JPS6083918A - エレクトロクロミツク素子 - Google Patents
エレクトロクロミツク素子Info
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- JPS6083918A JPS6083918A JP58192059A JP19205983A JPS6083918A JP S6083918 A JPS6083918 A JP S6083918A JP 58192059 A JP58192059 A JP 58192059A JP 19205983 A JP19205983 A JP 19205983A JP S6083918 A JPS6083918 A JP S6083918A
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- Japan
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- acid
- film
- substrate
- transition metal
- contg
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/15—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on an electrochromic effect
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、電圧印加により可逆的な発消色を示すエレク
トロクロミック素子（以Ｔ”ＥＣＤ と略称する）に関
す６゜更に詳しくは、発消色の速度が速いＥＣＤを提供
することに関する。
トロクロミック素子（以Ｔ”ＥＣＤ と略称する）に関
す６゜更に詳しくは、発消色の速度が速いＥＣＤを提供
することに関する。
近年、情報処理における端末装置ｉｔの普及、力−ユレ
クトロニクス化と言われる自動車産業の力ｆしい展開に
より、軽量薄型の大面積表示装置が強くめられている。
クトロニクス化と言われる自動車産業の力ｆしい展開に
より、軽量薄型の大面積表示装置が強くめられている。
ＥＣＤは視角依存性か小さい、メモリー機能を有するな
どの特徴と共に比較的大面積化が容易であることから、
早くから大面積表示イＡ相としてｌセロされていた。し
かしながら、エレクトロクロミック膜（以下ＥＣ膜と略
称）として真空蒸着法、スパッター法なとて形成された
酸化タングステン膜を用いたＥＣＤでは、名色速度およ
び消色法度（以下着消色速度と略称ンが遅い（０，３−
ｉ秒）という問題があり実用に至らなかった。
どの特徴と共に比較的大面積化が容易であることから、
早くから大面積表示イＡ相としてｌセロされていた。し
かしながら、エレクトロクロミック膜（以下ＥＣ膜と略
称）として真空蒸着法、スパッター法なとて形成された
酸化タングステン膜を用いたＥＣＤでは、名色速度およ
び消色法度（以下着消色速度と略称ンが遅い（０，３−
ｉ秒）という問題があり実用に至らなかった。
本発明者はかかるＥＣＤの問題点に鑑み、着消色速度の
沫いＥｅｌ漠の製造方法について遷移金属酸化物膜の製
造方法（特願昭３７−３２／７９）を提案した。上記方
法は遷移金属酸イオンと脂肪族カッ１ボン酸イメンとを
含む酸性液を電１ｖｒ＋’′、′ｆ ノｌｌ Ｌ、た後
、還元反応生成物を含む該液中Ｇこり、し祠＆ ｌ）
ｌＪｉ して該基イΔ表血に遷移金属酸化物をハチ戊・
ｊるＪｉ ｒ）、（以ＩＳ析出法と略称する。）である
。
沫いＥｅｌ漠の製造方法について遷移金属酸化物膜の製
造方法（特願昭３７−３２／７９）を提案した。上記方
法は遷移金属酸イオンと脂肪族カッ１ボン酸イメンとを
