JPS58172231A - 遷移金属酸化物膜の製造方法 - Google Patents
遷移金属酸化物膜の製造方法Info
- Publication number
- JPS58172231A JPS58172231A JP57052179A JP5217982A JPS58172231A JP S58172231 A JPS58172231 A JP S58172231A JP 57052179 A JP57052179 A JP 57052179A JP 5217982 A JP5217982 A JP 5217982A JP S58172231 A JPS58172231 A JP S58172231A
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- JP
- Japan
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- transition metal
- ion
- acid
- oxide film
- metal oxide
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Electrodes For Compound Or Non-Metal Manufacture (AREA)
- Electrolytic Production Of Non-Metals, Compounds, Apparatuses Therefor (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、電圧印加により可逆的な発消色を示すエレク
トロクロミック（以下ＥＣと略称する）膜、その他に用
いられる遷移金属酸化物膜の製造方法に関するものであ
り、更に詳しくは基材表面に遷移金属酸化物を析出させ
る遷移金属酸化物膜の製造方法に関する。
トロクロミック（以下ＥＣと略称する）膜、その他に用
いられる遷移金属酸化物膜の製造方法に関するものであ
り、更に詳しくは基材表面に遷移金属酸化物を析出させ
る遷移金属酸化物膜の製造方法に関する。
従来ＥＣ薄膜としては、非晶質ＷＯ３＋ＭＯＯ３がよく
知られている。中でも酸化タングステン薄膜を用いたＥ
Ｃ素子がいくつか提案されている。酸化タングステン薄
膜のつくり方としては蒸着法。
知られている。中でも酸化タングステン薄膜を用いたＥ
Ｃ素子がいくつか提案されている。酸化タングステン薄
膜のつくり方としては蒸着法。
スパッター法、スプレー法などの方法が知られている。
しかし蒸着法、スパッター法は共に高真空装置を必要と
し装置としても高価であり、且つ大寸法の基板を処理す
ることは実際上困難である。
し装置としても高価であり、且つ大寸法の基板を処理す
ることは実際上困難である。
またスプレー法においては、基板をスプレー中均一温度
に保持することがむずかしく均一で安定した膜をつくる
ことがむつかしい。
に保持することがむずかしく均一で安定した膜をつくる
ことがむつかしい。
本発明者はかかる問題点に鑑み種々検討を行った結果、
酸化タングステン膜を生成する、安価にして且つ大面積
の基板に対しても均一なＥＣ薄膜を製造する方法の本発
明に到達した。
酸化タングステン膜を生成する、安価にして且つ大面積
の基板に対しても均一なＥＣ薄膜を製造する方法の本発
明に到達した。
すなわち、本発明は遷移金属酸イオンと脂肪族カルボン
酸イオンとを含む酸性液を電解還元した後、電解還元に
よる反応生成物を含む該液中に基材を浸漬して該基材の
表面に遷移金属酸化物を析出させることを特徴とする遷
移金属酸化物膜の製造方法である。
酸イオンとを含む酸性液を電解還元した後、電解還元に
よる反応生成物を含む該液中に基材を浸漬して該基材の
表面に遷移金属酸化物を析出させることを特徴とする遷
移金属酸化物膜の製造方法である。
本発明において用いられる酸性液に含まれる連接金属酸
イオンの源としては、タングステン酸。
イオンの源としては、タングステン酸。
モリブデン酸、イリジウム酸、チタン酸、バナジウム酸
、ジルコニウム酸、ハフニウム酸、ニオブ酸、タンタル
酸、マンガン酸、レニウム酸、ルテニウム醗、オスニウ
ム酸、又はロジウム酸などのＭｕ金Ｊｌ酸、またはこれ
とナトリウム、カリウム。
、ジルコニウム酸、ハフニウム酸、ニオブ酸、タンタル
酸、マンガン酸、レニウム酸、ルテニウム醗、オスニウ
