第４頁第１行の「上記保持台２」を「上記
レーザ１」と訂正する０ （４） 同書第４頁第４行の「上記保持台２には」を
「上記レーデ１と保持台２との間には」と訂正する。 （５）同書第４頁第２０行〜第５頁第２行の「これを〜
回路１６は」を「これを制御信号補正回路１６に供給す
る。制御信号補正回路１６は」と訂正する０ （６）同書第５頁第６行〜第８行の「前記温＆信号を〜
出力する。」を［前記温度信号を系の遅れ、定常偏差を
補正変換して出力する。」と訂正する。 （７） 同書第６頁第１４行〜第１５行の「形成回路
１６〜変換され」を「補正回路１６によって微積分補正
が行なわれ」と訂正する。 （８） 同書＠７７頁第１３〜第１５行の「この温度
信号〜変換され」を［この温度信号は制御信号補正回路
１６によって微積分補正が行なわれ」と訂正する０ （９） 同書第８頁第１８行〜第２０行の「制御信号
形成〜したので」を「制御信号補正回路１６によって系
の遅れ、定常偏差を補正したので」と訂正する０ ＣＬ（Ｉ 同書ｔＪｃ９頁第１４行の「制御信号形成
回路」を「制御信号補正回路」と訂正する。 αρ 同書第１０頁第６行〜第７行の「制御信号形成回
路〜制御信号によって」を「制御信号補正回路により」
と訂正する。 （６） 同書第１１頁第１行の「制御信号形成回路」を
「制御信号補正回路」と訂正する０ ２、特許請求の範囲 半導体レーデの温度を検出し上記温度が規定レベルを越
えたときと規定レベルを越えないときとでは異なる極性
の温度信号を得る温度検出手段と、この温度検出手段で
得た温度信号につ力される制御信号に応じて単一低圧電
源から供給される直流入力を互いに異なる向きの低電圧
制御電流として出力するブリッジ増幅器と、このブリッ
ジ増幅器から出力される所定の向きの制御電流によシ発
熱または吸熱し前記半導体レーザの加熱または冷却を行
なって前記レーデの温度を規定レベルに保持するペルチ
ェ素子とを具備したことを特徴とする半導体レーデ温度
制御装置。
Claims (1)
- 半導体レーザの湿度を検出し上記温度が規定レベルを越
えたときと規定し々ルを越えないときとでは異なる極性
の温度信号を得る温度検出手段と、この温度検出手段で
得た温度信号の極性に応じた高レベル制紳信号と低レベ
ル信号とを形成して出力する制御信号形成回路と、この
制御信号形成回路から出力される各レベルの制御信号に
応じて単一低圧Ｈ１＃から供給される直流入力を互いに
異々る向きの低電圧制ａ電流として出力するブリッジ増
幅器と、このブリッジ増幅器から出力される所定の向き
の制ａ４１［′により発熱または吸熱し前記半導体レー
ザの加熱または冷却を行なって前記レーザの温度を規定
レベルに保持するベルチェ素子とを具備したことを特徴
とする半導体レーザ温度制ｉａｌ装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57059019A JPS58176988A (ja) | 1982-04-09 | 1982-04-09 | 半導体レ−ザ温度制御装置 |
| US06/753,364 US4571728A (en) | 1982-04-09 | 1985-07-08 | Temperature control device for a semiconductor laser |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57059019A JPS58176988A (ja) | 1982-04-09 | 1982-04-09 | 半導体レ−ザ温度制御装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58176988A true JPS58176988A (ja) | 1983-10-17 |
Family
ID=13101151
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57059019A Pending JPS58176988A (ja) | 1982-04-09 | 1982-04-09 | 半導体レ−ザ温度制御装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4571728A (ja) |
| JP (1) | JPS58176988A (ja) |
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1982
- 1982-04-09 JP JP57059019A patent/JPS58176988A/ja active Pending
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