含む酸性液を電１ｖｒ＋’′、′ｆ ノｌｌ Ｌ、た後
、還元反応生成物を含む該液中Ｇこり、し祠＆ ｌ）
ｌＪｉ して該基イΔ表血に遷移金属酸化物をハチ戊・
ｊるＪｉ ｒ）、（以ＩＳ析出法と略称する。）である
。
）１記方法により作成し、２ｏ Ｏ”Ｃ〜３ｊＯ’Ｃの
〆ｊ１１１冒グてｉ’、ｙ：成した７０００〜２タｏｏ
Ａンゲ４］・ＩＩ−ノ＼の酸化クツゲステン膜は、有
機酸・１１：１様Ｃ１ｌヲ／１．′どの高いゾロトン導
電性を存する？Ｉ２ｆヂ１質とｊ［、に原３Ｄを組立て
ることが出来、スパッター法乙ｒと？；１−東法に、１
：り作成した酸化タングステン膜を使用しｌ二ＥＣＩ）
、Ｊ：りも数段早い着消色速度を示す。
〆ｊ１１１冒グてｉ’、ｙ：成した７０００〜２タｏｏ
Ａンゲ４］・ＩＩ−ノ＼の酸化クツゲステン膜は、有
機酸・１１：１様Ｃ１ｌヲ／１．′どの高いゾロトン導
電性を存する？Ｉ２ｆヂ１質とｊ［、に原３Ｄを組立て
ることが出来、スパッター法乙ｒと？；１−東法に、１
：り作成した酸化タングステン膜を使用しｌ二ＥＣＩ）
、Ｊ：りも数段早い着消色速度を示す。
しかしながら、」−記焼成１１！’４ ｉ：ｉ ｚ ｌ
ａｐ、：γ：、」中ＩＱσ）速いゾロ１ン導１１ ？＜
Ｉ： ２ｉ’；、解質を使用出来る利点をイＩするもの
の、イノ１出ＩＪり（の焼成条件のハソノｌ／ｆ、 ）
、ｆ Ｃ（−より＋ｊｘｒ品質のばらつきが生じるり（
点かあ−，た。
ａｐ、：γ：、」中ＩＱσ）速いゾロ１ン導１１ ？＜
Ｉ： ２ｉ’；、解質を使用出来る利点をイＩするもの
の、イノ１出ＩＪり（の焼成条件のハソノｌ／ｆ、 ）
、ｆ Ｃ（−より＋ｊｘｒ品質のばらつきが生じるり（
点かあ−，た。
本発明者らは、かかるＥＣＤの間ｊ１す１点（Ｊ１１！
、、Ｚ］、鋭（４研究の結果、焼成手段を取らす＋’−
ｔ：’ｆ 泊’（（’、 ｒ１度σ）速いＥＣＤを見出
すに余った。１（１ｊイー、不発１１１１ ＋ハ１号Ｃ
Ｄｉ；ｔ（Ａ） ｉｌ！イ移金属酸イオンと脂肪族カル
ボン酸イＡノとを含む酸性液を電解還元した後 ｉｌ、
ｉ：ｆ几ノスル１〕、化１＋５物を含む該液中に基イネ
を浸酸して該基拐表面に析出させた未焼成ｄ移金属酸化
物膜および（Ｂｌ中性の電解質物質とからなる。
、、Ｚ］、鋭（４研究の結果、焼成手段を取らす＋’−
ｔ：’ｆ 泊’（（’、 ｒ１度σ）速いＥＣＤを見出
すに余った。１（１ｊイー、不発１１１１ ＋ハ１号Ｃ
Ｄｉ；ｔ（Ａ） ｉｌ！イ移金属酸イオンと脂肪族カル
ボン酸イＡノとを含む酸性液を電解還元した後 ｉｌ、
ｉ：ｆ几ノスル１〕、化１＋５物を含む該液中に基イネ
を浸酸して該基拐表面に析出させた未焼成ｄ移金属酸化
物膜および（Ｂｌ中性の電解質物質とからなる。
上記酸性液に含まれる遷移金属酸イオンの諒としては、
タングステン酸、モリフテン酸、イリジウム酸、チタン
酸、バナジウム酸、ジルコニウム酸、ハフニウム酸、ニ
メブ酸、クンタル酩、マンカン酩、レニウム酸、ルテニ
ウム酸、副スニウム酸、又はロジウム酸などの砂移金属
酸、またはこれとすトリウム、カリウム、ルヒジウム、
（！ノウム、リチウム、などのアルカリ金、叫、ア／モ
ニウム７テトラアルギルアンモニウム、又はマグネシウ
ム、カルシウム等のアルカリ土１１゛１金属との’ｆｎ
＋ ’１とを例示することができ、これらの中でタング
ステン酸カリウムやタングステン酸すトリウムが好まし
く用いられる。これら（才単独で用いることもてき、ま
たこれらの混合物、として使用することもできる。又、
脂肪族カルボン（ｇイ詞ンの源としては修酸、マロン酸
、こはく酸、グルクル酸、アジピン酸、酷石酸、りんご
酸、酢酸、プロピ副ン酸、醋酸、吉草酸、カプロン酸ｔ
；゛どの脂肪族カルボン酸またはこれと前述のアルカリ
金属、アンモニウム１、テトラアルギルアンモニウム＼