ム酸、又はロジウム酸などのＭｕ金Ｊｌ酸、またはこれ
とナトリウム、カリウム。
ルビジウム、セシウム、リチウム、などのアルカリ金属
、アンモニウム、テトラアルキルアンモニウム、又はマ
グネシウム、カルシウム等のアルカリ土類金属との塩な
どを例示することができ、こ号 れらの中でタングステン酸カリウムやタングステン酸ナ
トリウムが好ましく用いられる。これらは単独で用いる
こともでき、またこれらの混合物、として使用すること
もできる。又、脂肪族カルボン酸イオンの源としては修
酸、マロン酸、こはく酸、グルタル酸、アジピン酸、酒
石醗、りんご酸。
、アンモニウム、テトラアルキルアンモニウム、又はマ
グネシウム、カルシウム等のアルカリ土類金属との塩な
どを例示することができ、こ号 れらの中でタングステン酸カリウムやタングステン酸ナ
トリウムが好ましく用いられる。これらは単独で用いる
こともでき、またこれらの混合物、として使用すること
もできる。又、脂肪族カルボン酸イオンの源としては修
酸、マロン酸、こはく酸、グルタル酸、アジピン酸、酒
石醗、りんご酸。
酢酸、プロピオン醗、酪酸、青草酸、カプロン酸などの
脂肪族カルボン酸またはこれと前述のアルカリ金属、ア
ンモニウム、テトラアルキルアンモニウム、アルカリ土
類金属との塩を例示することができ、これらの中で修醗
が好ましく用いられる。
脂肪族カルボン酸またはこれと前述のアルカリ金属、ア
ンモニウム、テトラアルキルアンモニウム、アルカリ土
類金属との塩を例示することができ、これらの中で修醗
が好ましく用いられる。
これらはそれぞれ単独で使用してもよく、また混合物の
形で用いてもよい。
形で用いてもよい。
本発明において、電解還元すべきＭｓ金属酸イオンと脂
肪族カルボン酸イオンとを含む酸性液中の遷移金属酸イ
オンの濃度は特に限定されるものでない。但し、濃度が
低すぎるとｍｓ金属酸化物の生成量も少なく所定の膜厚
が得られないため、この点で配慮を行えばよい。通常は
水溶液ｌｌ中にｏ、 ｏ ｏ ｓ−ｏ、ｓモルの濃度で
用いられる。脂肪族カルボン酸イオンの濃度については
、Ｍ移金属酸イオンの濃度に対してｏ、３倍から、２０
倍のモル比の範囲で添加すればよいが、反応速度、収率
等を考えれば７〜７倍のモル比が好しい。
肪族カルボン酸イオンとを含む酸性液中の遷移金属酸イ
オンの濃度は特に限定されるものでない。但し、濃度が
低すぎるとｍｓ金属酸化物の生成量も少なく所定の膜厚
が得られないため、この点で配慮を行えばよい。通常は
水溶液ｌｌ中にｏ、 ｏ ｏ ｓ−ｏ、ｓモルの濃度で
用いられる。脂肪族カルボン酸イオンの濃度については
、Ｍ移金属酸イオンの濃度に対してｏ、３倍から、２０
倍のモル比の範囲で添加すればよいが、反応速度、収率
等を考えれば７〜７倍のモル比が好しい。
遷移金属酸イオンと脂肪族カルボン酸イオンとを含む液
はそのＰＨが高すぎると液中がら水素ガスが発生し、後
の電解還元が起らなくなるので酸性に保たれる必要があ
る。
はそのＰＨが高すぎると液中がら水素ガスが発生し、後
の電解還元が起らなくなるので酸性に保たれる必要があ
る。
またＰＨが低すぎると電解還元しても後述のオキソ錯体
が発生せず、所望の遷移金属酸化物膜が得られないので
、この酸性液のＰＨは／Ｊ〜乙の範囲内に保つことが好
ましく、タングステン酸イオンまたはモリブデン酸イオ
ンを用いる場合の特に好ましい範囲は３．！； −＜＜
、ｔである。ＰＨ値をこの範囲に保つために通常は遷移
金属酸イオンの源と脂肪族カルボン酸イオンの源とを適
宜組み合わせることによっておこなわれる。
が発生せず、所望の遷移金属酸化物膜が得られないので
、この酸性液のＰＨは／Ｊ〜乙の範囲内に保つことが好
ましく、タングステン酸イオンまたはモリブデン酸イオ
ンを用いる場合の特に好ましい範囲は３．！； −＜＜
、ｔである。ＰＨ値をこの範囲に保つために通常は遷移
金属酸イオンの源と脂肪族カルボン酸イオンの源とを適
宜組み合わせることによっておこなわれる。
場合によってはこれらのイオン源の外にＰＨ１節のため
に別の酸、アルカリ、または塩を添加することは差し支
えない。
に別の酸、アルカリ、または塩を添加することは差し支
えない。
電解還元反応の反応温度は低い場合は殆んど反応が進ま
ないため、一般には３０〜１００″Ｃの範囲で行うのが
好ましい。電解還元反応の電流密度については特に制約
はないが、高くすると反応速度も早くなるが、反応生成