１−１′ルノノリ１１１’ｉ金属との塩を例示すること
がで、キ、これらの中で修酸が好ましく用いら第１る、
１（−わＬ言−１そ２′１そね弔独で使用してもよく、
才たｉＭ合物の形で用いてもよい。
タングステン酸、モリフテン酸、イリジウム酸、チタン
酸、バナジウム酸、ジルコニウム酸、ハフニウム酸、ニ
メブ酸、クンタル酩、マンカン酩、レニウム酸、ルテニ
ウム酸、副スニウム酸、又はロジウム酸などの砂移金属
酸、またはこれとすトリウム、カリウム、ルヒジウム、
（！ノウム、リチウム、などのアルカリ金、叫、ア／モ
ニウム７テトラアルギルアンモニウム、又はマグネシウ
ム、カルシウム等のアルカリ土１１゛１金属との’ｆｎ
＋ ’１とを例示することができ、これらの中でタング
ステン酸カリウムやタングステン酸すトリウムが好まし
く用いられる。これら（才単独で用いることもてき、ま
たこれらの混合物、として使用することもできる。又、
脂肪族カルボン（ｇイ詞ンの源としては修酸、マロン酸
、こはく酸、グルクル酸、アジピン酸、酷石酸、りんご
酸、酢酸、プロピ副ン酸、醋酸、吉草酸、カプロン酸ｔ
；゛どの脂肪族カルボン酸またはこれと前述のアルカリ
金属、アンモニウム１、テトラアルギルアンモニウム＼
１−１′ルノノリ１１１’ｉ金属との塩を例示すること
がで、キ、これらの中で修酸が好ましく用いら第１る、
１（−わＬ言−１そ２′１そね弔独で使用してもよく、
才たｉＭ合物の形で用いてもよい。
又、？ｉｌ Ｗ（還元すべきａ移金属酸・（、Ａンと脂
肪族ｈルボン酸イメンとを含む酸１ソ１液中のｉ：ｊ：
、ｉ移Ｇ２属酸イＡンの濃度は通常水溶液／（Ｖ１１＋
ｊ・−ｏ、ｏｏｓ〜０．タモルの濃度で用いられる。脂
肪族カルボ′−酷・イメばよいが、反応速度、収率等を
考えれば７〜１倍のモル比が好しい。
肪族ｈルボン酸イメンとを含む酸１ソ１液中のｉ：ｊ：
、ｉ移Ｇ２属酸イＡンの濃度は通常水溶液／（Ｖ１１＋
ｊ・−ｏ、ｏｏｓ〜０．タモルの濃度で用いられる。脂
肪族カルボ′−酷・イメばよいが、反応速度、収率等を
考えれば７〜１倍のモル比が好しい。
Ｊ！Ｔ移金属酸イオンと脂肪族カルボン酸イＡンとを含
む液はそのＰＨが高すきると〆（な中から水素カスが発
生し、後の電ｆｌ’ｌ’ Ｅｉ ｊじが起らｌ、： （
１’、るσ）で酸性に保た１＋る必要がある。
む液はそのＰＨが高すきると〆（な中から水素カスが発
生し、後の電ｆｌ’ｌ’ Ｅｉ ｊじが起らｌ、： （
１’、るσ）で酸性に保た１＋る必要がある。
す、下に本発明を実施例にもと）ｊ゛３＼３−さらＧ・
−１’１’ｆ 、ｔｉＩｌｌに説明する。
−１’１’ｆ 、ｔｉＩｌｌに説明する。
実施例
水Ｉｎあたりタングステン酸カリウムＯ，ＯＳモルと修
酸０．０？！；モルを水に加えＰＨ，２の混合水溶液を
調整した。この混合水溶液を７０°Ｃに保持し、溶液中
に鉛板のカッ〜ド電極およびカーボンロンドのアノード
電極を浸漬し、両電極間に電流密１β−０，５Ａ／ｄｌ
Ｔ］２の電圧を印加し、ｑ時間電解還元を行なった。こ
うして電ＩＷ還元のための通電を終了した溶液に（シ８
一般的に示すと次式で表わされる低原子価の遷移金属の
メキソ？Ｒ体 Ｍｍ （１ｘＯｙＬｚ） ０ｎＨ２０ （ここにＭはアルカリ金属、アルカリ土類金属またはア
ンモニウム、テトラアルギルアンモニウム、Ｘは遷移金
属、Ｌはカルボキシル基を有する配位子、ｍ＝／または
２．Ｘ＝／〜１０の整数、ｙ−／〜、２０の整数、ｚ−
／ 〜１１０の整数、ｎはＯ又は１１：、の数（整数ま
たは小数）を示している。）の反１ｉａ、性成物が生成
している。
酸０．０？！；モルを水に加えＰＨ，２の混合水溶液を
調整した。この混合水溶液を７０°Ｃに保持し、溶液中
に鉛板のカッ〜ド電極およびカーボンロンドのアノード
電極を浸漬し、両電極間に電流密１β−０，５Ａ／ｄｌ
Ｔ］２の電圧を印加し、ｑ時間電解還元を行なった。こ
うして電ＩＷ還元のための通電を終了した溶液に（シ８
一般的に示すと次式で表わされる低原子価の遷移金属の
メキソ？Ｒ体 Ｍｍ （１ｘＯｙＬｚ） ０ｎＨ２０ （ここにＭはアルカリ金属、アルカリ土類金属またはア
ンモニウム、テトラアルギルアンモニウム、Ｘは遷移金
属、Ｌはカルボキシル基を有する配位子、ｍ＝／または
２．Ｘ＝／〜１０の整数、ｙ−／〜、２０の整数、ｚ−
／ 〜１１０の整数、ｎはＯ又は１１：、の数（整数ま
たは小数）を示している。）の反１ｉａ、性成物が生成
している。
溶液還元後１．同溶液を２０°Ｃに保持し、酸化錫被覆
ガラス（３ｍｍ厚、２．５ｃｍ巾、５ｃｍ長さ、酸化錫
膜厚２０００Å、表面電気抵抗抵抗率３０Ω）を２０時
間浸漬して酸化錫錫膜上に約１５００Å厚の酸化タング
ステン膜を形成した。この反応は、下記の様な低原子価
の遷移金属のオキソ錯体が酸化されながら分解して遷移
金属酸化物膜が形成される反応である。
ガラス（３ｍｍ厚、２．５ｃｍ巾、５ｃｍ長さ、酸化錫
膜厚２０００Å、表面電気抵抗抵抗率３０Ω）を２０時
間浸漬して酸化錫錫膜上に約１５００Å厚の酸化タング
ステン膜を形成した。この反応は、下記の様な低原子価
の遷移金属のオキソ錯体が酸化されながら分解して遷移
金属酸化物膜が形成される反応である。
−１−０、：□
Ｍｍ （ＸｘＯｙＬｚ：］ ・ｎＨ２Ｏ−→（ＸｘＯｌ
ｌｕｒ）＋ｍＭ＋（２−１０十ｚＬ−’に！−）（ここ
にｒはＯ＜ｒ＜ｘの整数または小数である。）この電解
還元反応後の遷移金属酸化物の析出条件としては、析出
温度と溶液中の酸素の量が関係する。
ｌｕｒ）＋ｍＭ＋（２−１０十ｚＬ−’に！−）（ここ
にｒはＯ＜ｒ＜ｘの整数または小数である。）この電解
還元反応後の遷移金属酸化物の析出条件としては、析出
温度と溶液中の酸素の量が関係する。
ここで、析出温度はＥＣＤの着消色速度にも影響を与え
、温度が高い方が着消色速度が早くなる。
、温度が高い方が着消色速度が早くなる。
しかしながら析出温度が３０℃以上であると、膜の成長
速度が遅くなる欠点となり、析出温度は１５℃以上３０
℃未満が適している。好ましくは２０℃以上３０℃未満
である。
速度が遅くなる欠点となり、析出温度は１５℃以上３０
℃未満が適している。好ましくは２０℃以上３０℃未満
である。
又、上記析出法の酸化タングステン膜との比較用サンプ
ルとして、スパッター法による酸化タングステン膜を用
血した。この酸化タングステン膜は真空度１×１０−３
トールにおいて、酸化タングステンをターゲタ］・とじ
、醸化錫被覆ガラス（上記形状と同様）の上にマグネト
ロンスパッター法により形成した。又、膜厚は約／５０
０Ａとした。
ルとして、スパッター法による酸化タングステン膜を用
血した。この酸化タングステン膜は真空度１×１０−３
トールにおいて、酸化タングステンをターゲタ］・とじ
、醸化錫被覆ガラス（上記形状と同様）の上にマグネト
ロンスパッター法により形成した。又、膜厚は約／５０
０Ａとした。
この様にして作成した、ＥＣ膜つきカラス板を用いて第
１図の様な簡易ＥＣセルを作成した。ここで簡易ＥＣセ
ル（７）は、基板カラス（１）、酸化錫膜（２）、ＥＣ
膜（３）、電解質（４）、石英セル（５）、おＪ：０ツ
ノ−ボンロッド（東海カーボン■商品名グラッシーカー
ボン）（６）よりなる。又、第１図中の電榎開３−ダｆ
ｒＬは２０ｍｍと設定した。
１図の様な簡易ＥＣセルを作成した。ここで簡易ＥＣセ
ル（７）は、基板カラス（１）、酸化錫膜（２）、ＥＣ
膜（３）、電解質（４）、石英セル（５）、おＪ：０ツ
ノ−ボンロッド（東海カーボン■商品名グラッシーカー