物が電極表面に付着すると反応効率が低下するため反応
生成物を溶液を攪拌して除去しなければならない。この
除去速度とのかねあいで電流密度を設定すればよい。ま
た、電流密度が小さすぎると反応生成物の生成速度が小
さくなり、逆反応の分解が無視できなくなるので通常は
電流密度は電極の単位表面積ｄｒｒ？あたり０．０２に
一２０Ａ、好ましくは０．／−Ｊ、ｊＡになるように印
加電圧などが調節される。電解還元は理論上必要な電気
量の釣り倍の電気を供給することにより、その反応が１
００％進行するので、電解還元を行う通電時間は反応生
成物の濃度がｏ、ｏ ｏｓモル／１以上になるように設
定すればよい。
ないため、一般には３０〜１００″Ｃの範囲で行うのが
好ましい。電解還元反応の電流密度については特に制約
はないが、高くすると反応速度も早くなるが、反応生成
物が電極表面に付着すると反応効率が低下するため反応
生成物を溶液を攪拌して除去しなければならない。この
除去速度とのかねあいで電流密度を設定すればよい。ま
た、電流密度が小さすぎると反応生成物の生成速度が小
さくなり、逆反応の分解が無視できなくなるので通常は
電流密度は電極の単位表面積ｄｒｒ？あたり０．０２に
一２０Ａ、好ましくは０．／−Ｊ、ｊＡになるように印
加電圧などが調節される。電解還元は理論上必要な電気
量の釣り倍の電気を供給することにより、その反応が１
００％進行するので、電解還元を行う通電時間は反応生
成物の濃度がｏ、ｏ ｏｓモル／１以上になるように設
定すればよい。
電解還元のための通電を終了した溶液には次式で表わさ
れる低原子価の遷移金属のオキソ錯体Ｍｍ （ＸｘＯｙ
Ｌｚ） −ｎＨ２０ （ここにＭはアルカリ金属、アルカリ土類金属またはア
ンモニウム、テトラアルキルアンモニウム。
れる低原子価の遷移金属のオキソ錯体Ｍｍ （ＸｘＯｙ
Ｌｚ） −ｎＨ２０ （ここにＭはアルカリ金属、アルカリ土類金属またはア
ンモニウム、テトラアルキルアンモニウム。
ＸはＭｕ金金属Ｌはカルボキシル基を有する配位子、ｍ
−／またはコ、Ｘ−／〜１０の整数、ｙ−／〜−〇の整
数、２−／〜ｌＩｏの整数、ｎはＯ又は正の数（整数ま
たは小数）を示゛している。）の反応生成物が生成して
いる。次に、被処理物（基材）が浸漬され、その表面で
溶液中の上記の低原子価の遷移金属のオキソ錯体が酸化
されながら分解して次に示される遷移金属−化物となり
、この遷移金属酸化物を主成分とする膜が形成されるＯ
ＭｍＣＸｘＯｙＬｚ〕・ｎＨ２Ｏ！ （ＸＸｏｙ＋ｒ） ＋ ｍｘ＋（２＋） −（２−
）十ｚＬ （ここにｒはＯ＜ｒ＜Ｘの整数または小数である。）こ
の電解還元反応後の遷移金属酸化物の析出条件としては
、析出温度と溶液中の酸素の量が関係する。
−／またはコ、Ｘ−／〜１０の整数、ｙ−／〜−〇の整
数、２−／〜ｌＩｏの整数、ｎはＯ又は正の数（整数ま
たは小数）を示゛している。）の反応生成物が生成して
いる。次に、被処理物（基材）が浸漬され、その表面で
溶液中の上記の低原子価の遷移金属のオキソ錯体が酸化
されながら分解して次に示される遷移金属−化物となり
、この遷移金属酸化物を主成分とする膜が形成されるＯ
ＭｍＣＸｘＯｙＬｚ〕・ｎＨ２Ｏ！ （ＸＸｏｙ＋ｒ） ＋ ｍｘ＋（２＋） −（２−
）十ｚＬ （ここにｒはＯ＜ｒ＜Ｘの整数または小数である。）こ
の電解還元反応後の遷移金属酸化物の析出条件としては
、析出温度と溶液中の酸素の量が関係する。
析出温度は高くても低くても好ましくなく１０〜＋ ｏ
’ｃの範囲が好ましい。溶液中の酸素の量については
多い程、析出速度も早くなるが、早すぎると基材への膜
の付着が悪くなる。従って溶液中に酸化剤を添加しても
よいが通常は酸化剤等を添加して析出速度を早くするこ
とは必要でない。
’ｃの範囲が好ましい。溶液中の酸素の量については
多い程、析出速度も早くなるが、早すぎると基材への膜
の付着が悪くなる。従って溶液中に酸化剤を添加しても
よいが通常は酸化剤等を添加して析出速度を早くするこ
とは必要でない。
溶液中の酸素量は自然に大気中がら溶解する酸素または
溶液中にもともと含まれている酸化成分がら由来するも
ので通常は十分である。浸漬前に長時間大気中に放置し
ておくと容器壁面で反応生成物の酸化・析出が生ずるの
で好ましくない。
溶液中にもともと含まれている酸化成分がら由来するも
ので通常は十分である。浸漬前に長時間大気中に放置し
ておくと容器壁面で反応生成物の酸化・析出が生ずるの