ボン）（６）よりなる。又、第１図中の電榎開３−ダｆ
ｒＬは２０ｍｍと設定した。
そして、上記簡易ＥＣセルに、論色時は酸化；ソ膜（２
）に○（４りおよびカーボンロッド（６）に■極の直流
電圧を、消色時は酸化錫膜（２）にＱ極およびカーホ゛
ンロッド（６）に○極の直流電圧を印加し、簡易ＥＣＤ
の吸光度（波長５４５ｎｍの光の吸音度）の経時変化を
測定した。
）に○（４りおよびカーボンロッド（６）に■極の直流
電圧を、消色時は酸化錫膜（２）にＱ極およびカーホ゛
ンロッド（６）に○極の直流電圧を印加し、簡易ＥＣＤ
の吸光度（波長５４５ｎｍの光の吸音度）の経時変化を
測定した。
着色度合の経１１イ変化および消色度合の経時変化は第
２図にみられる様な曲線と／〔−１だ。ここでＥＣＤの
性能を評価するために、印加型ｊ［・、印加時お」：び
逆転時の光学密度（Ｌｏｇ （ｌｑ／ ｌ ） ｔここ
でＪＯ−λ射光片）、Ｊ−透過光（廿である。Ｊソ後０
． Ｄ。
２図にみられる様な曲線と／〔−１だ。ここでＥＣＤの
性能を評価するために、印加型ｊ［・、印加時お」：び
逆転時の光学密度（Ｌｏｇ （ｌｑ／ ｌ ） ｔここ
でＪＯ−λ射光片）、Ｊ−透過光（廿である。Ｊソ後０
． Ｄ。
と略称する。）の変化の初速ｊＯ１（図中のｌｌ’ｌ線
ＡおよびＢの何ｌき） をめ、それぞれ初期着色速度、防（０１消色速度と定義
し、比較対照する値とした。
ＡおよびＢの何ｌき） をめ、それぞれ初期着色速度、防（０１消色速度と定義
し、比較対照する値とした。
回出水溶液として種々の印加電圧６−印加した時の初期
着色速度の印加電圧依存性４求め７．、： ’ｔＪσ）
る−第３図、同じ条件での初期消色油１（３，７）印加
′１１ε月依存性をめたものを第グ図に示す１、図中に
３−％の硫酸水溶液を用いたスパッターＩＩＬ）′・の
ｊ、／ｉ’１色床ＩＱの印加電圧依存性の値を示す。
着色速度の印加電圧依存性４求め７．、： ’ｔＪσ）
る−第３図、同じ条件での初期消色油１（３，７）印加
′１１ε月依存性をめたものを第グ図に示す１、図中に
３−％の硫酸水溶液を用いたスパッターＩＩＬ）′・の
ｊ、／ｉ’１色床ＩＱの印加電圧依存性の値を示す。
第３図から印加電圧２ｖ以上で（，１、杢４１１明のＥ
ＣＤは従来例のＥＣＤよりもｌ：、ｊｊ ｌ／−着〔（
５辻１σをｔｊ：、 して ４いる。又、第を図から本
発明のＦＣＤｉ：Ｉ、印ＪＪＩ冒［ε圧／。、５′ｖな
いし！。＜ＺＶにおいて従来例０ＥＣＤよりも甲い消色
速度を示している。ここで一般に行なわれている様に着
消色に同電圧を逆転印加させる場合には、上記実施例に
おいて印加電圧／、５Ｖ ないし、２． ＩＩＶ で従
来のＥＣＤとくらへ着消色速度の早いＥＣＩ）か得られ
る事がわかる。
ＣＤは従来例のＥＣＤよりもｌ：、ｊｊ ｌ／−着〔（
５辻１σをｔｊ：、 して ４いる。又、第を図から本
発明のＦＣＤｉ：Ｉ、印ＪＪＩ冒［ε圧／。、５′ｖな
いし！。＜ＺＶにおいて従来例０ＥＣＤよりも甲い消色
速度を示している。ここで一般に行なわれている様に着
消色に同電圧を逆転印加させる場合には、上記実施例に
おいて印加電圧／、５Ｖ ないし、２． ＩＩＶ で従
来のＥＣＤとくらへ着消色速度の早いＥＣＩ）か得られ
る事がわかる。
以上の様に本発明のＥＣＤは従来法のＥＣ膜を用いたＥ
ＣＤとくらへ、初期着色速度、初期消色速度共にすぐれ
た性能を有し、かつ焼成処理による品液の場合であった
が、Ｋ２ＳＯ４、ＮａＣ］、、ＬｉＣｌＯ４などの中性
電解質水溶液であっても、中性であればＦ ＣＩ摸を溶
）９イする様な事がないので使用する事かまれる。又、
電解質は水溶液にかぎらず、電解質物質であれば使用出
来る。
ＣＤとくらへ、初期着色速度、初期消色速度共にすぐれ
た性能を有し、かつ焼成処理による品液の場合であった