で好ましくない。
従って、電解還元終了後コダ時間以内より好ましくは２
時間以内に浸漬処理をはじめることが望ましい。
時間以内に浸漬処理をはじめることが望ましい。
しかし電解還元反応を終えた後の溶液を密閉状態でかつ
Ｏ″Ｃ近くの低温度に保持すれば長期間保存することが
できる。
Ｏ″Ｃ近くの低温度に保持すれば長期間保存することが
できる。
析出時間は数時間から１０時間にわたって行われ所定膜
厚に対して析出時間をきめればよい。
厚に対して析出時間をきめればよい。
析出後、生成した遷移金属酸化物の非晶質膜中に未反応
物を残存する場合は、非晶質膜が結晶化しない温度範囲
で熱処理するとよい。酸化タングステンの場合は１．２
ＳＯ〜３００℃で数分間がら約１時間の熱処理を行うの
が好ましい。
物を残存する場合は、非晶質膜が結晶化しない温度範囲
で熱処理するとよい。酸化タングステンの場合は１．２
ＳＯ〜３００℃で数分間がら約１時間の熱処理を行うの
が好ましい。
遷移金属酸化物膜としては、１０ＯＩＬ−数μの膜厚で
均一で付着力の秀れた膜が得られた。
均一で付着力の秀れた膜が得られた。
被処理物（基材）としては酸化錫、酸化インジウムのよ
うな導電性を有する被膜で覆われている飄ガラス、プラ
スチックなどの透明物質、またはこの導電性被膜の表面
に更にベータアルミナのような固体電解質膜もしくはガ
ンマアルミナのような誘電体膜を被覆したものが用ムら
れその形状は板状、フィルム状その他の形状のものを例
示することができる。
うな導電性を有する被膜で覆われている飄ガラス、プラ
スチックなどの透明物質、またはこの導電性被膜の表面
に更にベータアルミナのような固体電解質膜もしくはガ
ンマアルミナのような誘電体膜を被覆したものが用ムら
れその形状は板状、フィルム状その他の形状のものを例
示することができる。
以下に実施例を述べる。
実施例／
タングステン醗カリウムＯ，ＯＳモル／ｌ に対して修
酸を／、ｊ倍濃度割合、すなわち０．０７！；モル／ｌ
にして水に混合して得られたＰＨ−、ｌの！；００ｍ１
の混合水溶液を７０″Ｃに保持した。この溶液を十分に
攪拌しながら溶液中に浸漬した両電極間の通（ζ 電おより０．３ Ａ／ｄｍ” の電流密度（陰極表面積
６００ｍ２ ）で電解還元を６時間（これは理論上の電
気量のダ倍の量に相当する。）行った。無色透明であっ
た溶液はこの電解還元により青緑色に変化した。このよ
うに電解還元を行った後、反応生成物を含む溶液を２０
″Ｃに保持し、この中に真空蒸着によって透明電導膜（
酸化インジウム）を表面に付着させた！；Ｏｍ×１００
ｍの寸法のガラス基板を板面がほぼ垂直になるように浸
漬した。６０時間の浸漬を終えたガラス基板の表面に生
成した酸化タングステン薄膜の膜厚は均一であって、は
ぼ／３００にの膜厚であった。又セロハン粘着テープ１
０ｎＷｘ、２０ｔｎｔｎを膜に強く貼りつけて急激には
がしても灰のはがれはなく付着力の強い膜が生成してい
た。
酸を／、ｊ倍濃度割合、すなわち０．０７！；モル／ｌ
にして水に混合して得られたＰＨ−、ｌの！；００ｍ１
の混合水溶液を７０″Ｃに保持した。この溶液を十分に
攪拌しながら溶液中に浸漬した両電極間の通（ζ 電おより０．３ Ａ／ｄｍ” の電流密度（陰極表面積
６００ｍ２ ）で電解還元を６時間（これは理論上の電
気量のダ倍の量に相当する。）行った。無色透明であっ
た溶液はこの電解還元により青緑色に変化した。このよ
うに電解還元を行った後、反応生成物を含む溶液を２０
″Ｃに保持し、この中に真空蒸着によって透明電導膜（
酸化インジウム）を表面に付着させた！；Ｏｍ×１００
ｍの寸法のガラス基板を板面がほぼ垂直になるように浸
漬した。６０時間の浸漬を終えたガラス基板の表面に生
成した酸化タングステン薄膜の膜厚は均一であって、は
ぼ／３００にの膜厚であった。又セロハン粘着テープ１
０ｎＷｘ、２０ｔｎｔｎを膜に強く貼りつけて急激には
がしても灰のはがれはなく付着力の強い膜が生成してい
た。
酸化タングステン薄膜の付着した基材を膜中に残存する
未反応物を除去するため３００′Ｃで７時間の熱処理を
行いＥＣ特性のよい酸化タングステン膜とした。熱処理
後、上述と同称のセロハン粘着テープによる付着力テス
トを行ったが剥離は生じなかった。
未反応物を除去するため３００′Ｃで７時間の熱処理を
行いＥＣ特性のよい酸化タングステン膜とした。熱処理
後、上述と同称のセロハン粘着テープによる付着力テス
トを行ったが剥離は生じなかった。
上記実施例と比較するため以下の実験を行った。
まず実施例／と同じ方法で電解還元をおこなって反応生
成物を含む水溶液を得た。
成物を含む水溶液を得た。
この水溶液にア七トンを添加すると赤褐色の沈澱が生成
した。この沈澱を濾別し、結晶を分離した。
した。この沈澱を濾別し、結晶を分離した。
次いでこの結晶を水にＯ６Ｓモル／ｌの濃度に溶かしＪ
Ｏ’（に保持した。この中に真空蒸着によって透明電導
膜（酸化インジウム）を表面に付着させたガラス基板を
浸漬した。１０時間後に生成した酸化タングステン薄膜
の膜厚は均一でほぼ１３００Ａであった。この膜にセロ
ハン粘着テープ１０ｍｍＸｊＯｍｍを強く貼りつけ急激
にはがすと膜が一部はがれた。未反応物をとばすため３
００″Ｃ／時間の熱処理を行った後、同称のセロハン粘
着テープによる付着力テストを行ったが、一部剥離が生
じた。このようにして生成した膜は本発明により得られ
た膜より付着力が劣っている。
Ｏ’（に保持した。この中に真空蒸着によって透明電導
膜（酸化インジウム）を表面に付着させたガラス基板を
浸漬した。１０時間後に生成した酸化タングステン薄膜
の膜厚は均一でほぼ１３００Ａであった。この膜にセロ
ハン粘着テープ１０ｍｍＸｊＯｍｍを強く貼りつけ急激
にはがすと膜が一部はがれた。未反応物をとばすため３
００″Ｃ／時間の熱処理を行った後、同称のセロハン粘
着テープによる付着力テストを行ったが、一部剥離が生
じた。このようにして生成した膜は本発明により得られ
た膜より付着力が劣っている。
実施例コ
遷移金属酸塩並びに脂肪族カルボン酸の種類と濃度をい
ろいろ変えた実験を行った。電解還元条件、析出条件は
実施例／と同じである。基材も実施例１と同じ真空蒸着
によって透明電導膜（酸化インジウム）を表面に付着さ
せたガラス基板を用いた。生成した遷移金属酸化物膜の
膜厚とセロハン粘着テープによる付着力を調べた。結果
を表／に示す。
ろいろ変えた実験を行った。電解還元条件、析出条件は
実施例／と同じである。基材も実施例１と同じ真空蒸着
によって透明電導膜（酸化インジウム）を表面に付着さ
せたガラス基板を用いた。生成した遷移金属酸化物膜の
膜厚とセロハン粘着テープによる付着力を調べた。結果
を表／に示す。
付着力で○印は剥離のなかったことを示す。
Claims (7)
- （１） Ｍ＃金属酸イオンと脂肪族カルボン酸イオン
とを含む酸性液を電解還元した後、還元反応生成物を含
む該液中に基材を浸漬して該基材の表面に遷移金属酸化
物を析出させることを特徴とする遷移金属酸化物膜の製
造方法。 - （２） 前記遷移金属酸イオンはタングステン酸イオ
ンであり、前記脂肪族カルボン酸イオンは修酸イオンで
ある特許請求の範囲第１項記載の遷移金属酸化物膜の製
造方法。 - （３） 前記遷移金属酸イオンはモリブデン酸イオン
であり、前記脂肪族カルボン酸イオンは修酸イオンであ
る特許請求の範囲第１項記載の遷移金属酸化物膜の製造
方法。 - （４） 前記遷移金属酸イオンはタングステン酸イオ
ン１ とモ〉ブデン酸イオンとの混合物であり、前記脂肪族カ
ルボン酸イオンは修酸イオンである特許請求範囲第１項
記載の遷移金属酸化物膜の製造方法。 - （５）前記酸性液は／、ｊ−４のＰＨ値を有する特許請
求の範囲第１−ダ項記載の遷移金属酸化物膜の製造方法
。 - （６）前記酸性液は遷移金属酸塩と脂肪族カルボン酸と
を水に混合したものである特許請求の範囲第１項記載の
Ｍ移金属酸化物膜の製造方法。 - （７） 前記酸性液は遷移金属酸塩と脂肪族カルボン
酸と脂肪族カルボン酸塩とを水に混合したものである特
許請求の範囲第１項記載の遷移金属酸化物膜の製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57052179A JPS58172231A (ja) | 1982-03-30 | 1982-03-30 | 遷移金属酸化物膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57052179A JPS58172231A (ja) | 1982-03-30 | 1982-03-30 | 遷移金属酸化物膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58172231A true JPS58172231A (ja) | 1983-10-11 |