が、Ｋ２ＳＯ４、ＮａＣ］、、ＬｉＣｌＯ４などの中性
電解質水溶液であっても、中性であればＦ ＣＩ摸を溶
）９イする様な事がないので使用する事かまれる。又、
電解質は水溶液にかぎらず、電解質物質であれば使用出
来る。
第１図は、測定に使用した簡易ＥＣＤを示す断面図。第
２図は本実施例電圧変化時の光学密度の経時変化を示す
グラフ。第３図は初期着色速度の印加電圧依存性を示す
グラフ。第４図は初期消色速度の印加電圧依存性を示す
グラフである。 （１）基板ガラス（２）酸化錫膜（３）ＥＣ膜（４）電
解質（５）石英セル（６）カーボン電極（７）簡易ＥＣ
セル特許出願人 日本板硝子株式会社 代理人 弁理士 大野 精市 第 １ 図 時間（ＳＥＣ） 第２図 図面の沖吉（内ｄに仄更なし） 第３図 第４図 手 続 補 正 書 昭和５９年１４９ 日 特許庁長官殿 ／ 事件の表示 特願昭ｊざ一１ｑ２ｏｓｑ号 一 発明の名称 エレクトロクロミック素子 ３ 補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 大阪府大阪市東区道修町４丁目８番地名称 （
ｌθθ）日本板硝子株式会社 代表者 刺 賀 信 雄 ダ代理人 １、ｌ１ｉＴｆＥ （７）対象ｉ！Ｂ ［″Ｉ！ｉ９＄
Ｉｆ４３ ／［３明細書の「発明の詳細な説明」の欄お
よび図面（第３図および第１図） ７ 補正の内容 （ａ） 明細書第９頁下から１０行目「・・・ＫＣＩ・
・・」 を「・・・ＫＯＩ・・・Ｊ と補正する。 （ｂ） 明細書第９頁下から９行目「・・・Ｋ（Ｅ、Ｔ
・・・」 を「・・・ＫＣＩ・・・」 と補正する。 ＦＣ＋ 明細書筒ｉｏ頁／／行目「・・・ＫＣＩ・・・
」 を［・・・ＫＣｌ・・・Ｊ と補正する。 補正する。 ざ 添伺書類 （１）図面（第３図、第ｑ図）
２図は本実施例電圧変化時の光学密度の経時変化を示す
グラフ。第３図は初期着色速度の印加電圧依存性を示す
グラフ。第４図は初期消色速度の印加電圧依存性を示す
グラフである。 （１）基板ガラス（２）酸化錫膜（３）ＥＣ膜（４）電
解質（５）石英セル（６）カーボン電極（７）簡易ＥＣ
セル特許出願人 日本板硝子株式会社 代理人 弁理士 大野 精市 第 １ 図 時間（ＳＥＣ） 第２図 図面の沖吉（内ｄに仄更なし） 第３図 第４図 手 続 補 正 書 昭和５９年１４９ 日 特許庁長官殿 ／ 事件の表示 特願昭ｊざ一１ｑ２ｏｓｑ号 一 発明の名称 エレクトロクロミック素子 ３ 補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 大阪府大阪市東区道修町４丁目８番地名称 （
ｌθθ）日本板硝子株式会社 代表者 刺 賀 信 雄 ダ代理人 １、ｌ１ｉＴｆＥ （７）対象ｉ！Ｂ ［″Ｉ！ｉ９＄
Ｉｆ４３ ／［３明細書の「発明の詳細な説明」の欄お
よび図面（第３図および第１図） ７ 補正の内容 （ａ） 明細書第９頁下から１０行目「・・・ＫＣＩ・
・・」 を「・・・ＫＯＩ・・・Ｊ と補正する。 （ｂ） 明細書第９頁下から９行目「・・・Ｋ（Ｅ、Ｔ
・・・」 を「・・・ＫＣＩ・・・」 と補正する。 ＦＣ＋ 明細書筒ｉｏ頁／／行目「・・・ＫＣＩ・・・
」 を［・・・ＫＣｌ・・・Ｊ と補正する。 補正する。 ざ 添伺書類 （１）図面（第３図、第ｑ図）
Claims (3)
- （１）（Ａ）遷移金属イオンと脂肪族カルボン酸イオン
とを含む酸性液を電解還元した後、還元反応生成物を含
む該液中に基材を浸漬して該基材表面に析出させた未焼
成遷移金属酸化物膜、および（Ｂ）中性の電解質物質 とからなる事を動機とするエレクトロクロミック素子。 - （２）前記遷移金属酸化物膜が酸化タングステン酸であ
る特許請求の範囲第１項記載のエレクトロクロミック素