| JPS639015B2 JPS639015B2 (ja) | 1988-02-25 |
Family
ID=12907577
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57052179A Granted JPS58172231A (ja) | 1982-03-30 | 1982-03-30 | 遷移金属酸化物膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58172231A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6083918A (ja) * | 1983-10-14 | 1985-05-13 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | エレクトロクロミツク素子 |
| JPS61219030A (ja) * | 1985-03-25 | 1986-09-29 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | エレクトロクロミツク素子 |
| JPS61228423A (ja) * | 1985-04-03 | 1986-10-11 | Tokuyama Soda Co Ltd | エレクトロクロミツクデイスプレイ素子の構成法 |
| JPS6287242A (ja) * | 1985-05-29 | 1987-04-21 | Nippon Shokubai Kagaku Kogyo Co Ltd | 安定な金属酸化物系ゾル組成物 |
| JPS6347335U (ja) * | 1986-09-12 | 1988-03-31 | ||
| JP2015175018A (ja) * | 2014-03-14 | 2015-10-05 | 古河電気工業株式会社 | ゲル状アモルファス化合物のパターン又は薄膜の形成方法、マイクロキャピラリー電解パターニング装置、並びに金属導体及び金属酸化物パターン又は薄膜の形成方法 |
-
1982
- 1982-03-30 JP JP57052179A patent/JPS58172231A/ja active Granted
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6083918A (ja) * | 1983-10-14 | 1985-05-13 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | エレクトロクロミツク素子 |
| JPS61219030A (ja) * | 1985-03-25 | 1986-09-29 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | エレクトロクロミツク素子 |
| JPH0523408B2 (ja) * | 1985-03-25 | 1993-04-02 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | |
| JPS61228423A (ja) * | 1985-04-03 | 1986-10-11 | Tokuyama Soda Co Ltd | エレクトロクロミツクデイスプレイ素子の構成法 |
| JPS6287242A (ja) * | 1985-05-29 | 1987-04-21 | Nippon Shokubai Kagaku Kogyo Co Ltd | 安定な金属酸化物系ゾル組成物 |
| JPS6347335U (ja) * | 1986-09-12 | 1988-03-31 | ||
| JP2015175018A (ja) * | 2014-03-14 | 2015-10-05 | 古河電気工業株式会社 | ゲル状アモルファス化合物のパターン又は薄膜の形成方法、マイクロキャピラリー電解パターニング装置、並びに金属導体及び金属酸化物パターン又は薄膜の形成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS639015B2 (ja) | 1988-02-25 |
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