子。 - （３）前記中性の電電解質物質が塩化カリウムの水溶液
である特許請求の範囲第１項または第２項記載のエレク
トロクロミック素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58192059A JPS6083918A (ja) | 1983-10-14 | 1983-10-14 | エレクトロクロミツク素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58192059A JPS6083918A (ja) | 1983-10-14 | 1983-10-14 | エレクトロクロミツク素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6083918A true JPS6083918A (ja) | 1985-05-13 |
Family
ID=16284932
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58192059A Pending JPS6083918A (ja) | 1983-10-14 | 1983-10-14 | エレクトロクロミツク素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6083918A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61228423A (ja) * | 1985-04-03 | 1986-10-11 | Tokuyama Soda Co Ltd | エレクトロクロミツクデイスプレイ素子の構成法 |
| EP0474142A2 (de) * | 1990-09-05 | 1992-03-11 | Ec-Montageautomaten Herbert Eccard Gmbh | Vorrichtung zum Sortieren von lose geschütteten Werkstücken |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58172231A (ja) * | 1982-03-30 | 1983-10-11 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 遷移金属酸化物膜の製造方法 |
-
1983
- 1983-10-14 JP JP58192059A patent/JPS6083918A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58172231A (ja) * | 1982-03-30 | 1983-10-11 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 遷移金属酸化物膜の製造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61228423A (ja) * | 1985-04-03 | 1986-10-11 | Tokuyama Soda Co Ltd | エレクトロクロミツクデイスプレイ素子の構成法 |
| EP0474142A2 (de) * | 1990-09-05 | 1992-03-11 | Ec-Montageautomaten Herbert Eccard Gmbh | Vorrichtung zum Sortieren von lose geschütteten Werkstücken |
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